32] 進一步的，所述矢量發(fā)生數(shù)據(jù)由所述ATE上的Pin Electronic組件生成，而且所 述第一電壓Ui也是通過所述ATE測試機上的Pin Electronic組件生成。
[0033] 所述第一電壓Ui的大小可W根據(jù)實際需要進行設定，一般可W設定為幾伏特即 可，例如設定為3伏特，5伏特等等。
[0034]S3 ;所述ATE向所述測試通路上施加一第一恒定電流I，W維持所述測試通路在測 試過程中的電流為一恒定值。
[0035] 在所述ATE測試機向所述測試通路上施加所述第一電壓Ui的同時，所述ATE測試 機同時向所述測試通路上施加一第一恒定電流I，所述第一恒定電流I使得所述測試通路 在充電和放電的過程中的電流相等，從而使得所述測試通路的充電速度和放電速度相等， 方便計量所述測試通路從充電到放電的整個過程所需要的時間，同時也減小充電和放電速 度不同對所述測試通路的寄生電容C的影響，提高所述測試通路的寄生電容C的測量精度。
[0036] 進一步的，所述第一恒定電流I是通過所述ATE測試機上的PPMU組件向所述測試 通路上施加的。
[0037]S4;當所述測試通路達到規(guī)定充電時間后，所述ATE停止向所述測試通路上施加 所述第一電壓Ui，所述測試通路進行放電，所述ATEW-矢量周期T周期性的測量所述測試 通路的輸出電壓。
[003引當所述測試通路充電完成后，所述ATE測試機停止向所述測試通路施加所述第一 電壓Ui，此時，所述測試通路進行放電，進入放電過程，在所述測試通路進行放電的過程中， 所述ATE測試機W-定的矢量周期T周期性的測量所述測試通路的輸出電壓。
[0039] 具體的，所述ATE測試機通過所述Pin Electronic組件測量所述測試通路的輸出 電壓。
[0040] 所述矢量周期T大于等于所述ATE測試機的測試精度。所述矢量周期越小，所測 量的所述測量通路上的寄生電容C就越精確，因此一般常取所述ATE測試機的測試精度作 為所述矢量周期T的數(shù)值。
[0041] S5;所述ATE將所述輸出電壓與一第二電壓&進行比較判斷，當所述輸出電壓小 于所述第二電壓&時，所述矢量的測試顯示為失效，則計算從放電開始到輸出電壓小于所 述第二電壓中矢量運行的矢量行數(shù)n。
[0042] 設定一第二電壓&，所述第二電壓&小于所述第一電壓U1。所述ATE測試機每隔 一個所述矢量周期T就測量所述測試通路的一個輸出電壓，所述ATE測試機將所述輸出電 壓與所述第二電壓&進行比較，在所述測量通路在進行放電的過程中，所述輸出電壓從所 述第一電壓Ui開始逐步降低，當所述輸出電壓等于所述第二電壓U2時，即可認為所述測試 通路在本次測試中放電結(jié)束，記錄所述ATE測試機測量所述輸出電壓的矢量行數(shù)n。
[0043] 通過所述矢量周期和所述矢量行數(shù)即可計算出從放電開始到輸出電壓小于所述 第二電壓的過程中所述矢量的放電時間，即為（所述矢量周期T*所述矢量行數(shù)n)。
[0044] 在實際應用過程中，可W根據(jù)實際測量的精度需要設定所述第二電壓&的值W及 所述矢量周期T的值，只要保證所述第二電壓&小于所述第一電壓U1即可。
[0045] 具體的，所述ATE測試機通過所述Pin Electronic組件對所述輸出電壓和所述第 二電壓&進行比較判斷。
[0046] S6 ;計算所述測試通路上的寄生電容C。
[0047] 根據(jù)所述ATE測試機對所述測試通路施加的所述第一電壓Ui、設定的所述第二電 壓&、設定的所述矢量周期TW及測量過程中記錄的測量所述輸出電壓的所述矢量行數(shù)n， 由下式（1)即可計算出所述測試通路上的寄生電容C:
[0048]
【主權(quán)項】
1. 一種利用ATE測量線路上寄生電容的方法，其特征在于，包括以下步驟： 選定需要量測的測試通路； ATE定義一矢量發(fā)生數(shù)據(jù)和一矢量，并根據(jù)所述矢量發(fā)生數(shù)據(jù)和所述矢量向所述測試 通路上施加一第一電壓對所述測試通路進行充電； 所述ATE向所述測試通路上施加一第一恒定電流，以維持所述測試通路在測試過程中 的電流為一恒定值； 當所述測試通路達到規(guī)定充電時間后，所述ATE停止向所述測試通路上施加所述第一 電壓，所述測試通路進行放電，所述ATE以一矢量周期周期性的測量所述測試通路的輸出 電壓； 所述ATE將所述輸出電壓與一第二電壓進行比較判斷，當所述輸出電壓小于所述第二 電壓時，所述矢量的測試顯示為失效，則計算從放電開始到輸出電壓小于所述第二電壓的 過程中所述矢量運行的矢量行數(shù)； 計算所述測試通路上的寄生電容： 寄生電容=所述第一恒定電流* (所述矢量周期*所述矢量行數(shù)）八所述第一電壓-所 述第二電壓）。
2. 如權(quán)利要求1所述的利用ATE測量線路上寄生電容的方法，其特征在于，所述第一電 壓大于所述第二電壓。
3. 如權(quán)利要求1所述的利用ATE測量線路上寄生電容的方法，其特征在于，所述矢量發(fā) 生數(shù)據(jù)由所述ATE上的Pin Electronic組件生成。
4. 如權(quán)利要求3所述的利用ATE測量線路上寄生電容的方法，其特征在于，所述矢量發(fā) 生數(shù)據(jù)與所述測試通路一一對應。
5. 如權(quán)利要求3所述的利用ATE測量線路上寄生電容的方法，其特征在于，所述ATE通 過Pin Electronic組件向所述測試通路上施加所述第一電壓。
6. 如權(quán)利要求1所述的利用ATE測量線路上寄生電容的方法，其特征在于，所述ATE通 過PPMU組件向所述測試通路上施加所述第一恒定電流。
7. 如權(quán)利要求1所述的利用ATE測量線路上寄生電容的方法，其特征在于，所述ATE通 過Pin Electronic組件測量所述測試通路的輸出電壓。
8. 如權(quán)利要求7所述的利用ATE測量線路上寄生電容的方法，其特征在于，所述ATE通 過Pin Electronic組件將所述輸出電壓和所述第二電壓進行比較判斷。
9. 如權(quán)利要求1所述的利用ATE測量線路上寄生電容的方法，其特征在于，所述第一恒 定電流和所述第一電壓同時被施加到所述測試通路中。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種利用ATE測量線路上寄生電容的方法，利用所述ATE測試設備本身的測量組件測量出所述測試通路上的穩(wěn)定充電電壓和放電電壓，即所述第一電壓和所述第二電壓，以及所述測試通路上的電壓從所述第一電壓變化到所述第二電壓所需要的時間，即(所述矢量周期*所述矢量行數(shù))，從而可以快速準確的通過充放電時間對所述測試通路上的寄生電容進行測量。當變更所述ATE的測試通道及負載板時，僅通過修改所述矢量發(fā)生數(shù)據(jù)即可快速、方便的實現(xiàn)不同測試通路上寄生電容的測量。
【IPC分類】G01R27-26
【公開號】CN104880609
【申請?zhí)枴緾N201510325342
【發(fā)明人】王 華, 祁建華, 劉遠華, 湯雪飛, 季海英, 王錦
【申請人】上海華嶺集成電路技術股份有限公司
【公開日】2015年9月2日
【申請日】2015年6月12日