利用ate測(cè)量線路上寄生電容的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及集成電路測(cè)試領(lǐng)域，尤其是一種利用ATE測(cè)量線路上寄生電容的方 法。
【背景技術(shù)】
[0002] 集成電路器件在銷售前需要進(jìn)行ATE量產(chǎn)測(cè)試。一般情況下，待測(cè)器件測(cè)試規(guī)范 要求待測(cè)器件的輸出端口在一定負(fù)載電容下，在此過(guò)程中需要用負(fù)載板將待所述測(cè)器件連 接到ATE(AutomaticTestEquipment,集成電路測(cè)試時(shí)使用的自動(dòng)測(cè)試設(shè)備）的標(biāo)準(zhǔn)接口。 一般的，所述負(fù)載板是一塊印刷電路板，在所述印刷電路板上可放置測(cè)試所需外圍電路，并 將所述待測(cè)器件的引腳連接到ATE測(cè)試的資源如電源、數(shù)字通道的引腳。
[0003] 但由于所述負(fù)載板上的每個(gè)通道上連接的走線、外圍電路均會(huì)產(chǎn)生一定的寄生電 容，所述寄生電容會(huì)對(duì)所述待測(cè)器件測(cè)試的結(jié)果造成影響，特別是時(shí)序參數(shù)的影響。因此， 需要對(duì)測(cè)試通路和所述負(fù)載板上的電容進(jìn)行測(cè)量，從而對(duì)所述待測(cè)器件的測(cè)試結(jié)果進(jìn)行校 正修正W滿足測(cè)試規(guī)范的要求。
[0004] 現(xiàn)有技術(shù)中，通常有兩種方法實(shí)現(xiàn)對(duì)所述測(cè)試通路和所述負(fù)載板上的電容進(jìn)行測(cè) 量。方法一；W所述ATE測(cè)試機(jī)本身的規(guī)格參數(shù)作為參考。具體的，所述ATE測(cè)試機(jī)的出 廠規(guī)格書上會(huì)表明所述ATE的測(cè)試組件模塊容性負(fù)載的大小，可此作為所述測(cè)試通路 的電容。但是，在該只是所述ATE測(cè)試機(jī)本身負(fù)載電容的大小，而在實(shí)際測(cè)試過(guò)程中，所 述測(cè)試通路中還包括其他連接組件，例如，如果是對(duì)娃晶圓進(jìn)行測(cè)試，所述ATE需要通過(guò) DIB值eviceInter化ceBoard,測(cè)試接口板）、化goTower(彈黃轉(zhuǎn)接板）才能與一探針卡 之間進(jìn)行連接，而所述測(cè)試接口板、所述Tower本身W及各部件之間的連線均會(huì)增加所述 測(cè)試通路上的負(fù)載電容。因此，W所述ATE測(cè)試機(jī)本身的規(guī)格參數(shù)作為所述測(cè)試通路上的 電容，將導(dǎo)致所述測(cè)試通路上的電容測(cè)量不準(zhǔn)確，進(jìn)而影響所述待測(cè)器件的測(cè)量精度。
[0005] 方法二：利用LCR等分離儀器對(duì)所述測(cè)試通路進(jìn)行測(cè)量。具體的，如果所述待測(cè)器 件對(duì)所述測(cè)試通路上的寄生電容有比較嚴(yán)格的要求時(shí)，需要采用LCR等分離儀對(duì)所述測(cè)試 通路的電容進(jìn)行測(cè)量。但是，所述ATE測(cè)試機(jī)的通道至少有幾百個(gè)，多達(dá)兩千多個(gè)，而且不 同的負(fù)載板導(dǎo)致測(cè)試通路上的電容也不一樣，需要重新測(cè)量。因此，該種測(cè)量方法麻煩且效 率低下。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的目的在于提供一種利用ATE測(cè)量線路上寄生電容的方法，W解決ATE測(cè) 試過(guò)程中測(cè)試通路中寄生電容無(wú)法快速準(zhǔn)確測(cè)量的問(wèn)題。
[0007] 為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種利用ATE測(cè)量線路上寄生電容的方法，包 括W下步驟：
[000引選定需要量測(cè)的測(cè)試通路；
[0009] ATE定義一矢量發(fā)生數(shù)據(jù)和一矢量，并根據(jù)所述矢量發(fā)生數(shù)據(jù)和所述矢量向所述 測(cè)試通路上施加一第一電壓對(duì)所述測(cè)試通路進(jìn)行充電；
[0010] 所述ATE向所述測(cè)試通路上施加一第一恒定電流，W維持所述測(cè)試通路在測(cè)試過(guò) 程中的電流為一恒定值；
[0011] 當(dāng)所述測(cè)試通路達(dá)到規(guī)定充電時(shí)間后，所述ATE停止向所述測(cè)試通路上施加所述 第一電壓，所述測(cè)試通路進(jìn)行放電，所述ATEW-矢量周期周期性的測(cè)量所述測(cè)試通路的 輸出電壓；
[0012] 所述ATE將所述輸出電壓與一第二電壓進(jìn)行比較判斷，當(dāng)所述輸出電壓小于所述 第二電壓時(shí)，所述矢量的測(cè)試顯示為失效，則計(jì)算從放電開始到輸出電壓小于所述第二電 壓的過(guò)程中所述矢量運(yùn)行的矢量行數(shù)；
[0013] 計(jì)算所述測(cè)試通路上的寄生電容：
[0014] 寄生電容=所述第一恒定電流* (所述矢量周期*所述矢量行數(shù)）/(所述第一電 壓-所述第二電壓）。
[0015] 優(yōu)選的，在上述的利用ATE測(cè)量線路上寄生電容的方法中，所述第一電壓大于所 述第二電壓。
[0016] 優(yōu)選的，在上述的利用ATE測(cè)量線路上寄生電容的方法中，所述矢量發(fā)生數(shù)據(jù)由 所述ATE上的PinElectronic組件生成。
[0017] 優(yōu)選的，在上述的利用ATE測(cè)量線路上寄生電容的方法中，所述矢量發(fā)生數(shù)據(jù)與 所述測(cè)試通路一一對(duì)應(yīng)。
[001引優(yōu)選的，在上述的利用ATE測(cè)量線路上寄生電容的方法中，所述ATE通過(guò)Pin Electronic組件向所述測(cè)試通路上施加所述第一電壓。
[0019] 優(yōu)選的，在上述的利用ATE測(cè)量線路上寄生電容的方法中，所述ATE通過(guò)PPMU組 件向所述測(cè)試通路上施加所述第一恒定電流。
[0020] 優(yōu)選的，在上述的利用ATE測(cè)量線路上寄生電容的方法中，所述ATE通過(guò)Pin Electronic組件測(cè)量所述測(cè)試通路的輸出電壓。
[0021] 優(yōu)選的，在上述的利用ATE測(cè)量線路上寄生電容的方法中，所述ATE通過(guò)Pin Electronic組件將所述輸出電壓和所述第二電壓進(jìn)行比較判斷。
[0022] 優(yōu)選的，在上述的利用ATE測(cè)量線路上寄生電容的方法中，所述第一恒定電流和 所述第一電壓同時(shí)被施加到所述測(cè)試通路中。
[002引在本發(fā)明提供的利用ATE測(cè)量線路上寄生電容的方法中，利用所述ATE測(cè)試設(shè)備 本身的測(cè)量組件測(cè)量出所述測(cè)試通路上的穩(wěn)定充電電壓和放電電壓，即所述第一電壓和所 述第二電壓，W及所述測(cè)試通路上的電壓從所述第一電壓變化到所述第二電壓所需要的時(shí) 間，即（所述矢量周期*所述矢量行數(shù)），從而可W快速準(zhǔn)確的對(duì)所述測(cè)試通路上的寄生電 容進(jìn)行測(cè)量。當(dāng)變更所述ATE的測(cè)試通道及負(fù)載板時(shí)，僅通過(guò)修改所述矢量發(fā)生數(shù)據(jù)即可 快速、方便的實(shí)現(xiàn)不同測(cè)試通路上寄生電容的測(cè)量。
【附圖說(shuō)明】
[0024] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例中利用ATE測(cè)量線路上寄生電容的方法的流程圖；
[00巧]Ui-第一電壓化-第二電壓；n-矢量行數(shù)；T-矢量周期；I-第一擔(dān)定電流；C-寄生 電容。
【具體實(shí)施方式】
[0026] 下面將結(jié)合示意圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行更詳細(xì)的描述。根據(jù)下列描述和 權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均 使用非精準(zhǔn)的比例，僅用W方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
[0027] 本發(fā)明提供了一種利用ATE測(cè)量線路上寄生電容的方法，如圖1所示，包括W下步 驟：
[002引 S1 ;選定需要量測(cè)的測(cè)試通路。
[0029]S2 ;ATE定義一矢量發(fā)生數(shù)據(jù)和一矢量，并根據(jù)所述矢量發(fā)生數(shù)據(jù)和所述矢量向 所述測(cè)試通路上施加一第一電壓Ui對(duì)所述測(cè)試通路進(jìn)行充電。
[0030] 所述ATE測(cè)試機(jī)上有幾百個(gè)，多達(dá)兩千多個(gè)測(cè)試通道，再結(jié)合不同的負(fù)載可W形 成幾千個(gè)甚至上萬(wàn)個(gè)測(cè)試通路，根據(jù)實(shí)際測(cè)量的需要定義一個(gè)需要的測(cè)試通路，并且利用 所述ATE測(cè)試機(jī)定義一矢量發(fā)生數(shù)據(jù)，所述矢量發(fā)生數(shù)據(jù)與所述測(cè)試通路一一對(duì)應(yīng)，當(dāng)修 改所述矢量發(fā)生數(shù)據(jù)時(shí)，就可W根據(jù)修改的所述矢量發(fā)生數(shù)據(jù)測(cè)量不同的測(cè)試通路。
[0031] 針對(duì)所選取的所述測(cè)試通路，所述ATE根據(jù)上述矢量發(fā)生數(shù)據(jù)向所述測(cè)試通路上 施加一第一電壓Ui對(duì)所述測(cè)試通路進(jìn)行充電。
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