優(yōu)點(diǎn)將更加清楚地顯現(xiàn)，附圖中：
[0063]-圖1表示包括用于測(cè)量斬波電流的設(shè)備的兩個(gè)變壓器的、斬波電流流過(guò)的DC-DC 轉(zhuǎn)換器，
[0064]-圖2示意性地表示根據(jù)第一實(shí)施例的用于測(cè)量斬波電流的設(shè)備的兩個(gè)去磁化電 路和兩個(gè)測(cè)量電路，
[0065]-圖3示意性地表示根據(jù)第二實(shí)施例的用于測(cè)量斬波電流的設(shè)備的兩個(gè)去磁化電 路和兩個(gè)測(cè)量電路，
[0066]-圖4是根據(jù)第一實(shí)施例的在圖2中的用于測(cè)量斬波電流的設(shè)備的去磁化電路和 測(cè)量電路的更詳細(xì)地表示，
[0067]-圖5是表示被分別連接至H橋結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)換器的分支的兩個(gè)變壓器的初級(jí)電路中 的斬波電流的時(shí)間演變的圖，
[0068]-圖6是表不圖5中的斬波電流和H橋分支開(kāi)關(guān)的脈沖信號(hào)的時(shí)間演變的時(shí)序圖 的第一不例，
[0069]-圖7是表示分別被連接至H橋結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)換器的分支的兩個(gè)變壓器的初級(jí)電路中 的斬波電流和H橋分支開(kāi)關(guān)的脈沖信號(hào)的時(shí)間演變的時(shí)序圖的第二示例，并且
[0070]-圖8示意性地表示在測(cè)量與輸入斬波電流成比例的輸出電壓之后使用的比較器 的示例。
[0071] 在這些圖中，一樣的元素使用相同的附圖標(biāo)記。
【具體實(shí)施方式】
[0072] 本發(fā)明涉及用于測(cè)量斬波電流的設(shè)備1，尤其是在DC-DC轉(zhuǎn)換器3內(nèi)部流過(guò)的斬波 電流。
[0073] 轉(zhuǎn)換器
[0074] 參照?qǐng)D1，所表示的轉(zhuǎn)換器3具有H橋結(jié)構(gòu)，該H橋結(jié)構(gòu)具有第一分支&和第二分 支B2。
[0075] 第一分支&包括第一開(kāi)關(guān)Mosi和第二開(kāi)關(guān)Mos2。
[0076] 第二分支B2包括第一開(kāi)關(guān)Mos3和第二開(kāi)關(guān)Mos4。
[0077] 作為非限制性示例，開(kāi)關(guān)Mos#Mos4包括N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，已知簡(jiǎn)稱(chēng)M0SFET。
[0078] 當(dāng)控制第一分支&時(shí)，當(dāng)?shù)诙_(kāi)關(guān)Mos2被阻斷時(shí)，第一開(kāi)關(guān)Mosi被導(dǎo)通，并且相 反地，當(dāng)?shù)谝婚_(kāi)關(guān)此81被阻斷時(shí)，第二開(kāi)關(guān)Mos2被導(dǎo)通。
[0079] 相同情況適用于控制第二分支氏，當(dāng)?shù)诙_(kāi)關(guān)Mos4被阻斷時(shí)第一開(kāi)關(guān)Mos3被導(dǎo) 通，并且相反地，當(dāng)?shù)谝婚_(kāi)關(guān)Mos3被阻斷時(shí)第二開(kāi)關(guān)Mos4被導(dǎo)通。
[0080] 兩條分支&和B2之間的偏移取決于H橋控制邏輯。
[0081] 用于測(cè)量斬波電流的設(shè)各
[0082] 再次參照?qǐng)D1，用于測(cè)量斬波電流的設(shè)備1包括具有變壓比叫的兩個(gè)變壓器10 B1 和l〇B2。兩個(gè)變壓器1(^和10B2被分別布置在轉(zhuǎn)換器3的分支B:或B2上。
[0083] -個(gè)變壓器1(^或10B2包括初級(jí)電路12和次級(jí)電路14。
[0084] 第一變壓器l〇B1的初級(jí)電路12被連接至轉(zhuǎn)換器3的第一分支Bi的第一開(kāi)關(guān)Mos 第二變壓器l〇B2的初級(jí)電路12被連接至轉(zhuǎn)換器3的第二分支B2的第一開(kāi)關(guān)Mos3。
[0085] 變壓器1(^或10 B2的次級(jí)電路14包括兩個(gè)輸出端子16和18。
[0086] 當(dāng)斬波電流在轉(zhuǎn)換器3中流過(guò)時(shí)，它被分開(kāi)在兩條分支1和82中，使得第一斬 波電流iM()sl在第一變壓器l〇B1的初級(jí)電路12中流過(guò)，并且第二斬波電流iM()s3在第二變壓 器l〇B2的初級(jí)電路12中流過(guò)。
[0087] 當(dāng)?shù)谝蛔儔浩?0B1或第二變壓器10B2的初級(jí)電路12被閉合時(shí)，在第一變壓器10 B1 或第二變壓器l〇B2的初級(jí)電路12中流過(guò)的斬波電流i"。31或iM()s3非零，并且相關(guān)的變壓器 1(^或1(^2被磁化。
[0088] 當(dāng)?shù)谝蛔儔浩?0B1或第二變壓器10B2的初級(jí)電路12被斷開(kāi)時(shí)，斬波電流^。31或 iM()s3為零，即當(dāng)沒(méi)有待測(cè)量的電流時(shí)，變壓器1〇m或1〇把的去磁化發(fā)生。
[0089] 并且另外，當(dāng)?shù)谝蛔儔浩?0B1或第二變壓器10B2的初級(jí)電路12被閉合時(shí)，在第一 變壓器l〇B1或第二變壓器10B2的初級(jí)電路12中流過(guò)的斬波電流i^或iM()s3為非零，設(shè)備 1可以用于測(cè)量斬波電流。
[0090] 為此目的，參照?qǐng)D2,測(cè)量設(shè)備1進(jìn)一步包括：
[0091] _分別與變壓器1(^或10把相關(guān)的兩個(gè)去磁化電路20B1、20B2，以及
[0092] -兩個(gè)斬波電流測(cè)量電路22&和22B2，分別被連接至相關(guān)變壓器1(^或10 B2的輸 出端子16、18。
[0093] 根據(jù)所述實(shí)施例，去磁化電路20B1、20B2與測(cè)量電路22 ^和22B2分離。
[0094] 每個(gè)去磁化電路2(^和20B2被連接在相關(guān)變壓器10 ^或10 %的兩個(gè)輸出端子16 和18之間。
[0095] 每個(gè)去磁化電路20B1、20B2使得能夠通過(guò)去磁化電路20 ^或20 %中的電流的流過(guò) 而將相關(guān)變壓器l〇B1或10 %去磁化。
[0096] 根據(jù)在圖2中所示的實(shí)施例，去磁化電路2(^或20 %包括在輸出端子16和18之 間的串聯(lián)連接的第一齊納二極管24和第二齊納二極管26。作為說(shuō)明性示例，齊納電壓是 10V左右量級(jí)。
[0097] 第一齊納二極管24和第二齊納二極管26以相反方向被安裝。作為示例，第一齊 納二極管24可以經(jīng)由其陰極連接至輸出端子16,并且第二齊納二極管26可以經(jīng)由其陰極 連接至另一個(gè)輸出端子18。兩個(gè)齊納二極管24和26然后經(jīng)由其陽(yáng)極彼此連接。
[0098] 因此，根據(jù)斬波電流的平均值是正還是負(fù)，去磁化電路20B1、20B^雙向的，即它們 使能在磁化電流的流過(guò)的兩個(gè)方向上的去磁化。
[0099] 將第一測(cè)量電路22B1連接至第一變壓器10B1的次級(jí)電器14的輸出端子16、18,輸 出端子16、18被連接至轉(zhuǎn)換器3的第一分支&。將第一測(cè)量電路22 B1與第一去磁化電路 20B1并聯(lián)連接。
[0100] 將第二測(cè)量電路22B2連接至第二變壓器10B2的次級(jí)電器14的輸出端子16、18,輸 出端子16、18連接至轉(zhuǎn)換器3的第二分支B2。將第二測(cè)量電路22B2與第二去磁化電路20 B2 并聯(lián)連接。第二測(cè)量電路22B2還被連接至第一測(cè)量電路22 B1。
[0101] 測(cè)量電路22bJP22 %分別包括至少一個(gè)單元，該至少一個(gè)單元被配置用于：
[0102] -當(dāng)變壓器10B1;10B2的初級(jí)電路12被閉合時(shí)，允許由斬波電流感應(yīng)的電流imesl; imes2在測(cè)量電路22 ^或22 %中流過(guò)；在這種情況中在初級(jí)電路12中流過(guò)的斬波電流是非零 的，要么嚴(yán)格正要么嚴(yán)格負(fù)，以及
[0103] -當(dāng)變壓器10B1;10B2的初級(jí)電路12被斷開(kāi)時(shí)，防止去磁化電流在測(cè)量電路22^或 22%中流過(guò)；在這種情況中，在初級(jí)電路12中流過(guò)的斬波電流為零。
[0104] 根據(jù)所述實(shí)施例，兩個(gè)測(cè)量電路2^和22%分別包括一單元，該單元被配置用于允 許或防止由斬波電流感應(yīng)的電流在相關(guān)測(cè)量電路22!^或22B2中流過(guò)，并且該單元包括第一 開(kāi)關(guān)和第二開(kāi)關(guān)。第一測(cè)量電路22B1的單元包括第一開(kāi)關(guān)KilHS和第二開(kāi)關(guān)KiUS。第二測(cè) 量電路22B2的單元包括第一開(kāi)關(guān)Ki2HS和第二開(kāi)關(guān)Ki2w
[0105] 第一開(kāi)關(guān)KilJE^PKi2_HS也被稱(chēng)為高側(cè)開(kāi)關(guān)。
[0106] 第二開(kāi)關(guān)Knji^PlKi2Ji；也被稱(chēng)為低側(cè)開(kāi)關(guān)。
[0107] 根據(jù)MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管的所述不例，形成第一測(cè)量電路22B1的第一開(kāi)關(guān)KilJIS 和第二開(kāi)關(guān)KiUS以及第二測(cè)量電路22B2的第一開(kāi)關(guān)Ki2HS和第二開(kāi)關(guān)Ki2w
[0108] 此示例中的第一測(cè)量電路22B1的第一開(kāi)關(guān)KnHS和第二開(kāi)關(guān)K^3被相反地連接。 同樣地，第二測(cè)量電路22B2的第一開(kāi)關(guān)Ki2j和第二開(kāi)關(guān)Ki2j被相反連接。
[0109] 此外，參照?qǐng)D3和4,測(cè)量電路22B1、22B2包括經(jīng)由第一端子連接到地的至少一個(gè)測(cè) 量電阻器。
[0110] 測(cè)量電路22B1、22B2的第一開(kāi)關(guān)KilHS、Ki2HS包括被連接至測(cè)量電阻器Rmes或Rmes' 的第二端子的端子，測(cè)量電阻器ILJSUJ的第一端子連接到地。測(cè)量電路22B1、22B2的第 二開(kāi)關(guān)KiUS、Ki2^依次包括連接到地的端子。
[0111] 更具體地，關(guān)于第一測(cè)量電路22B1:
[0112] _將第一晶體管KilH^漏極連接至被連接至轉(zhuǎn)換器3的第一分支B:的、第一變壓 器l〇B1的第一輸出端子16。
[0113] _將第一晶體管KnHS的源極經(jīng)由端子連接至測(cè)量電阻器Rmes(圖2)或Rmes'（圖3) 的第二端子，測(cè)量電阻器Rm6S(圖2)或Rm6S'（圖3)的第一端子連接到地，并且
[0114] -將第一晶體管Kn @的柵極連接至測(cè)量電路22B1的第二晶體管K^^的柵極，
[0115] -將第二晶體管K^s的漏極連接至第一變壓器10B1的輸出端子18,并且
[0116] _將第二晶體管Kills的源極連接到地。
[0117] 關(guān)于第二測(cè)量電路22B2:
[0118] _將第一晶體管Ki2H^漏極連接至被連接至轉(zhuǎn)換器3的第一分支B2的、第二變壓 器l〇B2的第一輸出端子16。
[0119] -將第一晶體管Ki2HS的源極經(jīng)由端子連接至測(cè)量電阻器Rm6S(圖2)或Rm6