專利名稱：高溫氧化薄膜生長應(yīng)力測定裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種高溫氧化薄膜生長應(yīng)力測定裝置，本實用新型用來測定金屬材料試樣在高溫下形成的表面氧化薄膜生長應(yīng)力。
目前材料科學(xué)的發(fā)展需要測定金屬材料在高溫下形成的表面氧化薄膜的生長應(yīng)力。但現(xiàn)有的高溫X射線衍射儀只能測定試樣在高溫下形成的表面氧化薄膜中的各種應(yīng)力疊加的總和(其中包括熱應(yīng)力、組織應(yīng)力、生長應(yīng)力等)。
本實用新型目的就是為了研制一種能單獨測定金屬材料試樣在高溫下形成的表面氧化薄膜的生長應(yīng)力。


圖1是本實用新型示意圖。圖中(1)為高溫X射線衍射儀溫臺，(2)為試樣，(3)為通氣管，(4)為真空系統(tǒng)，(5)為氧氣充氣管，(6)為加熱爐，(7)為閥，(8)為氧氣瓶。
本實用新型除了包括有高溫X射線衍射儀溫臺(1)，通氣管(3)，真空系統(tǒng)(4)外還包括有氧氣充氣管(5)，加熱爐(6)，閥(7)和氧氣瓶(8)，氧氣充氣管(5)有一部分置于加熱爐(6)中，置于加熱爐(6)中的氧氣充氣管(5)繞制成螺旋狀以加長管中氧氣加熱時間，氧氣充氣管(5)的一端與閥(7)連通，另一端置于通氣管(3)中，閥(7)裝在氧氣瓶(8)上，用來開啟和關(guān)閉氧氣的充入。
測定時將試樣(2)置于高溫X射線衍射儀溫臺(1)中，關(guān)閉閥(7)，開啟真空系統(tǒng)(4)，同時使加熱爐(6)及溫臺(1)升溫，此時試樣(2)的表面未有氧化薄膜形成。然后關(guān)閉真空系統(tǒng)(4)，開啟閥(7)使氧氣充入氧氣充氣管(5)，氧氣充氣管(5)中經(jīng)過高溫加熱的氧氣就通入通氣管(3)，使溫臺(1)中的試樣(2)表面產(chǎn)生氧化薄膜，同時動態(tài)測定試樣(2)表面氧化薄膜的生長應(yīng)力。
采用本實用新型就可準(zhǔn)確地測定金屬材料試樣在高溫下形成的氧化薄膜的生長應(yīng)力。
權(quán)利要求1.一種高溫氧化薄膜生長應(yīng)力測定裝置，它包括有高溫X射線衍射儀溫臺(1)，通氣管(3)，真空系統(tǒng)(4)，其特征在于，還包括有氧氣充氣管(5)，加熱爐(6)，閥(7)和氧氣瓶(8)，氧氣充氣管(5)有一部分置于加熱爐(6)中，置于加熱爐(6)中的氧氣充氣管(5)繞制成螺旋狀，氧氣充氣管(5)的一端與閥(7)連通，另一端置于通氣管(3)中，閥(7)裝在氧氣瓶(8)上。
專利摘要一種高溫氧化薄膜生長應(yīng)力測定裝置，它除了包括有高溫X射線衍射儀溫臺(1)，通氣管(3)，真空系統(tǒng)(4)外還包括有氧氣充氣管(5)，加熱爐(6)，閥(7)和氧氣瓶(8)。采用本實用新型可準(zhǔn)確地測定金屬材料試樣在高溫下形成的氧化薄膜的生長應(yīng)力。
文檔編號G01N23/20GK2227833SQ9423932
公開日1996年5月22日 申請日期1994年9月10日 優(yōu)先權(quán)日1994年9月10日
發(fā)明者楊于興 申請人:上海交通大學(xué)