專利名稱:熒光x射線分析設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及熒光X射線分析設(shè)備，其通過在測量樣品上照射初級X射線，從測量樣品誘發(fā)熒光X射線，并測量該熒光X射線的能量和X射線的強度，進行測量樣品的元素分析和成分分析。
背景技術(shù)：
參考
圖10描述常規(guī)通常的熒光X射線分析設(shè)備?？邕^水平的測量樣品基座1003， 測量樣品1005布置在測量樣品基座1003的上方，X射線源1001，初級濾光器1002，和檢測器1007布置在測量樣品基座1003的下面。參考數(shù)字1004指示從X射線源1001照射的初級X射線，參考數(shù)字1006指示當(dāng)測量樣品1005由初級X射線1004激發(fā)時產(chǎn)生的熒光X射線。這樣，常規(guī)地，測量樣品的表面上的初級X射線的照射表面和測量樣品的表面上的與檢測器相對的表面在相同平面上。
另外，通常通過讓檢測器和X射線源盡可能地接近測量樣品改進來自聚焦元素的熒光X射線的檢測效率。
另外，提供了具有初級濾光器的設(shè)備，以便改進聚焦元素的熒光X射線的峰強度和主要基于散射X射線等的背景強度之間的比例(此后，稱為峰-背比例)；使用次級靶的設(shè)備；以及使用使X射線成為單色并聚焦X射線的光學(xué)裝置的設(shè)備，然而，所有這些設(shè)備具有使得檢測器與初級X射線照射的點相對的結(jié)構(gòu)(例如，參考專利文獻1)。
專利文獻1 JP-A-2004-150990 (第 3 頁和圖 1)
在常規(guī)的熒光X射線分析中，通常當(dāng)確定包含在由C，0和H等組成的輕元素主要組分中，諸如鎘之類的痕量重金屬的存在和它的密度時，使用初級濾光器改進鋒-背比例。 本方法非常有用，然而，通過插入初級濾光器，削弱了初級X射線，結(jié)果，由測量樣品激發(fā)的痕量重金屬的熒光X射線進入檢測器的強度較低。
因此，為了使得進入檢測器的X射線的強度更強，使用讓檢測器和X射線源接近測量樣品的結(jié)構(gòu)。然而，因為檢測器和X射線源都布置為與測量樣品的表面上的相同平面相對，當(dāng)讓它們接近測量樣品時，由于兩個結(jié)構(gòu)物體的干擾，接近的距離有限度。因此，通常當(dāng)測量輕元素中的痕量重金屬時，在幾百秒的測量中，檢測限度是幾個wtppm。
為了改進痕量重金屬的檢測限度，峰-背比例是重要的因素，然而，可獲得的X射線的強度的數(shù)量，即，它的靈敏度也是重要的因素。此后，描述了檢測限度的通常的公式。當(dāng) X射線的強度增加時，與此成比例，背景強度和靈敏度增加。換句話說，從下面的公式，檢測限度反比于獲得的X射線強度的根改進(降低)。
[公式1]
權(quán)利要求
1.一種熒光X射線分析設(shè)備，其包括用于容納固體樣品或液體樣品的樣品密封構(gòu)件，其由X射線傳輸通過的材料制成；用于產(chǎn)生初級X射線的X射線源，初級X射線以放射狀的方式從樣品密封構(gòu)件的側(cè)壁進入，以便用X射線照射樣品；及檢測器，其與樣品密封構(gòu)件的底面相對設(shè)置，并具有在樣品的方向內(nèi)從入射點延伸至檢測元件的入射立體角，用于檢測從給予初級X射線的樣品產(chǎn)生的熒光X射線；其中熒光X射線分析設(shè)備從檢測的熒光X射線的譜進行樣品的元素的分析；樣品密封構(gòu)件具有向著檢測器逐漸變細的錐形形狀，且錐形形狀從樣品密封構(gòu)件的底面朝著檢測器設(shè)置的側(cè)面相對的方向隨著檢測器的視場的延伸而延伸。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的熒光X射線分析設(shè)備，其中產(chǎn)生初級X射線的X射線源與樣品密封構(gòu)件的側(cè)壁相對設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的熒光X射線分析設(shè)備，其中初級X射線布置為能夠照射檢測器相對的樣品密封構(gòu)件的底面。
4.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的熒光X射線分析設(shè)備，其中樣品密封構(gòu)件為可以自由地接附和分開的樣品外殼。
5.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的熒光X射線分析設(shè)備，其中通過插入初級濾光器用于選擇性地僅激發(fā)X射線源和樣品密封構(gòu)件的側(cè)壁之間的聚焦元素，當(dāng)檢測器觀察聚焦元素時，改進聚焦元素在譜上的峰-背比例。
6.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的熒光X射線分析設(shè)備，其中通過在樣品密封構(gòu)件的側(cè)壁上設(shè)置用于產(chǎn)生最適于激發(fā)聚焦元素的熒光X射線的金屬壁，當(dāng)從檢測器觀察時，改進聚焦元素在譜上的峰-背比例。
7.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的熒光X射線分析設(shè)備，其中通過在樣品和檢測器之間具有用于僅允許聚焦元素的熒光X射線選擇性地傳輸通過的次級濾光器，當(dāng)從檢測器觀察時，改進聚焦元素在譜上的峰-背比例。
8.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的熒光X射線分析設(shè)備，在樣品密封構(gòu)件的初級X射線入射表面上，具有不少于一件允許用于激發(fā)聚焦元素的 X射線有選擇性地傳輸通過的初級濾光器；其中通過旋轉(zhuǎn)樣品密封構(gòu)件，初級濾光器可以改變。
9.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的熒光X射線分析設(shè)備，在樣品密封構(gòu)件的檢測器的底面上，包括至少一件允許聚焦元素的熒光X射線有選擇性地傳輸通過的次級濾光器；其中通過旋轉(zhuǎn)樣品密封構(gòu)件，次級濾光器可以改變。
10.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的熒光X射線分析設(shè)備，其中通過在樣品密封構(gòu)件的側(cè)壁上設(shè)置至少一個用于產(chǎn)生最適于激發(fā)聚焦元素的熒光X射線的金屬構(gòu)件，通過旋轉(zhuǎn)樣品密封構(gòu)件，金屬構(gòu)件可以改變。
專利摘要
為提供熒光X射線分析設(shè)備，由此通過有效地激發(fā)聚焦元素改進峰-背比例且通過減小為背景的散射X射線改進聚焦元素的檢測限度。樣品外殼具有一個或更多由X射線傳輸通過的材料制成的壁表面，且布置X射線源為初級X射線照射到壁表面上。布置樣品外殼為不同于初級X射線照射到的壁表面的壁表面與X射線檢測器入射窗相對。布置來自X射線源的初級X射線以便能夠照射X射線檢測器入射窗相對的樣品外殼的壁表面。樣品外殼具有隨著從X射線檢測器入射窗觀察X射線檢測器內(nèi)的檢測元件的視場延伸而延伸的形狀。在樣品外殼壁上，用于次級激發(fā)聚焦元素的金屬布置在除了初級X射線傳輸通過的區(qū)域和來自聚焦元素的熒光X射線傳到檢測器的區(qū)域的區(qū)域上。
文檔編號G21K1/02GKCN101078696 B發(fā)布類型授權(quán) 專利申請?zhí)朇N 200710104555
公開日2012年5月9日 申請日期2007年5月25日
發(fā)明者深井隆行, 的場吉毅, 高橋正則 申請人:精工電子納米科技有限公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan專利引用 (4),