本技術(shù)涉及半導(dǎo)體加工，特別是涉及一種檢測治具。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用。在半導(dǎo)體的制造工藝中，需要將晶片研磨到指定厚度，再進(jìn)行后續(xù)的加工工序。

2、現(xiàn)有的晶片在厚度測量的過程中會(huì)將晶片直接放置在治具上，導(dǎo)致在厚度測量的過程中晶片的端面很容易被治具劃傷，影響晶片端面的平整度，尤其在精度要求較高的情況下，端面存在劃傷的晶片嚴(yán)重影響加工質(zhì)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是：

2、厚度測量過程中劃傷晶片端面，影響加工質(zhì)量。

3、為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種檢測治具，包括：

4、底板，所述底板上設(shè)置有第一鏤空區(qū)；

5、轉(zhuǎn)板，與所述底板可轉(zhuǎn)動(dòng)連接；所述轉(zhuǎn)板上設(shè)置有第二鏤空區(qū)；

6、載物板，與所述轉(zhuǎn)板連接，所述載物板隨所述轉(zhuǎn)板一并相對所述底板轉(zhuǎn)動(dòng)；所述載物板上設(shè)置有第三鏤空區(qū)及多個(gè)插孔，各所述插孔沿所述載物板周緣間隔設(shè)置；

7、支撐柱，所述支撐柱分別插入各所述插孔內(nèi)，所述支撐柱用于將晶片架設(shè)在所述載物板上；及

8、檢測件，所述檢測件用于檢測其與晶片之間的距離；

9、其中，所述第一鏤空區(qū)、所述第二鏤空區(qū)及所述第三鏤空區(qū)依次連通形成檢測通道；所述檢測件對稱布置在所述檢測通道的兩端。

10、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述支撐柱包括插接部、延伸部及抵持部；所述插接部插入所述插孔內(nèi)，所述延伸部自所述插接部向遠(yuǎn)離所述載物板方向延伸，所述抵持部設(shè)置在所述延伸部遠(yuǎn)離所述插接部的一側(cè)，所述抵持部用于與晶片相抵接。

11、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述抵持部的外側(cè)面自所述延伸部向遠(yuǎn)離所述插接部方向呈逐漸收縮狀傾斜設(shè)置。

12、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述支撐柱還包括手持部；所述手持部與所述抵持部遠(yuǎn)離所述延伸部的一側(cè)連接。

13、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述底板、所述轉(zhuǎn)板及所述載物板均呈圓形直板狀，所述第一鏤空區(qū)、所述第二鏤空區(qū)及所述第三鏤空區(qū)均呈圓弧形通孔狀，所述第一鏤空區(qū)沿所述底板的周緣間隔設(shè)置，所述第二鏤空區(qū)沿所述轉(zhuǎn)板的周緣間隔設(shè)置，所述第三鏤空區(qū)沿所述載物板的周緣間隔設(shè)置。

14、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述載物板上設(shè)置有通槽；所述通槽的一端與所述第三鏤空區(qū)相連通，所述通槽的另一端向所述載物板的圓心位置處延伸。

15、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述轉(zhuǎn)板上設(shè)置有導(dǎo)向條，所述載物板上設(shè)置有導(dǎo)向槽；所述導(dǎo)向條呈長條狀凸設(shè)在所述轉(zhuǎn)板靠近所述載物板的一側(cè)，所述導(dǎo)向槽呈長條形凹槽狀設(shè)置在所述載物板靠近所述轉(zhuǎn)板的一側(cè)，所述導(dǎo)向條對應(yīng)嵌入所述導(dǎo)向槽內(nèi)，所述導(dǎo)向槽與所述通槽的延伸方向相同。

16、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述底板上設(shè)置有第一定位塊，所述轉(zhuǎn)板上設(shè)置有第二定位塊；所述第一定位塊凸設(shè)在所述底板的外側(cè)曲面上，所述第二定位塊凸設(shè)在所述轉(zhuǎn)板的外側(cè)曲面上；

17、其中，所述轉(zhuǎn)板的第二定位塊旋轉(zhuǎn)至與所述第一定位塊對應(yīng)位置處時(shí)，所述通槽的開口方向朝向所述檢測件。

18、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述底板上設(shè)置有鉸接孔，所述轉(zhuǎn)板上設(shè)置有鉸接柱；所述鉸接孔呈圓形凹槽狀設(shè)置在所述底板靠近所述轉(zhuǎn)板的一側(cè)，所述鉸接柱呈圓柱狀凸設(shè)在所述轉(zhuǎn)板靠近所述底板的一側(cè)，所述鉸接柱插設(shè)在所述鉸接孔內(nèi)。

19、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述載物板上設(shè)置有把手；所述把手凸設(shè)在所述載物板的外側(cè)曲面上。

20、上述檢測治具與現(xiàn)有技術(shù)相比，其有益效果在于：

21、通過在載物板上設(shè)置支撐柱，將晶片架設(shè)在載物板上，實(shí)現(xiàn)晶片端面與載物板分離，進(jìn)而避免厚度測量過程中對晶片端面造成劃傷，保證后續(xù)的加工質(zhì)量，提高晶片加工穩(wěn)定性。

22、通過設(shè)置可相對底板轉(zhuǎn)動(dòng)的轉(zhuǎn)板，在測量過程中不需要移動(dòng)檢測件，通過控制轉(zhuǎn)板的旋轉(zhuǎn)即可對晶片進(jìn)行全角度的厚度測量，消除檢測件移動(dòng)控制過程中出現(xiàn)的位移誤差，進(jìn)而提高對晶片厚度的檢測精度，滿足對晶片的高精度加工需求。

技術(shù)特征：

1.一種檢測治具，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測治具，其特征在于，所述支撐柱包括插接部、延伸部及抵持部；所述插接部插入所述插孔內(nèi)，所述延伸部自所述插接部向遠(yuǎn)離所述載物板方向延伸，所述抵持部設(shè)置在所述延伸部遠(yuǎn)離所述插接部的一側(cè)，所述抵持部用于與晶片相抵接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測治具，其特征在于，所述抵持部的外側(cè)面自所述延伸部向遠(yuǎn)離所述插接部方向呈逐漸收縮狀傾斜設(shè)置。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的檢測治具，其特征在于，所述支撐柱還包括手持部；所述手持部與所述抵持部遠(yuǎn)離所述延伸部的一側(cè)連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測治具，其特征在于，所述底板、所述轉(zhuǎn)板及所述載物板均呈圓形直板狀，所述第一鏤空區(qū)、所述第二鏤空區(qū)及所述第三鏤空區(qū)均呈圓弧形通孔狀，所述第一鏤空區(qū)沿所述底板的周緣間隔設(shè)置，所述第二鏤空區(qū)沿所述轉(zhuǎn)板的周緣間隔設(shè)置，所述第三鏤空區(qū)沿所述載物板的周緣間隔設(shè)置。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的檢測治具，其特征在于，所述載物板上設(shè)置有通槽；所述通槽的一端與所述第三鏤空區(qū)相連通，所述通槽的另一端向所述載物板的圓心位置處延伸。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的檢測治具，其特征在于，所述轉(zhuǎn)板上設(shè)置有導(dǎo)向條，所述載物板上設(shè)置有導(dǎo)向槽；所述導(dǎo)向條呈長條狀凸設(shè)在所述轉(zhuǎn)板靠近所述載物板的一側(cè)，所述導(dǎo)向槽呈長條形凹槽狀設(shè)置在所述載物板靠近所述轉(zhuǎn)板的一側(cè)，所述導(dǎo)向條對應(yīng)嵌入所述導(dǎo)向槽內(nèi)，所述導(dǎo)向槽與所述通槽的延伸方向相同。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的檢測治具，其特征在于，所述底板上設(shè)置有第一定位塊，所述轉(zhuǎn)板上設(shè)置有第二定位塊；所述第一定位塊凸設(shè)在所述底板的外側(cè)曲面上，所述第二定位塊凸設(shè)在所述轉(zhuǎn)板的外側(cè)曲面上；

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8任意一項(xiàng)所述的檢測治具，其特征在于，所述底板上設(shè)置有鉸接孔，所述轉(zhuǎn)板上設(shè)置有鉸接柱；所述鉸接孔呈圓形凹槽狀設(shè)置在所述底板靠近所述轉(zhuǎn)板的一側(cè)，所述鉸接柱呈圓柱狀凸設(shè)在所述轉(zhuǎn)板靠近所述底板的一側(cè)，所述鉸接柱插設(shè)在所述鉸接孔內(nèi)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至8任意一項(xiàng)所述的檢測治具，其特征在于，所述載物板上設(shè)置有把手；所述把手凸設(shè)在所述載物板的外側(cè)曲面上。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種檢測治具包括底板、轉(zhuǎn)板、載物板、支撐柱及檢測件；底板上設(shè)置有第一鏤空區(qū)；轉(zhuǎn)板與底板可轉(zhuǎn)動(dòng)連接；轉(zhuǎn)板上設(shè)置有第二鏤空區(qū)；載物板隨轉(zhuǎn)板一并相對底板轉(zhuǎn)動(dòng)；載物板上設(shè)置有第三鏤空區(qū)及多個(gè)插孔，各插孔沿載物板周緣間隔設(shè)置；支撐柱分別插入各插孔內(nèi)，支撐柱用于將晶片架設(shè)在載物板上；檢測件用于檢測其與晶片之間的距離；其中，第一鏤空區(qū)、第二鏤空區(qū)及第三鏤空區(qū)依次連通形成檢測通道；檢測件對稱布置在檢測通道的兩端。通過支撐柱將晶片架設(shè)在載物板上，實(shí)現(xiàn)晶片端面與載物板分離，進(jìn)而避免厚度測量過程中對晶片端面造成劃傷，保證后續(xù)的加工質(zhì)量，提高晶片加工穩(wěn)定性。

技術(shù)研發(fā)人員：廖和杰,劉火陽,馬金峰,周鐵軍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廣東先導(dǎo)微電子科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240424
技術(shù)公布日：2024/12/19