本公開涉及發(fā)光二極管，具體而言，涉及一種led芯片檢測方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備及存儲介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、微型發(fā)光二極管(micro?light-emitting?diode，micro?led)顯示技術(shù)是指以自發(fā)光的微米量級的led為發(fā)光像素單元，將其組裝到驅(qū)動面板上形成高密度led陣列的顯示技術(shù)。由于micro?led芯片具有尺寸小、集成度高和自發(fā)光等特點(diǎn),使其在亮度、分辨率、對比度、能耗、使用壽命、響應(yīng)速度和熱穩(wěn)定性等方面具有較大的優(yōu)勢。

2、一般的，micro?led芯片的良率能做到99％以上，但是顯示設(shè)備需要用到幾百萬顆至幾千萬顆的microled芯片，其可能仍存在上萬顆不良的led芯片。因此提出一種檢測microled芯片性能的方法尤為重要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開實(shí)施例至少提供一種led芯片檢測方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備及存儲介質(zhì)。

2、第一方面，本公開實(shí)施例提供了一種led芯片檢測方法，包括：

3、通過激光分別照射待測發(fā)光二極管led芯片的多個(gè)微區(qū)，其中所述微區(qū)在所述激光照射下產(chǎn)生自發(fā)光，所述多個(gè)微區(qū)包括待測led芯片的中心區(qū)域、以及多個(gè)邊緣區(qū)域；

4、確定所述待測led芯片上多個(gè)微區(qū)分別產(chǎn)生的自發(fā)光在至少一種性能參數(shù)下的取值；所述性能參數(shù)包括以下至少一種：微區(qū)壽命、發(fā)光強(qiáng)度，所述微區(qū)壽命用于指示微區(qū)自發(fā)光的光線能量衰減至預(yù)設(shè)值時(shí)所需的時(shí)間；

5、確定所述待測led芯片的多個(gè)微區(qū)中所述中心區(qū)域的性能參數(shù)的取值是否滿足第一條件，以及，確定所述中心區(qū)域與所述多個(gè)邊緣區(qū)域之間的性能參數(shù)的取值差異是否滿足第二條件；

6、若均滿足，則確定所述待測led芯片的檢測結(jié)果為檢測通過。

7、一種可選的實(shí)施方式中，確定所述多個(gè)微區(qū)中所述中心區(qū)域的性能參數(shù)的取值是否滿足第一條件，包括：

8、確定所述待測led芯片的所述中心區(qū)域的性能參數(shù)的取值是否大于第一閾值；其中在所述性能參數(shù)包括發(fā)光強(qiáng)度時(shí)，所述第一閾值為基于多個(gè)候選led芯片的中心區(qū)域的發(fā)光強(qiáng)度確定得到的。

9、一種可選的實(shí)施方式中，確定所述中心區(qū)域與所述多個(gè)邊緣區(qū)域之間的性能參數(shù)的取值差異是否滿足第二條件，包括：

10、確定所述多個(gè)邊緣區(qū)域的性能參數(shù)取值的和值；

11、確定所述和值與所述中心區(qū)域的性能參數(shù)的取值之間的比值是否大于第二閾值。

12、一種可選的實(shí)施方式中，確定所述中心區(qū)域與所述多個(gè)邊緣區(qū)域之間的性能參數(shù)的取值差異是否滿足第二條件，包括：

13、針對每個(gè)所述邊緣區(qū)域，確定所述中心區(qū)域的性能參數(shù)的取值與所述邊緣區(qū)域的性能參數(shù)的取值之間的差值；

14、在多個(gè)所述邊緣區(qū)域分別對應(yīng)的所述差值均小于第三參數(shù)閾值時(shí)，確定滿足第二條件。

15、一種可選的實(shí)施方式中，所述性能參數(shù)還包括發(fā)光波長，所述方法還包括：

16、確定所述待測led芯片的所述多個(gè)微區(qū)的發(fā)光波長的波長平均值；

17、在確定所述波長平均值與預(yù)設(shè)波長之間的波長偏差小于預(yù)設(shè)偏差時(shí)，確定所述待測led芯片的檢測結(jié)果為檢測通過。

18、一種可選的實(shí)施方式中，根據(jù)下述步驟確定所述待測led芯片上每個(gè)微區(qū)的發(fā)光波長：

19、獲取基準(zhǔn)光譜曲線信息，其中所述基準(zhǔn)光譜曲線為基于多個(gè)候選led芯片的光譜曲線生成的，所述多個(gè)候選led芯片為與所述待測led芯片同一批次生產(chǎn)得到的led芯片，光譜曲線用于指示波長與發(fā)光強(qiáng)度之間的對應(yīng)關(guān)系；

20、在所述微區(qū)產(chǎn)生自發(fā)光之后，利用低通濾波器過濾所述自發(fā)光，并采集低通過濾后的第一光線的第一發(fā)光強(qiáng)度，以及利用高通濾波器過濾所述自發(fā)光，并采集高通過濾后的第二光線的第二發(fā)光強(qiáng)度；其中所述低通濾波器和所述高通濾波器的濾波波長相同；

21、基于所述第一發(fā)光強(qiáng)度和所述第二發(fā)光強(qiáng)度的差值，以及所述基準(zhǔn)光譜曲線信息，確定所述微區(qū)的發(fā)光波長。

22、一種可選的實(shí)施方式中，所述方法還包括：

23、在確定不滿足所述第一條件、且滿足所述第二條件時(shí)，生成用于指示所述待測led芯片的中心存在缺陷的檢測結(jié)果；

24、在確定滿足所述第一條件、且不滿足所述第二條件時(shí)，生成用于指示所述待測led芯片的邊緣存在缺陷的檢測結(jié)果；

25、在確定不滿足所述第一條件、且不滿足所述第二條件時(shí)，生成用于指示所述待測led芯片的整體存在缺陷的檢測結(jié)果。

26、第二方面，本公開實(shí)施例還提供一種led芯片檢測裝置，包括：

27、在通過激光分別照射待測發(fā)光二極管led芯片的多個(gè)微區(qū)，所述微區(qū)在所述激光照射下產(chǎn)生自發(fā)光后，所述多個(gè)微區(qū)包括待測led芯片的中心區(qū)域、以及多個(gè)邊緣區(qū)域；

28、第一確定模塊，用于確定所述待測led芯片上多個(gè)微區(qū)分別產(chǎn)生的自發(fā)光在至少一種性能參數(shù)下的取值；所述性能參數(shù)包括以下至少一種：微區(qū)壽命、發(fā)光強(qiáng)度，所述微區(qū)壽命用于指示微區(qū)自發(fā)光的光線能量衰減至預(yù)設(shè)值時(shí)所需的時(shí)間；

29、第二確定模塊，用于確定所述待測led芯片的多個(gè)微區(qū)中所述中心區(qū)域的性能參數(shù)的取值是否滿足第一條件，以及，確定所述中心區(qū)域與所述多個(gè)邊緣區(qū)域之間的性能參數(shù)的取值差異是否滿足第二條件；若均滿足，則確定所述待測led芯片的檢測結(jié)果為檢測通過。

30、一種可選的實(shí)施方式中，所述第二確定模塊，在確定所述多個(gè)微區(qū)中所述中心區(qū)域的性能參數(shù)的取值是否滿足第一條件時(shí)，用于：

31、確定所述待測led芯片的所述中心區(qū)域的性能參數(shù)的取值是否大于第一閾值；其中在所述性能參數(shù)包括發(fā)光強(qiáng)度時(shí)，所述第一閾值為基于多個(gè)候選led芯片的中心區(qū)域的發(fā)光強(qiáng)度確定得到的。

32、一種可選的實(shí)施方式中，所述第二確定模塊，在確定所述中心區(qū)域與所述多個(gè)邊緣區(qū)域之間的性能參數(shù)的取值差異是否滿足第二條件時(shí)，用于：

33、確定所述多個(gè)邊緣區(qū)域的性能參數(shù)取值的和值；

34、確定所述和值與所述中心區(qū)域的性能參數(shù)的取值之間的比值是否大于第二閾值。

35、一種可選的實(shí)施方式中，所述第二確定模塊，在確定所述中心區(qū)域與所述多個(gè)邊緣區(qū)域之間的性能參數(shù)的取值差異是否滿足第二條件時(shí)，用于：

36、針對每個(gè)所述邊緣區(qū)域，確定所述中心區(qū)域的性能參數(shù)的取值與所述邊緣區(qū)域的性能參數(shù)的取值之間的差值；

37、在多個(gè)所述邊緣區(qū)域分別對應(yīng)的所述差值均小于第三參數(shù)閾值時(shí)，確定滿足第二條件。

38、一種可選的實(shí)施方式中，所述性能參數(shù)還包括發(fā)光波長，所述第二確定模塊還用于：

39、確定所述待測led芯片的所述多個(gè)微區(qū)的發(fā)光波長的波長平均值；

40、在確定所述波長平均值與預(yù)設(shè)波長之間的波長偏差小于預(yù)設(shè)偏差時(shí)，確定所述待測led芯片的檢測結(jié)果為檢測通過。

41、一種可選的實(shí)施方式中，第一確定模塊，還用于根據(jù)下述步驟確定所述待測led芯片上每個(gè)微區(qū)的發(fā)光波長：

42、獲取基準(zhǔn)光譜曲線信息，其中所述基準(zhǔn)光譜曲線為基于多個(gè)候選led芯片的光譜曲線生成的，所述多個(gè)候選led芯片為與所述待測led芯片同一批次生產(chǎn)得到的led芯片，光譜曲線用于指示波長與發(fā)光強(qiáng)度之間的對應(yīng)關(guān)系；

43、在所述微區(qū)產(chǎn)生自發(fā)光之后，利用低通濾波器過濾所述自發(fā)光，并采集低通過濾后的第一光線的第一發(fā)光強(qiáng)度，以及利用高通濾波器過濾所述自發(fā)光，并采集高通過濾后的第二光線的第二發(fā)光強(qiáng)度；其中所述低通濾波器和所述高通濾波器的濾波波長相同；

44、基于所述第一發(fā)光強(qiáng)度和所述第二發(fā)光強(qiáng)度的差值，以及所述基準(zhǔn)光譜曲線信息，確定所述微區(qū)的發(fā)光波長。

45、一種可選的實(shí)施方式中，所述裝置還包括：生成模塊，用于：

46、在確定不滿足所述第一條件、且滿足所述第二條件時(shí)，生成用于指示所述待測led芯片的中心存在缺陷的檢測結(jié)果；

47、在確定滿足所述第一條件、且不滿足所述第二條件時(shí)，生成用于指示所述待測led芯片的邊緣存在缺陷的檢測結(jié)果；

48、在確定不滿足所述第一條件、且不滿足所述第二條件時(shí)，生成用于指示所述待測led芯片的整體存在缺陷的檢測結(jié)果。

49、第三方面，本公開可選實(shí)現(xiàn)方式還提供一種計(jì)算機(jī)設(shè)備，處理器、存儲器，所述存儲器存儲有所述處理器可執(zhí)行的機(jī)器可讀指令，所述處理器用于執(zhí)行所述存儲器中存儲的機(jī)器可讀指令，所述機(jī)器可讀指令被所述處理器執(zhí)行時(shí)，所述機(jī)器可讀指令被所述處理器執(zhí)行時(shí)執(zhí)行上述第一方面，或第一方面中任一種可能的實(shí)施方式中的步驟。

50、第四方面，本公開可選實(shí)現(xiàn)方式還提供一種計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，該計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)上存儲有計(jì)算機(jī)程序，該計(jì)算機(jī)程序被運(yùn)行時(shí)執(zhí)行上述第一方面，或第一方面中任一種可能的實(shí)施方式中的步驟。

51、應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，而非限制本公開的技術(shù)方案。

52、本公開實(shí)施例提供的led芯片檢測方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備及存儲介質(zhì)，在通過激光分別照射待測發(fā)光二極管led芯片的多個(gè)微區(qū)，微區(qū)在激光照射下產(chǎn)生自發(fā)光之后，確定待測led芯片上多個(gè)微區(qū)分別產(chǎn)生的自發(fā)光在至少一種性能參數(shù)下的取值；其中多個(gè)微區(qū)包括待測led芯片的中心區(qū)域、以及多個(gè)邊緣區(qū)域，性能參數(shù)包括以下至少一種：微區(qū)壽命、發(fā)光強(qiáng)度，微區(qū)壽命用于指示微區(qū)自發(fā)光的光線能量衰減至預(yù)設(shè)值時(shí)所需的時(shí)間。通過確定待測led芯片的多個(gè)微區(qū)的中心區(qū)域的性能參數(shù)的取值是否滿足第一條件，實(shí)現(xiàn)對待測led芯片的中心區(qū)域的檢測，并確定中心區(qū)域與多個(gè)邊緣區(qū)域之間的性能參數(shù)的取值差異是否滿足第二條件，實(shí)現(xiàn)對待測led芯片的邊緣區(qū)域的檢測，以判斷待測led芯片是否存在側(cè)壁效應(yīng)、漏電流問題，緩解了micro?pl檢測方案的檢測缺陷。進(jìn)而，本公開在確定待測led芯片滿足第一條件和第二條件時(shí)，確定待測led芯片的檢測結(jié)果為檢測通過，提高待測led芯片的檢測準(zhǔn)確性。

53、為使本公開的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下。