本申請涉及集成電路，特別是涉及一種閂鎖效應檢測電路、方法、芯片及電子設備。

背景技術：

1、cmos(comp?l?ementary?meta?l?oxi?de?semiconductor，互補金屬氧化物半導體)器件被用于特殊強輻射環(huán)境下時，例如用于各類衛(wèi)星上的各種電子系統(tǒng)中，容易發(fā)生單粒子閂鎖(si?ngl?e?event?latchup，sel)，單粒子閂鎖效應是由于電路的輸入端或輸出端輸入外來的噪聲電壓電流而導致寄生的雙極型晶體管也稱寄生可控硅形成閂鎖導通所引起的從電源到地之間流過大電流的現(xiàn)象。單粒子閂鎖效應無法自行消除；電流急劇增大會導致溫度快速上升，可能最終導致嚴重后果，不利于提高包含cmos器件的芯片使用的可靠性和安全性。

技術實現(xiàn)思路

1、基于此，本申請?zhí)峁┮环N閂鎖效應檢測電路、方法、芯片及電子設備，以解決現(xiàn)有技術中不利于提高包含cmos器件的芯片使用的可靠性和安全性的技術問題。

2、第一方面，本申請一實施例提供一種閂鎖效應檢測電路，包括信號采集模塊、多路選擇模塊以及處理模塊；

3、所述信號采集模塊包括第一節(jié)點、第二節(jié)點、第三節(jié)點、設于所述第一節(jié)點和所述第二節(jié)點之間的第一電阻單元以及設于所述第二節(jié)點和接地端之間的第二電阻單元，所述第二電阻單元包括至少兩個串接的電阻以及設于每兩個相鄰的所述電阻的連接節(jié)點，所述第一節(jié)點與電壓模塊連接，所述第三節(jié)點為所述連接節(jié)點中的一個；

4、所述多路選擇模塊與所述第一節(jié)點、所述第二節(jié)點以及所述第三節(jié)點分別形成一個檢測通路，所述多路選擇模塊用于對不同所述檢測通路的采樣信號進行切換輸出；

5、所述處理模塊包括用于接收所述采樣信號的第一輸入端和用于輸出電壓調整信號的輸出端，所述處理模塊用于根據(jù)所述采用信號確定是否發(fā)生閂鎖，當確定結果為是時輸出所述電壓調整信號。

6、可選地，所述處理模塊用于根據(jù)所述第一節(jié)點的第一采樣信號和所述第二節(jié)點的第二采樣信號獲取第一電流，當所述第一電流大于預設電流閾值時，確定發(fā)生閂鎖。

7、可選地，所述處理模塊用于根據(jù)所述第二節(jié)點的第二采樣信號和所述第三節(jié)點的第三采樣信號獲取第一電壓，當所述第一電壓大于預設電壓閾值時，確定發(fā)生閂鎖。

8、可選地，所述處理模塊用于根據(jù)所述第一節(jié)點的第一采樣信號和所述第二節(jié)點的第二采樣信號獲取第一電流，根據(jù)所述第二節(jié)點的第二采樣信號和所述第三節(jié)點的第三采樣信號獲取第一電壓，當所述第一電流大于預設電流閾值且所述第一電壓大于預設電壓閾值時，確定發(fā)生閂鎖。

9、可選地，所述閂鎖效應檢測電路還包括與所述電壓模塊連接的電壓調節(jié)模塊，所述電壓調節(jié)模塊用于接收所述電壓調整信號，根據(jù)所述電壓調整信號對所述電壓模塊的輸出電壓進行調整。

10、可選地，所述閂鎖效應檢測電路還包括與所述處理模塊連接的狀態(tài)監(jiān)控寄存器，用于存儲各所述采樣信號對應的信號值。

11、第一方面，本申請一實施例提供一種閂鎖效應檢測方法，包括：

12、對不同檢測通路的采樣信號進行切換輸出，其中，不同的所述檢測通路分別與第一節(jié)點、第二節(jié)點以及第三節(jié)點對應，所述第一節(jié)點與電壓模塊連接，所述第一節(jié)點和所述第二節(jié)點之間設有第一電阻單元，所述第二節(jié)點和接地端之間設有第二電阻單元，所述第二電阻單元包括至少兩個串接的電阻以及設于兩個相鄰的所述電阻的連接節(jié)點，所述第三節(jié)點為所述連接節(jié)點中的一個；

13、根據(jù)所述采用信號確定是否發(fā)生閂鎖，當確定結果為是時，輸出電壓調整信號。

14、可選地，所述根據(jù)所述采用信號確定是否發(fā)生閂鎖，包括：

15、根據(jù)所述第一節(jié)點的第一采樣信號和所述第二節(jié)點的第二采樣信號獲取第一電流；

16、根據(jù)所述第二節(jié)點的第二采樣信號和所述第三節(jié)點的第三采樣信號獲取第一電壓；

17、當所述第一電流大于預設電流閾值且所述第一電壓大于預設電壓閾值時，確定發(fā)生閂鎖。

18、第三方面，本申請一實施例提供一種芯片，包括上述的閂鎖效應檢測電路。

19、第四方面，本申請一實施例提供一種電子設備，包括上述的芯片。

20、本申請實施例提供的閂鎖效應檢測電路、方法、芯片及電子設備，包括信號采集模塊、多路選擇模塊以及處理模塊；多路選擇模塊用于對不同所述檢測通路的采樣信號進行切換輸出；處理模塊包括用于接收采樣信號的第一輸入端、用于接收參考電壓信號的第二輸入端以及用于輸出電壓調整信號的輸出端，處理模塊用于根據(jù)采用信號和所述電壓參考信號確定是否發(fā)生閂鎖，當確定結果為是時輸出電壓調整信號；通過信號采集模塊、多路選擇模塊以及處理模塊的設置實現(xiàn)了包含cmos器件的芯片是否發(fā)生閂鎖的檢測，并且處理模塊在包含cmos器件的芯片觸發(fā)閂鎖效應后能夠及時對電壓模塊的輸出電壓進行干預，有利于提高包含cmos器件的芯片使用的可靠性和安全性。

技術特征：

1.一種閂鎖效應檢測電路，其特征在于，包括信號采集模塊、多路選擇模塊以及處理模塊；

2.根據(jù)權利要求1所述的閂鎖效應檢測電路，其特征在于，所述處理模塊用于根據(jù)所述第一節(jié)點的第一采樣信號和所述第二節(jié)點的第二采樣信號獲取第一電流，當所述第一電流大于預設電流閾值時，確定發(fā)生閂鎖。

3.根據(jù)權利要求1所述的閂鎖效應檢測電路，其特征在于，所述處理模塊用于根據(jù)所述第二節(jié)點的第二采樣信號和所述第三節(jié)點的第三采樣信號獲取第一電壓，當所述第一電壓大于預設電壓閾值時，確定發(fā)生閂鎖。

4.根據(jù)權利要求1所述的閂鎖效應檢測電路，其特征在于，所述處理模塊用于根據(jù)所述第一節(jié)點的第一采樣信號和所述第二節(jié)點的第二采樣信號獲取第一電流，根據(jù)所述第二節(jié)點的第二采樣信號和所述第三節(jié)點的第三采樣信號獲取第一電壓，當所述第一電流大于預設電流閾值且所述第一電壓大于預設電壓閾值時，確定發(fā)生閂鎖。

5.根據(jù)權利要求1～4任一項所述的閂鎖效應檢測電路，其特征在于，所述閂鎖效應檢測電路還包括與所述電壓模塊連接的電壓調節(jié)模塊，所述電壓調節(jié)模塊用于接收所述電壓調整信號，根據(jù)所述電壓調整信號對所述電壓模塊的輸出電壓進行調整。

6.根據(jù)權利要求5所述的閂鎖效應檢測電路，其特征在于，所述閂鎖效應檢測電路還包括與所述處理模塊連接的狀態(tài)監(jiān)控寄存器，用于存儲各所述采樣信號對應的信號值。

7.一種閂鎖效應檢測方法，其特征在于，包括：

8.根據(jù)權利要求7所述的閂鎖效應檢測方法，其特征在于，所述根據(jù)所述采用信號確定是否發(fā)生閂鎖，包括：

9.一種芯片，其特征在于，包括如權利要求1～6任一項所述的閂鎖效應檢測電路。

10.一種電子設備，其特征在于，包括如權利要求9所述的芯片。

技術總結
本申請涉及集成電路技術領域，特別是涉及一種閂鎖效應檢測電路、方法、芯片及電子設備。本申請實施例提供的閂鎖效應檢測電路、方法、芯片及電子設備，包括信號采集模塊、多路選擇模塊以及處理模塊；多路選擇模塊用于對不同所述檢測通路的采樣信號進行切換輸出；處理模塊用于根據(jù)采用信號和所述電壓參考信號確定是否發(fā)生閂鎖，當確定結果為是時輸出電壓調整信號；通過信號采集模塊、多路選擇模塊以及處理模塊的設置實現(xiàn)了包含CMOS器件的芯片是否發(fā)生閂鎖的檢測，并且處理模塊在包含CMOS器件的芯片觸發(fā)閂鎖效應后能夠及時對電壓模塊的輸出電壓進行干預，有利于提高包含CMOS器件的芯片使用的可靠性和安全性。

技術研發(fā)人員：周東方,陸文睿,劉蒲霞,傅啟攀
受保護的技術使用者：深圳市紫光同創(chuàng)電子有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/23