本技術(shù)涉及晶閘管，特別是涉及一種晶閘管狀態(tài)評估方法、裝置和計(jì)算機(jī)設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、換流閥作為特高壓直流換流站的核心設(shè)備，其可靠性直接影響直流系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。而晶閘管作為換流閥的核心設(shè)備，其可靠性很大程度上決定了換流閥設(shè)備的特性和性能，晶閘管狀態(tài)評估對于指導(dǎo)換流閥的運(yùn)行和維護(hù)、提高系統(tǒng)可靠性非常重要。

2、目前，多是通過對晶閘管的反向恢復(fù)電荷進(jìn)行測量，以對晶閘管的狀態(tài)進(jìn)行評估。對換流閥晶閘管的反向恢復(fù)電荷測量都是通過搭建實(shí)驗(yàn)電路對單個晶閘管進(jìn)行離線測量。然而，將離線測量方法直接應(yīng)用于在線測量需要在每個晶閘管級增加一個電流傳感器，不僅成本高昂，操作也非常繁瑣，進(jìn)而降低對晶閘管狀態(tài)評估過程的效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、基于此，有必要針對上述技術(shù)問題，提供一種晶閘管狀態(tài)評估方法、裝置和計(jì)算機(jī)設(shè)備，能夠在保證狀態(tài)評估準(zhǔn)確性的同時，降低成本和復(fù)雜度。

2、第一方面，本技術(shù)提供了一種晶閘管狀態(tài)評估方法，包括：

3、根據(jù)目標(biāo)換流閥層中基準(zhǔn)晶閘管在反向阻斷恢復(fù)時間內(nèi)的電流曲線，確定所述基準(zhǔn)晶閘管的基準(zhǔn)反向恢復(fù)電荷；其中，所述基準(zhǔn)晶閘管是所述目標(biāo)換流閥層內(nèi)任一晶閘管；

4、獲取所述基準(zhǔn)晶閘管的基準(zhǔn)關(guān)斷電壓幅值和其他晶閘管的其他關(guān)斷電壓幅值；其中，所述其他晶閘管為目標(biāo)換流閥層中除所述基準(zhǔn)晶閘管之外的晶閘管；

5、根據(jù)所述基準(zhǔn)關(guān)斷電壓幅值、所述基準(zhǔn)反向恢復(fù)電荷，以及所述其他關(guān)斷電壓幅值，確定所述其他晶閘管的目標(biāo)反向恢復(fù)電荷；

6、根據(jù)所述目標(biāo)反向恢復(fù)電荷，對所述其他晶閘管的晶閘管狀態(tài)進(jìn)行評估。

7、在其中一個實(shí)施例中，所述根據(jù)目標(biāo)換流閥層中基準(zhǔn)晶閘管在反向阻斷恢復(fù)時間內(nèi)的電流曲線，確定所述基準(zhǔn)晶閘管的基準(zhǔn)反向恢復(fù)電荷，包括：

8、通過電流傳感器，對目標(biāo)換流閥層中基準(zhǔn)晶閘管在反向阻斷恢復(fù)時間內(nèi)的電流進(jìn)行監(jiān)測，獲得所述基準(zhǔn)晶閘管的電流曲線；

9、對所述電流曲線進(jìn)行積分處理，得到所述基準(zhǔn)晶閘管的基準(zhǔn)反向恢復(fù)電荷。

10、在其中一個實(shí)施例中，所述獲取所述基準(zhǔn)晶閘管的基準(zhǔn)關(guān)斷電壓幅值和其他晶閘管的其他關(guān)斷電壓幅值，包括：

11、獲取所述基準(zhǔn)晶閘管在反向阻斷恢復(fù)過程中的第一反向恢復(fù)電壓曲線，以及獲取所述其他晶閘管在反向阻斷恢復(fù)過程中的第二反向恢復(fù)電壓曲線；

12、根據(jù)所述第一反向恢復(fù)電壓曲線，確定所述基準(zhǔn)晶閘管的基準(zhǔn)關(guān)斷電壓幅值；

13、根據(jù)所述第二反向恢復(fù)電壓曲線，確定所述其他晶閘管的其他關(guān)斷電壓幅值。

14、在其中一個實(shí)施例中，所述根據(jù)所述第一反向恢復(fù)電壓曲線，確定所述基準(zhǔn)晶閘管的基準(zhǔn)關(guān)斷電壓幅值，包括：

15、根據(jù)所述第一反向恢復(fù)電壓曲線的斜率，確定電壓轉(zhuǎn)折點(diǎn)；

16、獲取所述第一反向恢復(fù)電壓曲線在所述電壓轉(zhuǎn)折點(diǎn)處的第一電壓，以及所述第一反向恢復(fù)電壓曲線在所述電壓轉(zhuǎn)折點(diǎn)后不同預(yù)設(shè)時間處的第二電壓；

17、根據(jù)所述第一電壓和各所述第二電壓，確定所述基準(zhǔn)晶閘管的基準(zhǔn)關(guān)斷電壓幅值。

18、在其中一個實(shí)施例中，所述根據(jù)所述基準(zhǔn)關(guān)斷電壓幅值、所述基準(zhǔn)反向恢復(fù)電荷，以及所述其他關(guān)斷電壓幅值，確定其他晶閘管的目標(biāo)反向恢復(fù)電荷，包括：

19、根據(jù)所述基準(zhǔn)關(guān)斷電壓幅值和所述其他關(guān)斷電壓幅值，確定所述其他晶閘管與所述基準(zhǔn)晶閘管之間的反向恢復(fù)電荷差；

20、根據(jù)所述反向恢復(fù)電荷差和所述基準(zhǔn)反向恢復(fù)電荷，確定所述其他晶閘管的目標(biāo)反向恢復(fù)電荷。

21、在其中一個實(shí)施例中，所述根據(jù)所述基準(zhǔn)關(guān)斷電壓幅值和所述其他關(guān)斷電壓幅值，確定所述其他晶閘管與所述基準(zhǔn)晶閘管之間的反向恢復(fù)電荷差，包括：

22、針對每一其他晶閘管，將所述其他晶閘管的其他關(guān)斷電壓幅值和所述基準(zhǔn)晶閘管的基準(zhǔn)關(guān)斷電壓幅值之間的差值，作為所述其他晶閘管與所述基準(zhǔn)晶閘管之間的關(guān)斷電壓差；

23、將所述其他晶閘管對應(yīng)的關(guān)斷電壓差和阻尼電容之間的乘積，作為所述其他晶閘管的反向恢復(fù)電荷差。

24、在其中一個實(shí)施例中，所述根據(jù)所述目標(biāo)反向恢復(fù)電荷，對所述其他晶閘管的晶閘管狀態(tài)進(jìn)行評估，包括：

25、針對任一其他晶閘管，獲取所述其他晶閘管在額定工況下的額定反向恢復(fù)電荷；

26、針對任一其他晶閘管，獲取所述其他晶閘管的反向恢復(fù)電荷曲線；

27、根據(jù)所述其他晶閘管的反向恢復(fù)電荷曲線、額定電流，以及所述其他晶閘管在當(dāng)前工況下的當(dāng)前電流，確定所述其他晶閘管對應(yīng)的歸一化系數(shù)；

28、根據(jù)所述其他晶閘管的目標(biāo)反向恢復(fù)電荷和所述歸一化系數(shù)，確定所述其他晶閘管從當(dāng)前工況轉(zhuǎn)換到額定工況的等效電荷值；

29、根據(jù)所述等效電荷值，對所述其他晶閘管的晶閘管狀態(tài)進(jìn)行評估。

30、在其中一個實(shí)施例中，所述根據(jù)所述等效電荷值，對所述其他晶閘管的晶閘管狀態(tài)進(jìn)行評估，包括：

31、將所述其他晶閘管在使用之前的初始電荷值與所述等效電荷值之間的差值，作為所述其他晶閘管的電荷退化值；

32、根據(jù)所述其他晶閘管的電荷退化值，對所述其他晶閘管的晶閘管狀態(tài)進(jìn)行評估。

33、第二方面，本技術(shù)還提供了一種晶閘管狀態(tài)評估裝置，包括：

34、第一確定模塊，用于根據(jù)目標(biāo)換流閥層中基準(zhǔn)晶閘管在反向阻斷恢復(fù)時間內(nèi)的電流曲線，確定所述基準(zhǔn)晶閘管的基準(zhǔn)反向恢復(fù)電荷；其中，所述基準(zhǔn)晶閘管是所述目標(biāo)換流閥層內(nèi)任一晶閘管；

35、幅值獲取模塊，用于獲取所述基準(zhǔn)晶閘管的基準(zhǔn)關(guān)斷電壓幅值和其他晶閘管的其他關(guān)斷電壓幅值；其中，所述其他晶閘管為目標(biāo)換流閥層中除所述基準(zhǔn)晶閘管之外的晶閘管；

36、第二確定模塊，用于根據(jù)所述基準(zhǔn)關(guān)斷電壓幅值、所述基準(zhǔn)反向恢復(fù)電荷，以及所述其他關(guān)斷電壓幅值，確定所述其他晶閘管的目標(biāo)反向恢復(fù)電荷；

37、狀態(tài)評估模塊，用于根據(jù)所述目標(biāo)反向恢復(fù)電荷，對所述其他晶閘管的晶閘管狀態(tài)進(jìn)行評估。

38、第三方面，本技術(shù)還提供了一種計(jì)算機(jī)設(shè)備，包括存儲器和處理器，所述存儲器存儲有計(jì)算機(jī)程序，所述處理器執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序時實(shí)現(xiàn)以下步驟：

39、根據(jù)目標(biāo)換流閥層中基準(zhǔn)晶閘管在反向阻斷恢復(fù)時間內(nèi)的電流曲線，確定所述基準(zhǔn)晶閘管的基準(zhǔn)反向恢復(fù)電荷；其中，所述基準(zhǔn)晶閘管是所述目標(biāo)換流閥層內(nèi)任一晶閘管；

40、獲取所述基準(zhǔn)晶閘管的基準(zhǔn)關(guān)斷電壓幅值和其他晶閘管的其他關(guān)斷電壓幅值；其中，所述其他晶閘管為目標(biāo)換流閥層中除所述基準(zhǔn)晶閘管之外的晶閘管；

41、根據(jù)所述基準(zhǔn)關(guān)斷電壓幅值、所述基準(zhǔn)反向恢復(fù)電荷，以及所述其他關(guān)斷電壓幅值，確定所述其他晶閘管的目標(biāo)反向恢復(fù)電荷；

42、根據(jù)所述目標(biāo)反向恢復(fù)電荷，對所述其他晶閘管的晶閘管狀態(tài)進(jìn)行評估。

43、第四方面，本技術(shù)還提供了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其上存儲有計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時實(shí)現(xiàn)以下步驟：

44、根據(jù)目標(biāo)換流閥層中基準(zhǔn)晶閘管在反向阻斷恢復(fù)時間內(nèi)的電流曲線，確定所述基準(zhǔn)晶閘管的基準(zhǔn)反向恢復(fù)電荷；其中，所述基準(zhǔn)晶閘管是所述目標(biāo)換流閥層內(nèi)任一晶閘管；

45、獲取所述基準(zhǔn)晶閘管的基準(zhǔn)關(guān)斷電壓幅值和其他晶閘管的其他關(guān)斷電壓幅值；其中，所述其他晶閘管為目標(biāo)換流閥層中除所述基準(zhǔn)晶閘管之外的晶閘管；

46、根據(jù)所述基準(zhǔn)關(guān)斷電壓幅值、所述基準(zhǔn)反向恢復(fù)電荷，以及所述其他關(guān)斷電壓幅值，確定所述其他晶閘管的目標(biāo)反向恢復(fù)電荷；

47、根據(jù)所述目標(biāo)反向恢復(fù)電荷，對所述其他晶閘管的晶閘管狀態(tài)進(jìn)行評估。

48、第五方面，本技術(shù)還提供了一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，包括計(jì)算機(jī)程序，該計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時實(shí)現(xiàn)以下步驟：

49、根據(jù)目標(biāo)換流閥層中基準(zhǔn)晶閘管在反向阻斷恢復(fù)時間內(nèi)的電流曲線，確定所述基準(zhǔn)晶閘管的基準(zhǔn)反向恢復(fù)電荷；其中，所述基準(zhǔn)晶閘管是所述目標(biāo)換流閥層內(nèi)任一晶閘管；

50、獲取所述基準(zhǔn)晶閘管的基準(zhǔn)關(guān)斷電壓幅值和其他晶閘管的其他關(guān)斷電壓幅值；其中，所述其他晶閘管為目標(biāo)換流閥層中除所述基準(zhǔn)晶閘管之外的晶閘管；

51、根據(jù)所述基準(zhǔn)關(guān)斷電壓幅值、所述基準(zhǔn)反向恢復(fù)電荷，以及所述其他關(guān)斷電壓幅值，確定所述其他晶閘管的目標(biāo)反向恢復(fù)電荷；

52、根據(jù)所述目標(biāo)反向恢復(fù)電荷，對所述其他晶閘管的晶閘管狀態(tài)進(jìn)行評估。

53、上述晶閘管狀態(tài)評估方法、裝置和計(jì)算機(jī)設(shè)備，通過選取目標(biāo)換流閥層中任一晶閘管作為基準(zhǔn)晶閘管，并根據(jù)目標(biāo)換流閥層中基準(zhǔn)晶閘管在反向阻斷恢復(fù)時間內(nèi)的電流曲線，確定基準(zhǔn)晶閘管的基準(zhǔn)反向恢復(fù)電荷；進(jìn)一步根據(jù)獲取的基準(zhǔn)晶閘管的基準(zhǔn)關(guān)斷電壓幅值和其他晶閘管的其他關(guān)斷電壓幅值，以及基準(zhǔn)反向恢復(fù)電荷，可以準(zhǔn)確地確定其他晶閘管的目標(biāo)反向恢復(fù)電荷；最后根據(jù)目標(biāo)反向恢復(fù)電荷，對其他晶閘管的晶閘管狀態(tài)進(jìn)行評估。上述方案，通過引入基準(zhǔn)晶閘管，無需檢測所有晶閘管的電流，只需監(jiān)測一個晶閘管（即基準(zhǔn)晶閘管）的電流，即可根據(jù)監(jiān)測到的電流曲線，準(zhǔn)確獲取基準(zhǔn)晶閘管的基準(zhǔn)反向恢復(fù)電荷；進(jìn)一步的，根據(jù)基準(zhǔn)關(guān)斷電壓幅值、基準(zhǔn)反向恢復(fù)電荷，以及其他關(guān)斷電壓幅值，可以準(zhǔn)確確定其他晶閘管的目標(biāo)反向恢復(fù)電荷，并基于目標(biāo)反向恢復(fù)電荷準(zhǔn)確對其他晶閘管的狀態(tài)進(jìn)行評估，降低了成本和復(fù)雜度。