本公開內(nèi)容涉及一種用于尤其通過開關(guān)元件監(jiān)控消耗器的可關(guān)斷性的設(shè)備。此外，本公開內(nèi)容還涉及一種用于監(jiān)控可關(guān)斷性的方法，以及一種控制設(shè)備、一種系統(tǒng)和一種計算機程序。

背景技術(shù)：

1、此類設(shè)備面臨的典型挑戰(zhàn)可能在于，能夠?qū)μ幱诮油顟B(tài)下的數(shù)字輸出端的可關(guān)斷性進行診斷。尤其是當耦聯(lián)上負載時如此。

2、在例如符合sil標準iec?61508并符合根據(jù)iec?13849的性能等級的功能安全性的領(lǐng)域中，為了防止第三方受傷、不可逆轉(zhuǎn)的損壞和造成死亡的事故，安全性功能應(yīng)根據(jù)其規(guī)范提供非常高的概率。應(yīng)能夠確保能以較高的概率關(guān)斷安全的數(shù)字輸出端。

3、用于對關(guān)斷能力進行診斷的措施和方法由現(xiàn)有技術(shù)已知?？梢栽O(shè)置例如在1ms到每500ms的時間范圍內(nèi)周期性執(zhí)行關(guān)斷。在實際應(yīng)用中，這種周期性關(guān)斷對于開關(guān)元件的功能可能是破壞性的。因此，可能有必要對可關(guān)斷性進行診斷并確保在無需執(zhí)行關(guān)斷的情況下具有較高的概率。

4、在現(xiàn)有技術(shù)中提出了多種方法。在de?10?2020?113?822?a1中展示了一種安全的輸出端，在其中，輸出端開關(guān)元件無需為測試而周期性關(guān)斷，這是因為這些輸出端開關(guān)元件位于調(diào)節(jié)回路中，通過該調(diào)節(jié)回路就可以監(jiān)控它們的功能性。這種解決方案的主要缺點是，當輸出端開關(guān)元件處于調(diào)節(jié)回路中且半導(dǎo)體路段上的電壓降高于在完全控制導(dǎo)通狀態(tài)下的電壓降時，輸出端開關(guān)元件無法完全被控制導(dǎo)通。由此會出現(xiàn)開關(guān)元件不必要的發(fā)熱。此外，調(diào)節(jié)回路設(shè)計復(fù)雜，并且需要大量元器件，這反過來又會導(dǎo)致電路板更大且成本更高。

5、在us?007?702?302b1中展示了一種互連電路，該互連電路在供電機構(gòu)中具有fet和用于電流測量的測量電阻器。在us?007?702?302b1中不利的是，無法對處于導(dǎo)通狀態(tài)下的fet進行周期性測試，因此無法實現(xiàn)高的安全性水平。此外，測量電阻器被接在功率路徑中，這可能造成功率損耗。

6、us2012/0161817?a1描述了一種用于向繼電器的線圈供應(yīng)電功率的電路。為此所需的電流能夠由電池提供。設(shè)置有兩個相互平行延伸的饋電線路，在這些饋電線路中分別設(shè)置有場效應(yīng)晶體管作為開關(guān)。為了給線圈通電，場效應(yīng)晶體管的柵極電壓被同步調(diào)到使電流流過這兩個場效應(yīng)晶體管的值。讓柵極電壓每隔一段定期的時間間隔就略微降低，并測量漏極與源極之間的電壓降。在通向場效應(yīng)晶體管的饋電線路中的導(dǎo)線中斷方面對測量值進行評估。不利的是，并不測量阻擋層電容而是fet只周期性地以較低電壓被操控。附加地還必須測量負載電壓。這里并沒有揭示具有較高的失效安全性的測量系統(tǒng)。

7、ep?133?5471a2和de?382?1065展示了一種通過“監(jiān)視器”晶體管實現(xiàn)的保護接線電路。如果在主晶體管上的電壓降得過高，則主晶體管就被關(guān)斷。在此不利的是，只有當主晶體管上的電壓降得過高時，主晶體管才會受到保護，而當主晶體管因故障得變得低歐姆并因此無法再關(guān)斷時，主晶體管就不會受到保護。

8、在所陳述的情況下，無法對處于接通狀態(tài)下的數(shù)字輸出端的可關(guān)斷性進行診斷。在該現(xiàn)有技術(shù)的背景下，本公開內(nèi)容的目的在于，說明一種設(shè)備和一種方法，它們分別適合于至少部分克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點并豐富現(xiàn)有技術(shù)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、該目的通過獨立專利權(quán)利要求的特征來實現(xiàn)。并列專利權(quán)利要求和從屬權(quán)利要求分別具有本公開內(nèi)容的可選的改進方案。

2、由此，該目的通過一種用于監(jiān)控與具有電流供應(yīng)機構(gòu)的第一電流路徑連接的耗電器的可關(guān)斷性的設(shè)備來實現(xiàn)。在第一電流路徑中設(shè)置有電氣的第一調(diào)節(jié)元件，該第一調(diào)節(jié)元件的電流通過能力能夠借助第一調(diào)節(jié)信號進行改變。第一調(diào)節(jié)元件的運行狀態(tài)通過第一電氣參量來表征，該第一電氣參量是第一調(diào)節(jié)元件上的第一電容容量并且按情況而定是由電壓測量裝置獲知的第一電壓。設(shè)備在具有另外的電流供應(yīng)機構(gòu)的第二電流路徑中設(shè)置有用于提供第一調(diào)節(jié)信號的第二調(diào)節(jié)元件，該第二調(diào)節(jié)元件的電流通過能力能夠借助第二調(diào)節(jié)信號進行改變。第二調(diào)節(jié)元件的運行狀態(tài)通過第二電氣參量來表征，該第二電氣參量是第二調(diào)節(jié)元件上的第二電容容量并且按情況而定是第二電壓。第一電容容量和第二電容容量串聯(lián)連接。此外，還設(shè)置有控制設(shè)備，該控制設(shè)備被設(shè)計成借助第二調(diào)節(jié)信號至少按在時間上彼此間隔開的測量間隔來操控第二調(diào)節(jié)元件，并對在此獲得的有關(guān)第一電氣參量的值進行評估以識別有關(guān)第一調(diào)節(jié)元件的關(guān)斷情況的故障，并且其中，評估包含將所獲得的有關(guān)第一電氣參量的值與至少一個參考預(yù)定值進行比較。

3、在本公開內(nèi)容的意義上，電容容量可以被理解為具有儲存電荷和構(gòu)建起電容的能力的電氣參量。電容容量可以通過施加電壓來構(gòu)建。

4、在本公開內(nèi)容的意義上，可關(guān)斷性可以被理解為調(diào)節(jié)元件的、例如場效應(yīng)晶體管(fet)的一種能力，其中當向柵極施加適當?shù)目刂齐妷簳r，可以完全中斷源極與漏極之間的電流流動。當柵極上的電壓被調(diào)整成使得溝道中的電場強到足以完全阻斷電流流動時，就會出現(xiàn)可關(guān)斷性。在該狀態(tài)下，fet被視為“切斷”，并且只有極小的漏電流在源極與漏極之間流動。處于切斷狀態(tài)下的漏電流與處于導(dǎo)通狀態(tài)下的最大電流之間的比可以被稱為關(guān)斷比或關(guān)斷電流比。

5、在本公開內(nèi)容的意義上，耗電器可以表示電學體系中吸收電能并將其轉(zhuǎn)換或利用為另一種形式的能量的器件或部件。

6、在本公開內(nèi)容的意義上，場效應(yīng)晶體管的電流通過能力是指當在柵極上施加適當?shù)目刂齐妷簳r，晶體管在源極端子與漏極端子之間傳導(dǎo)電流的能力。

7、上述設(shè)備在此提供了一系列的優(yōu)點。除此之外，借助所公開的設(shè)備可以查出阻擋層電容的電壓低于預(yù)先限定的閾值的情況，因此調(diào)節(jié)元件(場效應(yīng)晶體管)不再能關(guān)斷，并因此不再可以確保數(shù)字輸出端和/或電氣負載被切換成無電壓。因此可以采取進一步的保護措施。可以提出的是，激活第二關(guān)斷機構(gòu)并將數(shù)字輸出端和/或電氣負載切換成無電壓。此外，在一個開關(guān)元件的情況下可以查出不再確保關(guān)斷并輸出故障報告，以便避免/阻止重新接通。

8、下文將詳細解釋上述方法的可能的改進方案。

9、可以提出的是，在設(shè)備中設(shè)置有電容。該電容可以與第二調(diào)節(jié)元件并聯(lián)耦合，以用于增加第二調(diào)節(jié)元件的電容容量。電容(尤其是阻擋層電容)可以通過電容式分壓器來測量/獲知。為此，將另外的電容與第一調(diào)節(jié)元件的待測的電容(g-s路段電容)串聯(lián)連接。第二調(diào)節(jié)元件可以接通電容。在第二調(diào)節(jié)元件的切換狀態(tài)下，電容被橋接。在非切換狀態(tài)(截止狀態(tài))下，電容被切換，并且電壓下降。替代地可以提出的是，第二調(diào)節(jié)元件具有漏源極電容，其規(guī)格以如下方式確定，使得其滿足電容的任務(wù)。如果漏源極電容的規(guī)格確定得太小，和/或第二調(diào)節(jié)元件需要更大的結(jié)構(gòu)類型以實現(xiàn)相應(yīng)的電容量，則可以將另外的電容與第二調(diào)節(jié)元件并聯(lián)連接，該另外的電容可以具有相應(yīng)更大的電容量。

10、可以提出的是，第二電容容量或與電容處于并聯(lián)連接的第二電容容量和第一電容特性具有相同的電容量級，并且其中，電容量級位于至少100pf至最多10nf的范圍內(nèi)。因此，可以實現(xiàn)相應(yīng)的分壓器和相應(yīng)的電壓降，以便使第一調(diào)節(jié)元件仍可切換，但同時獲知柵源極電壓。

11、可以提出的是，第一調(diào)節(jié)元件和第二調(diào)節(jié)元件為晶體管，并且調(diào)節(jié)信號為控制電流或控制電壓，其中提出的是，晶體管為n溝道型或p溝道型場效應(yīng)晶體管。

12、可以提出的是，電壓測量裝置被設(shè)計為運算放大器。藉由運算放大器可以將所獲知的有關(guān)柵源極電壓的值與參考值進行比較?？梢詫Σ钸M行相應(yīng)評估，并將結(jié)果追溯到關(guān)斷特性或關(guān)斷特性中出現(xiàn)的故障。進一步地，可以將差傳輸給控制設(shè)備并由該控制設(shè)備進行處理。

13、可以提出的是，電壓測量裝置被設(shè)計為模數(shù)轉(zhuǎn)換器，并根據(jù)有關(guān)第一電氣參量的值向控制設(shè)備提供數(shù)字信號。藉由模數(shù)轉(zhuǎn)換器可以將作為模擬電壓信號獲得的有關(guān)第一電氣參量的值轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號。轉(zhuǎn)換后的數(shù)字信號可以被傳輸給控制設(shè)備以進行進一步處理。

14、可以提出的是，控制設(shè)備將有關(guān)第一電氣參量的值與至少一個第一參考預(yù)定值和/或第二參考預(yù)定值進行比較，并且其中，一個/多個參考預(yù)定值藉由電阻式分壓器提供。參考預(yù)定值可以藉由電阻器調(diào)整，使其表示第一調(diào)節(jié)元件在技術(shù)上仍能被關(guān)斷的電壓值的極限。如果第一調(diào)節(jié)元件因例如完全熔融(durchlegieren)而無法再關(guān)斷，則所獲得的有關(guān)第一電氣參量的值將位于通過電阻式分壓器所提供的值范圍之外。

15、可以提出的是，為了識別出不存在有關(guān)第一調(diào)節(jié)元件的關(guān)斷情況的故障，第一電氣參量從最大值出發(fā)以系數(shù)進行縮減，從而使得第一調(diào)節(jié)元件仍不關(guān)斷或者如果已經(jīng)關(guān)斷就保持關(guān)斷并且使得有足夠?qū)嵤┫钠鞴δ艿碾娏髁鬟^消耗器?？梢圆槌觯斒┘拥碾妷嚎s減到足夠切換導(dǎo)通第一調(diào)節(jié)元件時，阻擋層電容正常存在。因此，第一調(diào)節(jié)元件仍被判定具有可關(guān)斷性。在發(fā)送測量脈沖后結(jié)束用于監(jiān)控可關(guān)斷性的方法，并再次進入設(shè)備的初始狀態(tài)并且電路以正常模式工作(例如用于切換耗電器)。

16、可以提出的是，在第一電流路徑中設(shè)置有第三調(diào)節(jié)元件，并且第三調(diào)節(jié)元件與第一開關(guān)元件串聯(lián)連接。如果阻擋層電容因完全熔融而下降且因此下降的電壓也低于參考預(yù)定值，則斷定第一調(diào)節(jié)元件無法再關(guān)斷，并且設(shè)備中的相應(yīng)任務(wù)也不再按照標準相應(yīng)完成，以此可以藉由替代的關(guān)斷路線來關(guān)斷數(shù)字輸出端或電氣負載。該替代的關(guān)斷路線由第三調(diào)節(jié)元件來提供。此外，還可以藉由控制設(shè)備通過信號燈、顯示屏上的顯示、傳輸?shù)搅硗獾钠骷南硖峁┕收蠄蟾?，以用于警告操作員/用戶。

17、可以提出的是，為了識別出有關(guān)第一調(diào)節(jié)元件的關(guān)斷情況的故障，第一電氣參量從最大值出發(fā)以系數(shù)盡可能地進行縮減而第一調(diào)節(jié)元件不再關(guān)斷，并且借助第三調(diào)節(jié)元件防止足夠?qū)嵤┫钠鞴δ艿碾娏鳌Ｒ虼?，設(shè)備可以被切換到安全狀態(tài)，并且數(shù)字輸出端或電氣負載可以被切換到無電壓，從而避免對第三方造成傷害。

18、可以提出的是，設(shè)備還具有電阻元件，并且其中，電阻元件與第一調(diào)節(jié)元件的第一電容容量并聯(lián)連接。設(shè)備被設(shè)計成使得當?shù)诙{(diào)節(jié)元件上沒有施加第二調(diào)節(jié)信號時，數(shù)字輸出端被關(guān)斷。因此，切換導(dǎo)通能量僅在短測試脈沖的持續(xù)時間內(nèi)提供。為此，可以設(shè)置有電阻元件，其規(guī)格可以被如下這樣地確定，使得第二調(diào)節(jié)元件上的任何故障都不會導(dǎo)致第一調(diào)節(jié)元件在預(yù)定的過程安全時間內(nèi)不關(guān)斷。

19、上述內(nèi)容可以換句話地并結(jié)合下文所述的本公開內(nèi)容的可能的更具體的設(shè)計方案進行總結(jié)，其中，以下描述不能被解釋為對本公開內(nèi)容的限制。

20、數(shù)字輸出端的可關(guān)斷性在接通狀態(tài)下應(yīng)通過測量進行關(guān)斷的場效應(yīng)晶體管的阻擋層電容來診斷。

21、場效應(yīng)晶體管可以以如下方式構(gòu)建，即，摻雜基片，并由此獲得n區(qū)和p區(qū)。例如，自截止n溝道型場效應(yīng)晶體管(fet)的n區(qū)可以與d(漏極)和s(源極)接觸。場效應(yīng)晶體管在p區(qū)可以具有絕緣層，從而使g(柵極)端子不導(dǎo)電連接。阻擋層位于該區(qū)域中。當在g上向s施加電壓時，產(chǎn)生電容式電荷，通過它使d與s之間的阻擋層導(dǎo)電。

22、由這種結(jié)構(gòu)得出，fet具有能在g與s之間測得的阻擋層電容。該電容即使是在阻擋層被充載電壓的接通狀態(tài)下也可以測量到。

23、fet在d與s之間可能具有兩個主要的故障狀態(tài)：一方面，它可能永久性變?yōu)楦邭W姆。于是，它無法通過在g上朝s施加電壓來控制導(dǎo)通。如果關(guān)斷狀態(tài)是安全狀態(tài)，則fet沿安全方向失效。另一方面，fet也可能永久性變?yōu)榈蜌W姆。在此，截止區(qū)域被“完全熔融”。此時，fet無法再關(guān)斷。在完全熔融的狀態(tài)下，fet不再具有相同的阻擋層電容。由于截止區(qū)域的導(dǎo)電的部分具有阻擋層電容的s極的電勢，因此阻擋層電容減小。因此，g與s之間的電容顯著減小。電介質(zhì)必須具有電荷載流子富集的區(qū)域，并因此也必須具有電荷載流子耗盡的區(qū)域。完全熔融發(fā)生在摻雜區(qū)域之間的最直接的連接中，也就是說相當于富集區(qū)域。因此認為剩余的阻擋層電容小于先前阻擋層電容的50％。

24、通過電容式分壓器可以測量電容。為此，將另外的電容與待測的電容串聯(lián)連接。另外的fet可以接通該電容。fet本身具有漏源極電容，該漏源極電容的規(guī)格可以被確定為使得其自身就足以滿足這一目的。替代地，還可以接通附加的電容。

25、阻擋層電容和串聯(lián)電容的規(guī)格可以被如下這樣確定，使得它們位于同一量級，例如位于100pf至10nf之間的范圍內(nèi)。如果另外的fet被切換成高歐姆，則阻擋層電容的電荷量就被分流到電容式分壓器上。所分電壓的大小應(yīng)被確定為使得阻擋層電容有足夠的電荷用以繼續(xù)控制導(dǎo)通fet。所分電壓可以就其應(yīng)當所處的范圍方面被查詢。

26、如果fet已完全熔融，則電壓位于有效范圍之外。因此可以診斷出fet無法再關(guān)斷。為了測量電容式分壓器上的電壓，可以設(shè)置有運算放大器，該運算放大器將通過電阻式分壓器提供的電壓與參考電壓進行比較。

27、替代地，可以使用其他測量措施檢測電壓，例如使用微控制器的模數(shù)轉(zhuǎn)換器。

28、應(yīng)用方案尤其還具有另外的關(guān)斷路線，例如與上述fet串聯(lián)連接的另外的fet。如果在測試中查出fet已無法再關(guān)斷，即已完全熔融，則經(jīng)由冗余的關(guān)斷路線來觸發(fā)關(guān)斷。

29、應(yīng)用方案還具有操控機構(gòu)，例如柵極驅(qū)動器或微控制器在另外的fet的d處的數(shù)字輸出端。診斷互連電路被如下這樣地設(shè)計，使得當在另外的fet的d上沒有施加電壓時，則關(guān)斷輸出端。因此，切換導(dǎo)通能量僅在短測試脈沖的持續(xù)時間內(nèi)提供。

30、為此，可以設(shè)置有電阻器，該電阻器的規(guī)格被確定為使得另外的fet的任何故障都不會導(dǎo)致fet在預(yù)定的過程安全時間內(nèi)不關(guān)斷。互連電路被如下這樣地設(shè)計，使得任何簡單故障都不會導(dǎo)致安全性功能的喪失，并且存在的診斷覆蓋范圍非常高。在測試期間，fet短暫地未完全控制導(dǎo)通。這導(dǎo)致電壓降(d-s路段)提高，并因此導(dǎo)致發(fā)熱。fet的一個有利的設(shè)計方案可以在于規(guī)格超定，從而使其能承受的功率高于在永久性完全控制導(dǎo)通時被測定的電流所需的功率。

31、利用以下方法可以檢查初始fet的可切換性。

32、初始狀態(tài)包含：另外的fet的d被加載電壓，g被加載電壓，另外的fet被切換導(dǎo)通(d-s路段)，fet的g被加載電壓，fet的d被供應(yīng)電壓，fet被切換導(dǎo)通(d-s路段)。

33、向另外的fet的g施加測試脈沖，以此使g-s電壓變?yōu)榱悴⑶沂沽硗獾膄et變?yōu)楦邭W姆。測量電容器和另外的fet的反向電容與fet的被充電的阻擋層電容形成電容式分壓器。由此，fet根據(jù)電容比放電并將所產(chǎn)生的電壓保留在fet的g上。

34、如果阻擋層電容正常存在，則可以測量到fet的g上的電壓。然后施加縮減的電壓，但該縮減的電壓仍足以使fet切換導(dǎo)通。如果阻擋層電容因完全熔融而明顯減小，則施加的電壓明顯減小。

35、可以按以下標準進行對電壓是否低于限定的閾值的評估。如果電壓只是略微縮減，則fet仍能關(guān)斷。

36、測試脈沖結(jié)束，由此再次進入初始狀態(tài)。

37、如果電壓縮減到限定的閾值以下，則fet無法再關(guān)斷。輸出端經(jīng)由第二關(guān)斷路線關(guān)斷。輸出故障報告并防止重新接通。如果在有測試脈沖和無測試脈沖的情況下都檢測到fet的柵極電壓u_g，則可以查出以下故障：

38、(1)fet的完全熔融(d-s路段是低歐姆的)導(dǎo)致電容c_gs減小，并因此導(dǎo)致在測試脈沖期間電壓u_g升高。

39、(2)fet的完全熔融(d-g路段或s-g路段是低歐姆的)導(dǎo)致柵極關(guān)閉，并因此導(dǎo)致電壓減小(或升高)。另外的fet的完全熔融或高歐姆(d-s路段)導(dǎo)致電容式分壓器發(fā)生變化，并因此導(dǎo)致電壓減小或升高。

40、如果查出故障狀態(tài)，則進行關(guān)斷。

41、替代地，在第二變體中可以提出的是，對由電容式放電造成的漏源極電壓變化進行測量。這可以通過如下方式完成：1.藉由僅測量交變電壓分量的互連電路；或2.如果以一定頻率周期性關(guān)斷和接通，則通過帶通濾波器來完成。還可能借助模數(shù)轉(zhuǎn)換器來檢測并測量電壓。

42、此外，還提供了一種用于監(jiān)控與具有電流供應(yīng)機構(gòu)的第一電流路徑連接的耗電器的可關(guān)斷性的方法，其中，在第一電流路徑中設(shè)置有電氣的第一調(diào)節(jié)元件，該第一調(diào)節(jié)元件的電流通過能力能夠借助第一調(diào)節(jié)信號進行改變，其中，第一調(diào)節(jié)元件的運行狀態(tài)通過第一電氣參量來表征，該第一電氣參量是第一調(diào)節(jié)元件上的第一電容容量并且按情況而定是由電壓測量裝置獲知的第一電壓，其中，設(shè)備在具有另外的電流供應(yīng)機構(gòu)的第二電流路徑中設(shè)置有用于提供第一調(diào)節(jié)信號的第二調(diào)節(jié)元件，該第二調(diào)節(jié)元件的電流通過能力能夠借助第二調(diào)節(jié)信號進行改變，其中，第二調(diào)節(jié)元件的運行狀態(tài)通過第二電氣參量來表征，該第二電氣參量是第二調(diào)節(jié)元件上的第二電容容量并且按情況而定是第二電壓，其中，第一電容容量和第二電容容量串聯(lián)連接，并且其中，控制設(shè)備借助第二調(diào)節(jié)信號至少按在時間上彼此間隔開的測量間隔來操控第二調(diào)節(jié)元件，并對在此獲得的有關(guān)第一電氣參量的值進行評估以識別有關(guān)第一調(diào)節(jié)元件的關(guān)斷情況的故障，并且其中，評估包含將所獲得的值與參考預(yù)定值進行比較。

43、此外，還提供了一種用于操控根據(jù)本公開內(nèi)容的設(shè)備的控制設(shè)備，該控制設(shè)備被設(shè)計成實施根據(jù)本公開內(nèi)容的方法，該控制設(shè)備具有：處理器單元，該處理器單元被設(shè)計成提供控制信號，以便至少按在時間上彼此間隔開的測量間隔來操控第二調(diào)節(jié)元件；接口，該接口被設(shè)計成提供控制信號并接收所獲得的有關(guān)第一調(diào)節(jié)元件的第一電氣參量的值；并且其中，處理器單元還被設(shè)計成提供控制信號，以便對識別有關(guān)第一調(diào)節(jié)元件的關(guān)斷情況的故障進行評估，并且其中，評估包含將所獲得的有關(guān)第一電氣參量的值與至少一個參考預(yù)定值進行比較。

44、此外，提供了一種具有根據(jù)本公開內(nèi)容的第一設(shè)備和第二設(shè)備的系統(tǒng)，其中，第一設(shè)備和第二設(shè)備因此尤其以復(fù)制方式存在，并且被布置成使得第一(上方的)設(shè)備(100)的負極與(下方的)設(shè)備(100)的正極耦合。

45、此外，本公開內(nèi)容還涉及一種計算機程序。上述的方法設(shè)計方案也可以被設(shè)計為計算機程序，其中，當計算機程序在控制設(shè)備或控制設(shè)備的處理器上實施時，促使控制設(shè)備(例如計算機、微控制器、dsp、fpga和/或sps)執(zhí)行根據(jù)本公開內(nèi)容的方法。計算機程序可以通過下載作為信號提供，或存儲在控制設(shè)備的其中包含計算機可讀的程序代碼的存儲器單元中，以便促使控制設(shè)備根據(jù)上述方法實施指令。在此，計算機程序也可以存儲在機器可讀存儲介質(zhì)上。

46、因此，替代的目的解決方案提出了一種存儲介質(zhì)，尤其是計算機可讀存儲介質(zhì)，該存儲介質(zhì)被確定為用于存儲根據(jù)本公開內(nèi)容的方法(作為程序代碼)，并能夠由計算機或計算機的處理器讀取。在由計算機的或計算機網(wǎng)絡(luò)的處理器電路實施時，程序代碼促使實施根據(jù)本公開內(nèi)容的方法的實施方式。

47、例如，存儲介質(zhì)可以至少部分作為非易失性數(shù)據(jù)存儲器(例如閃存和/或ssd(固態(tài)驅(qū)動器))提供和/或至少部分作為易失性數(shù)據(jù)存儲器(例如ram(隨機存取存儲器))提供。存儲介質(zhì)可以布置在處理器電路中的其數(shù)據(jù)存儲器中。然而，存儲介質(zhì)也可以例如作為互聯(lián)網(wǎng)中的所謂的應(yīng)用程序商店服務(wù)器運行。通過計算機或計算機網(wǎng)絡(luò)可以提供具有至少一個微處理器的處理器電路。程序代碼可以作為二進制代碼或匯編語言和/或作為編程語言(如c語言)的源代碼和/或作為程序腳本(如python)來提供。

48、上述設(shè)計方案和改進方案可以在有意義的情況下任意地彼此組合。本公開內(nèi)容的另外的可能的設(shè)計方案、改進方案和實現(xiàn)方案也包括本公開內(nèi)容的上文或下文關(guān)于改進方案中所述的特征的未明確提及的組合。在此尤其地，本領(lǐng)域技術(shù)人員也將各單一觀點作為改進或補充添加到本公開內(nèi)容的相應(yīng)基本形式中。尤其地，設(shè)備權(quán)利要求的特征可以通過相應(yīng)的功能來實現(xiàn)和/或?qū)嵤?，?jù)此，它們可以對方法進行補充或擴展。此外，方法步驟可以通過設(shè)備中的相應(yīng)的實現(xiàn)模塊來付諸實施。因此，上文針對設(shè)備描述的內(nèi)容也類似適用于方法，并相應(yīng)反之亦然。