1.一種高速微波放大光電探測(cè)器，其特征在于：包括探測(cè)器芯片(1)、光電轉(zhuǎn)換器(2)、放大電路(3)、控制電路(4)與驅(qū)動(dòng)電路(5)，所述探測(cè)器芯片(1)輸入端連接光信號(hào)輸入端(6)，所述探測(cè)器芯片(1)輸出端連接所述光電轉(zhuǎn)換器(2)輸入端，所述光電轉(zhuǎn)換器(2)輸出端連接所述放大電路(3)輸入端，所述放大電路(3)輸入端連接所述控制電路(4)輸出端，所述控制電路(4)輸出端連接所述驅(qū)動(dòng)電路(5)輸入端，所述驅(qū)動(dòng)電路(5)輸出端連接所述探測(cè)器芯片(1)輸入端，所述放大電路(3)輸出端輸出射頻信號(hào)，直流電信號(hào)接入所述控制電路(4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速微波放大光電探測(cè)器，其特征在于：所述探測(cè)器芯片(1)主要為InGaAs型探測(cè)器芯片，包括外延片與其背面形成歐姆接觸的n電極(7)，所述的外延片自n型InP半導(dǎo)體襯底(8)上連續(xù)生長(zhǎng)：
一n型InP緩沖層(9)；一i型InGaAs吸收層(10)；一n型InP過渡層(11)；一n型至少三元以上的Ⅲ-Ⅴ族頂層(12)，所述n型InP過渡層(11)中心設(shè)有一摻雜光敏區(qū)(51)和一摻雜保護(hù)環(huán)(52)；位于所述n型InP過渡層(11)上表面依序設(shè)有一鈍化膜層(13)及一增透過渡薄膜層(14)；該增透過渡薄膜層(14)的部分表面設(shè)有一p型電極金屬層(15)；另一部分設(shè)有一絕緣層(16)；該絕緣層表面設(shè)有一金屬遮光層(17)；一增透薄膜層(18)設(shè)于所述金屬遮光層(17)、絕緣層(16)和摻雜光敏區(qū)(51)上表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速微波放大光電探測(cè)器，其特征在于：所述放大電路(3)包括放大部，具備輸入放大級(jí)和輸出級(jí)，設(shè)置在所述輸出級(jí)上的第一放大元件及第二放大元件作為推挽電路來動(dòng)作；
第一電壓緩沖器，其輸入端連接于所述放大部的輸出端，其輸出端通過第一相位補(bǔ)償電容連接于所述第一放大元件的信號(hào)輸入端，并且通過第二相位補(bǔ)償電容連接于所述第二放大元件的信號(hào)輸入端；
以及第二電壓緩沖器，其輸入端連接于所述放大部的輸出端或所述第一電壓緩沖器的輸出端，其輸出端至少通過第三相位補(bǔ)償電容連接于所述第一放大元件的信號(hào)輸入端。