技術(shù)特征：

1.用于測(cè)試晶閘管級(jí)反向恢復(fù)特性的工頻沖擊合成試驗(yàn)回路，其特征在于，包括工頻電源模塊、沖擊電源模塊、測(cè)量模塊，

所述工頻電源模塊與晶閘管級(jí)連接，所述晶閘管級(jí)與所述沖擊電源模塊連接，所述測(cè)量模塊用于測(cè)量晶閘管級(jí)的電壓、電流；

所述工頻電源模塊包括高壓直流電源A、充電電阻R₁、儲(chǔ)能電容C₁、電感L、可控型電子開關(guān)VT₁；所述高壓直流電源A通過充電電阻R₁與儲(chǔ)能電容C₁連接，所述儲(chǔ)能電容C₁的輸入端與所述電感L連接，所述儲(chǔ)能電容C₁的輸出端接地；所述電感L的輸出端與所述可控型電子開關(guān)VT₁的集電極連接，所述可控型電子開關(guān)VT₁的發(fā)射極與所述晶閘管級(jí)連接；

所述沖擊電源模塊包括高壓直流電源B、充電電阻R₂、儲(chǔ)能電容C₂、可控型電子開關(guān)VT₂、波頭電阻R₃、儲(chǔ)能電容C₃、高壓二極管D；所述高壓直流電源B通過充電電阻R₂與儲(chǔ)能電容C₂連接，所述儲(chǔ)能電容C₂的輸入端與所述可控型電子開關(guān)VT₂的集電極連接，所述儲(chǔ)能電容C₂的輸出端接地；所述可控型電子開關(guān)VT₂的發(fā)射極與所述波頭電阻R₃的m端連接；所述波頭電阻R₃的n端分別與所述儲(chǔ)能電容C₃、所述高壓二極管D的陽極端連接；所述儲(chǔ)能電容C₃的輸出端接地，所述高壓二極管D的陰極端與所述晶閘管級(jí)連接；

所述測(cè)量模塊包括分壓器、羅氏線圈，所述分壓器用于測(cè)試所述晶閘管級(jí)的電壓，所述羅氏線圈用于測(cè)量所述晶閘管級(jí)的電流。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工頻沖擊合成試驗(yàn)回路，其特征在于，所述儲(chǔ)能電容C₁與電感L形成欠阻尼振蕩，并滿足如下條件：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工頻沖擊合成試驗(yàn)回路，其特征在于，所述可控型電子開關(guān)VT₁的耐壓值大于所述沖擊電源模塊的峰值電壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工頻沖擊合成試驗(yàn)回路，其特征在于，所述高壓二極管D的耐壓值大于所述儲(chǔ)能電容C₁的標(biāo)稱電壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工頻沖擊合成試驗(yàn)回路，其特征在于，所述儲(chǔ)能電容C₃的電容值小于儲(chǔ)能電容C₂的電容值。