本實用新型實施例涉及電路領(lǐng)域，特別涉及一種實時自校準(zhǔn)熱電偶測溫電路。

背景技術(shù)：

熱電偶是目前溫度測量應(yīng)用最廣泛的傳感元件，熱電偶是把兩根化學(xué)成分不同的金屬導(dǎo)線聯(lián)接起來組成一個閉合回路，該閉合回路叫熱電回路。當(dāng)兩個導(dǎo)體兩個接點處于兩個不同的溫度時，熱電回路中有一定的電流流過，表明回路有電勢產(chǎn)生，根據(jù)電勢獲得被測介質(zhì)的溫度。

熱電偶中放入被測介質(zhì)中的一端為熱端，與測量儀表相連的一端為冷端，在實際測量中熱電偶的冷端溫度受環(huán)境因素影響會不斷發(fā)生變化。熱電偶的測量組成部分為放大電路以及冷端補(bǔ)償電路，熱電偶熱端電勢的計算公式為： Y＝(X-c-b)/a，其中，Y表示用于測量溫度的電壓，a表示放大倍數(shù)，b表示零點電壓，c表示偏置電壓，X表示測量電壓。

由于制造工藝、器件精度等原因，放大倍數(shù)和零點電壓需要進(jìn)行校準(zhǔn)，一遍的校驗方法為使用標(biāo)準(zhǔn)零度和滿量程溫度作為輸入，推導(dǎo)出放大倍數(shù)和零點電壓，再將推導(dǎo)出的放大倍數(shù)和零點電壓輸入到程序中。然而，重新更新測量溫度對應(yīng)的程序后，放大倍數(shù)和零點電壓需要重新校驗，校驗步驟繁瑣、校準(zhǔn)效率低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，本實用新型實施例提供了一種實時自校準(zhǔn)熱電偶測溫電路。該技術(shù)方案如下：

第一方面，提供了一種在實時自校準(zhǔn)熱電偶測溫電路，該電路包括熱電偶、熱電偶前置濾波電路、熱電偶前置電路、微控制單元MCU、模擬開關(guān)電路、自校準(zhǔn)電路、放大電路和斷偶檢測電路；

所述熱電偶的熱端與所述熱電偶前置濾波電路的輸入端連接，所述熱電偶前置濾波電路包括電容器和電阻器；

所述熱電偶前置濾波電路的輸出端與所述熱電偶前置電路的輸入端連接，所述熱電偶前置電路至少包括雙向光金屬絕緣半導(dǎo)體MOS管；

所述熱電偶前置電路的輸出端分別與所述模擬開關(guān)電路、所述自校準(zhǔn)電路和所述斷偶檢測電路連接，所述模擬開關(guān)電路至少包括模擬開關(guān)芯片，所述斷偶檢測電路包括快恢復(fù)二極管和電阻器；

所述自校準(zhǔn)電路分別與所述模擬開關(guān)電路和所述斷偶檢測電路連接，所述自校準(zhǔn)電路至少包括基準(zhǔn)電源芯片和第一運(yùn)算放大器；

所述模擬開關(guān)電路的輸出端與所述放大電路的輸入端連接，所述放大電路至少包括第二運(yùn)算放大器；

所述放大電路的輸出端與所述MCU連接；

所述MCU通過第一信號控制線與所述熱電偶前置電路中的所述雙向光 MOS管連接；

所述MCU通過第二信號控制線和第三信號控制線與所述模擬開關(guān)電路中的所述模擬開關(guān)芯片連接；

所述MCU通過第四信號控制線與所述斷偶檢測電路連接。

可選的，所述自校準(zhǔn)電路至少包括基準(zhǔn)電源芯片、第一運(yùn)算放大器、電位器和電容器；

所述第一運(yùn)算放大器的輸出端與所述模擬開關(guān)電路中的模擬開關(guān)芯片連接；

所述第一運(yùn)算放大器的同相輸入端至少通過一個電位器與所述基準(zhǔn)電源芯片的正極連接；

所述第一運(yùn)算放大器的反相輸入端與所述第一運(yùn)算放大器的輸出端連接。

可選的，所述熱電偶前置電路、所述斷偶檢測電路和所述模擬開關(guān)電路三者的公共端與所述自校準(zhǔn)電路中的電位器的動端連接。

可選的，所述模擬開關(guān)電路中的所述模擬開關(guān)芯片的第一輸入端、第二輸入端、第三輸入端、第四輸入端和第五輸入端分別與所述熱電偶前置電路中的所述雙向光MOS管連接。

可選的，所述放大電路還包括電容器；

所述第二運(yùn)算放大器的同相輸入端和反相輸入端分別與所述模擬開關(guān)芯片的第一輸出端和第二輸出端連接；

所述第二運(yùn)算放大器的所述同相輸入端和所述反相輸入端之間連接有一個電容器；

所述第二運(yùn)算放大器的輸出端與所述MCU連接。

可選的，所述MCU通過所述第二信號控制線和所述第三信號控制線分別與所述模擬開關(guān)芯片的兩個輸入控制端連接。

可選的，所述熱電偶前置電路還包括電容器和電阻器，所述放大電路還包括電阻器，所述自校準(zhǔn)電路還包括電阻器。

本實用新型實施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：

本實用新型實施例提供的實時自校準(zhǔn)熱電偶測溫電路，包括熱電偶、熱電偶前置濾波電路、熱電偶前置電路、MCU、模擬開關(guān)電路、自校準(zhǔn)電路、放大電路和斷偶檢測電路，通過MCU輸出控制信號，以及模擬開關(guān)電路和熱電偶前置電路的配合實現(xiàn)信號切換，使得自校準(zhǔn)電路能夠?qū)崟r校準(zhǔn)零點電壓和放大倍數(shù)解決了現(xiàn)有技術(shù)中校驗放大倍數(shù)和零點電壓時校驗步驟繁瑣，校準(zhǔn)效率低的問題，達(dá)到了避免溫度、時間、器件參數(shù)等因素對校驗值的影響，無需接外部標(biāo)準(zhǔn)源進(jìn)行校準(zhǔn)，實時自動對零點電壓和放大倍數(shù)的自校驗，提高校驗效率的效果。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是根據(jù)一示例性實施例示出的一種實時自校準(zhǔn)熱電偶測溫電路的原理示意圖；

圖2是根據(jù)一示例性實施例示出的一種實時自校準(zhǔn)熱電偶測溫電路的電路圖；

圖3是根據(jù)一示例性實施例示出的一種用于實時自校準(zhǔn)熱電偶溫度測量電路的實時自校準(zhǔn)方法的流程圖。

具體實施方式

為使本實用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本實用新型實施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

圖1是根據(jù)一示例性實施例實處的一種實時自校準(zhǔn)熱電偶測溫電路的原理示意圖。該實時自校準(zhǔn)熱電偶測溫電路包括熱電偶110、熱電偶前置濾波電路 120、熱電偶前置電路170、斷偶檢測電路130、自校準(zhǔn)電路180、模擬開關(guān)電路 140、放大電路150和MCU(Microcontroller Unit，微控制器)160。

熱電偶110的熱端與熱電偶前置濾波電路120連接，熱電偶前置濾波電路 120對熱電偶進(jìn)行前置π濾波處理，降低共模干擾和導(dǎo)線耦合噪聲。

其中，熱電偶為K型熱電偶?？蛇x的，在實例設(shè)計中熱電偶的測量范圍為 -50℃至450℃。

熱電偶前置電路170與斷偶檢測電路130連接。

熱電偶前置電路170中包括雙向光MOS(Metal-Oxide-Semiconductor，金屬 -氧化物-半導(dǎo)體)管，雙向光MOS管用于配合模擬開關(guān)電路140中的模擬開關(guān)芯片實現(xiàn)功能切換；斷偶檢測電路130用于檢測熱電偶是否出現(xiàn)斷偶故障，斷偶故障是指熱電偶斷偶，也即熱電偶不導(dǎo)通或者外部沒有接熱電偶或者熱電偶的線斷開。

熱電偶前置濾波電路120由兩個電容器和一個電阻器構(gòu)成。

熱電偶前置電路170與自校準(zhǔn)電路180連接。自校準(zhǔn)電路180至少包括基準(zhǔn)電源芯片和一個運(yùn)算放大器。

自校準(zhǔn)電路180用于實時自校準(zhǔn)零點電壓和放大倍數(shù)。

熱電偶前置電路170與模擬開關(guān)電路140連接，模擬開關(guān)電路140與放大電路150連接，放大電路150與MCU160連接。

斷偶檢測電路130與模擬開關(guān)電路140連接。斷偶檢測電路130包括快恢復(fù)二極管和電阻器。

模擬開關(guān)電路140包括模擬開關(guān)芯片，模擬通過模擬開關(guān)芯片實現(xiàn)切換參考源、零點電壓、信號源，通過切換信號實現(xiàn)放大倍數(shù)和零點的自校準(zhǔn)，以及實現(xiàn)斷偶檢測。

放大電路150用于放大輸出電壓。

MCU160通過第一信號控制線11與熱電偶前置電路170連接，MCU160通過第二信號控制線12和第三信號控制線14與模擬開關(guān)電路140中的模擬開關(guān)芯片連接，MCU160通過第四信號控制線13與斷偶檢測電路連接。

MCU160用于控制該實時自校準(zhǔn)熱電偶測溫電路中的零點電壓與放大倍數(shù)的自校準(zhǔn)。

圖2是根據(jù)一示例性實施例示出的一種實時自校準(zhǔn)熱電偶測溫電路的電路圖。

該實時自校準(zhǔn)熱電偶測溫電路包括的器件及其型號如表一所示。

表一

如圖2所示，該實時自校準(zhǔn)熱電偶測溫電路包括熱電偶、熱電偶前置濾波電路、熱電偶前置電路、自校準(zhǔn)電路、MCU20、模擬開關(guān)電路、放大電路和斷偶檢測電路；

熱電偶的熱端10與熱電偶前置濾波電路的輸入端連接，熱電偶前置濾波電路包括電容器和電阻器。

具體地，如圖2所示，熱電偶前置濾波電路由電容器C2、C3和電阻器R2 構(gòu)成。

熱電偶前置濾波電路的輸出端與熱電偶前置電路的輸入端連接。熱電偶前置電路至少包括雙向光MOS管。

可選的，熱電偶前置電路還包括電阻器和電容器。

熱電偶前置電路的輸出端分別與模擬開關(guān)電路、自校準(zhǔn)電路和斷偶檢測電路的輸入端連接。

模擬開關(guān)電路至少包括模擬開關(guān)芯片，斷偶檢測電路包括快恢復(fù)二極管和電阻器。具體地，如圖2所示，熱電偶的熱端10與熱電偶前置濾波電路連接。熱電偶前置濾波電路的兩個輸出端分別與雙向光MOS管PH1的第8引腳和第6 引腳連接。

自校準(zhǔn)電路分別與模擬開關(guān)電路和斷偶檢測電路連接。自校準(zhǔn)電路至少包括基準(zhǔn)電源芯片和第一運(yùn)算放大器。

具體地，如圖2所示，自校準(zhǔn)電路中的第一運(yùn)算放大器U4的輸出端通過模擬開關(guān)電路中的電阻R6和電阻R8與模擬開關(guān)芯片U1連接。自校準(zhǔn)電路中的電位器W1的動端與斷偶檢測電路中的電阻器R1連接。

模擬開關(guān)電路的輸出端與放大電路的輸入端連接，放大電路至少包括第二運(yùn)算放大器。

具體地，如圖2所示，放大電路包括第二運(yùn)算放大器U3。

可選的，放大電路還包括電容器和電阻器。

放大電路的輸出端與MCU20連接。

具體地，如圖2所示，放大電路中的第二運(yùn)算放大器U3的輸出端與MCU20 連接?？蛇x的，在第二運(yùn)算放大器U3和MCU20之間還包括電阻器R12和電容器C9構(gòu)成的RC濾波部分。

MCU通過第一信號控制線與熱電偶前置電路中的雙向光MOS管連接。

具體地，如圖2所示，MCU20通過第一信號控制線CH-A與雙向光MOS 管PH1的第4引腳連接，MCU20輸出CH-A信號。

MCU通過第二信號控制線和第三信號控制線與模擬開關(guān)中的模擬開關(guān)芯片連接。

具體地，如圖2所示，MCU20通過第二信號控制線CH-B與模擬開關(guān)芯片 U1的輸入控制端B連接，MCU20輸出CH-B信號；MCU20通過第三信號控制線CH-C與模擬開關(guān)芯片的輸入控制端C連接，MCU20輸出CH-C信號。

MCU通過第四信號控制線與斷偶檢測電路連接。

具體地，如圖2所示，MCU20通過第四信號控制線DO-CHK與斷偶檢測電路連接。

可選的，自校準(zhǔn)電路至少包括基準(zhǔn)電源芯片、第一運(yùn)算放大器、電位器和電容器。

第一運(yùn)算放大器的輸出端與模擬開關(guān)電路中的模擬開關(guān)芯片連接；

第一運(yùn)算放大器的同相輸入端至少通過一個電位器與基準(zhǔn)電源芯片的正極連接；

第一運(yùn)算放大器的反相輸入端與第一運(yùn)算放大器的輸出端連接。

具體地，第一運(yùn)算放大器U4的輸出端通過模擬開關(guān)電路中的通過模擬開關(guān)電路中的電阻R6和電阻R8與模擬開關(guān)芯片連接。第一運(yùn)算放大器U4的輸出端與第一運(yùn)算放大器的反相輸入端連接。第一運(yùn)算放大器U4的同相輸入端通過電位器W1、電容器C12、電阻器R11與基準(zhǔn)電源芯片U2的正極連接?；鶞?zhǔn)電源芯片U2其他端口的連接方式請參考圖2，這里不再贅述。

可選的，熱電偶前置電路、斷偶檢測電路和模擬開關(guān)電路三者的公共端與自校準(zhǔn)電路中的電位器的動端連接。

如圖2所示，熱電偶前置電路、斷偶檢測電路和模擬開關(guān)電路三個電路的公共端與電位器W1的動端連接。

可選的，模擬開關(guān)電路中的模擬開關(guān)芯片的第一輸入端、第二輸入端、第三輸入端、第四輸入端和第五輸入端分別與熱電偶前置電路中的雙向光MOS管連接。

具體地，如圖2所示，雙向光MOS管的第7引腳通過電阻器R4與模擬開關(guān)芯片U1的第一輸入端Z1連接，雙向光MOS管的第7引腳通過電阻器R5與模擬開關(guān)芯片U1的第二輸入端Z0連接，雙向光MOS管的第5引腳通過電阻器R6與模擬開關(guān)芯片U1的第三輸入端Y0連接，雙向光MOS管的第5引腳通過電阻器R6與模擬開關(guān)芯片U1的第四輸入端X1連接，雙向光MOS管的第5 引腳通過電阻器R6與模擬開關(guān)芯片U1的第五輸入端X0連接。

可選的，放大電路還包括電容器；第二運(yùn)算放大器的同相輸入端和反相輸入端分別與模擬開關(guān)芯片的第一輸出端和第二輸出端連接；第二運(yùn)算放大器的同相輸入端和反相輸入端之間連接有一個電容器。第二運(yùn)算放大器的輸出端與 MCU連接。

具體地，如圖2所示，模擬開關(guān)芯片U1的第一輸出端X和第二輸出端Y 分別與第二運(yùn)算放大器U3的同相輸入端和反相輸入端連接。第二運(yùn)算放大器 U3的同相輸入端和反相輸入端之間連接有電容器C6。第二運(yùn)算放大器U3的輸出端與MCU20連接。

可選的，MCU通過第二信號控制線和第三信號控制線分別與模擬開關(guān)芯片的兩個輸入控制端連接。

具體地，如圖2所示，MCU20通過第二信號控制線CH-B與模擬開關(guān)芯片U1的輸入控制端B連接，MCU20輸出CH-B信號；MCU20通過第三信號控制線CH-C與模擬開關(guān)芯片的輸入控制端C連接，MCU20輸出CH-C信號。

另外，模擬開關(guān)芯片U1的輸入控制端C接地。

具體地，如圖2所示，雙向光MOS管PH1的第7引腳與斷偶檢測電路連接。

具體地，雙向光MOS管PH1的第7引腳輸出Vin+，第7引腳與模擬開關(guān)芯片U1的Z0端和Z1端連接；雙向光MOS管PH1的第5引腳輸出Vin-，第5 引腳與模擬開關(guān)芯片U1的X0端和X1端連接。

具體地，如圖2所示，基準(zhǔn)電源芯片U2的正極通過電阻器R10與正向電源VCC連接，基準(zhǔn)電源芯片U2的參考極與參考電壓Vref連接，基準(zhǔn)電源芯片U2 的的參考極和負(fù)極之間連接有電容器C8。基準(zhǔn)電源芯片U2的正極通過電阻器 R11、電位器W1、電阻器R15接地；電位器w1的動端分為兩個支路，一個支路連接斷偶檢測電路，，該支路還與熱電偶前置電路連接，另一個支路串聯(lián)電容器C12后與第一運(yùn)算放大器U4的同相輸入端連接，且該支路連接電容器C13 后接地。

假設(shè)電位器W1的動端為a點，電容器C12和電容器C13之間的公共端為 b點，Vb＝0.22V，Vab＝20mv。

可選的，電路還包括若干個電容器和若干個電阻器。

本實施例所示的實時自校準(zhǔn)電路包括的熱電偶前置電路還包括電容器和電阻器，放大電路還包括電阻器，自校準(zhǔn)電路還包括電阻器，若干個電阻器和若干個電容器在電路中的具體連接方式請參考圖2，這里不再贅述。

綜上所述，本實用新型實施例提供的實時自校準(zhǔn)熱電偶測溫電路，該電路包括熱電偶、熱電偶前置濾波電路、熱電偶前置電路、MCU、模擬開關(guān)電路、自校準(zhǔn)電路、放大電路和斷偶檢測電路，通過MCU輸出控制信號，以及模擬開關(guān)電路和熱電偶前置電路的配合實現(xiàn)信號切換，使得自校準(zhǔn)電路能夠?qū)崟r校準(zhǔn)零點電壓和放大倍數(shù)解決了現(xiàn)有技術(shù)中校驗放大倍數(shù)和零點電壓時校驗步驟繁瑣，校準(zhǔn)效率低的問題，達(dá)到了避免溫度、時間、器件參數(shù)等因素對校驗值的影響，無需接外部標(biāo)準(zhǔn)源進(jìn)行校準(zhǔn)，實時自動對零點電壓和放大倍數(shù)的自校驗，提高校驗效率的效果。

在圖1或圖2所示的實時自校準(zhǔn)熱電偶測溫電路中，VCC＝5V；Vref＝2.5V； V+＝5V；V-＝-5V；GND＝0V，利用基準(zhǔn)電源芯片U2產(chǎn)生兩種電壓Vab與Vb，其中，Vab＝Va-Vb，Vb為零點電壓，Vb＝0.22V,Vab＝20mV。由于K型熱電偶熱端電動勢在20mv時測得的溫度為485℃，因此使用Vab作為K型熱電偶的滿量程電壓。

如圖1或圖2所示的實時自校準(zhǔn)熱電偶測溫電路的工作原理如下。

MCU中存儲有用于實現(xiàn)對電路中零點電壓和放大倍數(shù)的程序，MCU控制 CH-A信號、CH-B信號、CH-C信號、DO-CHK信號的值，實現(xiàn)該電路的功能切換。CH-A信號、CH-B信號、CH-C信號、DO-CHK信號的取值及其對應(yīng)的功能如表二所示。

表二

表二中0表示低電平，1表示高電平。

用于該實時自校準(zhǔn)熱電偶溫度測量電路中MCU的實時自校準(zhǔn)方法的流程圖如圖3所示，該方法包括：

步驟301，當(dāng)CH-A＝1，CH-B＝0，CH-C＝1，DO-CHK＝0時，進(jìn)行零點電壓校準(zhǔn)。

當(dāng)CH-A＝1，CH-B＝0，CH-C＝1，DO-CHK＝0時，雙向光MOS管PH 1關(guān)閉，熱電偶斷開，模擬開關(guān)芯片U1選擇Y0端和Y端導(dǎo)通，Z1端和Z端導(dǎo)通，將零點電壓Vb發(fā)送至第一運(yùn)算放大器U3，經(jīng)過放大處理后得到Vsd+，并將 Vsd+發(fā)送至MCU，由MCU中的ADC(Analog-to-digital converter，模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器)對Vsd+進(jìn)行轉(zhuǎn)換得到Vb1，并記錄Vb1。

步驟302，當(dāng)CH-A＝1，CH-B＝1，CH-C＝0，DO-CHK＝0時，進(jìn)行放大倍數(shù)校準(zhǔn)。

當(dāng)CH-A＝1，CH-B＝1，CH-C＝0，DO-CHK＝0時，雙向光MOS管PH 1關(guān)閉，熱電偶斷開，模擬開關(guān)芯片U1選擇Y1端和Y端導(dǎo)通，Z0端和Z端導(dǎo)通，將滿量程電壓Vab發(fā)送至第一運(yùn)算放大器U3，經(jīng)過放大處理后得到Vsd+，并將Vsd+發(fā)送至MCU，由MCU中的ADC對Vsd+進(jìn)行轉(zhuǎn)換得到Vab1，并記錄 Vab1。

偏置電壓Vsd-發(fā)送至MCU，由MCU中的ADC對Vsd-進(jìn)行轉(zhuǎn)換，得到Vc，并記錄Vc。

由上述的測量數(shù)據(jù)得到校準(zhǔn)后的零點電壓Vb和放大倍數(shù)a，Vb＝Vb1-Vc(公式1)，a＝[Vab1-Vc-(Vb1-Vc)]/2mV(公式2)。

到此，該實時自校準(zhǔn)熱電偶測溫電路完成了零點電壓和放大倍數(shù)的自校驗。

步驟303，當(dāng)CH-A＝0；CH-B＝1；CH-C＝1；DO-CHK＝1時，進(jìn)行斷偶檢測。

該實時自校準(zhǔn)熱電偶測溫電路還可以實現(xiàn)熱電偶的斷偶故障檢測，具體實現(xiàn)方法如下：

當(dāng)CH-A＝0；CH-B＝1；CH-C＝1；DO-CHK＝1時，那么雙向光MOS PH1打開，熱電偶接通，模擬開關(guān)芯片U1選擇Y1端與Y端導(dǎo)通，Z1端與Z端導(dǎo)通，將熱電偶的電壓差送至第一運(yùn)算放大器U3，經(jīng)過放大處理后得到Vsd+，將Vsd+ 送至MCU，由MCU中的ADC對Vsd進(jìn)行處理，得到電壓X并記錄。

步驟304，檢測電壓X是否接近滿量程電壓。

若檢測到電壓X接近滿量程電壓，則執(zhí)行步驟305；若未檢測到電壓X接近滿量程，則執(zhí)行步驟306。

檢測電壓X是否接近滿量程電壓，如果電壓X接近滿量程電壓，說明熱電偶已經(jīng)斷開，報告斷偶故障，此時的電壓X是被DO-CHK拉到了高電平。

步驟305，報告斷偶故障。

步驟306，當(dāng)CH-A＝0；CH-B＝1；CH-C＝1；DO-CHK＝0時，測量當(dāng)前熱電偶的熱端的電動勢，并將電動勢轉(zhuǎn)換為溫度，計數(shù)器的值加1。

當(dāng)CH-A＝0；CH-B＝1；CH-C＝1；DO-CHK＝0時，雙向光MOS PH1打開，熱電偶接通，模擬開關(guān)芯片U1選擇Y1端與Y端導(dǎo)通，Z1端與Z端導(dǎo)通，將熱電偶的電壓差送至第一運(yùn)算放大器U3，經(jīng)過放大處理后得到Vsd+，將Vsd+ 送至MCU，由MCU中的ADC進(jìn)行處理，得到電壓X并記錄。

此時將Vb＝Vb1-Vc(公式1)和a＝[Vab1-Vc-(Vb1-Vc)]/2mV(公式2)帶入公式Y(jié)＝(X-Vc-Vb)/a，得到熱電偶的熱端的電動勢。

步驟307，檢測計數(shù)器的值是否大于預(yù)定值。

可選的，預(yù)定值為預(yù)先設(shè)置的數(shù)值，比如100?？蛇x的，預(yù)定值可以根據(jù)實際情況進(jìn)行更改。

若計數(shù)器的值大于預(yù)定值，則重新執(zhí)行步驟303；若計數(shù)器的值不大于預(yù)定值，則重新執(zhí)行步驟301。

為了提高單位時間內(nèi)熱電偶測量溫度的次數(shù)，可以在達(dá)到預(yù)定次數(shù)時再對零點電壓和放大倍數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)。

需要說明的是，也可以不計數(shù)，每測量一次溫度后對零點電壓和放大倍數(shù)進(jìn)行一次自校準(zhǔn)，則步驟306中不執(zhí)行“計數(shù)器的值加1”，步驟307不執(zhí)行。

本實用新型實施例提供的實時自校準(zhǔn)熱電偶測溫電路中的MCU無需記錄校正數(shù)據(jù)，更新程序或更換MCU之后也可以直接測量；能夠?qū)崟r校準(zhǔn)零點電壓和放大倍數(shù)，消除熱電偶測溫電路中電子器件的時漂和溫漂的問題。

上述本實用新型實施例序號僅僅為了描述，不代表實施例的優(yōu)劣。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實現(xiàn)上述實施例的全部或部分步驟可以通過硬件來完成，也可以通過程序來指令相關(guān)的硬件完成，所述的程序可以存儲于一種計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)中，上述提到的存儲介質(zhì)可以是只讀存儲器，磁盤或光盤等。

以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。