本發(fā)明涉及一種利用巨磁阻效應(yīng)對(duì)金屬密閉體內(nèi)休眠狀態(tài)的測(cè)試儀進(jìn)行觸發(fā)的方法，具體是一種基于巨磁阻效應(yīng)的金屬密閉體內(nèi)測(cè)試儀觸發(fā)方法。

背景技術(shù)：

目前，存儲(chǔ)測(cè)試儀應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛，在信號(hào)傳輸困難的運(yùn)動(dòng)件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試領(lǐng)域起著至關(guān)重要的作用。存儲(chǔ)測(cè)試儀實(shí)時(shí)實(shí)況完成動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，測(cè)試完畢，取出金屬密閉體內(nèi)的存儲(chǔ)測(cè)試儀，對(duì)獲取的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析處理。

存儲(chǔ)測(cè)試儀（例如：發(fā)明專利-微小型智能電子測(cè)試儀-cn200910074322.x）一般采用鋰電池供電和非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，狹小空間和運(yùn)動(dòng)的工作環(huán)境對(duì)存儲(chǔ)測(cè)試儀提出了很高的微體積和低功耗要求，具體表現(xiàn)在：存儲(chǔ)測(cè)試儀的功耗盡可能低、并且存儲(chǔ)測(cè)試儀采用狀態(tài)設(shè)計(jì)，即存儲(chǔ)測(cè)試儀在測(cè)試前處于低功耗休眠狀態(tài)，待需要測(cè)試的時(shí)候，給存儲(chǔ)測(cè)試儀一個(gè)觸發(fā)信號(hào)（相當(dāng)于啟動(dòng)命令），存儲(chǔ)測(cè)試儀開始工作，實(shí)現(xiàn)被測(cè)對(duì)象的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，待測(cè)試任務(wù)完畢（滿足設(shè)定數(shù)據(jù)容量或者設(shè)定時(shí)間的條件），存儲(chǔ)測(cè)試儀自動(dòng)進(jìn)入休眠狀態(tài)；若是多次間歇測(cè)試，需要多次給存儲(chǔ)測(cè)試儀一個(gè)觸發(fā)信號(hào)（相當(dāng)于啟動(dòng)命令），實(shí)現(xiàn)多次喚醒。因此，存儲(chǔ)測(cè)試儀何時(shí)開始工作取決于觸發(fā)信號(hào)（啟動(dòng)命令），也即觸發(fā)信號(hào)是存儲(chǔ)測(cè)試儀開始工作的唯一啟動(dòng)命令，不能出現(xiàn)需要啟動(dòng)存儲(chǔ)測(cè)試儀時(shí)候沒有觸發(fā)（也簡稱為應(yīng)該觸發(fā)時(shí)候的不觸發(fā)）、也不能出現(xiàn)不需要觸發(fā)時(shí)候存儲(chǔ)測(cè)試儀觸發(fā)了（也簡稱為不應(yīng)該觸發(fā)時(shí)候的誤觸發(fā)），于是，不能不觸發(fā)、也不能誤觸發(fā)，正確可靠地觸發(fā)是存儲(chǔ)測(cè)試儀正常工作的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。

存儲(chǔ)測(cè)試儀的觸發(fā)方法一般有：定時(shí)觸發(fā)（超過設(shè)定時(shí)間即認(rèn)為事件發(fā)生，即得到唯一的啟動(dòng)命令）、內(nèi)觸發(fā)（判斷比較信號(hào)是否大于預(yù)定閾值，若信號(hào)大于預(yù)定閾值即認(rèn)為事件發(fā)生，即得到唯一的啟動(dòng)命令）、外觸發(fā)（收到外界觸發(fā)信號(hào)即認(rèn)為事件發(fā)生，即得到唯一的啟動(dòng)命令）。針對(duì)一般常用的外觸發(fā)方法，正確觸發(fā)的關(guān)鍵在于傳遞可靠有效的觸發(fā)信號(hào)，可是，金屬密閉體對(duì)于電、熱、光、聲等信號(hào)傳遞有一定的阻礙作用，使用受限；雖然金屬密閉體對(duì)磁場有一定的屏蔽作用，但是只是對(duì)磁信號(hào)幅度衰減，能夠?qū)⒔饘倜荛]體外部的磁信號(hào)傳遞到金屬密閉體內(nèi)部（公開資料及實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)表明金屬屏蔽體的屏蔽效果不能達(dá)到磁場強(qiáng)度衰減為零的地步）。于是本發(fā)明利用巨磁電阻對(duì)微弱磁信號(hào)的敏感反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)金屬密閉體內(nèi)存儲(chǔ)測(cè)試儀的觸發(fā)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明為了解決金屬密閉體內(nèi)存儲(chǔ)測(cè)試儀難以有效觸發(fā)問題，提供了一種基于巨磁阻效應(yīng)的金屬密閉體內(nèi)測(cè)試儀的觸發(fā)方法。

本發(fā)明是通過如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：基于巨磁阻效應(yīng)的金屬密閉體內(nèi)測(cè)試儀觸發(fā)方法，該觸發(fā)方法是通過觸發(fā)裝置實(shí)現(xiàn)的，

所述觸發(fā)裝置包括設(shè)置于金屬密閉體外壁左側(cè)的u型磁鐵，u型磁鐵的兩個(gè)磁極朝向金屬密閉體，與u型磁鐵的兩個(gè)磁極相對(duì)的金屬密閉體內(nèi)壁左側(cè)面上安裝有第一導(dǎo)磁體和第二導(dǎo)磁體；

金屬密閉體內(nèi)部與第二導(dǎo)磁體中部水平相對(duì)的設(shè)置有第二巨磁電阻和第四巨磁電阻，第二巨磁電阻和第四巨磁電阻分別前后平行并排設(shè)置且兩者之間存在間距，第二巨磁電阻和第四巨磁電阻的水平中心線位于同一水平面上，第二導(dǎo)磁體的底面與第二巨磁電阻和第四巨磁電阻的底面在同一水平面上或低于兩者的底面高度，第二導(dǎo)磁體的前后寬度與第二巨磁電阻外側(cè)面和第四巨磁電阻外側(cè)面之間的距離相等或?qū)捰趦烧咄鈧?cè)面之間的距離，第二導(dǎo)磁體的水平中心線與第二巨磁電阻和第四巨磁電阻之間的中心線在同一水平面內(nèi)；

第二巨磁電阻和第四巨磁電阻右側(cè)的金屬密閉體內(nèi)部設(shè)置有第二條形磁鐵，第二條形磁鐵位于第二巨磁電阻和第四巨磁電阻之間的中心線上；

金屬密閉體內(nèi)部與第一導(dǎo)磁體中部水平相對(duì)的設(shè)置有第一巨磁電阻和第三巨磁電阻，第一巨磁電阻和第三巨磁電阻分別前后平行并排設(shè)置且兩者之間存在間距，第一巨磁電阻和第三巨磁電阻的水平中心線位于同一水平面上，第一巨磁電阻在金屬密閉體內(nèi)部所在的前后左右位置與第二巨磁電阻相同，第三巨磁電阻在金屬密閉體內(nèi)部所在的前后左右位置與第四巨磁電阻相同，第一導(dǎo)磁體的頂面與第一巨磁電阻和第三巨磁電阻的頂面在同一水平面上或高于兩者的底面高度，第一導(dǎo)磁體的前后寬度與第一巨磁電阻外側(cè)面和第三巨磁電阻外側(cè)面之間的距離相等或?qū)捰趦烧咄鈧?cè)面之間的距離；

第一巨磁電阻和第三巨磁電阻右側(cè)的金屬密閉體內(nèi)部設(shè)置有第一條形磁鐵，第一條形磁鐵位于第一巨磁電阻和第三巨磁電阻之間的中心線上；

第二條形磁鐵與第一條形磁鐵的磁極所在的方向相同，位于底部的第二巨磁電阻、第四巨磁電阻和第二條形磁鐵通過位于中部的平板狀的第三導(dǎo)磁體、與位于上部的第一巨磁電阻、第三巨磁電阻和第一條形磁鐵間隔開，平板狀的第三導(dǎo)磁體與金屬密閉體前后左右四壁相連，將整個(gè)金屬密閉體平均分成上下兩個(gè)獨(dú)立的空間；

第一巨磁電阻、第二巨磁電阻、第三巨磁電阻和第四巨磁電阻構(gòu)成差動(dòng)全橋；

第一巨磁電阻的一端和第四巨磁電阻的一端通過引線相連接形成a連接點(diǎn)，第二巨磁電阻的一端和第三巨磁電阻的一端通過引線相連接形成c連接點(diǎn)，第一巨磁電阻的另一端和第二巨磁電阻的另一端通過引線相連接形成b連接點(diǎn)，第三巨磁電阻的另一端和第四巨磁電阻的另一端通過引線形成d連接點(diǎn)，a連接點(diǎn)和c連接點(diǎn)分別連接至金屬密閉體內(nèi)部直流電源u的正負(fù)極，b連接點(diǎn)和d連接點(diǎn)通過引線形成輸出端uo，輸出端uo接入差分放大電路模塊、電容隔直模塊、放大濾波電路模塊、比較電路模塊，將比較電路模塊輸出端與存儲(chǔ)測(cè)試儀相連接；

該觸發(fā)方法是將u型磁鐵的兩個(gè)磁極分別與第一導(dǎo)磁體和第二導(dǎo)磁體相對(duì)的金屬密閉體外壁靠近，對(duì)金屬密閉體內(nèi)部施加了一個(gè)磁信號(hào)，使得位于第三導(dǎo)磁體下部和上部的其中一組巨磁電阻的阻值增大，另外一組巨磁電阻的阻值減小，巨磁電阻阻值變化形成的電阻信號(hào)通過差動(dòng)電橋轉(zhuǎn)換成電壓輸出信號(hào)，電壓輸出信號(hào)經(jīng)過差分放大、隔直、放大濾波、比較得到由低電平跳變到高電平的電壓信號(hào)，即能夠引起存儲(chǔ)測(cè)試儀啟動(dòng)觸發(fā)的電壓信號(hào)，實(shí)現(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)測(cè)試儀的觸發(fā)。

本發(fā)明所述基于巨磁阻效應(yīng)的金屬密閉體內(nèi)測(cè)試儀的觸發(fā)方法的有益效果是：

1.當(dāng)前所用的存儲(chǔ)測(cè)試儀安裝在金屬密閉體內(nèi)，此類存儲(chǔ)測(cè)試儀適應(yīng)復(fù)雜惡劣環(huán)境，但是金屬密閉體阻礙了光、電等信號(hào)的傳遞，考慮使用磁信號(hào)對(duì)金屬密閉體內(nèi)的存儲(chǔ)測(cè)試儀進(jìn)行觸發(fā)。金屬密閉體雖然對(duì)磁信號(hào)有衰減屏蔽作用，但是只是對(duì)磁信號(hào)的幅度衰減，使其變?yōu)槲⑷醮判盘?hào)，并不是將磁信號(hào)完全屏蔽掉，即對(duì)磁信號(hào)是量的衰減而不是質(zhì)的不存在，因此，本發(fā)明解決了金屬密閉體內(nèi)外的信號(hào)傳遞問題，實(shí)現(xiàn)了對(duì)金屬密閉體內(nèi)部存儲(chǔ)測(cè)試儀的可靠觸發(fā)；

2.使用三個(gè)磁鐵（一個(gè)u型磁鐵和兩個(gè)條形磁鐵），利用其通過磁鐵間極性的相互吸引與相互排斥作用，調(diào)節(jié)磁感線的密度進(jìn)而調(diào)節(jié)磁場強(qiáng)度，使其可以可靠地調(diào)節(jié)巨磁電阻增大或減小的靈敏變化；

3.利用在弱磁場中具有高導(dǎo)磁率的導(dǎo)磁體，增強(qiáng)導(dǎo)磁性能，保證磁信號(hào)可靠傳遞。例如，軟磁材料的坡莫合金，其在弱磁場中具有極高磁導(dǎo)率、低損耗和低的矯頑力；

4.利用巨磁電阻組成的差動(dòng)全橋結(jié)構(gòu)，將微弱的電阻變化（信號(hào)）轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)。差動(dòng)全橋結(jié)構(gòu)相比于單臂電橋其變化的靈敏度提高4倍，是一種精度很高的測(cè)量方式；

5.利用巨磁阻效應(yīng)對(duì)密閉體內(nèi)的存儲(chǔ)測(cè)試儀進(jìn)行觸發(fā)。巨磁電阻能將非常弱小的磁場變化引起非常顯著的電阻變化，其變化的幅度比通常高十幾倍，且具有體積小、靈敏度高、線性度好、線性范圍寬、響應(yīng)頻率高、相位精度及重復(fù)精度好、抗噪聲能力強(qiáng)、工作溫度范圍廣、可靠性高、成本低等優(yōu)點(diǎn)。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為金屬密閉體內(nèi)存儲(chǔ)測(cè)試儀觸發(fā)裝置的整體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為圖1在a-a方向的剖視圖。

圖3為圖1在b-b方向的剖視圖。

圖4為u型磁鐵以上s極下n極放置時(shí)的差動(dòng)全橋電路圖。

圖5為u型磁鐵以上n極下s極放置時(shí)的差動(dòng)全橋電路圖。

圖6為差動(dòng)電橋輸出的uo信號(hào)經(jīng)過放大、隔直、濾波、比較處理的電路圖（公知技術(shù)）。

圖中：1-金屬密閉體，2-磁鐵，2a-u型磁鐵，2b-第一條形磁鐵，2c-第二條形磁鐵，3-導(dǎo)磁體，3a-第一導(dǎo)磁體，3b-第二導(dǎo)磁體，3c-第三導(dǎo)磁體，4-巨磁電阻，4a-第一巨磁電阻，4b-第二巨磁電阻，4c-第三巨磁電阻，4d-第四巨磁電阻，5、5a、5b、5c、5d、5e、5f、5g、5h、5i、5j、5k、5l-支撐體，6-存儲(chǔ)測(cè)試儀，y1、y2、y3、y4、y5、y6、y7、y8、y9、y10、y11、y12-引線。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所得到的所有其它實(shí)施方式，都屬于本發(fā)明所保護(hù)的范圍。

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明所述基于巨磁阻效應(yīng)的金屬密閉體內(nèi)測(cè)試儀觸發(fā)方法進(jìn)行詳細(xì)的說明。

基于巨磁阻效應(yīng)的金屬密閉體內(nèi)測(cè)試儀觸發(fā)方法，該觸發(fā)方法是通過觸發(fā)裝置實(shí)現(xiàn)的，

所述觸發(fā)裝置包括設(shè)置于金屬密閉體1外壁左側(cè)的u型磁鐵2a，u型磁鐵2a的兩個(gè)磁極朝向金屬密閉體1，與u型磁鐵2a的兩個(gè)磁極相對(duì)的金屬密閉體1內(nèi)壁左側(cè)面上安裝有第一導(dǎo)磁體3a和第二導(dǎo)磁體3b；

金屬密閉體1內(nèi)部與第二導(dǎo)磁體3b中部水平相對(duì)的設(shè)置有第二巨磁電阻4b和第四巨磁電阻4d，第二巨磁電阻4b和第四巨磁電阻4d分別前后平行并排設(shè)置且兩者之間存在間距，第二巨磁電阻4b和第四巨磁電阻4d的水平中心線位于同一水平面上，第二導(dǎo)磁體3b的底面與第二巨磁電阻4b和第四巨磁電阻4d的底面在同一水平面上或低于兩者的底面高度，第二導(dǎo)磁體3b的前后寬度與第二巨磁電阻4b外側(cè)面和第四巨磁電阻4d外側(cè)面之間的距離相等或?qū)捰趦烧咄鈧?cè)面之間的距離，第二導(dǎo)磁體3b的水平中心線與第二巨磁電阻4b和第四巨磁電阻4d之間的中心線在同一水平面內(nèi)；

第二巨磁電阻4b和第四巨磁電阻4d右側(cè)的金屬密閉體1內(nèi)部設(shè)置有第二條形磁鐵2c，第二條形磁鐵2c位于第二巨磁電阻4b和第四巨磁電阻4d之間的中心線上；

金屬密閉體1內(nèi)部與第一導(dǎo)磁體3a中部水平相對(duì)的設(shè)置有第一巨磁電阻4a和第三巨磁電阻4c，第一巨磁電阻4a和第三巨磁電阻4c分別前后平行并排設(shè)置且兩者之間存在間距，第一巨磁電阻4a和第三巨磁電阻4c的水平中心線位于同一水平面上，第一巨磁電阻4a在金屬密閉體1內(nèi)部所在的前后左右位置與第二巨磁電阻4b相同，第三巨磁電阻4c在金屬密閉體1內(nèi)部所在的前后左右位置與第四巨磁電阻4d相同，第一導(dǎo)磁體3a的頂面與第一巨磁電阻4a和第三巨磁電阻4c的頂面在同一水平面上或高于兩者的底面高度，第一導(dǎo)磁體3a的前后寬度與第一巨磁電阻4a外側(cè)面和第三巨磁電阻4c外側(cè)面之間的距離相等或?qū)捰趦烧咄鈧?cè)面之間的距離；

第一巨磁電阻4a和第三巨磁電阻4c右側(cè)的金屬密閉體1內(nèi)部設(shè)置有第一條形磁鐵2b，第一條形磁鐵2b位于第一巨磁電阻4a和第三巨磁電阻4c之間的中心線上；

第二條形磁鐵2c與第一條形磁鐵2b的磁極所在的方向相同，位于底部的第二巨磁電阻4b、第四巨磁電阻4d和第二條形磁鐵2c通過位于中部的平板狀的第三導(dǎo)磁體3c、與位于上部的第一巨磁電阻4a、第三巨磁電阻4c和第一條形磁鐵2b間隔開，平板狀的第三導(dǎo)磁體3c與金屬密閉體1前后左右四壁相連，將整個(gè)金屬密閉體1平均分成上下兩個(gè)獨(dú)立的空間；

第一巨磁電阻4a、第二巨磁電阻4b、第三巨磁電阻4c和第四巨磁電阻4d構(gòu)成差動(dòng)全橋；

第一巨磁電阻4a的一端和第四巨磁電阻4d的一端通過引線相連接形成a連接點(diǎn)，第二巨磁電阻4b的一端和第三巨磁電阻4c的一端通過引線相連接形成c連接點(diǎn)，第一巨磁電阻4a的另一端和第二巨磁電阻4b的另一端通過引線相連接形成b連接點(diǎn)，第三巨磁電阻4c的另一端和第四巨磁電阻4d的另一端通過引線形成d連接點(diǎn)，a連接點(diǎn)和c連接點(diǎn)分別連接至金屬密閉體1內(nèi)部直流電源u的正負(fù)極，b連接點(diǎn)和d連接點(diǎn)通過引線形成輸出端uo，輸出端uo接入差分放大電路模塊、電容隔直模塊、放大濾波電路模塊、比較電路模塊，將比較電路模塊輸出端與存儲(chǔ)測(cè)試儀6相連接；

該觸發(fā)方法是將u型磁鐵2a的兩個(gè)磁極分別與第一導(dǎo)磁體3a和第二導(dǎo)磁體3b相對(duì)的金屬密閉體1外壁靠近，對(duì)金屬密閉體1內(nèi)部施加了一個(gè)磁信號(hào)，使得位于第三導(dǎo)磁體3c下部和上部的其中一組巨磁電阻的阻值增大，另外一組巨磁電阻的阻值減小，巨磁電阻阻值變化形成的電阻信號(hào)通過差動(dòng)電橋轉(zhuǎn)換成電壓輸出信號(hào)，電壓輸出信號(hào)經(jīng)過差分放大、隔直、放大濾波、比較得到由低電平跳變到高電平的電壓信號(hào)，即能夠引起存儲(chǔ)測(cè)試儀6啟動(dòng)觸發(fā)的電壓信號(hào)，實(shí)現(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)測(cè)試儀6的觸發(fā)。

具體的，所述第一導(dǎo)磁體3a、第二導(dǎo)磁體3b、第一巨磁電阻4a、第二巨磁電阻4b、第三巨磁電阻4c、第四巨磁電阻4d、第一條形磁鐵2b、第二條形磁鐵2c、第三導(dǎo)磁體3c、差分放大電路模塊、電容隔直模塊、放大濾波電路模塊、比較電路模塊以及存儲(chǔ)測(cè)試儀6是通過非導(dǎo)磁材料固定于金屬密閉體1內(nèi)部的。如圖1和2所示的各非導(dǎo)磁材料的支撐體5a、5b、5c、5d、5e、5f、5g、5h、5i、5j、5k、5l將各巨磁電阻、導(dǎo)磁體以及磁鐵支撐于金屬密閉體1內(nèi)部。當(dāng)然為了起到減震的作用，金屬密閉體1內(nèi)部的空余空間填充有非導(dǎo)磁材料。

本發(fā)明上述各個(gè)部件的安裝方式絕不僅僅只有上述結(jié)構(gòu)，只要是能夠?qū)⒏鞑考潭ò惭b于金屬密閉體1內(nèi)部的安裝方式都可使用，而且所使用的安裝結(jié)構(gòu)（相當(dāng)于支撐體）需為非導(dǎo)磁材料。具體的，例如第一導(dǎo)磁體3a和第二導(dǎo)磁體3b可通過非導(dǎo)磁材料的黏膠類物質(zhì)固定安裝于金屬密閉體1內(nèi)壁上，各巨磁電阻、導(dǎo)磁體以及磁鐵支撐于金屬密閉體1內(nèi)部后，為了起到減震作用，也可以通過非導(dǎo)磁材料的黏膠類物質(zhì)固定安裝于安裝結(jié)構(gòu)上。

優(yōu)選的，u型磁鐵2a為永久磁鐵或電磁鐵，第一條形磁鐵2b和第二條形磁鐵2c為永久磁鐵。

具體實(shí)施時(shí)，可通過如圖5或圖6所示的，在差動(dòng)全橋中，第一巨磁電阻4a分別和引線y1、引線y2相連接，第二巨磁電阻4b分別和引線y3、引線y4相連接，第三巨磁電阻4c分別和引線y5、引線y6相連接，第四巨磁電阻4d分別和引線y7、引線y8相連接，引線y1和引線y8相交于a連接點(diǎn)，引線y2和引線y3相交于b連接點(diǎn)，引線y4和引線y5相交于c連接點(diǎn)，引線y6和引線y7相交于d連接點(diǎn)，從a連接點(diǎn)引出引線y9、c連接點(diǎn)引出引線y10分別接于金屬密閉體1內(nèi)部直流電源u（鋰電池）的正負(fù)極，從b連接點(diǎn)引出引線y12、d連接點(diǎn)引出引線y11作為輸出端uo，兩引線分別接入差分放大電路模塊、電容隔直模塊、放大濾波電路模塊、比較電路模塊，比較電路模塊輸出的由低電平到高電平的跳變用于對(duì)存儲(chǔ)測(cè)試儀6的觸發(fā)。

本發(fā)明的引線y1、y2、y3、y4、y5、y6、y7、y8、y9、y10、y11和y12是金屬導(dǎo)體引線；輸出信號(hào)通過金屬引線與uo差分放大電路模塊、電容隔直模塊、放大濾波電路模塊、比較電路模塊連接，比較電路輸出低電平至高電平信號(hào)經(jīng)過金屬引線連接至存儲(chǔ)測(cè)試儀。

當(dāng)需要對(duì)金屬密閉體1內(nèi)部的存儲(chǔ)測(cè)試儀6觸發(fā)時(shí)候，將u型磁鐵2a的兩個(gè)磁極靠近金屬密閉體1外部（第一導(dǎo)磁體3a和第二導(dǎo)磁體3b正對(duì)的位置），即對(duì)金屬密閉體1施加了一個(gè)磁信號(hào)；當(dāng)u型磁鐵2a以上s極、下n極方向放置時(shí)，磁信號(hào)雖然受到金屬屏蔽體的屏蔽作用而衰減，但是金屬密閉體側(cè)壁有微弱的磁信號(hào)，其中微弱的磁信號(hào)通過第一導(dǎo)磁體3a和第二導(dǎo)磁體3b實(shí)現(xiàn)磁力線匯聚；根據(jù)巨磁電阻的特性（有微弱的磁場變化可以導(dǎo)致電阻大小的急劇變化，其變化的幅度比通常高十幾倍，增加磁場強(qiáng)度巨磁電阻急劇減小，減弱磁場強(qiáng)度巨磁電阻急劇增大），放置在u型磁鐵2a與第一條形磁鐵2b、第二條形磁鐵2c之間的各巨磁電阻的阻值急劇變化；當(dāng)?shù)谌龑?dǎo)磁體3c上部的第一條形磁鐵2b為左s極右n極的方向放置時(shí)，即第一條形磁鐵2b的s極與u型磁鐵2a的s極相對(duì)，此時(shí)u型磁鐵2a與第一條形磁鐵2b產(chǎn)生相互排斥的作用，其之間的磁感線是向上與向下發(fā)散排布的，即u型磁鐵2a與第一條形磁鐵2b之間的磁感線密度較稀疏，磁場強(qiáng)度減弱，使得第三導(dǎo)磁體3c上部的、位于u型磁鐵2a與第一條形磁鐵2b之間的第一巨磁電阻4a和第三巨磁電阻4c的阻值急劇增大；同時(shí)，當(dāng)?shù)谌龑?dǎo)磁體3c下部的第二條形磁鐵2c為左s極右n極的方向放置時(shí)，即第二條形磁鐵2c的s極與u型磁鐵2a的n極相對(duì)，此時(shí)u型磁鐵2a與第二條形磁鐵2c產(chǎn)生相互吸引的作用，其之間的磁感線是匯聚的，即u型磁鐵2a與第二條形磁鐵2c之間的磁感線密度較密集，磁場強(qiáng)度增強(qiáng)，使得第三導(dǎo)磁體3c下部的、位于u型磁鐵2a與第二條形磁鐵2c之間的第二巨磁電阻4b和第四巨磁電阻4d的阻值急劇減小。這樣由四個(gè)巨磁電阻急劇變化的電阻信號(hào)轉(zhuǎn)換成靈敏度高的電壓輸出信號(hào)，構(gòu)成了差動(dòng)全橋（如圖4所示）。

同理，當(dāng)u型磁鐵2a以上n極下s極方向放置時(shí)，且金屬密閉體內(nèi)部的第一條形磁鐵2b與第二條形磁鐵2c放置的位置及極性不變時(shí)，根據(jù)磁信號(hào)引起的巨磁電阻阻值變化，產(chǎn)生與u型磁鐵2a上s極下n極時(shí)相對(duì)的一種差動(dòng)全橋形式。磁信號(hào)產(chǎn)生裝置發(fā)出一定磁場強(qiáng)度的磁信號(hào)，由于金屬屏蔽體的屏蔽作用（但僅僅是對(duì)磁信號(hào)的幅度衰減而非完全屏蔽掉），通過金屬密閉體1側(cè)壁的磁信號(hào)十分微弱，第一導(dǎo)磁體3a和第二導(dǎo)磁體3b具有磁力線匯聚作用，微弱的磁信號(hào)通過第一導(dǎo)磁體3a和第二導(dǎo)磁體3b實(shí)現(xiàn)磁力線匯聚；根據(jù)巨磁電阻的特性，放置在u型磁鐵2a與第一條形磁鐵2b、第二條形磁鐵2c之間的各巨磁電阻的阻值急劇變化。當(dāng)?shù)谌龑?dǎo)磁體3c上部的第一條形磁鐵2b為左s極右n極的方向放置時(shí)，即第一條形磁鐵2b的s極與u型磁鐵2a的n極相對(duì)，此時(shí)u型磁鐵2a與第一條形磁鐵2b產(chǎn)生相互吸引的作用，其之間的磁感線是匯聚的，即u型磁鐵2a與第一條形磁鐵2b之間的磁感線密度較密集，磁場強(qiáng)度增強(qiáng)，使得第三導(dǎo)磁體3c上部的、位于u型磁鐵2a與第一條形磁鐵2b之間的第一巨磁電阻4a和第三巨磁電阻4c的阻值急劇減??；同時(shí)，當(dāng)?shù)谌龑?dǎo)磁體3c下部的第二條形磁鐵2c為左s極右n極的方向放置時(shí)，即第二條形磁鐵2c的s極與u型磁鐵2a的s極相對(duì)，此時(shí)u型磁鐵2a與第二條形磁鐵2c產(chǎn)生相互排斥的作用，其之間的磁感線是向上與向下發(fā)散排布的，即u型磁鐵2a與第二條形磁鐵2c之間的磁感線密度較稀疏，磁場強(qiáng)度減弱，使得第三導(dǎo)磁體3c下部的、位于u型磁鐵2a與第二條形磁鐵2c之間的第二巨磁電阻4b和第四巨磁電阻4d的阻值急劇增大。這樣由四個(gè)巨磁電阻急劇變化的電阻信號(hào)轉(zhuǎn)換成靈敏度高的電壓輸出信號(hào)，構(gòu)成了差動(dòng)全橋（如圖5所示）。

差動(dòng)全橋可以根據(jù)巨磁電阻的變化量，相對(duì)于單臂電橋其變化的靈敏度提高4倍。其中，要求所給的磁信號(hào)強(qiáng)度在一定閾值范圍內(nèi)，使變化的磁場強(qiáng)度可以控制在巨磁電阻有效的變化范圍內(nèi)。從差動(dòng)全橋的輸出端引出兩引線分別接入差分放大電路模塊、電容隔直模塊、放大濾波電路模塊、比較電路模塊，差動(dòng)全橋輸出的靈敏度高、變化幅度大的電壓信號(hào)經(jīng)過差分放大電路模塊、電容隔直模塊、放大濾波電路模塊、比較電路模塊的處理得到易引起電平觸發(fā)器跳變的電壓信號(hào)，即能夠引起存儲(chǔ)測(cè)試儀6啟動(dòng)觸發(fā)的電壓值（此電壓值要大于預(yù)設(shè)的觸發(fā)電壓閾值）。將比較電路的輸出引線與存儲(chǔ)測(cè)試儀6相連接，把差動(dòng)全橋輸出的靈敏度高、變化幅度大的信號(hào)通過差分放大電路模塊，電容隔直模塊，放大、濾波電路模塊，比較電路模塊輸出由低電平跳變到高電平實(shí)現(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)測(cè)試儀6的觸發(fā)（啟動(dòng)）并進(jìn)行下一步的工作。當(dāng)存儲(chǔ)測(cè)試儀6對(duì)動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試完畢，從對(duì)應(yīng)的裝置中將其取出，并進(jìn)行其內(nèi)部數(shù)據(jù)的分析與處理。

通過以上觸發(fā)裝置的設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)測(cè)試儀6的可靠觸發(fā)。差動(dòng)全橋輸出的電壓信號(hào)經(jīng)過差分放大電路模塊，電容隔直模塊，放大、濾波電路模塊處理塊是本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的。

差分放大電路模塊由儀表放大器實(shí)現(xiàn)，電容隔直模塊是一個(gè)瓷片電容用于直流信號(hào)隔斷，通過由于磁鐵引起磁阻變化進(jìn)而差動(dòng)電橋輸出的動(dòng)態(tài)信號(hào)，即由低電平跳變到高電平變化的信號(hào)只會(huì)在u型磁鐵靠近金屬密閉體這個(gè)事件發(fā)生時(shí)候產(chǎn)生，以防止誤觸發(fā)；放大、濾波電路模塊由壓控電壓源二階低通濾波電路實(shí)現(xiàn)，比較電路由比較器實(shí)現(xiàn)，這些技術(shù)為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的。

另外，具體應(yīng)用時(shí)，各巨磁電阻與第一導(dǎo)磁體3a和第二導(dǎo)磁體3b之間的距離要盡量貼近，但是不能接觸；第一條形磁鐵2b和第二條形磁鐵2c與各巨磁電阻之間的距離也要盡量貼近，但是不能接觸。所述平板狀的第三導(dǎo)磁體3c與金屬密閉體1前后左右四壁相連，將整個(gè)金屬密閉體1平均分成上下兩個(gè)獨(dú)立的空間，將上下兩個(gè)磁場區(qū)域間隔開，減小上下兩個(gè)磁場區(qū)域之間的影響。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。