本發(fā)明屬于半導體集成電路技術領域，具體涉及一種電容檢測電路。
背景技術：
目前迅猛發(fā)展的電容觸摸技術給人們的生活帶來了很多的便利，觸摸按鍵已經(jīng)廣泛應用到了臺燈、電冰箱等生活的方方面面，所以通過檢測電容值的大小來判斷觸摸與否的電容檢測電路就變得越來越重要了。
傳統(tǒng)的電容檢測技術都是通過將電容置于rc振蕩器中，通過檢測rc振蕩器頻率的變化來判斷電容值的變化。
這種傳統(tǒng)的檢測方法對電容的檢測精度低，而且抗干擾能力弱。
技術實現(xiàn)要素：
為解決現(xiàn)有電容檢測電路檢測精度低、抗干擾能力弱的技術問題，本發(fā)明提供了一種檢測精度高、抗干擾能力強的電容檢測電路。
一種電容檢測電路，包括：檢測電容cx、基準電容cr、第一開關s1、第二開關s2和第三開關s3、比較器comp、振蕩器osc、計數(shù)器counter以及數(shù)據(jù)處理單元dataprocessing；第一開關s1一端接輸入電壓vref，另一端接基準電容cr的一端和第二開關s2的一端，同時也接到比較器的正輸入端；基準電容cr的另一端接地；第二開關s2的另一端接檢測電容cx的一端和第三開關s3的一端；檢測電容cx的另一端接地；第三開關s3的另一端也接地；比較器comp的負輸入端接半輸入電壓1/2vref,比較器comp的輸出端接計數(shù)器counter的使能端en；計數(shù)器counter的輸入接振蕩器osc的輸出，計數(shù)器counter的輸出接入數(shù)據(jù)處理模塊dateprocessing進行數(shù)據(jù)處理。
本發(fā)明的電容檢測電路，首先第一開關s1打開，將基準電容cr的電壓充到輸入電壓vref，然后再將第二開關s2和第三開關s3交替打開，這樣基準電容cr上的電壓就會逐漸下降，當基準電容cr上的電壓下降到1/2vref后，比較器comp翻轉，這時候計數(shù)器計數(shù)結束。所以，計數(shù)值的大小就與檢測電容cx形成一一對應的關系，計數(shù)值的變化也就體現(xiàn)了檢測電容cx的變化，從而形成了具有較高檢測精度，且具有較強的抗干擾能力的電容檢測電路。
附圖說明
圖1是本發(fā)明第一實施方式提供的電容檢測電路結構示意圖。
具體實施方式
為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚明了，下面結合具體實施方式并參照附圖，對本發(fā)明進一步詳細說明。應該理解，這些描述只是示例性的，而并非要限制本發(fā)明的范圍。此外，在以下說明中，省略了對公知結構和技術的描述，以避免不必要地混淆本發(fā)明的概念。
傳統(tǒng)的電容檢測技術均是通過將電容置于rc振蕩器中，通過檢測rc振蕩器頻率的變化來判斷電容值的變化，從而造成對電容的檢測精度低，抗干擾能力弱。
如何提高電容檢測技術的檢測精度及抗干擾能力，是本領域人員亟待解決的技術問題。
經(jīng)過多方面研究，本發(fā)明顛覆傳統(tǒng)的電容檢測技術，提供了一種新的檢測精度高、抗干擾能力強的電容檢測電路，如圖1所示，該電容檢測電路包括：檢測電容cx、基準電容cr、第一開關s1、第二開關s2和第三開關s3、比較器comp、振蕩器osc、計數(shù)器counter以及數(shù)據(jù)處理單元dataprocessing；第一開關s1一端接輸入電壓vref，另一端接基準電容cr的一端和第二開關s2的一端，同時也接到比較器的正輸入端；基準電容cr的另一端接地；第二開關s2的另一端接檢測電容cx的一端和第三開關s3的一端；檢測電容cx的另一端接地；第三開關s3的另一端也接地；比較器comp的負輸入端接半輸入電壓1/2vref,比較器comp的輸出端接計數(shù)器counter的使能端en；計數(shù)器counter的輸入接振蕩器osc的輸出，計數(shù)器counter的輸出接入數(shù)據(jù)處理模塊dateprocessing進行數(shù)據(jù)處理。
本發(fā)明的電容檢測電路，首先第一開關s1打開，將基準電容cr的電壓充到輸入電壓vref，然后再將第二開關s2和第三開關s3交替打開，這樣基準電容cr上的電壓就會逐漸下降，當基準電容cr上的電壓下降到1/2vref后，比較器comp翻轉，這時候計數(shù)器計數(shù)結束。所以，計數(shù)值的大小就與檢測電容cx形成一一對應的關系，計數(shù)值的變化也就體現(xiàn)了檢測電容cx的變化，從而形成了具有較高檢測精度，且具有較強的抗干擾能力的電容檢測電路。
本發(fā)明中，半輸入電壓1/2vref為輸入電壓vref值的一半大小。
應當理解的是，本發(fā)明的上述具體實施方式僅僅用于示例性說明或解釋本發(fā)明的原理，而不構成對本發(fā)明的限制。因此，在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。此外，本發(fā)明所附權利要求旨在涵蓋落入所附權利要求范圍和邊界、或者這種范圍和邊界的等同形式內的全部變化和修改例。