本發(fā)明涉及磁疇角度偏轉(zhuǎn)模型領(lǐng)域,尤其涉及一種磁疇偏轉(zhuǎn)模型建立方法及裝置。
背景技術(shù):
超磁致伸縮材料具有復(fù)雜的機(jī)磁參數(shù)耦合特性,應(yīng)力和磁場(chǎng)載荷作用下超磁致伸縮材料的機(jī)磁耦合特性可通過(guò)磁疇角度的偏轉(zhuǎn)來(lái)進(jìn)行研究。取超磁致伸縮材料內(nèi)一單疇顆粒作為磁疇偏轉(zhuǎn)模型(s-w模型)的研究對(duì)象。
應(yīng)力和磁場(chǎng)載荷的作用將使得單疇顆粒內(nèi)磁化強(qiáng)度m發(fā)生角度的偏轉(zhuǎn),進(jìn)而影響超磁致伸縮材料的磁化特性。通過(guò)材料內(nèi)單疇顆粒自由能非線性方程組極值問(wèn)題的求解,可研究超磁致伸縮材料內(nèi)磁疇角度偏轉(zhuǎn)的規(guī)律,進(jìn)而描述材料的磁化及機(jī)磁耦合特性。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種磁疇偏轉(zhuǎn)模型建立方法及裝置,解決了原有的磁疇角度偏轉(zhuǎn)模型能夠較好描述載荷作用下材料的磁化特性,但模型對(duì)外在宏觀特性的描述簡(jiǎn)單,求解過(guò)程復(fù)雜,且模型需要進(jìn)行參數(shù)修正的技術(shù)問(wèn)題。
本發(fā)明實(shí)施例提供的一種磁疇偏轉(zhuǎn)模型建立方法,包括:
s1:在預(yù)定的應(yīng)力和磁場(chǎng)作用下,獲取超磁致伸縮材料內(nèi)單疇顆粒的預(yù)定的自由能公式;
s2:通過(guò)預(yù)定的自由能公式獲取預(yù)定的方向上的磁化強(qiáng)度公式;
s3:對(duì)所述磁化強(qiáng)度公式分別進(jìn)行對(duì)應(yīng)力和磁場(chǎng)的偏導(dǎo)運(yùn)算,獲取對(duì)應(yīng)的偏導(dǎo)函數(shù);
s4:將所述偏導(dǎo)函數(shù)代入預(yù)定的磁化密度增量公式中,獲取預(yù)定的磁場(chǎng)增量值,獲取磁化密度增量的計(jì)算結(jié)果。
優(yōu)選地,預(yù)定的自由能公式為:
其中,h為磁場(chǎng);ms為飽和磁化強(qiáng)度;k1和k2為立方晶磁各向異性常數(shù);σ為應(yīng)力張量;λ100和λ111為磁致伸縮參數(shù);
優(yōu)選地,所述步驟s2具體包括:
通過(guò)預(yù)定的自由能公式獲取磁化能公式、磁晶各向異性能公式、應(yīng)力各向異性能公式,通過(guò)所述磁化能公式、所述磁晶各向異性能公式、所述應(yīng)力各向異性能公式,獲取預(yù)定的磁化強(qiáng)度矢量
其中,σ為預(yù)定的應(yīng)力;h為預(yù)定的磁場(chǎng);
優(yōu)選地,預(yù)定的磁化密度增量公式為:
其中,δb,δh,δσ分別為磁化密度增量,磁場(chǎng)增量和應(yīng)力增量。
優(yōu)選地,磁化密度等于磁化強(qiáng)度與相對(duì)磁導(dǎo)率的乘積。
本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種磁疇偏轉(zhuǎn)模型建立裝置,包括:
第一獲取單元,用于在預(yù)定的應(yīng)力和磁場(chǎng)作用下,獲取超磁致伸縮材料內(nèi)單疇顆粒的預(yù)定的自由能公式;
第二獲取單元,用于通過(guò)預(yù)定的自由能公式獲取預(yù)定的方向上的磁化強(qiáng)度公式;
偏導(dǎo)單元,用于對(duì)所述磁化強(qiáng)度公式分別進(jìn)行對(duì)應(yīng)力和磁場(chǎng)的偏導(dǎo)運(yùn)算,獲取對(duì)應(yīng)的偏導(dǎo)函數(shù);
第三獲取單元,用于將所述偏導(dǎo)函數(shù)代入預(yù)定的磁化密度增量公式中,獲取預(yù)定的磁場(chǎng)增量值,獲取磁化密度增量的計(jì)算結(jié)果。
優(yōu)選地,預(yù)定的自由能公式為:
其中,h為磁場(chǎng);ms為飽和磁化強(qiáng)度;k1和k2為立方晶磁各向異性常數(shù);σ為應(yīng)力張量;λ100和λ111為磁致伸縮參數(shù);
優(yōu)選地,所述第二獲取單元具體包括:
獲取子單元,具體用于通過(guò)預(yù)定的自由能公式獲取磁化能公式、磁晶各向異性能公式、應(yīng)力各向異性能公式,通過(guò)所述磁化能公式、所述磁晶各向異性能公式、所述應(yīng)力各向異性能公式,獲取預(yù)定的磁化強(qiáng)度矢量
其中,σ為預(yù)定的應(yīng)力;h為預(yù)定的磁場(chǎng);
優(yōu)選地,預(yù)定的磁化密度增量公式為:
其中,δb,δh,δσ分別為磁化密度增量,磁場(chǎng)增量和應(yīng)力增量。
優(yōu)選地,磁化密度等于磁化強(qiáng)度與相對(duì)磁導(dǎo)率的乘積。
從以上技術(shù)方案可以看出,本發(fā)明實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn):
本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種磁疇偏轉(zhuǎn)模型建立方法及裝置,其中,一種磁疇偏轉(zhuǎn)模型建立方法包括:s1:在預(yù)定的應(yīng)力和磁場(chǎng)作用下,獲取超磁致伸縮材料內(nèi)單疇顆粒的預(yù)定的自由能公式;s2:通過(guò)預(yù)定的自由能公式獲取預(yù)定的方向上的磁化強(qiáng)度公式;s3:對(duì)所述磁化強(qiáng)度公式分別進(jìn)行對(duì)應(yīng)力和磁場(chǎng)的偏導(dǎo)運(yùn)算,獲取對(duì)應(yīng)的偏導(dǎo)函數(shù);s4:將所述偏導(dǎo)函數(shù)代入預(yù)定的磁化密度增量公式中,獲取預(yù)定的磁場(chǎng)增量值,獲取磁化密度增量的計(jì)算結(jié)果。本實(shí)施例中,通過(guò)材料內(nèi)單疇顆粒自由能非線性方程組極值問(wèn)題的求解,簡(jiǎn)化求解過(guò)程,對(duì)外在宏觀特性進(jìn)行描述,解決了原有的磁疇角度偏轉(zhuǎn)模型能夠較好描述載荷作用下材料的磁化特性,但模型對(duì)外在宏觀特性的描述簡(jiǎn)單,求解過(guò)程復(fù)雜,且模型需要進(jìn)行參數(shù)修正的技術(shù)問(wèn)題。
附圖說(shuō)明
為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
圖1本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種磁疇偏轉(zhuǎn)模型建立方法的一個(gè)實(shí)施例的流程示意圖;
圖2本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種磁疇偏轉(zhuǎn)模型建立裝置的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種磁疇偏轉(zhuǎn)模型建立裝置的另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種單軸機(jī)械應(yīng)力下的磁化曲線示意圖;
圖5本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種磁場(chǎng)偏微分d1的計(jì)算結(jié)果示意圖;
圖6本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種磁場(chǎng)偏微分d1的二維云圖結(jié)果示意圖;
圖7本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種壓應(yīng)力偏微分d2的計(jì)算結(jié)果示意圖;
圖8本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種壓應(yīng)力偏微分d2的二維云圖結(jié)果示意圖;
圖9本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種磁密變化量的計(jì)算結(jié)果示意圖;
圖10本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種磁密變化量的計(jì)算二維云圖結(jié)果示意圖;
圖11本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種橫坐標(biāo)是磁場(chǎng)增量與應(yīng)力增量的比值,縱坐標(biāo)是應(yīng)力增量的磁場(chǎng)強(qiáng)度變化量示意圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種磁疇偏轉(zhuǎn)模型建立方法及裝置,用于解決原有的磁疇角度偏轉(zhuǎn)模型能夠較好描述載荷作用下材料的磁化特性,但模型對(duì)外在宏觀特性的描述簡(jiǎn)單,求解過(guò)程復(fù)雜,且模型需要進(jìn)行參數(shù)修正的技術(shù)問(wèn)題。
為使得本發(fā)明的發(fā)明目的、特征、優(yōu)點(diǎn)能夠更加的明顯和易懂,下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,下面所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而非全部的實(shí)施例?;诒景l(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
請(qǐng)參閱圖1,本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種磁疇偏轉(zhuǎn)模型建立方法的一個(gè)實(shí)施例包括:
101、在預(yù)定的應(yīng)力和磁場(chǎng)作用下,獲取超磁致伸縮材料內(nèi)單疇顆粒的預(yù)定的自由能公式;
102、通過(guò)預(yù)定的自由能公式獲取預(yù)定的方向上的磁化強(qiáng)度公式;
103、對(duì)所述磁化強(qiáng)度公式分別進(jìn)行對(duì)應(yīng)力和磁場(chǎng)的偏導(dǎo)運(yùn)算,獲取對(duì)應(yīng)的偏導(dǎo)函數(shù);
104、將所述偏導(dǎo)函數(shù)代入預(yù)定的磁化密度增量公式中,獲取預(yù)定的磁場(chǎng)增量值,獲取磁化密度增量的計(jì)算結(jié)果。
上面是對(duì)一種磁疇偏轉(zhuǎn)模型建立方法進(jìn)行詳細(xì)的描述,下面將對(duì)一種磁疇偏轉(zhuǎn)模型建立方法的過(guò)程進(jìn)行詳細(xì)的描述,本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種磁疇偏轉(zhuǎn)模型建立方法的另一個(gè)實(shí)施例包括:
201、在預(yù)定的應(yīng)力和磁場(chǎng)作用下,獲取超磁致伸縮材料內(nèi)單疇顆粒的預(yù)定的自由能公式,預(yù)定的自由能公式為:
其中,h為磁場(chǎng);ms為飽和磁化強(qiáng)度;k1和k2為立方晶磁各向異性常數(shù);σ為應(yīng)力張量;λ100和λ111為磁致伸縮參數(shù);
超磁致伸縮材料具有復(fù)雜的機(jī)磁參數(shù)耦合特性,應(yīng)力和磁場(chǎng)載荷作用下超磁致伸縮材料的機(jī)磁耦合特性可通過(guò)磁疇角度的偏轉(zhuǎn)來(lái)進(jìn)行研究。取超磁致伸縮材料內(nèi)一單疇顆粒作為磁疇偏轉(zhuǎn)模型(s-w模型)的研究對(duì)象。應(yīng)力和磁場(chǎng)載荷的作用將使得單疇顆粒內(nèi)磁化強(qiáng)度m發(fā)生角度的偏轉(zhuǎn),進(jìn)而影響超磁致伸縮材料的磁化特性。通過(guò)材料內(nèi)單疇顆粒自由能非線性方程組極值問(wèn)題的求解,可研究超磁致伸縮材料內(nèi)磁疇角度偏轉(zhuǎn)的規(guī)律,進(jìn)而描述材料的磁化及機(jī)磁耦合特性。在外在載荷(應(yīng)力σ和磁場(chǎng)h)作用下,考慮各向異性的影響,單疇顆粒的自由能可表示為:
公式(1)中,其中,h為磁場(chǎng);ms為飽和磁化強(qiáng)度;k1和k2為立方晶磁各向異性常數(shù);σ為應(yīng)力張量;λ100和λ111為磁致伸縮參數(shù);
e為磁化能,磁晶各向異性能,應(yīng)力各向異性能的總和。
磁化能等于磁場(chǎng)的強(qiáng)度h,飽和磁化強(qiáng)度ms以及磁化和施加的磁場(chǎng)矢量之間的角度的乘積,磁化能的公式為:
磁晶各向異性能是當(dāng)磁化旋轉(zhuǎn)離開(kāi)晶體內(nèi)部的硬方向時(shí)釋放的每單位體積的能量,其中k1和k2是立方晶磁各向異性常數(shù),磁晶各向異性能的公式為:
應(yīng)力各向異性能由所施加的應(yīng)力張量σ與磁致伸縮應(yīng)變張量的相互作用產(chǎn)生,其中λ100和λ111為磁致伸縮參數(shù),應(yīng)力各向異性能的公式為:
202、通過(guò)預(yù)定的自由能公式獲取磁化能公式、磁晶各向異性能公式、應(yīng)力各向異性能公式,通過(guò)所述磁化能公式、所述磁晶各向異性能公式、所述應(yīng)力各向異性能公式,獲取預(yù)定的磁化強(qiáng)度矢量
其中,σ為預(yù)定的應(yīng)力;h為預(yù)定的磁場(chǎng);
方向
k歸一化常數(shù)是對(duì)于任何非負(fù)函數(shù)的任意區(qū)間所含有之常數(shù)使得該函數(shù)對(duì)于一特定區(qū)間之積分恰好等于1,得到圖4單軸機(jī)械應(yīng)力下的磁化曲線,其中橫坐標(biāo)為磁場(chǎng)h,縱坐標(biāo)為磁化強(qiáng)度m,每條曲線代表不同應(yīng)力作用下的磁化曲線。
203、對(duì)所述磁化強(qiáng)度公式分別進(jìn)行對(duì)應(yīng)力和磁場(chǎng)的偏導(dǎo)運(yùn)算,獲取對(duì)應(yīng)的偏導(dǎo)函數(shù);
對(duì)磁化強(qiáng)度求偏導(dǎo)得到圖5,6,7,8。
其中b為磁化密度,其與磁化強(qiáng)度m的關(guān)系為:b=μ0·m,δb,δh,δσ分別為磁化密度增量,磁場(chǎng)增量和應(yīng)力增量,磁場(chǎng)偏微分d1結(jié)果(單位1ka/m下結(jié)果):如圖5,圖6為磁場(chǎng)偏微分d1的二維云圖結(jié)果,其中橫坐標(biāo)為磁場(chǎng)h,縱坐標(biāo)為應(yīng)力,壓應(yīng)力偏微分d2結(jié)果(單位1mpa下結(jié)果):如圖7,圖8為壓應(yīng)力偏微分d2的二維云圖結(jié)果,橫坐標(biāo)為磁場(chǎng)h,縱坐標(biāo)為應(yīng)力σ。
204、將所述偏導(dǎo)函數(shù)代入預(yù)定的磁化密度增量公式中,獲取預(yù)定的磁場(chǎng)增量值,獲取磁化密度增量的計(jì)算結(jié)果,預(yù)定的磁化密度增量公式為:
其中,δb,δh,δσ分別為磁化密度增量,磁場(chǎng)增量和應(yīng)力增量,磁化密度等于磁化強(qiáng)度與相對(duì)磁導(dǎo)率的乘積。
b為磁化密度,其與磁化強(qiáng)度m的關(guān)系為:b=μ0·m,δb,δh,δσ分別為磁化密度增量,磁場(chǎng)增量和應(yīng)力增量,磁場(chǎng)偏微分d1結(jié)果(單位1ka/m下結(jié)果):如圖5,圖6為磁場(chǎng)偏微分d1的二維云圖結(jié)果,其中橫坐標(biāo)為磁場(chǎng)h,縱坐標(biāo)為應(yīng)力,壓應(yīng)力偏微分d2結(jié)果(單位1mpa下結(jié)果):如圖7,圖8為壓應(yīng)力偏微分d2的二維云圖結(jié)果,其中橫坐標(biāo)為磁場(chǎng)h,縱坐標(biāo)為應(yīng)力σ,將求得的偏導(dǎo)函數(shù)代入公式8中:
由于應(yīng)力和磁場(chǎng)單獨(dú)作用下產(chǎn)生的能量需達(dá)到1:1,即δb1:δb2=1:1。根據(jù)人類步行產(chǎn)生應(yīng)力δσ取值為-10mpa??赏瞥靓膆在(2.8~12.5km/a)范圍內(nèi)取值。首先擬取一個(gè)初值δh=8.8km/a,代入公式8中。計(jì)算得到圖9,10,磁密變化量的計(jì)算結(jié)果:如圖9,圖10為磁密變化量的計(jì)算二維云圖結(jié)果,其中橫坐標(biāo)為磁場(chǎng)h,縱坐標(biāo)為應(yīng)力σ。通過(guò)觀察圖10,可初步取值σ0=-5mpa,h0=30000km/a,為檢驗(yàn)以上結(jié)果,以δσ,δh為自變量計(jì)算公式8,公式8可轉(zhuǎn)變?yōu)楣?:
通過(guò)計(jì)算公式(9)得到圖11,圖11的橫坐標(biāo)是磁場(chǎng)增量與應(yīng)力增量的比值
本實(shí)施例中,方向
本實(shí)施例可以采取一種更簡(jiǎn)便的方法實(shí)現(xiàn)以上公式中的積分過(guò)程,令θ在0-π中取360個(gè)值,
其中
請(qǐng)參閱圖2,本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種磁疇偏轉(zhuǎn)模型建立裝置的一個(gè)實(shí)施例包括:
第一獲取單元301,用于在預(yù)定的應(yīng)力和磁場(chǎng)作用下,獲取超磁致伸縮材料內(nèi)單疇顆粒的預(yù)定的自由能公式;
第二獲取單元302,用于通過(guò)預(yù)定的自由能公式獲取預(yù)定的方向上的磁化強(qiáng)度公式;
偏導(dǎo)單元303,用于對(duì)所述磁化強(qiáng)度公式分別進(jìn)行對(duì)應(yīng)力和磁場(chǎng)的偏導(dǎo)運(yùn)算,獲取對(duì)應(yīng)的偏導(dǎo)函數(shù);
第三獲取單元304,用于將所述偏導(dǎo)函數(shù)代入預(yù)定的磁化密度增量公式中,獲取預(yù)定的磁場(chǎng)增量值,獲取磁化密度增量的計(jì)算結(jié)果。
上面是對(duì)一種磁疇偏轉(zhuǎn)模型建立裝置的各單元進(jìn)行詳細(xì)的描述,下面將對(duì)一種磁疇偏轉(zhuǎn)模型建立裝置的各附加單元進(jìn)行更詳細(xì)的描述,請(qǐng)參閱圖3,本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種磁疇偏轉(zhuǎn)模型建立裝置的另一個(gè)實(shí)施例包括:
第一獲取單元401,用于在預(yù)定的應(yīng)力和磁場(chǎng)作用下,獲取超磁致伸縮材料內(nèi)單疇顆粒的預(yù)定的自由能公式,預(yù)定的自由能公式為:
其中,h為磁場(chǎng);ms為飽和磁化強(qiáng)度;k1和k2為立方晶磁各向異性常數(shù);σ為應(yīng)力張量;λ100和λ111為磁致伸縮參數(shù);
第二獲取單元402,用于通過(guò)預(yù)定的自由能公式獲取預(yù)定的方向上的磁化強(qiáng)度公式;
所述第二獲取單元402具體包括:
獲取子單元4021,具體用于通過(guò)預(yù)定的自由能公式獲取磁化能公式、磁晶各向異性能公式、應(yīng)力各向異性能公式,通過(guò)所述磁化能公式、所述磁晶各向異性能公式、所述應(yīng)力各向異性能公式,獲取預(yù)定的磁化強(qiáng)度矢量
其中,σ為預(yù)定的應(yīng)力;h為預(yù)定的磁場(chǎng);
偏導(dǎo)單元403,用于對(duì)所述磁化強(qiáng)度公式分別進(jìn)行對(duì)應(yīng)力和磁場(chǎng)的偏導(dǎo)運(yùn)算,獲取對(duì)應(yīng)的偏導(dǎo)函數(shù);
第三獲取單元404,用于將所述偏導(dǎo)函數(shù)代入預(yù)定的磁化密度增量公式中,獲取預(yù)定的磁場(chǎng)增量值,獲取磁化密度增量的計(jì)算結(jié)果,預(yù)定的磁化密度增量公式為:
其中,δb,δh,δσ分別為磁化密度增量,磁場(chǎng)增量和應(yīng)力增量,磁化密度等于磁化強(qiáng)度與相對(duì)磁導(dǎo)率的乘積。
所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到,為描述的方便和簡(jiǎn)潔,上述描述的系統(tǒng),裝置和單元的具體工作過(guò)程,可以參考前述方法實(shí)施例中的對(duì)應(yīng)過(guò)程,在此不再贅述。
在本申請(qǐng)所提供的幾個(gè)實(shí)施例中,應(yīng)該理解到,所揭露的系統(tǒng),裝置和方法,可以通過(guò)其它的方式實(shí)現(xiàn)。例如,以上所描述的裝置實(shí)施例僅僅是示意性的,例如,所述單元的劃分,僅僅為一種邏輯功能劃分,實(shí)際實(shí)現(xiàn)時(shí)可以有另外的劃分方式,例如多個(gè)單元或組件可以結(jié)合或者可以集成到另一個(gè)系統(tǒng),或一些特征可以忽略,或不執(zhí)行。另一點(diǎn),所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過(guò)一些接口,裝置或單元的間接耦合或通信連接,可以是電性,機(jī)械或其它的形式。
所述作為分離部件說(shuō)明的單元可以是或者也可以不是物理上分開(kāi)的,作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元,即可以位于一個(gè)地方,或者也可以分布到多個(gè)網(wǎng)絡(luò)單元上。可以根據(jù)實(shí)際的需要選擇其中的部分或者全部單元來(lái)實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例方案的目的。
另外,在本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例中的各功能單元可以集成在一個(gè)處理單元中,也可以是各個(gè)單元單獨(dú)物理存在,也可以兩個(gè)或兩個(gè)以上單元集成在一個(gè)單元中。上述集成的單元既可以采用硬件的形式實(shí)現(xiàn),也可以采用軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)。
所述集成的單元如果以軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷(xiāo)售或使用時(shí),可以存儲(chǔ)在一個(gè)計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中?;谶@樣的理解,本發(fā)明的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說(shuō)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分或者該技術(shù)方案的全部或部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來(lái),該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)中,包括若干指令用以使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可以是個(gè)人計(jì)算機(jī),服務(wù)器,或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括:u盤(pán)、移動(dòng)硬盤(pán)、只讀存儲(chǔ)器(rom,read-onlymemory)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram,randomaccessmemory)、磁碟或者光盤(pán)等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。
以上所述,以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案,而非對(duì)其限制;盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改,或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換;而這些修改或者替換,并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。