本發(fā)明涉及光電探測技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種光電檢測電路、顯示面板及顯示裝置。
背景技術(shù):
目前,顯示面板的像素中的光電傳感器,一般采用將光信號轉(zhuǎn)換成電信號的光電二極管與一個薄膜晶體管(thinfilmtransistor,tft)連接的方式,通過tft作為開關(guān)器件的功能,將光電二極管產(chǎn)生的光電信號輸出,以實現(xiàn)光電信號的檢測。然而,由于光電二極管產(chǎn)生的光電信號的電流較小,并且tft自身存在一定大小的漏電流情況,使tft存在較大的關(guān)態(tài)電流。從而在讀取特定像素的光電信號時,由于其它像素的光電傳感器的tft的漏電流影響,造成讀取到的光電信號具有較大的噪聲,導致光電信號失真,從而使光電檢測精度降低。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本發(fā)明實施例提供一種光電檢測電路、顯示面板及顯示裝置,用以解決現(xiàn)有技術(shù)中由于tft的漏電流影響,造成讀取到的光電信號具有較大的噪聲,導致光電信號失真,使光電檢測精度降低的問題。
因此,本發(fā)明實施例提供了一種光電檢測電路,包括:光電探測器、信號輸入模塊以及信號檢測模塊;其中,
所述光電探測器的負極與參考電壓端相連,正極與所述信號檢測模塊的第一控制端相連,用于受光照時使流過所述光電探測器的電流增加;
所述信號輸入模塊的控制端與掃描信號端相連,輸入端與檢測信號輸入端相連,輸出端與所述信號檢測模塊的輸入端相連,用于在所述掃描信號端的控制下將所述檢測信號輸入端的檢測信號提供給所述信號檢測模塊;
所述信號檢測模塊的第二控制端與預設電壓端相連,輸出端與所述光電檢測電路的檢測信號輸出端相連,用于僅在所述光電探測器受光照時輸出所述檢測信號。
優(yōu)選地,在本發(fā)明實施例提供的上述光電檢測電路中,所述信號檢測模塊包括:信號輸出子模塊與電壓控制子模塊;其中,
所述電壓控制子模塊的輸入端與所述光電探測器的正極相連,輸出端與接地端相連,用于僅在所述光電探測器受光照時,使所述電壓控制子模塊的輸入端與其輸出端之間的電壓差增加;
所述信號輸出子模塊的第一控制端與所述電壓控制子模塊的輸入端相連,所述信號輸出子模塊的第二控制端與所述預設電壓端相連,所述信號輸出子模塊的輸入端與所述信號輸入模塊的輸出端相連,所述信號輸出子模塊的輸出端與所述檢測信號輸出端相連;所述信號輸出子模塊用于在所述電壓控制子模塊的輸入端與輸出端之間的電壓差增加時,將所述檢測信號提供給所述檢測信號輸出端。
優(yōu)選地,在本發(fā)明實施例提供的上述光電檢測電路中,所述信號輸出子模塊包括:雙柵型的第一開關(guān)晶體管;其中,
所述第一開關(guān)晶體管的第一柵極作為所述信號輸出子模塊的第一控制端,第二柵極作為所述信號輸出子模塊的第二控制端,第一極作為所述信號輸出子模塊的輸入端,第二極作為所述信號輸出子模塊的輸出端。
優(yōu)選地,在本發(fā)明實施例提供的上述光電檢測電路中,所述第一柵極與所述第二柵極分別位于所述第一開關(guān)晶體管的有源層的兩側(cè)。
優(yōu)選地,在本發(fā)明實施例提供的上述光電檢測電路中,所述電壓控制子模塊包括:電阻;其中,
所述電阻的第一端作為所述電壓控制子模塊的輸入端,第二端作為所述電壓控制子模塊的輸出端。
優(yōu)選地,在本發(fā)明實施例提供的上述光電檢測電路中,所述信號輸入模塊包括:第二開關(guān)晶體管;其中,
所述第二開關(guān)晶體管的柵極作為所述信號輸入模塊的控制端,第一極作為所述信號輸入模塊的輸入端,第二極作為所述信號輸入模塊的輸出端。
優(yōu)選地,在本發(fā)明實施例提供的上述光電檢測電路中,所述光電探測器為pin型光電二極管。
相應地,本發(fā)明實施例還提供了一種顯示面板,包括:多個本發(fā)明實施例提供的上述任一種光電檢測電路。
優(yōu)選地,在本發(fā)明實施例提供的上述顯示面板中,還包括:與各所述光電檢測電路的檢測信號輸出端相連的數(shù)據(jù)處理器。
相應地,本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置,包括本發(fā)明實施例提供的上述任一種顯示面板。
本發(fā)明有益效果如下:
本發(fā)明實施例提供的光電檢測電路、顯示面板及顯示裝置,包括:光電探測器、信號輸入模塊以及信號檢測模塊;其中,光電探測器處于反偏連接狀態(tài),用于受光照時使流過光電探測器的電流增加;信號輸入模塊用于在掃描信號端的控制下將檢測信號輸入端的檢測信號提供給信號檢測模塊;信號檢測模塊用于僅在光電探測器受光照時輸出檢測信號。因此,與現(xiàn)有技術(shù)中由于讀取到的光電探測器產(chǎn)生的光電信號具有較大的噪聲相比,本發(fā)明實施例提供的上述光電檢測電路,通過上述兩個模塊以及光電探測器的相互配合,通過輸入一個檢測信號,在光電探測器受光照時使流過光電探測器的電流增加,從而控制信號檢測模塊輸出檢測信號,進而在檢測到該光電檢測電路輸出檢測信號時,可以確定該光電檢測電路受到光照,從而可以避免由于光電信號具有較大的噪聲導致光電信號失真的問題,進而可以有效提高光電檢測的檢測精度,以及提高對光的檢測效率。
附圖說明
圖1為本發(fā)明實施例提供的光電檢測電路的結(jié)構(gòu)示意圖之一;
圖2為本發(fā)明實施例提供的光電檢測電路的結(jié)構(gòu)示意圖之二;
圖3a為本發(fā)明實施例提供的光電檢測電路的具體結(jié)構(gòu)示意圖之一;
圖3b為本發(fā)明實施例提供的光電檢測電路的具體結(jié)構(gòu)示意圖之二;
圖4為本發(fā)明實施例提供的pin型光電二極管在無光照時的電阻與受光照時的電阻與連接的參考電壓端的電壓之間關(guān)系的仿真模擬圖;
圖5為本發(fā)明實施例提供的第一開關(guān)晶體管的第一柵極施加的電壓與第二柵極施加的電壓以及其第二極電流之間關(guān)系的仿真模擬圖。
具體實施方式
為了使本發(fā)明的目的,技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚,下面結(jié)合附圖,對本發(fā)明實施例提供的光電檢測電路、顯示面板及顯示裝置的具體實施方式進行詳細地說明。應當理解,下面所描述的優(yōu)選實施例僅用于說明和解釋本發(fā)明,并不用于限定本發(fā)明。并且在不沖突的情況下,本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。
本發(fā)明實施例提供了一種光電檢測電路,如圖1所示,包括:光電探測器10、信號輸入模塊20以及信號檢測模塊30;其中,
光電探測器10的負極10a與參考電壓端vref相連,正極10b與信號檢測模塊30的第一控制端30a相連,用于受光照時使流過光電探測器10的電流增加;
信號輸入模塊20的控制端20a與掃描信號端scan相連,輸入端20b與檢測信號輸入端vin相連,輸出端20c與信號檢測模塊30的輸入端30b相連,用于在掃描信號端scan的控制下將檢測信號輸入端vin的檢測信號提供給信號檢測模塊30;
信號檢測模塊30的第二控制端30c與預設電壓端vp相連,輸出端30d與光電檢測電路的檢測信號輸出端vout相連,用于僅在光電探測器10受光照時輸出檢測信號。
本發(fā)明實施例提供的光電檢測電路,包括:光電探測器、信號輸入模塊以及信號檢測模塊;其中,光電探測器處于反偏連接狀態(tài),用于受光照時使流過光電探測器的電流增加;信號輸入模塊用于在掃描信號端的控制下將檢測信號輸入端的檢測信號提供給信號檢測模塊;信號檢測模塊用于僅在光電探測器受光照時輸出檢測信號。因此,與現(xiàn)有技術(shù)中由于讀取到的光電探測器產(chǎn)生的光電信號具有較大的噪聲相比,本發(fā)明實施例提供的上述光電檢測電路,通過上述兩個模塊以及光電探測器的相互配合,通過輸入一個檢測信號,在光電探測器受光照時使流過光電探測器的電流增加,從而控制信號檢測模塊輸出檢測信號,進而在檢測到該光電檢測電路輸出檢測信號時,可以確定該光電檢測電路受到光照,從而可以避免由于光電信號具有較大的噪聲導致光電信號失真的問題,進而可以有效提高光電檢測的檢測精度,以及提高對光的檢測效率。
一般光電探測器包括多種類型的部件,例如光敏電阻、光電二極管等。在具體實施時,在本發(fā)明實施例提供的上述光電檢測電路中,光電探測器可以為光電二極管或光敏電阻。在實際應用中,光電探測器還可以為其它能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明中功能的部件,在此不作限定。
在具體實施時,在本發(fā)明實施例提供的上述光電檢測電路中,如圖2所示,信號檢測模塊30具體可以包括:信號輸出子模塊31與電壓控制子模塊32;其中,
電壓控制子模塊32的輸入端與光電探測器10的正極10b相連,輸出端與接地端gnd相連,用于僅在光電探測器10受光照時,使電壓控制子模塊32的輸入端與其輸出端之間的電壓差增加;
信號輸出子模塊31的第一控制端與電壓控制子模塊32的輸入端相連,信號輸出子模塊31的第二控制端與預設電壓端vp相連,信號輸出子模塊31的輸入端與信號輸入模塊20的輸出端20c相連,信號輸出子模塊31的輸出端與檢測信號輸出端vout相連;信號輸出子模塊31用于在電壓控制子模塊32的輸入端與輸出端之間的電壓差增加時,將檢測信號提供給檢測信號輸出端vout。
下面結(jié)合具體實施例,對本發(fā)明進行詳細說明。需要說明的是,本實施例中是為了更好的解釋本發(fā)明,但不限制本發(fā)明。
具體地,在具體實施時,在本發(fā)明實施例提供的上述光電檢測電路中,如圖3a與圖3b所示,光電探測器10具體可以為pin型光電二極管d。
在具體實施時,在本發(fā)明實施例提供的上述光電檢測電路中,參考電壓端的電壓一般為正電壓,以使pin型光電二極管始終處于反偏狀態(tài)。并且pin型光電二極管在受光照時,其自身電阻會變小,從而使流過自身的電流變大。如圖4所示為pin型光電二極管在無光照,即暗態(tài)(dark)時的電阻與受光照(light)時的電阻與連接的參考電壓端的電壓之前關(guān)系的仿真模擬圖。其中,橫坐標代表參考電壓端的電壓,縱坐標代表電阻值,s1代表pin型光電二極管無光照時的電阻值,s2代表pin型光電二極管受光照時的電阻值。從圖4中可以看出,pin型光電二極管受到光照時的電阻值相比未受到光照時的電阻值較小。
具體地,在具體實施時,在本發(fā)明實施例提供的上述光電檢測電路中,如圖3a與圖3b所示,信號輸出子模塊31具體可以包括:雙柵型的第一開關(guān)晶體管t1;其中,
第一開關(guān)晶體管t1的第一柵極作為信號輸出子模塊31的第一控制端,第二柵極作為信號輸出子模塊31的第二控制端,第一極作為信號輸出子模塊31的輸入端,第二極作為信號輸出子模塊32的輸出端。
在具體實施時,在本發(fā)明實施例提供的上述光電檢測電路中,第一開關(guān)晶體管可以為n型的雙柵晶體管;或者也可以為p型的雙柵晶體管,在此不作限定。
在具體實施時,在本發(fā)明實施例提供的上述光電檢測電路中,第一開關(guān)晶體管的第一柵極與第二柵極分別位于第一開關(guān)晶體管的有源層的兩側(cè)。在實際制備時,第一開關(guān)晶體管的其它結(jié)構(gòu)與具體制備工藝與現(xiàn)有技術(shù)中的雙柵晶體管的結(jié)構(gòu)與制備工藝相同,為本領(lǐng)域技術(shù)人員應該理解具有的,在此不作贅述,也不應該作為對本發(fā)明的限制。
在具體實施時,在本發(fā)明實施例提供的上述光電檢測電路中,由于第一開關(guān)晶體管的第一柵極與光電探測器的正極相連,使得第一柵極上具有一定電壓,因此通過預設電壓端控制第二柵極,可以使第一開關(guān)晶體管在光電探測器未受光照時處于截止狀態(tài)。如圖5所示的第一開關(guān)晶體管的第一柵極施加的電壓與第二柵極施加的電壓以及其第二極電流之間關(guān)系的仿真模擬圖。其中,橫坐標表示第一柵極施加的電壓,縱坐標表示第二極電流,s1代表第二柵極施加電壓為-5v時的曲線,s2代表第二柵極施加電壓為0v時的曲線,s3代表第二柵極施加電壓為+5v時的曲線。從圖5中可以看出,在第一柵極上的電壓固定時,當?shù)诙艠O施加電壓分別為-5v、05以及+5v時,第二極流出的電流略有不同,因此在實際應用中,預設電壓端的電壓需要根據(jù)實際應用環(huán)境來設計確定,在此不作限定。
具體地,在具體實施時,在本發(fā)明實施例提供的上述光電檢測電路中,如圖3a與圖3b所示,電壓控制子模塊32具體可以包括:電阻r;其中,
電阻r的第一端作為電壓控制子模塊32的輸入端,第二端作為電壓控制子模塊32的輸出端。
在具體實施時,在本發(fā)明實施例提供的上述光電檢測電路中,電阻可以為具有固定電阻值的電阻;或者,也可以為具有可變電阻值的電阻。在實際應用中,電阻的具體結(jié)構(gòu)需要根據(jù)實際應用環(huán)境來設計確定,在此不作限定。
具體地,在具體實施時,在本發(fā)明實施例提供的上述光電檢測電路中,如圖3a與圖3b所示,信號輸入模塊20具體可以包括:第二開關(guān)晶體管t2;其中,
第二開關(guān)晶體管t2的柵極作為信號輸入模塊20的控制端20a,第一極作為信號輸入模塊20的輸入端20b,第二極作為信號輸入模塊20的輸出端20c。
在具體實施時,在本發(fā)明實施例提供的上述光電檢測電路中,如圖3a所示,第二開關(guān)晶體管t2可以n型晶體管;或者,如圖3b所示,第二開關(guān)晶體管t2也可以為p型晶體管。并且,p型晶體管在高電位作用下截止,在低電位作用下導通;n型晶體管在高電位作用下導通,在低電位作用下截止。
在具體實施時,在本發(fā)明實施例提供的上述光電檢測電路中,第二開關(guān)晶體管在掃描信號端的控制下處于導通狀態(tài)時,將檢測信號輸入端的檢測信號提供給信號檢測模塊的輸入端。
以上僅是舉例說明本發(fā)明實施例提供的光電檢測電路中各模塊的具體結(jié)構(gòu),在具體實施時,上述各模塊的具體結(jié)構(gòu)不限于本發(fā)明實施例提供的上述結(jié)構(gòu),還可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員可知的其他結(jié)構(gòu),在此不作限定。
需要說明的是,本發(fā)明上述實施例中提到的晶體管可以是薄膜晶體管(tft,thinfilmtransistor),也可以是金屬氧化物半導體場效應管(mos,metaloxidescmiconductor),在此不作限定。在具體實施中,這些晶體管可以根據(jù)其類型以及信號的不同,將第一極作為源極或漏極,以及將第二極作為漏極或源極,在此不做具體區(qū)分。
下面以圖3a所示的光電檢測電路的結(jié)構(gòu)為例,對本發(fā)明實施例提供的上述光電檢測電路的工作過程作以描述。其中以第一開關(guān)晶體管t1的第一極為源極,第二極為漏極為例。第二開關(guān)晶體管t2在掃描信號端scan的控制下導通時,將檢測信號輸入端vin的檢測信號提供給第一開關(guān)晶體管t1的源極。
在pin型光電二極管d未受光照時,第一開關(guān)晶體管t1的第一柵極的電壓v_g1滿足公式:
在pin型光電二極管d受光照時,第一開關(guān)晶體管t1的第一柵極的電壓v_g1’滿足公式:
在具體實施時,以vref=10v,r0=1011ω,rd=1012ω,rd’=1010ω為例。pin型光電二極管d在未受光照時,
基于同一發(fā)明構(gòu)思,本發(fā)明實施例還提供了一種顯示面板,包括多個本發(fā)明實施例提供的上述任一種光電檢測電路。該顯示面板解決問題的原理與前述光電檢測電路相似,因此該顯示面板的實施可以參見前述光電檢測電路的實施,重復之處在此不再贅述。
在具體實施時,在本發(fā)明實施例提供的上述顯示面板中,還包括多個像素單元,每個像素單元中對應設置一個光電檢測電路。或者,顯示面板包括檢測區(qū)域,該檢測區(qū)域中設施多個光電檢測電路,在此不作限定。
在具體實施時,在本發(fā)明實施例提供的上述顯示面板中,還包括:與各光電檢測電路的檢測信號輸出端相連的數(shù)據(jù)處理器。該數(shù)據(jù)處理器用于檢測各檢測信號輸出端的信號,并根據(jù)檢測到的信號確定光照位置。
隨著技術(shù)的高速發(fā)展,具有生物識別功能的移動產(chǎn)品逐漸進入人們的生活中。由于指紋是人體與生俱來且獨一無二并可與他人相區(qū)別的特征,它由指端皮膚表面上的一系列谷和脊組成,這些谷和脊的組成細節(jié)通常包括脊的分叉、脊的末端、拱形、帳篷式的拱形、左旋、右旋、螺旋或雙旋等細節(jié),決定了指紋的唯一特性,因此受到了廣泛的關(guān)注。在具體實施時,在本發(fā)明實施例提供的上述顯示面板中的光電檢測電路用于對指紋進行識別。數(shù)據(jù)處理器還用于根據(jù)各光電檢測電路輸出的檢測信號來檢測指紋。
基于同一發(fā)明構(gòu)思,本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置,包括本發(fā)明實施例提供的上述任一種顯示面板。該顯示裝置可以為:手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。對于該顯示裝置的其它必不可少的組成部分均為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應該理解具有的,在此不做贅述,也不應作為對本發(fā)明的限制。該顯示裝置的實施可以參見上述顯示面板的實施例,重復之處不再贅述。
本發(fā)明實施例提供的光電檢測電路、顯示面板以及顯示裝置,包括:光電探測器、信號輸入模塊以及信號檢測模塊;其中,光電探測器處于反偏連接狀態(tài),用于受光照時使流過光電探測器的電流增加;信號輸入模塊用于在掃描信號端的控制下將檢測信號輸入端的檢測信號提供給信號檢測模塊;信號檢測模塊用于僅在光電探測器受光照時輸出檢測信號。因此,與現(xiàn)有技術(shù)中由于讀取到的光電探測器產(chǎn)生的光電信號具有較大的噪聲相比,本發(fā)明實施例提供的上述光電檢測電路,通過上述兩個模塊以及光電探測器的相互配合,通過輸入一個檢測信號,在光電探測器受光照時使流過光電探測器的電流增加,從而控制信號檢測模塊輸出檢測信號,進而在檢測到該光電檢測電路輸出檢測信號時,可以確定該光電檢測電路受到光照,從而可以避免由于光電信號具有較大的噪聲導致光電信號失真的問題,進而可以有效提高光電檢測的檢測精度,以及提高對光的檢測效率。
顯然,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣,倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi),則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。