本發(fā)明涉及傳感器電路技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種兼容式傳感器的接口電路。
背景技術(shù):
電容式傳感器利用電容器原理,將外界環(huán)境中待測的非電量轉(zhuǎn)換為電容量,再將電容量的變化轉(zhuǎn)換為電壓、頻率等輸出量,被廣泛的應(yīng)用在壓力、濕度、加速度、位移、氣體等檢測中。電阻式傳感器與相應(yīng)的測量電路組成的測力、測壓、稱重、測位移、加速度、扭矩等測量儀表是冶金、電力、交通、石化、商業(yè)、生物醫(yī)學和國防等部門進行自動稱重、過程檢測和實現(xiàn)生產(chǎn)過程自動化不可缺少的工具之一?,F(xiàn)有技術(shù)中的傳感器接口電路兼容性能差,導致檢測效率低。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的在于提供一種兼容式傳感器的接口電路,以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:一種兼容式傳感器的接口電路, 包括傳感器檢測電路、差分放大電路以及信號輸出電路,所述傳感器檢測電路包括電容式傳感器檢測模塊和電阻式傳感器檢測模塊,所述傳感器檢測電路連接差分放大電路,所述差分放大電路連接信號輸出電路。
優(yōu)選的,所述電容式傳感器檢測模塊包括第一場效應(yīng)晶體管、第二場效應(yīng)晶體管、第三場效應(yīng)晶體管和第四場效應(yīng)晶體管,所述第一場效應(yīng)晶體管源極連接第三場效應(yīng)晶體管漏極,所述第三場效應(yīng)晶體管柵極連接時鐘檢測模塊,源極分別連接放大器一個輸入端和電容A一端,電容A另一端接地,電容A兩端并聯(lián)電阻A,所述第一場效應(yīng)晶體管漏極連接第二場效應(yīng)晶體管漏極,所述第二場效應(yīng)晶體管源極連接第四場效應(yīng)晶體管漏極,所述第四場效應(yīng)晶體管柵極連接時鐘檢測模塊,源極分別連接放大器另一輸入端和電容B一端,電容B另一端接地,電容B兩端并聯(lián)電阻B,所述放大器輸出端連接AD轉(zhuǎn)換模塊。
優(yōu)選的,所述電阻式傳感器檢測模塊包括三極管、模數(shù)轉(zhuǎn)換器以及微處理器,所述三極管發(fā)射極連接電源端,集電極分別連接熱敏電阻一端以及模數(shù)轉(zhuǎn)換器VDD端,所述熱敏電阻另一端分別連接電阻D一端以及模數(shù)轉(zhuǎn)換器IN-端,電阻D另一端接地,所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器IN+端連接VDD端,所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器REF端連接IN-端,所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器SCLK端連接微處理器SCK端,模數(shù)轉(zhuǎn)換器DOUT端連接微處理器I/O2端,模數(shù)轉(zhuǎn)換器CNVST端連接微處理器MISO端,模數(shù)轉(zhuǎn)換器GND端連接微處理器GND端,微處理器I/01端連接電阻C一端,電阻C另一端連接三極管基極,所述微處理器GND端與VDD端之間接入電容C。
優(yōu)選的,所述差分放大電路包括第一集成運放、第二集成運放、第三集成運放和第四集成運放,所述第一集成運放負極輸入端連接信號輸入端,正極輸入端分別連接電阻E一端、電阻F一端以及第二集成運放負極輸入端,所述第一集成運放輸出端分別連接電阻E另一端、電容D一端,電容D另一端連接電阻G一端,電阻G另一端分別連接第三集成運放負極輸入端和電阻I一端,所述第二集成運放正極輸入端接地,輸出端分別連接電阻F另一端和電容E一端,電容E另一端連接電阻H一端,電阻H另一端分別連接第三集成運放正極輸入端和電阻L一端,電阻L另一端接地,所述第三集成運放輸出端分別連接電阻I另一端和第四集成運放正極輸入端,所述第四集成運放負極輸入端分別連接電阻J一端和電阻K一端,電阻J另一端接地,電阻K另一端連接第四集成運放輸出端并連接信號輸出端。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果是:
(1)本發(fā)明結(jié)構(gòu)原理簡單,抗干擾能力強,采用的傳感器檢測電路檢測精度高,能夠兼容電阻式和電容式傳感器,提高了電路的可靠性和穩(wěn)定性。
(2)本發(fā)明采用的電容式傳感器檢測模塊和電阻式傳感器檢測模塊,其檢測精度高、功耗低,可靠性高。
(3)本發(fā)明采用的差分放大電路抗干擾能力強,能夠?qū)ξ⑷跣盘栠M行放大,提高了信號輸出效率。
附圖說明
圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本發(fā)明的電容式傳感器檢測模塊原理圖;
圖3為本發(fā)明的電阻式傳感器檢測模塊原理圖;
圖4為本發(fā)明的差分放大電路原理圖。
具體實施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖,對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒景l(fā)明中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明保護的范圍。
請參閱圖1-4,本發(fā)明提供一種技術(shù)方案:一種兼容式傳感器的接口電路, 包括傳感器檢測電路1、差分放大電路2以及信號輸出電路3,所述傳感器檢測電路1包括電容式傳感器檢測模塊4和電阻式傳感器檢測模塊5,所述傳感器檢測電路1連接差分放大電路2,所述差分放大電路2連接信號輸出電路3。
本實施例中,電容式傳感器檢測模塊4包括第一場效應(yīng)晶體管6、第二場效應(yīng)晶體管7、第三場效應(yīng)晶體管8和第四場效應(yīng)晶體管9,所述第一場效應(yīng)晶體管6源極連接第三場效應(yīng)晶體管8漏極,所述第三場效應(yīng)晶體管8柵極連接時鐘檢測模塊10,源極分別連接放大器11一個輸入端和電容A1b一端,電容A1b另一端接地,電容A1b兩端并聯(lián)電阻A1a,所述第一場效應(yīng)晶體管6漏極連接第二場效應(yīng)晶體管7漏極,所述第二場效應(yīng)晶體管7源極連接第四場效應(yīng)晶體管9漏極,所述第四場效應(yīng)晶體管9柵極連接時鐘檢測模塊10,源極分別連接放大器11另一輸入端和電容B2b一端,電容B2b另一端接地,電容B2b兩端并聯(lián)電阻B2a,所述放大器11輸出端連接AD轉(zhuǎn)換模塊12。
本實施例中,電阻式傳感器檢測模塊5包括三極管13、模數(shù)轉(zhuǎn)換器14以及微處理器15,所述三極管13發(fā)射極連接電源端,集電極分別連接熱敏電阻16一端以及模數(shù)轉(zhuǎn)換器14 VDD端,所述熱敏電阻16另一端分別連接電阻D4a一端以及模數(shù)轉(zhuǎn)換器14 IN-端,電阻D4a另一端接地,所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器14 IN+端連接VDD端,所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器14 REF端連接IN-端,所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器14 SCLK端連接微處理器15 SCK端,模數(shù)轉(zhuǎn)換器14 DOUT端連接微處理器15 I/O2端,模數(shù)轉(zhuǎn)換器14 CNVST端連接微處理器15 MISO端,模數(shù)轉(zhuǎn)換器14 GND端連接微處理器15 GND端,微處理器15 I/01端連接電阻C3a一端,電阻C3a另一端連接三極管13基極,所述微處理器15 GND端與VDD端之間接入電容C3b。
本發(fā)明采用的電容式傳感器檢測模塊和電阻式傳感器檢測模塊,其檢測精度高、功耗低,可靠性高。
另外,本實施例中,差分放大電路2包括第一集成運放16、第二集成運放17、第三集成運放18和第四集成運放19,所述第一集成運放16負極輸入端連接信號輸入端,正極輸入端分別連接電阻E5a一端、電阻F6a一端以及第二集成運放17負極輸入端,所述第一集成運放16輸出端分別連接電阻E5a另一端、電容D4b一端,電容D4b另一端連接電阻G7a一端,電阻G7a另一端分別連接第三集成運放18負極輸入端和電阻I9a一端,所述第二集成運放17正極輸入端接地,輸出端分別連接電阻F6a另一端和電容E5b一端,電容E5b另一端連接電阻H8a一端,電阻H8a另一端分別連接第三集成運放18正極輸入端和電阻L12a一端,電阻L12a另一端接地,所述第三集成運放18輸出端分別連接電阻I9a另一端和第四集成運放19正極輸入端,所述第四集成運放19負極輸入端分別連接電阻J10a一端和電阻K11a一端,電阻J10a另一端接地,電阻K11a另一端連接第四集成運放19輸出端并連接信號輸出端, 采用對稱的多級差分放大電路,盡量減少單個器件對電路的影響;另外采用寬頻帶、低噪聲的集成運放芯片,結(jié)合每級放大倍數(shù)約等于10的三級放大電路,從而保證電路在較寬頻帶的放大倍數(shù)達到1000倍以上,本發(fā)明采用的差分放大電路抗干擾能力強,能夠?qū)ξ⑷跣盘栠M行放大,提高了信號輸出效率。
本發(fā)明結(jié)構(gòu)原理簡單,抗干擾能力強,采用的傳感器檢測電路檢測精度高,能夠兼容電阻式和電容式傳感器,提高了電路的可靠性和穩(wěn)定性。
盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實施例,對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言,可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型,本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。