本發(fā)明涉及產(chǎn)品腐蝕壽命測試領(lǐng)域，更具體地，涉及用于產(chǎn)品腐蝕壽命測試的硫蒸氣腐蝕箱和硫蒸氣腐蝕測試方法。

背景技術(shù)：

MFG(Mixed Flowing Gas Environmental Test)的目的在于，由于電子信息產(chǎn)品，如連接器、PC板以及一些金屬連接部分，均會受到外在環(huán)境的影響而產(chǎn)生腐蝕氧化的應(yīng)力進而造成導(dǎo)通不良，使產(chǎn)品的功能受損，降低產(chǎn)品的壽命。因此一種加速式的環(huán)境測試變得相當?shù)闹匾?/p>

其基本的測試原理為，由于銅基材表面的鍍層都可能有針孔(Porosity)的出現(xiàn)，因此在環(huán)境中的一些氣體，如NO₂、SO₂、……等會經(jīng)由針孔穿入底材而與銅金屬產(chǎn)生腐蝕變化，而這些腐蝕產(chǎn)物會擠出在鍍層表面，形成突出物或是膜，因此便可以利用儀器如X-Ray等來檢測腐蝕產(chǎn)物的物種、重量或其膜厚等，用以判斷樣品于環(huán)境中可以使用的壽命是否達到客戶的需求標準。

然而，現(xiàn)有MFG測試方案的缺點存在以下缺點：

1、MFG測試中銅腐蝕速率遠大于銀腐蝕速率(數(shù)量級的差異)，與實際環(huán)境監(jiān)測數(shù)據(jù)相反。

2、MFG測試中容易出現(xiàn)剝離腐蝕。具體來說，一般的腐蝕橫向生長，而在目前的MFG測試中，腐蝕容易出現(xiàn)縱向生長，而且在縱向上生長達到一定程度時會出現(xiàn)腐蝕物脫落。如果未及時發(fā)現(xiàn)，則會影響測試結(jié)果的準確性。

3、在MFG測試中，需要混合多種氣體。然而，在測試箱中，難以控制所混合的多種氣體的均勻度，從而導(dǎo)致測試結(jié)果的一致性較差。即，在多次測試中獲得的多個結(jié)果不盡相同。

4、現(xiàn)有MFG測試的箱體最大只有800mm。因此只能放入部件，而無法進行服務(wù)器整機的腐蝕測試。

5、現(xiàn)有MFG的測試時間較長，如12-16天。

6、現(xiàn)有MFG只能針對一種工況進行測試。例如，當兩個產(chǎn)品需要在不同的測試環(huán)境下(例如，G3(Harsh)和G2(Moderate))測試時，需要逐個進行，從而時間更長。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

鑒于以上情形，期望提供能夠提高測試一致性和準確性的腐蝕箱和腐蝕測試方法。另外，期望提供能夠針對多種工況并行測試的腐蝕箱和腐蝕測試方法。并且，還期望提供能夠提高腐蝕速率、縮短測試時間的腐蝕箱和腐蝕測試方法。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種硫蒸氣腐蝕箱，包括：測試箱體部分，包含一隔板，在所述隔板上設(shè)置有空隙并用于放置被測樣品；硫蒸氣產(chǎn)生部分，其置于所述隔板下方并通過所述隔板與所述測試箱體部分分離，用于產(chǎn)生硫蒸氣，所述硫蒸氣經(jīng)由所述隔板上的空隙進入所述測試箱體部分；以及參數(shù)控制部分，用于單獨地控制所產(chǎn)生的硫蒸氣在所述測試箱體部分內(nèi)的參數(shù)。

優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明實施例的硫蒸氣腐蝕箱中，所述硫蒸氣產(chǎn)生部分包括：硫粉區(qū)域，在所述硫粉區(qū)域上放置有硫粉；和第一加熱部分，用于對所述硫粉區(qū)域上放置的硫粉進行加熱以便所述硫粉改變?yōu)榱蛘魵?，其中所述硫蒸氣腐蝕箱進一步包括：第二加熱部分，設(shè)置于所述測試箱體內(nèi)，用于改變被測樣品所處的環(huán)境溫度。

優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明實施例的硫蒸氣腐蝕箱中，所述參數(shù)為所述硫蒸氣在所述測試箱體部分內(nèi)的濃度，并且其中所述參數(shù)控制部分包括：溫度控制部分，用于控制所述第一加熱部分對所述硫粉區(qū)域進行加熱的溫度，其中當所述溫度控制部分控制的加熱溫度越高時，所產(chǎn)生的硫蒸氣越多。

優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明實施例的硫蒸氣腐蝕箱中，所述參數(shù)為所述硫蒸氣在所述測試箱體內(nèi)的流速，并且其中所述參數(shù)控制部分包括：流速控制部分，用于以預(yù)定流速將特定氣體排出到所述測試箱體，以改變所述硫蒸氣的流速。

優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明實施例的硫蒸氣腐蝕箱可以進一步包括：第1至第n測試箱，放置于所述隔板上，其彼此分離且保持密閉，用以容納第1至第n被測樣品，其中n為大于1的自然數(shù)；其中所述流速控制部分進一步包括第1至第n子控制單元，分別連接至所述第1至第n測試箱，用于單獨地控制所述第1至第n測試箱內(nèi)的氣體流速。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種硫蒸氣腐蝕測試方法，用于一硫蒸氣腐蝕箱，所述硫蒸氣腐蝕箱包括：測試箱體部分，包含一隔板，在所述隔板上設(shè)置有空隙并用于放置被測樣品，所述方法包括：在所述隔板上放置被測樣品；產(chǎn)生硫蒸氣，所述硫蒸氣經(jīng)由所述隔板上的空隙進入所述測試箱體部分；以及單獨地控制所產(chǎn)生的硫蒸氣在所述測試箱體部分內(nèi)的參數(shù)。

優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明實施例的硫蒸氣腐蝕測試方法中，產(chǎn)生硫蒸氣的步驟進一步包括：對硫粉區(qū)域上放置的硫粉進行加熱以便所述硫粉改變?yōu)榱蛘魵?，其中在所述隔板上放置被測樣品的步驟之后，所述硫蒸氣腐蝕測試方法進一步包括：改變被測樣品所處的環(huán)境溫度。

優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明實施例的硫蒸氣腐蝕測試方法中，所述參數(shù)為所述硫蒸氣在所述測試箱體部分內(nèi)的濃度，并且其中單獨地控制所產(chǎn)生的硫蒸氣在所述測試箱體部分內(nèi)的參數(shù)的步驟包括：控制對所述硫粉區(qū)域進行加熱的溫度，其中當控制的加熱溫度越高時，所產(chǎn)生的硫蒸氣越多。

優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明實施例的硫蒸氣腐蝕測試方法中，所述參數(shù)為所述硫蒸氣在所述測試箱體內(nèi)的流速，并且其中單獨地控制所產(chǎn)生的硫蒸氣在所述測試箱體部分內(nèi)的參數(shù)的步驟包括：以預(yù)定流速將特定氣體排出到所述測試箱體，以改變所述硫蒸氣的流速。

優(yōu)選地，在根據(jù)本發(fā)明實施例的硫蒸氣腐蝕測試方法中，所述測試箱體進一步包括：第1至第n測試箱，放置于所述隔板上，其彼此分離且保持密閉，用以容納第1至第n被測樣品，其中n為大于1的自然數(shù)，所述方法進一步包括：單獨地控制所述第1至第n測試箱內(nèi)的氣體流速。

通過根據(jù)本發(fā)明實施例的硫蒸氣腐蝕箱和硫蒸氣腐蝕測試方法，首先，由于采用單一的硫蒸氣代替多種氣體組成的混合氣體進行腐蝕測試，從而使得易于控制測試箱體內(nèi)的氣體參數(shù)，測試準確度和一致性高。其次，由于對硫蒸氣產(chǎn)生部分和測試箱體部分采用單獨的溫控，從而可以實現(xiàn)更大的溫控范圍和更高的硫蒸氣濃度。另外，通過控制硫粉加熱的溫度，可以控制進入測試箱體的硫蒸氣的濃度，進而可以準確地控制腐蝕速率，并且在需要的時候能夠通過提高溫度來提高腐蝕速率，縮短測試時間。并且，除了溫度控制之外，還可以進一步控制測試箱體內(nèi)的氣體流速，進而控制腐蝕速率。而且可以設(shè)置彼此獨立的測試箱和相應(yīng)的獨立氣流控制通道，以便于實現(xiàn)不同工況的并行測試。

附圖說明

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的硫蒸氣腐蝕箱的基本構(gòu)思的示意性框圖；

圖2是圖示圖1中所示的硫蒸氣產(chǎn)生部分的具體配置的示意性框圖；

圖3是圖示根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的硫蒸氣腐蝕箱的配置的示意性框圖；

圖4是圖示根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的硫蒸氣腐蝕箱的配置的示意性框圖；

圖5是圖示根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的硫蒸氣腐蝕箱的配置的示意性框圖；

圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的硫蒸氣腐蝕測試方法的基本構(gòu)思的示意性流程圖；

圖7是圖示根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的硫蒸氣腐蝕測試方法的過程的流程圖；

圖8是圖示根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的硫蒸氣腐蝕測試方法的過程的流程圖；以及

圖9是圖示根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的硫蒸氣腐蝕測試方法的過程的流程圖。

具體實施方式

下面將參照附圖對本發(fā)明的各個優(yōu)選的實施方式進行描述。提供以下參照附圖的描述，以幫助對由權(quán)利要求及其等價物所限定的本發(fā)明的示例實施方式的理解。其包括幫助理解的各種具體細節(jié)，但它們只能被看作是示例性的。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將認識到，可對這里描述的實施方式進行各種改變和修改，而不脫離本發(fā)明的范圍和精神。而且，為了使說明書更加清楚簡潔，將省略對本領(lǐng)域熟知功能和構(gòu)造的詳細描述。

首先，將參照圖1描述根據(jù)本發(fā)明的硫蒸氣腐蝕箱的概述。如圖1所示，硫蒸氣腐蝕箱100包括：測試箱體部分101、硫蒸氣產(chǎn)生部分102以及參數(shù)控制部分103。

在測試箱體部分101中包含一隔板1011。在所述隔板1011上設(shè)置有空隙并用于放置被測樣品。

硫蒸氣產(chǎn)生部分102置于所述隔板下方并通過所述隔板1011與所述測試箱體部分101分離，用于產(chǎn)生硫蒸氣，所述硫蒸氣經(jīng)由所述隔板1011上的空隙進入所述測試箱體部分101。

參數(shù)控制部分103用于單獨地控制所產(chǎn)生的硫蒸氣在所述測試箱體部分101內(nèi)的參數(shù)。在圖1中，將參數(shù)控制部分103示出在測試箱體部分101外部。然而，這并非限制性的。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，參數(shù)控制部分103的放置位置并無特別的限制，例如，其也可以位于所述測試箱體部分101內(nèi)部，只要其能夠控制所產(chǎn)生的硫蒸氣在所述測試箱體部分101內(nèi)的參數(shù)即可。

在現(xiàn)有技術(shù)中，當進行產(chǎn)品腐蝕壽命測試時，多種氣體以特定比例混合并提供到測試箱體中。然而，在測試箱體內(nèi)，由于氣體的特性決定了無法控制氣體混合的均勻度，從而測試的一致性差。與現(xiàn)有技術(shù)中使用混合氣體(如NO₂、SO₂、……)進行電子產(chǎn)品腐蝕測試不同，在本發(fā)明中，使用單一的硫蒸氣進行測試，避免了混合氣體存在的諸如難以控制混合均勻度的問題。并且在本發(fā)明中，通過參數(shù)控制部分單獨地控制硫蒸氣在測試箱體部分內(nèi)的參數(shù)，能夠確保較好的測試一致性。此外，通過單獨控制硫蒸氣的參數(shù)還可以更準確地控制產(chǎn)品的腐蝕速度。

接下來，將對如何獲得測試所需的硫蒸氣進行以下說明。具體地，圖2示出了圖1中所示的所述硫蒸氣產(chǎn)生部分的具體配置。如圖2所示，所述硫蒸氣產(chǎn)生部分包括：硫粉區(qū)域201和第一加熱部分202。

在所述硫粉區(qū)域201上放置有硫粉。第一加熱部分202用于對所述硫粉區(qū)域201上放置的硫粉進行加熱以便所述硫粉改變?yōu)榱蛘魵狻?/p>

這里的第一加熱部分202是專用于對硫粉加熱以產(chǎn)生作為測試氣體的硫蒸氣的加熱部分。

圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的硫蒸氣腐蝕箱的配置。如圖3所示，在根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的硫蒸氣腐蝕箱中，除了圖2中所示的專用于加熱硫粉的第一加熱部分202之外，還進一步包括第二加熱部分301。第二加熱部分301設(shè)置于所述測試箱體內(nèi)，用于改變被測樣品所處的環(huán)境溫度。

也就是說，在本發(fā)明的第一實施例中，分別采用第一加熱部分專用于加熱硫粉區(qū)域和第二加熱部分專用于被測樣品所處的環(huán)境加熱，即：采用分區(qū)溫控。與現(xiàn)有技術(shù)中測試箱中的加熱部分統(tǒng)一地實現(xiàn)硫粉加熱和環(huán)境加熱不同，可以實現(xiàn)分別的更準確的溫度控制。

例如，在現(xiàn)有技術(shù)的單一的加熱部分的情況下，出于不損壞待測產(chǎn)品的考慮，測試箱體的溫控范圍較小。例如，測試箱體的最高溫度為55度，從而測試箱體的溫控范圍為小于55度。然而，硫粉區(qū)域的加熱溫度其實可以更高(例如，65度)，以實現(xiàn)更高的硫蒸氣濃度。因此，在分別采用兩個加熱部件的情況下，實現(xiàn)了硫粉區(qū)域的更高加熱溫度，同時又能保證待測產(chǎn)品不被損壞。由于能夠?qū)崿F(xiàn)硫粉區(qū)域的更高加熱溫度，因此相比于現(xiàn)有技術(shù)，可以實現(xiàn)更快的腐蝕速率，從而有效地縮短測試時間。

在根據(jù)本發(fā)明的第一實施例中，上文中所述的參數(shù)為所述硫蒸氣在所述測試箱體部分內(nèi)的濃度。實驗表明，當硫蒸氣在測試箱體部分內(nèi)的濃度越高時，腐蝕速率越快。反之，當硫蒸氣在測試箱體部分內(nèi)的濃度越低時，腐蝕速率越慢。

如圖3所示，所述參數(shù)控制部分103包括：溫度控制部分1031，用于控制所述第一加熱部分202對所述硫粉區(qū)域201進行加熱的溫度。

當所述溫度控制部分1031控制的加熱溫度越高時，所產(chǎn)生的硫蒸氣越多。反之，當所述溫度控制部分1031控制的加熱溫度越低時，所產(chǎn)生的硫蒸氣越少。從而，進入測試箱體部分101內(nèi)的硫蒸氣的多少受到加熱溫度的控制，也就是說，測試箱體部分101內(nèi)的硫蒸氣的濃度與硫蒸氣的加熱溫度成正比例關(guān)系。因此，所述參數(shù)控制部分103通過由溫度控制部分1031控制第一加熱部分202對硫粉區(qū)域201加熱的溫度，能夠間接地控制作為硫蒸氣在所述測試箱體部分101內(nèi)的參數(shù)之一的硫蒸氣的濃度。另外，當硫蒸氣的濃度越大時，腐蝕速率就越大。反之，當硫蒸氣的濃度越小時，腐蝕速率就越小。

另外，還可以在測試箱體部分101內(nèi)放置溫度傳感器以檢測硫蒸氣內(nèi)部的溫度并計算腐蝕速率，便于根據(jù)實際腐蝕環(huán)境要求或不同測試者的要求隨時調(diào)節(jié)腐蝕速率，保證穩(wěn)定的腐蝕速率。

如上文中所述，在根據(jù)本發(fā)明的第一實施例中，分別在測試箱體部分101內(nèi)和硫蒸氣產(chǎn)生部分102內(nèi)設(shè)置單獨的溫控部件。這里，需要指出的是，盡管測試箱體部分101與硫蒸氣產(chǎn)生部分102是分離的，但是測試箱體部分101內(nèi)的隔板1011上存在空隙以便使得硫蒸氣產(chǎn)生部分102所產(chǎn)生的硫蒸氣能夠透過該空隙進入測試箱體部分101來進行腐蝕測試。因此，如果硫蒸氣產(chǎn)生部分內(nèi)的溫度大于測試箱體部分101能夠容忍的最高溫度，那么當如此高溫度的硫蒸氣進入測試箱體部分101內(nèi)可能會導(dǎo)致被測樣品的損壞。

鑒于該問題，作為一種更優(yōu)選的實施方式，可以在所述硫蒸氣腐蝕箱的隔板1011上進一步設(shè)置降溫層(圖中未示出)。所述降溫層用于將進入所述測試箱體部分內(nèi)的所述硫蒸氣的溫度降低到預(yù)定閾值以下，以避免過高的溫度對被測樣品的元器件造成損壞。

圖4是圖示根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的硫蒸氣腐蝕箱的配置的示意性框圖。在根據(jù)本發(fā)明的第二實施例中，上文中所述的參數(shù)為所述硫蒸氣在所述測試箱體部分內(nèi)的流速。實驗表明，當硫蒸氣在測試箱體部分內(nèi)的流速越快時，腐蝕速率越快。反之，當硫蒸氣在測試箱體部分內(nèi)的流速越慢時，腐蝕速率越慢。

如圖4所示，所述參數(shù)控制部分103包括：流速控制部分1032。所述流速控制部分1032用于以預(yù)定流速將特定氣體排出到所述測試箱體，以改變所述硫蒸氣的流速。

例如，流速控制部分1032可以是風扇，通過設(shè)置扇葉的轉(zhuǎn)速可以實現(xiàn)不同的流速。

所述流速控制部分1032可以設(shè)置在測試箱體部分101內(nèi)，以加速測試箱體內(nèi)部的氣流。或者，所述流速控制部分1032也可以設(shè)置在測試箱體部分101外。在這種情況下，測試箱體部分101上還需要進一步設(shè)計有出風口，用于接收來自所述流速控制部分1032的預(yù)定流速的氣流。

此外，在將所述流速控制部分1032也可以設(shè)置在測試箱體部分101外的情況下，需要將測試箱體部分中的硫蒸氣以外的特定氣體注入到測試箱體部分內(nèi)。這里的特定氣體可以是空氣，也可以是氮氣等非活躍氣體。實驗證明，在將這里的特定空氣混入到硫蒸氣環(huán)境中后，對腐蝕測試產(chǎn)生的影響可以忽略不計。

在現(xiàn)有技術(shù)中，由于采用包括多種氣體的混合氣體進行腐蝕測試，因此希望氣體流速盡可能小。也就是說，現(xiàn)有的MFG中通常不包括流速控制部分。在根據(jù)本發(fā)明的第二實施例中，通過改變測試箱體部分內(nèi)硫蒸氣的流速，可以根據(jù)不同的測試需求，定量調(diào)整腐蝕速率，縮短測試時間并提升測試穩(wěn)定性。

圖5是圖示根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的硫蒸氣腐蝕箱的配置的示意性框圖。與第二實施例不同，在第三實施例中，分別設(shè)置多個彼此分離且保持密閉的測試箱，用于并行地進行多種不同工況的測試。

如圖5所示，根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的硫蒸氣腐蝕箱進一步包括：第1至第n測試箱，放置于所述隔板上，其彼此分離且保持密閉，用以容納第1至第n被測樣品，其中n為大于1的自然數(shù)。

其中，所述流速控制部分進一步包括第1至第n子控制單元，分別連接至所述第1至第n測試箱，用于單獨地控制所述第1至第n測試箱內(nèi)的氣體流速。

可見，在根據(jù)本發(fā)明的第三實施例中，在測試箱體部分101內(nèi)針對多個產(chǎn)品采用不同的空氣流速控制邏輯。如上文中所述，空氣流速的不同可以產(chǎn)生不同的腐蝕速率，從而實現(xiàn)在一個測試箱體部分內(nèi)一次性地放入多個產(chǎn)品以執(zhí)行滿足不同的環(huán)境腐蝕標準的并行測試。其中，采用不同空氣流速的各系統(tǒng)使用獨立流道，從而能夠避免對其他測試產(chǎn)品產(chǎn)生影像。也就是說，在根據(jù)本發(fā)明的第三實施例中，實現(xiàn)了多種不同工況的串行測試，并且節(jié)省了測試時間。

基于這樣的發(fā)明構(gòu)思，本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠理解，也可以將第一實施例中的分區(qū)溫控類似地應(yīng)用于第三實施例。例如，可以在第1到第n測試箱內(nèi)設(shè)置單獨的溫度控制部分(如，加熱部件)。另外，也可以對第1到第n測試箱設(shè)置單獨的第1到第n硫粉產(chǎn)生部分，并且對于第1到第n硫粉產(chǎn)生部分設(shè)置單獨的溫度控制部分(如，加熱部件)。

在上文中，已經(jīng)參照圖1到圖5詳細描述了根據(jù)本發(fā)明的第一到第三實施例的硫蒸氣腐蝕箱。接下來，將首先參照圖6描述根據(jù)本發(fā)明的硫蒸氣腐蝕測試方法的概述。所述硫蒸氣腐蝕測試方法應(yīng)用于上文中所述的硫蒸氣腐蝕箱。如上文中所述，所述硫蒸氣腐蝕箱包括：測試箱體部分，包含一隔板，在所述隔板上設(shè)置有空隙并用于放置被測樣品。

如圖6所示，所述方法包括如下步驟。

首先，在步驟S601，在所述隔板上放置被測樣品。

然后，在步驟S602，產(chǎn)生硫蒸氣，所述硫蒸氣經(jīng)由所述隔板上的空隙進入所述測試箱體部分。

最后，在步驟S603，單獨地控制所產(chǎn)生的硫蒸氣在所述測試箱體部分內(nèi)的參數(shù)。

在現(xiàn)有技術(shù)中，當進行產(chǎn)品腐蝕壽命測試時，多種氣體以特定比例混合并提供到測試箱體中。然而，在測試箱體內(nèi)，由于氣體的特性決定了無法控制氣體混合的均勻度，從而測試的一致性差。與現(xiàn)有技術(shù)中使用混合氣體(如NO₂、SO₂、……)進行電子產(chǎn)品腐蝕測試不同，在本發(fā)明中，使用單一的硫蒸氣進行測試，避免了混合氣體存在的諸如難以控制混合均勻度的問題。并且在本發(fā)明中，通過參數(shù)控制部分單獨地控制硫蒸氣在測試箱體部分內(nèi)的參數(shù)，能夠確保較好的測試一致性。此外，通過單獨控制硫蒸氣的參數(shù)還可以更準確地控制產(chǎn)品的腐蝕速度。

接下來，將對如何獲得測試所需的硫蒸氣進行以下說明。具體地，產(chǎn)生硫蒸氣的步驟進一步包括：對硫粉區(qū)域上放置的硫粉進行加熱以便所述硫粉改變?yōu)榱蛘魵狻?/p>

圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的硫蒸氣腐蝕測試方法的具體流程。如圖7所示，在根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的硫蒸氣腐蝕測試方法中，在所述隔板上放置被測樣品的步驟S601之后，所述硫蒸氣腐蝕測試方法進一步包括：步驟S701，改變被測樣品所處的環(huán)境溫度。

也就是說，在本發(fā)明的第一實施例中，分別采用專用于加熱硫粉區(qū)域的加熱步驟和專用于被測樣品所處的環(huán)境加熱的加熱步驟，即：采用分區(qū)溫控。與現(xiàn)有技術(shù)中測試箱中的統(tǒng)一地實現(xiàn)硫粉加熱和環(huán)境加熱不同，可以實現(xiàn)分別的更準確的溫度控制。

例如，在現(xiàn)有技術(shù)的單一的加熱部分的情況下，出于不損壞待測產(chǎn)品的考慮，測試箱體的溫控范圍較小。例如，測試箱體的最高溫度為55度，從而測試箱體的溫控范圍為小于55度。然而，硫粉區(qū)域的加熱溫度其實可以更高(例如，65度)，以實現(xiàn)更高的硫蒸氣濃度。因此，在分別采用兩個加熱步驟的情況下，實現(xiàn)了硫粉區(qū)域的更高加熱溫度，同時又能保證待測產(chǎn)品不被損壞。由于能夠?qū)崿F(xiàn)硫粉區(qū)域的更高加熱溫度，因此相比于現(xiàn)有技術(shù)，可以實現(xiàn)更快的腐蝕速率，從而有效地縮短測試時間。

在根據(jù)本發(fā)明的第一實施例中，上文中所述的參數(shù)為所述硫蒸氣在所述測試箱體部分內(nèi)的濃度。實驗表明，當硫蒸氣在測試箱體部分內(nèi)的濃度越高時，腐蝕速率越快。反之，當硫蒸氣在測試箱體部分內(nèi)的濃度越低時，腐蝕速率越慢。

如圖7所示，單獨地控制所產(chǎn)生的硫蒸氣在所述測試箱體部分內(nèi)的參數(shù)的步驟包括：步驟S702，控制對所述硫粉區(qū)域進行加熱的溫度。

當控制的加熱溫度越高時，所產(chǎn)生的硫蒸氣越多。反之，當控制的加熱溫度越低時，所產(chǎn)生的硫蒸氣越少。從而，進入測試箱體部分內(nèi)的硫蒸氣的多少受到加熱溫度的控制，也就是說，測試箱體部分內(nèi)的硫蒸氣的濃度與硫蒸氣的加熱溫度成正比例關(guān)系。因此，通過控制對硫粉區(qū)域加熱的溫度，能夠間接地控制作為硫蒸氣在所述測試箱體部分內(nèi)的參數(shù)之一的硫蒸氣的濃度。另外，當硫蒸氣的濃度越大時，腐蝕速率就越大。反之，當硫蒸氣的濃度越小時，腐蝕速率就越小。

如上文中所述，在根據(jù)本發(fā)明的第一實施例中，分別在測試箱體部分內(nèi)和硫蒸氣產(chǎn)生部分內(nèi)執(zhí)行單獨的溫控步驟。這里，需要指出的是，盡管測試箱體部分與硫蒸氣產(chǎn)生部分是分離的，但是測試箱體部分內(nèi)的隔板上存在空隙以便使得硫蒸氣產(chǎn)生部分所產(chǎn)生的硫蒸氣能夠透過該空隙進入測試箱體部分來進行腐蝕測試。因此，如果硫蒸氣產(chǎn)生部分內(nèi)的溫度大于測試箱體部分能夠容忍的最高溫度，那么當如此高溫度的硫蒸氣進入測試箱體部分內(nèi)可能會導(dǎo)致被測樣品的損壞。

鑒于該問題，作為一種更優(yōu)選的實施方式，所述硫蒸氣腐蝕測試方法還可以進一步包括：將進入所述測試箱體內(nèi)的所述硫蒸氣的溫度降低到預(yù)定閾值以下。

需要指出的是，在圖7以時間順序示出了各步驟。但本發(fā)明并不僅限于此。事實上，在實際的測試過程中，各步驟也可以并行進行或者以不同的時間順序執(zhí)行。例如，對于硫粉區(qū)域的溫控步驟和對于測試箱體部分的溫控步驟可以在任何合適的時機進行，而不必遵守圖7中所示的時間順序。

下面，參照圖8描述根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的硫蒸氣腐蝕測試方法。在本發(fā)明的第二實施例中，上文中所述的參數(shù)為所述硫蒸氣在所述測試箱體內(nèi)的流速。實驗表明，當硫蒸氣在測試箱體部分內(nèi)的流速越快時，腐蝕速率越快。反之，當硫蒸氣在測試箱體部分內(nèi)的流速越慢時，腐蝕速率越慢。

如圖8所示，所述單獨地控制所產(chǎn)生的硫蒸氣在所述測試箱體部分內(nèi)的參數(shù)的步驟包括：步驟S801，以預(yù)定流速將特定氣體排出到所述測試箱體，以改變所述硫蒸氣的流速。

類似地，在圖8以時間順序示出了各步驟。但本發(fā)明并不僅限于此。事實上，在實際的測試過程中，各步驟也可以并行進行或者以不同的時間順序執(zhí)行。例如，步驟S801可以在任何合適的時機進行，而不必遵守圖8中所示的時間順序。

在現(xiàn)有技術(shù)中，由于采用包括多種氣體的混合氣體進行腐蝕測試，因此希望氣體流速盡可能小。也就是說，現(xiàn)有的MFG中通常不包括流速控制步驟。在根據(jù)本發(fā)明的第二實施例中，通過改變測試箱體部分內(nèi)硫蒸氣的流速，可以根據(jù)不同的測試需求，定量調(diào)整腐蝕速率，縮短測試時間并提升測試穩(wěn)定性。

圖9是圖示根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的硫蒸氣腐蝕測試方法的過程的流程圖。與第二實施例不同，在第三實施例中，分別設(shè)置多個彼此分離且保持密閉的測試箱第1至第n測試箱，放置于所述隔板上，其彼此分離且保持密閉，用以容納第1至第n被測樣品，其中n為大于1的自然數(shù)，用于并行地進行多種不同工況的測試。

如圖9所示，所述硫蒸氣腐蝕測試方法進一步包括：步驟S901，單獨地控制所述第1至第n測試箱內(nèi)的氣體流速。

類似地，在圖9以時間順序示出了各步驟。但本發(fā)明并不僅限于此。事實上，在實際的測試過程中，各步驟也可以并行進行或者以不同的時間順序執(zhí)行。例如，步驟S901可以在任何合適的時機進行，而不必遵守圖9中所示的時間順序。

可見，在根據(jù)本發(fā)明的第三實施例中，在測試箱體部分內(nèi)針對多個產(chǎn)品采用不同的空氣流速控制邏輯。如上文中所述，空氣流速的不同可以產(chǎn)生不同的腐蝕速率，從而實現(xiàn)在一個測試箱體部分內(nèi)一次性地放入多個產(chǎn)品以執(zhí)行滿足不同的環(huán)境腐蝕標準的并行測試。其中，采用不同空氣流速的各系統(tǒng)使用獨立流道，從而能夠避免對其他測試產(chǎn)品產(chǎn)生影像。也就是說，在根據(jù)本發(fā)明的第三實施例中，實現(xiàn)了多種不同工況的串行測試，并且節(jié)省了測試時間。

基于這樣的發(fā)明構(gòu)思，本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠理解，也可以將第一實施例中的分區(qū)溫控類似地應(yīng)用于第三實施例。例如，可以在第1到第n測試箱內(nèi)執(zhí)行單獨的溫度控制步驟(如，加熱步驟)。另外，也可以對第1到第n測試箱執(zhí)行單獨的第1到第n硫粉產(chǎn)生步驟，并且對于第1到第n硫粉產(chǎn)生步驟執(zhí)行單獨的溫度控制步驟(如，加熱步驟)。

迄今為止，已經(jīng)參照圖1到圖9詳細描述了根據(jù)本發(fā)明的各實施例的硫蒸氣腐蝕箱和硫蒸氣腐蝕測試方法。通過根據(jù)本發(fā)明實施例的硫蒸氣腐蝕箱和硫蒸氣腐蝕測試方法，首先，由于采用單一的硫蒸氣代替多種氣體組成的混合氣體進行腐蝕測試，從而使得易于控制測試箱體內(nèi)的氣體參數(shù)，測試準確度和一致性高。其次，由于對硫蒸氣產(chǎn)生部分和測試箱體部分采用單獨的溫控，從而可以實現(xiàn)更大的溫控范圍和更高的硫蒸氣濃度。另外，通過控制硫粉加熱的溫度，可以控制進入測試箱體的硫蒸氣的濃度，進而可以準確地控制腐蝕速率，并且在需要的時候能夠通過提高溫度來提高腐蝕速率，縮短測試時間。并且，除了溫度控制之外，還可以進一步控制測試箱體內(nèi)的氣體流速，進而控制腐蝕速率。而且可以設(shè)置彼此獨立的測試箱和相應(yīng)的獨立氣流控制通道，以便于實現(xiàn)不同工況的并行測試。

需要說明的是，在本說明書中，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。

最后，還需要說明的是，上述一系列處理不僅包括以這里所述的順序按時間序列執(zhí)行的處理，而且包括并行或分別地、而不是按時間順序執(zhí)行的處理。

通過以上的實施方式的描述，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到本發(fā)明可借助軟件加必需的硬件平臺的方式來實現(xiàn)，當然也可以全部通過軟件來實施?；谶@樣的理解，本發(fā)明的技術(shù)方案對背景技術(shù)做出貢獻的全部或者部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來，該計算機軟件產(chǎn)品可以存儲在存儲介質(zhì)中，如ROM/RAM、磁碟、光盤等，包括若干指令用以使得一臺計算機設(shè)備(可以是個人計算機，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本發(fā)明各個實施例或者實施例的某些部分所述的方法。

以上對本發(fā)明進行了詳細介紹，本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實施方式及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。