1.一種高溫環(huán)境下絕緣材料電阻及電阻率的測試裝置，其特征在于，包括高溫電爐(1)，高溫電爐(1)內(nèi)設(shè)置有鎳基合金制成的內(nèi)屏蔽箱(2)，高溫電爐(1)的上部設(shè)置有外屏蔽箱(3)，外屏蔽箱(3)內(nèi)設(shè)置有接線端子結(jié)構(gòu)；內(nèi)屏蔽箱(2)內(nèi)設(shè)置有與接線端子結(jié)構(gòu)連接的三電極模塊(4)連接；
所述接線端子結(jié)構(gòu)與三電極模塊(4)通過鉑金絲導(dǎo)線(5)連接，且鉑金絲導(dǎo)線(5)置于空氣介質(zhì)中；
所述三電極模塊(4)為表面具有鉑金鍍層的氧化鋁陶瓷基體；
所述接線端子結(jié)構(gòu)還與三通軸穿艙連接器(7)、高阻計(jì)(9)、直流穩(wěn)壓電源(12)串聯(lián)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高溫環(huán)境下絕緣材料電阻及電阻率的測試裝置，其特征在于，所述接線端子結(jié)構(gòu)包括兩個(gè)陶瓷絕緣接線端子(8)，兩個(gè)陶瓷絕緣接線端子(8)均通過鉑金絲導(dǎo)線(5)與三電極模塊(4)連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高溫環(huán)境下絕緣材料電阻及電阻率的測試裝置，其特征在于，所述鉑金絲導(dǎo)線(5)穿過高溫電爐(1)的孔隙，該孔隙填充有空氣介質(zhì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高溫環(huán)境下絕緣材料電阻及電阻率的測試裝置，其特征在于，所述鉑金鍍層的厚度為5-20μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高溫環(huán)境下絕緣材料電阻及電阻率的測試裝置，其特征在于，所述三電極模塊(4)設(shè)置在內(nèi)屏蔽箱2底部的剛玉底座(6)上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高溫環(huán)境下絕緣材料電阻及電阻率的測試裝置，其特征在于，所述三電極模塊(4)上豎直設(shè)置有剛玉導(dǎo)桿(11)，剛玉導(dǎo)桿(11)伸出高溫電爐(1)的外部。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高溫環(huán)境下絕緣材料電阻及電阻率的測試裝置，其特征在于，所述伸出高溫電爐(1)外部的剛玉導(dǎo)桿(11)上設(shè)置有彈簧加壓裝置(10)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高溫環(huán)境下絕緣材料電阻及電阻率的測試裝置，其特征在于，所述彈簧加壓裝置(10)、接線端子結(jié)構(gòu)均設(shè)置在外屏蔽箱(3)內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高溫環(huán)境下絕緣材料電阻及電阻率的測試裝置，其特征在于，所述高阻計(jì)(9)為6517B高阻計(jì)。