本發(fā)明屬于電力領(lǐng)域，尤其涉及一種基于低頻注入技術(shù)的絕緣電阻檢測方法及裝置。

背景技術(shù)：

光伏發(fā)電、儲能和電動汽車領(lǐng)域中都需要使用高壓的電力系統(tǒng)，有時候使用環(huán)境會出現(xiàn)比較惡劣的環(huán)境，為了保證高壓的電力系統(tǒng)正常運行，防止漏電事故，對高壓電池系統(tǒng)的正負極對地絕緣電阻進行檢測顯得尤為重要。

現(xiàn)有技術(shù)中，絕緣電阻檢測技術(shù)中低頻注入法是近幾年采用的一種檢測技術(shù)。在使用此方法檢測過程中，受到電力系統(tǒng)對地分布電容的影響，在線檢測絕緣電阻時的電壓波形會由于分布電容的影響而變形，在短時間內(nèi)無法達到穩(wěn)態(tài)，從而造成檢測誤差。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種基于低頻注入技術(shù)的絕緣電阻檢測方法及裝置，旨在解決由于使用低頻注入法會受到分布電容影響而導(dǎo)致在線檢測絕緣電阻時的電壓波形變形，從而造成檢測誤差的問題。

本發(fā)明提供的一種基于低頻注入技術(shù)的絕緣電阻檢測方法，包括：在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中構(gòu)建神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型，所述神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型包括各分布電容值下不同阻值的樣本電阻，所述樣本電阻對應(yīng)的樣本電壓值軌跡以及所述樣本電阻對應(yīng)的穩(wěn)態(tài)電壓；按照預(yù)置時間間隔實時對所述目標電阻端的電壓值進行采集，根據(jù)采集到的電壓值確定所述目標電阻端的電壓值波形處于上升沿階段或者下降沿階段，并按照所述預(yù)置時間間隔采集所述目標電阻端的電壓值波形中上升沿或下降沿中的預(yù)置時間段內(nèi)的目標電壓值；通過所述神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)將所述采集到的目標電壓值組成待比對的電壓值軌跡，并在所述神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型中查找與所述待比對的電壓值軌跡完全相同的目標樣本電壓值軌跡；在所述神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型中查找所述目標樣本電壓值軌跡對應(yīng)的目標穩(wěn)態(tài)電壓，并根據(jù)所述目標穩(wěn)態(tài)電壓、所述目標電阻對應(yīng)的分布電容值、所述目標電阻的阻值和預(yù)置電阻值算出待檢測正極絕緣電阻和待檢測負極絕緣電阻的阻值。

本發(fā)明提供的一種基于低頻注入技術(shù)的絕緣電阻檢測裝置，包括：創(chuàng)建模塊，用于在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中構(gòu)建神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型，所述神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型包括各分布電容值下不同阻值的樣本電阻，所述樣本電阻對應(yīng)的樣本電壓值軌跡以及所述樣本電阻對應(yīng)的穩(wěn)態(tài)電壓；采集模塊，用于按照預(yù)置時間間隔實時對所述目標電阻端的電壓值進行采集，根據(jù)采集到的電壓值確定所述目標電阻端的電壓值波形處于上升沿階段或者下降沿階段，并按照所述預(yù)置時間間隔采集所述目標電阻端的電壓值波形中上升沿或下降沿中的預(yù)置時間段內(nèi)的目標電壓值；比對控制模塊，用于通過所述神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)將所述采集到的目標電壓值組成待比對的電壓值軌跡，并在所述神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型中查找與所述待比對的電壓值軌跡完全相同的目標樣本電壓值軌跡；計算模塊，用于在所述神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型中查找所述目標樣本電壓值軌跡對應(yīng)的目標穩(wěn)態(tài)電壓，并根據(jù)所述目標穩(wěn)態(tài)電壓、所述目標電阻對應(yīng)的分布電容值、所述目標電阻的阻值和預(yù)置電阻值算出待檢測正極絕緣電阻和待檢測負極絕緣電阻的阻值。

本發(fā)明提供的基于低頻注入技術(shù)的絕緣電阻檢測方法及裝置，在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中構(gòu)建神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型，按照預(yù)置時間間隔實時對該目標電阻端的電壓值進行采集，根據(jù)采集到的電壓值確定該目標電阻端的電壓值波形處于上升沿階段或者下降沿階段，并按照該預(yù)置時間間隔采集該目標電阻端的電壓值波形中上升沿或下降沿中的預(yù)置時間段內(nèi)的目標電壓值，通過該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)將該采集到的目標電壓值組成待比對的電壓值軌跡，并將該待比對的電壓值軌跡分別與該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型中的各樣本電壓值軌跡進行比對，得到與該待比對的電壓值軌跡完全相同的目標樣本電壓值軌跡，在該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型中查找該目標樣本電壓值軌跡對應(yīng)的目標穩(wěn)態(tài)電壓，并根據(jù)該目標穩(wěn)態(tài)電壓、該目標電阻對應(yīng)的分布電容值、該目標電阻的阻值和預(yù)置電阻值算出正極絕緣電阻和負極絕緣電阻的阻值，這樣通過預(yù)先創(chuàng)建的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模塊只提取預(yù)置時間段內(nèi)的電壓值形成該待比對的電壓值軌跡，故可以快速的確定目標電阻端的穩(wěn)態(tài)電壓，同時也克服了分布電容對電壓波形的干擾，從而提高了檢測精度。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例。

圖1是本發(fā)明第一實施例提供的基于低頻注入技術(shù)的絕緣電阻檢測方法的實現(xiàn)流程示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例中，低頻注入技術(shù)的檢測電路的結(jié)構(gòu)圖；

圖3是本發(fā)明第二實施例提供的基于低頻注入技術(shù)的絕緣電阻檢測方法的實現(xiàn)流程示意圖；

圖4是本發(fā)明實施例中樣本電阻端的電壓值波形的示意圖；

圖5是本發(fā)明第三實施例提供的基于低頻注入技術(shù)的絕緣電阻檢測裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明第四實施例提供的基于三軸加速度傳感器的計步裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為使得本發(fā)明的發(fā)明目的、特征、優(yōu)點能夠更加的明顯和易懂，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而非全部實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

請參閱圖1，圖1為本發(fā)明第一實施例提供基于低頻注入技術(shù)的絕緣電阻檢測方法的實現(xiàn)流程示意圖，可應(yīng)用于電力系統(tǒng)中，圖1所示的基于低頻注入技術(shù)的絕緣電阻檢測方法，主要包括以下步驟：

S101、在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中構(gòu)建神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型。

該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型包括各分布電容值下不同阻值的樣本電阻，該樣本電阻對應(yīng)的樣本電壓值軌跡以及該樣本電阻對應(yīng)的穩(wěn)態(tài)電壓。

S102、按照預(yù)置時間間隔實時對該目標電阻端的電壓值進行采集，根據(jù)采集到的電壓值確定該目標電阻端的電壓值波形處于上升沿階段或者下降沿階段，并按照該預(yù)置時間間隔采集該目標電阻端的電壓值波形中上升沿或下降沿中的預(yù)置時間段內(nèi)的目標電壓值。

根據(jù)采集到的電壓值可以確定該目標電阻端的電壓值波形處于的上升沿或下降沿的階段。還可以通過上升沿的斜率或下降沿的斜率進一步確定波形所處的階段?？蛇x地，通過預(yù)先采集多個樣本電壓值波形的斜率，得到處于上升沿或下降沿的斜率范圍，然后根據(jù)該斜率范圍可以最終確定該目標電阻端的電壓值波形處于的上升沿或下降沿的階段，這樣可以更加準確確定目標電阻端的電壓值波形所處的階段。

該目標電阻為待測量穩(wěn)態(tài)電壓的電阻，該電阻也是絕緣電阻。本發(fā)明是基于低頻注入技術(shù)，低頻注入技術(shù)的檢測電路如圖2所示。圖2中R_f電阻為待測量穩(wěn)態(tài)電壓的電阻。預(yù)置時間段的取值為幾秒鐘，故該預(yù)置時間間隔為毫秒級，如2毫秒、5毫秒或4毫秒等。預(yù)置時間段取值較小，如1秒或者2秒，這樣可以節(jié)省檢測時間，由于檢測絕緣電阻是為了防止漏電事故，所以檢測時間很重要，如果發(fā)生了漏電事故也能夠在短時間內(nèi)發(fā)現(xiàn)；如果預(yù)置時間段過長，則可能目標電阻端的電壓已經(jīng)達到穩(wěn)態(tài)，就不需要執(zhí)行步驟S103，同時也達不到上述的節(jié)省檢測時間的效果。

S103、通過該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)將該采集到的目標電壓值組成待比對的電壓值軌跡，并在該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型中查找與該待比對的電壓值軌跡完全相同的目標樣本電壓值軌跡。

通過神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)可以將采集到的電壓值組成一個待比對的電壓值軌跡，然后在已創(chuàng)建好的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型中查找與該軌跡完全相同的目標樣本電壓值軌跡。

S104、在該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型中查找該目標樣本電壓值軌跡對應(yīng)的目標穩(wěn)態(tài)電壓，并根據(jù)該目標穩(wěn)態(tài)電壓、該目標電阻對應(yīng)的分布電容值、該目標電阻的阻值和預(yù)置電阻值算出待檢測正極絕緣電阻和待檢測負極絕緣電阻的阻值。

如圖2所示，該分布電容值為正極分布電容C_P和負極分布電容C_n、該目標電阻為R_f、該預(yù)置電阻值為R1和R2以及該待檢測正極絕緣電阻為R_p和待檢測負極絕緣電阻為R_n。目標穩(wěn)態(tài)電壓為R_f兩端的電壓，其中，正極分布電容C_P和負極分布電容C_n、預(yù)置電阻值R1和R2的阻值和目標電阻R_f的阻值均為已知參數(shù)，利用圖2所示的電路就可以計算出待檢測正極絕緣電阻和待檢測負極絕緣電阻的阻值。

本發(fā)明實施例中，在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中構(gòu)建神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型，按照預(yù)置時間間隔實時對該目標電阻端的電壓值進行采集，根據(jù)采集到的電壓值確定該目標電阻端的電壓值波形處于上升沿階段或者下降沿階段，并按照該預(yù)置時間間隔采集該目標電阻端的電壓值波形中上升沿或下降沿中的預(yù)置時間段內(nèi)的目標電壓值，通過該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)將該采集到的目標電壓值組成待比對的電壓值軌跡，并在該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型中查找與該待比對的電壓值軌跡完全相同的目標樣本電壓值軌跡，在該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型中查找該目標樣本電壓值軌跡對應(yīng)的目標穩(wěn)態(tài)電壓，并根據(jù)該目標穩(wěn)態(tài)電壓、該目標電阻對應(yīng)的分布電容值、該目標電阻的阻值和預(yù)置電阻值算出待檢測正極絕緣電阻和待檢測負極絕緣電阻的阻值，這樣通過預(yù)先創(chuàng)建的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模塊只提取預(yù)置時間段內(nèi)的電壓值形成該待比對的電壓值軌跡，故可以快速的確定目標電阻端的穩(wěn)態(tài)電壓，同時也克服了分布電容對電壓波形的干擾，從而提高了檢測精度。

請參閱圖3，圖3為本發(fā)明第二實施例提供的基于低頻注入技術(shù)的絕緣電阻檢測方法的實現(xiàn)流程示意圖，可應(yīng)用于電力系統(tǒng)，圖3所示的基于低頻注入技術(shù)的絕緣電阻檢測方法，主要包括以下步驟：

S301、創(chuàng)建離線數(shù)據(jù)庫。

該離線數(shù)據(jù)庫用于存儲各分布電容值下不同阻值的樣本電阻端的穩(wěn)態(tài)電壓值，以及該樣本電阻端的電壓值波形。例如，如果樣本電阻的阻值為2mΩ，在分布電容值為200nF下的樣本電阻端的穩(wěn)態(tài)電壓和在分布電容值為500nF下的樣本電阻端的穩(wěn)態(tài)電壓；如果樣本電阻的阻值為10kΩ下，在分布電容值為200nF下的樣本電阻端的穩(wěn)態(tài)電壓和在分布電容值為500nF下的樣本電阻端的穩(wěn)態(tài)電壓。

S302、在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中構(gòu)建神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型。

該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型包括各分布電容值下不同阻值的樣本電阻，該樣本電阻對應(yīng)的樣本電壓值軌跡以及該樣本電阻對應(yīng)的穩(wěn)態(tài)電壓。

可選地，在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中構(gòu)建神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型具體為：

從該離線數(shù)據(jù)庫中獲取該各分布電容值下樣本電阻端的電壓值波形、該各分布電容值下不同阻值的樣本電阻端的穩(wěn)態(tài)電壓值；

從該各分布電容值下樣本電阻端的電壓值波形中提取待采集的上升沿和下降沿；

按照該預(yù)置時間間隔分別采集該待采集的上升沿和下降沿中的該預(yù)置時間段內(nèi)的電壓樣本點；

通過該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)將該各分布電容值下的樣本電阻、該樣本電阻對應(yīng)的電壓樣本點、該樣本電阻端的穩(wěn)態(tài)電壓值進行訓(xùn)練，得到該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型。

該預(yù)置時間段的取值范圍為該電壓值波形中上升沿或下降沿的波段內(nèi)前2秒內(nèi)，即該預(yù)置時間段可以在該電壓值波形中上升沿或下降沿的波段內(nèi)前2秒內(nèi)任意取值，如前1秒內(nèi)，前1.5秒內(nèi)。該預(yù)置時間間隔為毫秒級，如2毫秒、5毫秒或4毫秒等。例如，每5毫秒分別采集該待采集的上升沿和下降沿中的前1秒內(nèi)的電壓樣本點。如圖4所示，圖4為樣本電阻端的電壓值波形的示意圖，橫軸為時間，單位為毫秒，縱軸為電壓值，單位為伏特。圖4中As-Ae段為波形的下降沿，Bs-Be段為波形的上升沿。舉例說明如何在圖4中采集電壓值：若該預(yù)置時間段為該電壓值波形中上升沿或下降沿的波段內(nèi)前2秒且該預(yù)置時間間隔為5毫秒，則在As-Ae段內(nèi)的前2秒內(nèi)每隔5毫秒采集電壓值，以及在Bs-Be段內(nèi)的前2秒內(nèi)每隔5毫秒采集電壓值，其中As-Ae段采集電壓值的起始位置為點As，Bs-Be段采集電壓值的起始位置為點Bs。

該預(yù)置時間段的取值范圍為該電壓值波形中上升沿的波段內(nèi)前2秒內(nèi)中，前2秒內(nèi)的起始點為該電壓值波形中剛進入上升沿的點(如圖4中As點)，前2秒內(nèi)的終點為沿著該上升沿經(jīng)過2秒鐘時的點，同理下降沿也是如此，此處不再贅述。

在實際應(yīng)用中，目標電阻端也可以形成類似于樣本電阻端的電壓值軌跡。

S303、按照預(yù)置時間間隔實時對該目標電阻端的電壓值進行采集，根據(jù)采集到的電壓值確定該目標電阻端的電壓值波形處于上升沿階段或者下降沿階段，并按照該預(yù)置時間間隔采集該目標電阻端的電壓值波形中上升沿或下降沿中的預(yù)置時間段內(nèi)的目標電壓值。

根據(jù)采集到的電壓值可以確定該目標電阻端的電壓值波形處于的上升沿或下降沿的階段。還可以通過上升沿的斜率或下降沿的斜率進一步確定波形所處的階段?？蛇x地，通過預(yù)先采集多個樣本電壓值波形的斜率，得到處于上升沿或下降沿的斜率范圍，然后根據(jù)該斜率范圍可以最終確定該目標電阻端的電壓值波形處于的上升沿或下降沿的階段，這樣可以更加準確確定目標電阻端的電壓值波形所處的階段。

需要說明的是，該預(yù)置時間間隔與步驟S302中的預(yù)置時間間隔取值相同，該預(yù)置時間段與步驟S302中的預(yù)置時間段的取值相同，同時該樣本電阻對應(yīng)的采集電壓樣本點的規(guī)則與該目標電阻對應(yīng)采集目標電壓值的規(guī)則完全相同。

S304、通過該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)將該采集到的目標電壓值組成待比對的電壓值軌跡，并在該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型中查找與該待比對的電壓值軌跡完全相同的目標樣本電壓值軌跡。

S305、在該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型中查找該目標樣本電壓值軌跡對應(yīng)的目標穩(wěn)態(tài)電壓，并根據(jù)該目標穩(wěn)態(tài)電壓、該目標電阻對應(yīng)的分布電容值、該目標電阻的阻值和預(yù)置電阻值算出待檢測正極絕緣電阻和待檢測負極絕緣電阻的阻值。

可選地，將根據(jù)該目標穩(wěn)態(tài)電壓、該目標電阻對應(yīng)的分布電容值、該目標電阻的阻值和預(yù)置電阻值算出待檢測正極絕緣電阻和待檢測負極絕緣電阻的阻值具體為：

利用低頻注入技術(shù)的檢測絕緣電阻的電路，并根據(jù)該目標穩(wěn)態(tài)電壓、該目標電阻對應(yīng)的分布電容值、該目標電阻的阻值和預(yù)置電阻值算出該待檢測正極絕緣電阻和該待檢測負極絕緣電阻的阻值。

低頻注入技術(shù)的檢測絕緣電阻的電路為圖2所示。該分布電容值為正極分布電容C_P和負極分布電容C_n、該目標電阻為R_f、該預(yù)置電阻值為R1和R2以及該待檢測正極絕緣電阻為R_p和待檢測負極絕緣電阻為R_n。目標穩(wěn)態(tài)電壓為R兩端的電壓。由于目標電阻R_f、預(yù)置電阻值R1和R2、正極分布電容C_P和負極分布電容C_n均是已知參數(shù)且二者的電容值相同，在上述步驟中已得到目標電阻R_f端的穩(wěn)態(tài)電壓，則利用圖2所示的電路就可以計算出待檢測正極絕緣電阻R的阻值和待檢測負極絕緣電阻R_n的阻值。

需要說明的是，待比對的電壓值軌跡對應(yīng)的分布電容值(即，目標電阻對應(yīng)的分布電容值)與步驟S304中查找到的目標樣本電壓值軌跡對應(yīng)的分布電容值是相同的。在步驟S305中，若該目標電阻對應(yīng)的分布電容值為200nF，則正極分布電容C_P為200nF和負極分布電容C_n為200nF。

需要說明的是，按照該預(yù)置時間間隔分別采集該待采集的上升沿和下降沿中的該預(yù)置時間段內(nèi)的電壓樣本點，這一步驟中電壓樣本點均位于待采集的上升沿或者下降沿上；同樣地，在步驟S303中，按照該預(yù)置時間間隔采集該目標電阻端的電壓值波形中上升沿或下降沿中的預(yù)置時間段內(nèi)的目標電壓值，這一步驟中目標電壓值也均位于該目標電阻端的電壓值波形中上升沿或下降沿上。

本發(fā)明實施例中，創(chuàng)建離線數(shù)據(jù)庫，在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中構(gòu)建神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型，按照預(yù)置時間間隔實時對該目標電阻端的電壓值進行采集，根據(jù)采集到的電壓值確定該目標電阻端的電壓值波形處于上升沿階段或者下降沿階段，并按照該預(yù)置時間間隔采集該目標電阻端的電壓值波形中上升沿或下降沿中的預(yù)置時間段內(nèi)的目標電壓值，通過該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)將該采集到的目標電壓值組成待比對的電壓值軌跡，并在該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型中查找與該待比對的電壓值軌跡完全相同的目標樣本電壓值軌跡，在該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型中查找該目標樣本電壓值軌跡對應(yīng)的目標穩(wěn)態(tài)電壓，并根據(jù)該目標穩(wěn)態(tài)電壓、該目標電阻對應(yīng)的分布電容值、該目標電阻的阻值和預(yù)置電阻值算出待檢測正極絕緣電阻和待檢測負極絕緣電阻的阻值，這樣通過預(yù)先創(chuàng)建的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模塊只提取預(yù)置時間段內(nèi)的電壓值形成該待比對的電壓值軌跡，故可以快速的確定目標電阻端的穩(wěn)態(tài)電壓，同時也克服了分布電容對電壓波形的干擾，從而提高了檢測精度。

請參閱圖5，圖5是本發(fā)明第三實施例提供的基于低頻注入技術(shù)的絕緣電阻檢測裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，為了便于說明，僅示出了與本發(fā)明實施例相關(guān)的部分。圖5示例的基于低頻注入技術(shù)的絕緣電阻檢測裝置可以是前述圖1和圖3所示實施例提供的基于低頻注入技術(shù)的絕緣電阻檢測方法的執(zhí)行主體。圖5示例的基于低頻注入技術(shù)的絕緣電阻檢測裝置，主要包括：創(chuàng)建模塊501、采集模塊502、比對控制模塊503和計算模塊504。以上各功能模塊詳細說明如下：

創(chuàng)建模塊501，用于在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中構(gòu)建神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型，該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型包括各分布電容值下不同阻值的樣本電阻，該樣本電阻對應(yīng)的樣本電壓值軌跡以及該樣本電阻對應(yīng)的穩(wěn)態(tài)電壓；

采集模塊502，用于按照預(yù)置時間間隔實時對該目標電阻端的電壓值進行采集，根據(jù)采集到的電壓值確定該目標電阻端的電壓值波形處于上升沿階段或者下降沿階段，并按照該預(yù)置時間間隔采集該目標電阻端的電壓值波形中上升沿或下降沿中的預(yù)置時間段內(nèi)的目標電壓值；

比對控制模塊503，用于通過該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)將該采集到的目標電壓值組成待比對的電壓值軌跡，并在該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型中查找與該待比對的電壓值軌跡完全相同的目標樣本電壓值軌跡；

計算模塊504，用于在該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型中查找該目標樣本電壓值軌跡對應(yīng)的目標穩(wěn)態(tài)電壓，并根據(jù)該目標穩(wěn)態(tài)電壓、該目標電阻對應(yīng)的分布電容值、該目標電阻的阻值和預(yù)置電阻值算出待檢測正極絕緣電阻和待檢測負極絕緣電阻的阻值。

本實施例未盡之細節(jié)，請參閱前述圖1所示實施例的描述，此處不再贅述。

需要說明的是，以上圖5示例的基于低頻注入技術(shù)的絕緣電阻檢測裝置的實施方式中，各功能模塊的劃分僅是舉例說明，實際應(yīng)用中可以根據(jù)需要，例如相應(yīng)硬件的配置要求或者軟件的實現(xiàn)的便利考慮，而將上述功能分配由不同的功能模塊完成，即將圖像處理裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)劃分成不同的功能模塊，以完成以上描述的全部或者部分功能。而且，實際應(yīng)用中，本實施例中的相應(yīng)的功能模塊可以是由相應(yīng)的硬件實現(xiàn)，也可以由相應(yīng)的硬件執(zhí)行相應(yīng)的軟件完成。本說明書提供的各個實施例都可應(yīng)用上述描述原則，以下不再贅述。

本發(fā)明實施例中，創(chuàng)建模塊501在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中構(gòu)建神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型，該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型包括各分布電容值下不同阻值的樣本電阻，該樣本電阻對應(yīng)的樣本電壓值軌跡以及該樣本電阻對應(yīng)的穩(wěn)態(tài)電壓，采集模塊502按照預(yù)置時間間隔實時對該目標電阻端的電壓值進行采集，根據(jù)采集到的電壓值確定該目標電阻端的電壓值波形處于上升沿階段或者下降沿階段，并按照該預(yù)置時間間隔采集該目標電阻端的電壓值波形中上升沿或下降沿中的預(yù)置時間段內(nèi)的目標電壓值，比對控制模塊503通過該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)將該采集到的目標電壓值組成待比對的電壓值軌跡，并在該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型中查找與該待比對的電壓值軌跡完全相同的目標樣本電壓值軌跡，計算模塊504在該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型中查找該目標樣本電壓值軌跡對應(yīng)的目標穩(wěn)態(tài)電壓，并根據(jù)該目標穩(wěn)態(tài)電壓、該目標電阻對應(yīng)的分布電容值、該目標電阻的阻值和預(yù)置電阻值算出待檢測正極絕緣電阻和待檢測負極絕緣電阻的阻值，這樣通過預(yù)先創(chuàng)建的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模塊只提取預(yù)置時間段內(nèi)的電壓值形成該待比對的電壓值軌跡，故可以快速的確定目標電阻端的穩(wěn)態(tài)電壓，同時也克服了分布電容對電壓波形的干擾，從而提高了檢測精度。

請參閱圖6，圖6為本發(fā)明第四實施例提供的基于低頻注入技術(shù)的絕緣電阻檢測裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，為了便于說明，僅示出了與本發(fā)明實施例相關(guān)的部分。圖6示例的基于低頻注入技術(shù)的絕緣電阻檢測裝置可以是前述圖1和圖2所示實施例提供的基于低頻注入技術(shù)的絕緣電阻檢測方法的執(zhí)行主體。圖6示例的基于低頻注入技術(shù)的絕緣電阻檢測裝置，主要包括：創(chuàng)建模塊601、采集模塊602、比對控制模塊603和計算模塊604，其中創(chuàng)建模塊601包括：獲取子模塊6011、提取子模塊6012、采集子模塊6013和訓(xùn)練控制子模塊6014。以上各功能模塊詳細說明如下：

創(chuàng)建模塊601，用于創(chuàng)建離線數(shù)據(jù)庫。

該離線數(shù)據(jù)庫用于存儲各分布電容值下不同阻值的樣本電阻端的穩(wěn)態(tài)電壓值，以及該樣本電阻端的電壓值波形。例如，如果樣本電阻的阻值為2mΩ，在分布電容值為200nF下的樣本電阻端的穩(wěn)態(tài)電壓和在分布電容值為500nF下的樣本電阻端的穩(wěn)態(tài)電壓；如果樣本電阻的阻值為10kΩ下，在分布電容值為200nF下的樣本電阻端的穩(wěn)態(tài)電壓和在分布電容值為500nF下的樣本電阻端的穩(wěn)態(tài)電壓。

創(chuàng)建模塊601，還用于在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中構(gòu)建神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型。

該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型包括各分布電容值下不同阻值的樣本電阻，該樣本電阻對應(yīng)的樣本電壓值軌跡以及該樣本電阻對應(yīng)的穩(wěn)態(tài)電壓。

可選地，創(chuàng)建模塊601包括：獲取子模塊6011、提取子模塊6012、采集子模塊6013和訓(xùn)練控制子模塊6014；

獲取子模塊6011，用于從該離線數(shù)據(jù)庫中獲取該各分布電容值下樣本電阻端的電壓值波形、該各分布電容值下不同阻值的樣本電阻端的穩(wěn)態(tài)電壓值；

提取子模塊6012，用于從該各分布電容值下樣本電阻端的電壓值波形中提取待采集的上升沿和下降沿；

采集子模塊6013，用于按照該預(yù)置時間間隔分別采集該待采集的上升沿和下降沿中的該預(yù)置時間段內(nèi)的電壓樣本點；

訓(xùn)練控制子模塊6014，用于通過該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)將該各分布電容值下的樣本電阻、該樣本電阻對應(yīng)的電壓樣本點、該樣本電阻端的穩(wěn)態(tài)電壓值進行訓(xùn)練，得到該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型。

該預(yù)置時間段的取值范圍為該電壓值波形中上升沿或下降沿的波段內(nèi)前2秒內(nèi)。該預(yù)置時間間隔為毫秒級，如2毫秒、5毫秒或4毫秒等。例如，每5毫秒分別采集該待采集的上升沿和下降沿中的前1秒內(nèi)的電壓樣本點。如圖4所示，橫軸為時間，單位為毫秒，縱軸為電壓值，單位為伏特。圖4中As-Ae段為波形的下降沿，Bs-Be段為波形的上升沿。舉例說明如何在圖4中采集電壓值：若該預(yù)置時間段為該電壓值波形中上升沿或下降沿的波段內(nèi)前2秒且該預(yù)置時間間隔為5毫秒，則在As-Ae段內(nèi)的前2秒內(nèi)每隔5毫秒采集電壓值，以及在Bs-Be段內(nèi)的前2秒內(nèi)每隔5毫秒采集電壓值，其中As-Ae段采集電壓值的起始位置為點As，Bs-Be段采集電壓值的起始位置為點Bs。

該預(yù)置時間段的取值范圍為該電壓值波形中上升沿的波段內(nèi)前2秒內(nèi)中，前2秒內(nèi)的起始點為該電壓值波形中剛進入上升沿的點(如圖4中As點)，前2秒內(nèi)的終點為沿著該上升沿經(jīng)過2秒鐘時的點，同理下降沿也是如此，此處不再贅述。

采集模塊602，用于按照預(yù)置時間間隔實時對該目標電阻端的電壓值進行采集，根據(jù)采集到的電壓值確定該目標電阻端的電壓值波形處于上升沿階段或者下降沿階段，并按照該預(yù)置時間間隔采集該目標電阻端的電壓值波形中上升沿或下降沿中的預(yù)置時間段內(nèi)的目標電壓值。

根據(jù)采集到的電壓值可以確定該目標電阻端的電壓值波形處于的上升沿或下降沿的階段。還可以通過上升沿的斜率或下降沿的斜率進一步確定波形所處的階段?？蛇x地，采集模塊602還用于通過預(yù)先采集多個樣本電壓值波形的斜率，得到處于上升沿或下降沿的斜率范圍，然后根據(jù)該斜率范圍可以最終確定該目標電阻端的電壓值波形處于的上升沿或下降沿的階段，這樣可以更加準確確定目標電阻端的電壓值波形所處的階段。

比對控制模塊603，用于通過該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)將該采集到的目標電壓值組成待比對的電壓值軌跡，并在該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型中查找與該待比對的電壓值軌跡完全相同的目標樣本電壓值軌跡。

計算模塊604，用于在該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型中查找該目標樣本電壓值軌跡對應(yīng)的目標穩(wěn)態(tài)電壓，并根據(jù)該目標穩(wěn)態(tài)電壓、該目標電阻對應(yīng)的分布電容值、該目標電阻的阻值和預(yù)置電阻值算出待檢測正極絕緣電阻和待檢測負極絕緣電阻的阻值。

可選地，計算模塊604還用于利用低頻注入技術(shù)的檢測絕緣電阻的電路，并根據(jù)該目標穩(wěn)態(tài)電壓、該目標電阻對應(yīng)的分布電容值、該目標電阻的阻值和預(yù)置電阻值算出該待檢測正極絕緣電阻和該待檢測負極絕緣電阻的阻值。

低頻注入技術(shù)的檢測絕緣電阻的電路為圖2所示。該分布電容值為正極分布電容C_P和負極分布電容C_n、該目標電阻為R_f、該預(yù)置電阻值為R1和R2以及該待檢測正極絕緣電阻為R_p和待檢測負極絕緣電阻為R_n。目標穩(wěn)態(tài)電壓為R兩端的電壓。由于目標電阻R_f、預(yù)置電阻值R1和R2、正極分布電容C_P和負極分布電容C_n均是已知參數(shù)且二者的電容值相同，在上述步驟中已得到目標電阻R_f端的穩(wěn)態(tài)電壓，則利用圖2所示的電路就可以計算出待檢測正極絕緣電阻R的阻值和待檢測負極絕緣電阻R_n的阻值。

本實施例未盡之細節(jié)，請參閱前述圖1和圖3所示實施例的描述，此處不再贅述。

本發(fā)明實施例中，創(chuàng)建模塊601創(chuàng)建離線數(shù)據(jù)庫，并在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中構(gòu)建神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型，采集模塊602按照預(yù)置時間間隔實時對該目標電阻端的電壓值進行采集，根據(jù)采集到的電壓值確定該目標電阻端的電壓值波形處于上升沿階段或者下降沿階段，并按照該預(yù)置時間間隔采集該目標電阻端的電壓值波形中上升沿或下降沿中的預(yù)置時間段內(nèi)的目標電壓值，比對控制模塊603通過該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)將該采集到的目標電壓值組成待比對的電壓值軌跡，并在該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型中查找與該待比對的電壓值軌跡完全相同的目標樣本電壓值軌跡，在該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型中查找該目標樣本電壓值軌跡對應(yīng)的目標穩(wěn)態(tài)電壓，計算模塊604根據(jù)該目標穩(wěn)態(tài)電壓、該目標電阻對應(yīng)的分布電容值、該目標電阻的阻值和預(yù)置電阻值算出待檢測正極絕緣電阻和待檢測負極絕緣電阻的阻值，這樣通過預(yù)先創(chuàng)建的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模塊只提取預(yù)置時間段內(nèi)的電壓值形成該待比對的電壓值軌跡，故可以快速的確定目標電阻端的穩(wěn)態(tài)電壓，同時也克服了分布電容對電壓波形的干擾，從而提高了檢測精度。

在本申請所提供的多個實施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的系統(tǒng)、裝置和方法，可以通過其它的方式實現(xiàn)。例如，以上所描述的裝置實施例僅僅是示意性的，例如，所述模塊的劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實際實現(xiàn)時可以有另外的劃分方式，例如多個模塊或組件可以結(jié)合或者可以集成到另一個系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另一點，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信鏈接可以是通過一些接口，裝置或模塊的間接耦合或通信鏈接，可以是電性，機械或其它的形式。

所述作為分離部件說明的模塊可以是或者也可以不是物理上分開的，作為模塊顯示的部件可以是或者也可以不是物理模塊，即可以位于一個地方，或者也可以分布到多個網(wǎng)絡(luò)模塊上?？梢愿鶕?jù)實際的需要選擇其中的部分或者全部模塊來實現(xiàn)本實施例方案的目的。

另外，在本發(fā)明各個實施例中的各功能模塊可以集成在一個處理模塊中，也可以是各個模塊單獨物理存在，也可以兩個或兩個以上模塊集成在一個模塊中。上述集成的模塊既可以采用硬件的形式實現(xiàn)，也可以采用軟件功能模塊的形式實現(xiàn)。

所述集成的模塊如果以軟件功能模塊的形式實現(xiàn)并作為獨立的產(chǎn)品銷售或使用時，可以存儲在一個計算機可讀取存儲介質(zhì)中?；谶@樣的理解，本發(fā)明的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說對現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻的部分或者該技術(shù)方案的全部或部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來，該計算機軟件產(chǎn)品存儲在一個存儲介質(zhì)中，包括若干指令用以使得一臺計算機設(shè)備(可以是個人計算機，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本發(fā)明各個實施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲介質(zhì)包括：U盤、移動硬盤、只讀存儲器(ROM，Read-Only Memory)、隨機存取存儲器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)。

需要說明的是，對于前述的各方法實施例，為了簡便描述，故將其都表述為一系列的動作組合，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知悉，本發(fā)明并不受所描述的動作順序的限制，因為依據(jù)本發(fā)明，某些步驟可以采用其它順序或者同時進行。其次，本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該知悉，說明書中所描述的實施例均屬于優(yōu)選實施例，所涉及的動作和模塊并不一定都是本發(fā)明所必須的。

在上述實施例中，對各個實施例的描述都各有側(cè)重，某個實施例中沒有詳述的部分，可以參見其它實施例的相關(guān)描述。

以上為對本發(fā)明所提供的基于低頻注入技術(shù)的絕緣電阻檢測方法及裝置的描述，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實施例的思想，在具體實施方式及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。