技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種基于低頻注入技術(shù)的絕緣電阻檢測方法及裝置，該方法包括：在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中構(gòu)建神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型，通過該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)將該采集到的目標電壓值組成待比對的電壓值軌跡，并將該待比對的電壓值軌跡分別與該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型中的各樣本電壓值軌跡進行比對，得到與該待比對的電壓值軌跡完全相同的目標樣本電壓值軌跡，在該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型中查找該目標樣本電壓值軌跡對應(yīng)的目標穩(wěn)態(tài)電壓，并根據(jù)該目標穩(wěn)態(tài)電壓、該目標電阻對應(yīng)的分布電容值、該目標電阻的阻值和預(yù)置電阻值算出正極絕緣電阻和負極絕緣電阻的阻值，這樣可以快速的確定目標電阻端的穩(wěn)態(tài)電壓，同時也克服了分布電容對電壓波形的干擾，從而提高了檢測精度。

技術(shù)研發(fā)人員：胡秋仔
受保護的技術(shù)使用者：深圳市沃特瑪電池有限公司
文檔號碼：201611085435
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.30
技術(shù)公布日：2017.05.31