技術(shù)特征：

1.一種改善光學電壓互感器內(nèi)電場分布的介質(zhì)包裹法，其特征在于：在高壓電極和地電極間依次設(shè)置第一石英玻璃、電光晶體、第二石英玻璃；所述電光晶體的周側(cè)包設(shè)有氧化鋁陶瓷。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善光學電壓互感器內(nèi)電場分布的介質(zhì)包裹法，其特征在于：所述第一石英玻璃、電光晶體、第二石英玻璃均為圓柱形。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善光學電壓互感器內(nèi)電場分布的介質(zhì)包裹法，其特征在于：所述電光晶體與氧化鋁陶瓷的縱向高度相同。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善光學電壓互感器內(nèi)電場分布的介質(zhì)包裹法，其特征在于：所述電光晶體為鍺酸鉍電光晶體。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善光學電壓互感器內(nèi)電場分布的介質(zhì)包裹法，其特征在于：在光路發(fā)生偏移時，所述氧化鋁陶瓷的厚度滿足以下條件：

其中，ε₁為光路發(fā)生偏移時引入的誤差，d為氧化鋁陶瓷的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善光學電壓互感器內(nèi)電場分布的介質(zhì)包裹法，其特征在于：在電光晶體發(fā)生偏移時，所述氧化鋁陶瓷的厚度滿足以下條件

其中，ε₂為電光晶體發(fā)生偏移時引入的誤差，d為氧化鋁陶瓷的厚度。