本發(fā)明涉及元器件測試領(lǐng)域，特別是指一種異步FIFO特殊功能測試方法。
背景技術(shù)：
：：目前可編程邏輯器件越來越廣泛，種類也越來越多，基于SRAM(StaticRandomAccessMemory)工藝和基于FIFO(FirstInputFirstOutput)工藝都有廣泛的應(yīng)用。前期已經(jīng)對SRAM和FIFO做了大量的技術(shù)研究和測試程序攻關(guān)工作。某些異步FIFO具有ReadDataFlowThrough功能和WriteDataFlowThrough功能。對于ReadDataFlowThrough模式，在向空存儲器寫入一個數(shù)據(jù)后允許立刻將該數(shù)據(jù)讀出。在此期間，管腳信號會有一個脈沖(先由低電平變?yōu)楦唠娖皆儆筛唠娖阶優(yōu)榈碗娖?。對于WriteDataFlowThrough模式，在從滿的存儲器中讀出一個數(shù)據(jù)后允許立刻寫入一個數(shù)據(jù)。在此期間管腳信號也會有一個脈沖(先由低電平變?yōu)楦唠娖皆儆筛唠娖阶優(yōu)榈碗娖?。目前對ReadDataFlowThrough功能測試及WriteDataFlowThrough功能測試關(guān)注甚少，因此需要對ReadDataFlowThrough功能測試以及WriteDataFlowThrough功能測試進行一定的深入研究。技術(shù)實現(xiàn)要素：有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提出一種異步FIFO特殊功能測試方法，完成對于異步芯片的ReadDataFlowThrough功能和WriteDataFlowThrough功能的測試?；谏鲜瞿康谋景l(fā)明提供的一種異步FIFO特殊功能測試方法，包括以下步驟：將被測器件與測試系統(tǒng)平臺連接；在測試系統(tǒng)平臺上定義包括電源管腳在內(nèi)的相關(guān)管腳參數(shù)；在測試系統(tǒng)平臺上定義包括電平參數(shù)和時序參數(shù)在內(nèi)的相關(guān)參數(shù)，并為相關(guān)參數(shù)賦值；建立ReadDataFlowThrough模式和WriteDataFlowThrough模式的測試向量，在功能測試中測試管腳和管腳在脈沖之后的低電平部分，在交流測試中測試管腳和管腳脈沖的高電平部分；建立Testflow，對ReadDataFlowThrough模式與WriteDataFlowThrough模式進行功能驗證。進一步，所述在功能測試中測試管腳和管腳在脈沖之后的低電平部分，包括：對ReadDataFlowThrough模式與WriteDataFlowThrough模式下的功能進行模擬，并將兩種模式下管腳與管腳的采樣時刻設(shè)置在脈沖之后，測試管腳與管腳在脈沖之后的低電平部分。進一步，所述在交流測試中測試管腳和管腳脈沖的高電平部分，包括：采用Specsearch方法對交流參數(shù)tWEF與tRFF進行測試。進一步，所述SpecSearch方法的掃描方法為線性方法，步長為0.1ns。進一步，所述SpecSearch方法按照給定的交流測試電平、時序及向量，掃描被測交流參數(shù)的不同值得到使相應(yīng)的測試向量由PASS到FAIL或者由FAIL到PASS的臨界值，臨界值即為交流參數(shù)tWEF和tRFF的值。進一步，所述采用Specsearch方法對交流參數(shù)tWEF與tRFF進行測試的步驟包括：定義電平相關(guān)參數(shù)，其中ACtest需滿足被測器件數(shù)據(jù)手冊中給定的交流測試條件；定義包括訪問時間、管腳與管腳采樣時刻、交流參數(shù)tWEF與交流參數(shù)tRFF在內(nèi)的相關(guān)時序參數(shù)，其中管腳的采樣時刻等于管腳上升沿時刻加上tWEF，管腳的采樣時刻等于管腳上升沿時刻加上tRFF；建立ReadDataFlowThrough模式和WriteDataFlowThrough模式的測試向量，對兩種模式下的功能進行模擬，驗證和兩個管腳信號脈沖的高電平部分；建立Testflow測試tWEF和tRFF兩個交流參數(shù)，其測試方法為ac_tml.AcTest.SpecSearch。進一步，所述相關(guān)管腳參數(shù)，包括功能測試的參數(shù)與交流參數(shù)測試的參數(shù)在內(nèi)的所有測試所需參數(shù)。進一步，所述相關(guān)電平參數(shù)與時序參數(shù)以及相關(guān)參數(shù)的賦值需滿足功能測試與交流參數(shù)測試的參數(shù)設(shè)置與賦值要求。進一步，所述測試管腳與管腳在脈沖之后的低電平部分，其測試方法為ac_tml.AcTest.FunctionalTest。從上面所述可以看出，本發(fā)明提供的測試方法，實現(xiàn)了對異步FIFO芯片的ReadDataFlowThrough功能測試及WriteDataFlowThrough功能測試，并驗證了ReadDataFlowThrough和WriteDataFlowThrough兩種模式下和兩個管腳的相關(guān)功能，提高了測試覆蓋率，為具備該功能的異步FIFO測試開發(fā)奠定技術(shù)基礎(chǔ)。同時在測試過程中減少了測試時間，提高了測試效率。附圖說明圖1為本發(fā)明實施例的用于進行異步FIFO特殊功能測試的測試平臺的連接圖；圖2為本發(fā)明實施例的異步FIFO特殊功能測試方法的流程圖；圖3為本發(fā)明實施例的ReadDataFlowThrough模式的時序圖；圖4為本發(fā)明實施例的WriteDataFlowThrough模式的時序圖。具體實施方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合具體實施例，并參照附圖，對本發(fā)明進一步詳細說明。需要說明的是，本發(fā)明實施例中所有使用“第一”和“第二”的表述均是為了區(qū)分兩個相同名稱非相同的實體或者非相同的參量，可見“第一”“第二”僅為了表述的方便，不應(yīng)理解為對本發(fā)明實施例的限定，后續(xù)實施例對此不再一一說明。本發(fā)明采用V93000系統(tǒng)對芯片進行測試，如圖1所示，為本發(fā)明實施例的用于進行特殊功能測試的測試平臺的連接圖。其中被測器件IDT72V06為一具有ReadDataFlowThrough模式與WriteDataFlowThrough模式的異步FIFO芯片。DPS為V93000系統(tǒng)的電源通道，管腳1～25為V93000系統(tǒng)的數(shù)字通道。V93000系統(tǒng)的DPS給芯片IDT72V06的Vcc管腳提供電源電壓，V93000系統(tǒng)的數(shù)字通道給芯片IDT72V06的D8～D0、管腳提供輸入信號，芯片IDT72V06的Q8～Q0、管腳輸出信號到V93000系統(tǒng)的數(shù)字通道以供其采樣，芯片IDT72V06的和GND管腳接地。對于ReadDataFlowThrough模式，在向空存儲器寫入一個數(shù)據(jù)后允許立刻將該數(shù)據(jù)讀出。在此期間，管腳信號會有一個脈沖(先由低電平變?yōu)楦唠娖皆儆筛唠娖阶優(yōu)榈碗娖?。對于WriteDataFlowThrough模式，在從滿的存儲器中讀出一個數(shù)據(jù)后允許立刻寫入一個數(shù)據(jù)。在此期間，管腳信號也會有一個脈沖(先由低電平變?yōu)楦唠娖皆儆筛唠娖阶優(yōu)榈碗娖?。在具體的調(diào)試過程中發(fā)現(xiàn)ReadDataFlowThrough模式與WriteDataFlowThrough模式下管腳和管腳的脈沖寬度很窄，導(dǎo)致在較短時間內(nèi)即需要重新調(diào)整參數(shù)重新測試，使測試時間延長，測試效率降低，不便于通用性測試。故本發(fā)明通過功能測試與交流參數(shù)測試兩種方式完成以上兩種模式的測試：在功能測試中，測試管腳和管腳在脈沖之后的低電平部分；在交流測試中，測試管腳和管腳脈沖的高電平部分。參照圖2所示，示出了本發(fā)明實施例的異步FIFO特殊功能測試方法的流程圖，其包括以下步驟：S100：將被測器件與測試系統(tǒng)平臺連接；S200：在測試系統(tǒng)平臺上定義包括電源管腳在內(nèi)的相關(guān)管腳參數(shù)；S300：在測試系統(tǒng)平臺上定義包括電平參數(shù)和時序參數(shù)在內(nèi)的相關(guān)參數(shù)，并為相關(guān)參數(shù)賦值；S400：建立ReadDataFlowThrough模式和WriteDataFlowThrough模式的測試向量，在功能測試中測試管腳和管腳在脈沖之后的低電平部分；在交流測試中測試管腳和管腳脈沖的高電平部分；S500：建立Testflow，對ReadDataFlowThrough模式與WriteDataFlowThrough模式進行功能驗證。在步驟S100中，將被測器件包括電源信號管腳、輸入信號管腳、輸出信號管腳在內(nèi)的所有管腳與測試系統(tǒng)連接；在步驟S200中，為被測器件定義相關(guān)管腳參數(shù)，包括在數(shù)字引腳設(shè)置中定義除電源管腳外的所有管腳的相關(guān)參數(shù)，以及在DPS管腳設(shè)置中定義電源管腳相關(guān)參數(shù)。其具體方法為：在PinSettings中的DigitalPins中定義除電源管腳外的所有管腳的包含Name、No、Type及TesterChannel在內(nèi)的所有相關(guān)參數(shù)，在DPSPins中定義電源管腳的包含Name、Polarity及TesterChannel在內(nèi)的所有相關(guān)參數(shù)，并選擇相應(yīng)的DPSChannelMode。在步驟S300中，定義包括電源電平、輸入脈沖電平在內(nèi)能滿足功能測試與交流參數(shù)測試的相關(guān)電平參數(shù)，并為相關(guān)參數(shù)賦值。其具體方法包括：在Level中的Equation中建立EQNSET1“Functional”，在EQNSET1“Functional”中定義SPECS和LEVELSET1“With_load”；在SpecTool中建立多個LevelsSpecification，包含VCCnorm、VCCmin、VCCmax以及ACtest，并給相應(yīng)的LevelsSpecification賦值，其賦值需滿足芯片功能測試要求與交流參數(shù)測試要求。在步驟S300中，還需定義包括訪問時間、采樣時刻在內(nèi)能滿足功能測試與交流參數(shù)測試的相關(guān)時序參數(shù)，并為相關(guān)參數(shù)賦值。其中在功能測試中時序相關(guān)參數(shù)的定義與賦值的方法包括：在Timing中的Equation中建立EQNSET1“timingequationset”，在EQNSET1“timingequationset”中定義SPECS和TIMINGSET1“Functional”；在WaveTables中建立WAVETBL“wavetablename”；在SpecTool中建立TimingSpecification(分別名為ReadFlowThrough和WriteFlowThrough)，并給相應(yīng)的TimingSpecification賦值。參數(shù)定義與賦值需滿足對被測器件進行功能測試的要求。本發(fā)明測試管腳和管腳脈沖的高電平部分的測試原理為：交流參數(shù)tWEF是指從寫使能信號變?yōu)楦唠娖降焦苣_信號變?yōu)楦唠娖降臅r間，交流參數(shù)tRFF是指從讀使能信號變?yōu)楦唠娖降焦苣_信號變?yōu)楦唠娖降臅r間，并且從圖3中的ReadDataFlowThroughMode時序圖可以看出管腳信號在管腳上升沿之后的tWEFns時刻由低電平變?yōu)楦唠娖?，同理從圖4中的WriteDataFlowThroughMode時序圖可以看出管腳信號在管腳上升沿之后的tRFFns時刻由低電平變?yōu)楦唠娖?，所以通過測試tWEF和tRFF兩個交流參數(shù)可以達到測試和管腳信號脈沖的高電平部分的目的?；谠撛恚诓襟ES300中，在交流參數(shù)測試中時序參數(shù)定義與賦值的具體方法包括：在EQNSET1“timingequationset”中定義TIMINGSET2“tA”，令管腳的采樣時刻等于管腳上升沿時刻加上tWEF，令管腳的采樣時刻等于管腳上升沿時刻加上tRFF；在SpecTool中建立TimingSpecification，TimingSpecification中包含tWEF和tRFF在內(nèi)的滿足交流參數(shù)測試的所有參數(shù)設(shè)置要求。在步驟S400中，所述在功能測試中測試管腳和管腳在脈沖之后的低電平部分，其包括以下內(nèi)容：建立ReadDataFlowThrough模式和WriteDataFlowThrough模式的測試向量，分別名為Read_Flow_Through_Mode和Write_Flow_Through_Mode，對ReadDataFlowThrough模式與WriteDataFlowThrough模式下的功能進行模擬，并將兩種模式下管腳與管腳的采樣時刻設(shè)置在脈沖之后，測試管腳與管腳在脈沖之后的低電平部分。其具體方法為：對于ReadDataFlowThrough模式，向空存儲器寫入一個數(shù)據(jù)后立刻將該數(shù)據(jù)讀出，此時看到Q8～Q0管腳在的上升沿之后的(tWEF+tA)ns有數(shù)據(jù)輸出，且管腳信號有一個脈沖，即先由低電平變?yōu)楦唠娖皆儆筛唠娖阶優(yōu)榈碗娖?；對于WriteDataFlowThrough模式，從滿的存儲器中讀出一個數(shù)據(jù)后立刻寫入一個數(shù)據(jù)，在的上升沿時刻，新數(shù)據(jù)經(jīng)由D8～D0管腳被寫入FIFO中，此時也有一個脈沖，即先由低電平變?yōu)楦唠娖皆儆筛唠娖阶優(yōu)榈碗娖?。將管腳與管腳的采樣時刻選擇在脈沖之后，此時采集到的管腳與管腳信號為低電平?；跍y試管腳和管腳脈沖高電平部分的原理，在步驟S400中，所述在交流測試中測試管腳和管腳脈沖的高電平部分的具體方法包括：建立ReadDataFlowThrough模式和WriteDataFlowThrough模式的測試向量，采用SpecSearch方法測試交流參數(shù)tWEF和tRFF，從而驗證ReadDataFlowThrough和WriteDataFlowThrough兩種模式下和兩個管腳信號脈沖的高電平部分。其中采用SpecSearch方法測試交流參數(shù)tWEF和tRFF的具體步驟為：SpecSearch的掃描方法為線性方法，步長為0.1ns；按照給定的交流測試電平、時序及pattern，掃描被測交流參數(shù)的不同值得到使相應(yīng)的pattern由PASS到FAIL或者由FAIL到PASS的臨界值；臨界值即為交流參數(shù)tWEF和tRFF的值。在步驟S500中，其具體方法為：建立測試流程(Testflow)，對ReadDataFlowThrough模式與WriteDataFlowThrough模式進行測試。其中功能測試分別在VCC＝3V、3.3V、3.6V下進行了Read_Flow_Through_Mode和Write_Flow_Through_Mode的功能驗證，其測試方法為ac_tml.AcTest.FunctionalTest；對ReadDataFlowThrough模式下交流參數(shù)tWEF與WriteDataFlowThrough模式下交流參數(shù)tRFF的測試，其測試方法為ac_tml.AcTest.SpecSearch。本發(fā)明的實施例中采用了V93000測試系統(tǒng)進行說明，但本發(fā)明并不限于V93000測試系統(tǒng)，采用其他測試系統(tǒng)也可實現(xiàn)該測試方法，并且該測試方法可應(yīng)用于其他類似芯片。所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當理解：以上任何實施例的討論僅為示例性的，并非旨在暗示本公開的范圍(包括權(quán)利要求)被限于這些例子；在本發(fā)明的思路下，以上實施例或者不同實施例中的技術(shù)特征之間也可以進行組合，步驟可以以任意順序?qū)崿F(xiàn)，并存在如上所述的本發(fā)明的不同方面的許多其它變化，為了簡明它們沒有在細節(jié)中提供。另外，為簡化說明和討論，并且為了不會使本發(fā)明難以理解，在所提供的附圖中可以示出或可以不示出與集成電路(IC)芯片和其它部件的公知的電源/接地連接。此外，可以以框圖的形式示出裝置，以便避免使本發(fā)明難以理解，并且這也考慮了以下事實，即關(guān)于這些框圖裝置的實施方式的細節(jié)是高度取決于將要實施本發(fā)明的平臺的(即，這些細節(jié)應(yīng)當完全處于本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解范圍內(nèi))。在闡述了具體細節(jié)(例如，電路)以描述本發(fā)明的示例性實施例的情況下，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是，可以在沒有這些具體細節(jié)的情況下或者這些具體細節(jié)有變化的情況下實施本發(fā)明。因此，這些描述應(yīng)被認為是說明性的而不是限制性的。盡管已經(jīng)結(jié)合了本發(fā)明的具體實施例對本發(fā)明進行了描述，但是根據(jù)前面的描述，這些實施例的很多替換、修改和變型對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說將是顯而易見的。例如，其它存儲器架構(gòu)(例如，動態(tài)RAM(DRAM))可以使用所討論的實施例。本發(fā)明的實施例旨在涵蓋落入所附權(quán)利要求的寬泛范圍之內(nèi)的所有這樣的替換、修改和變型。因此，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何省略、修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。當前第1頁1 2 3 當前第1頁1 2 3