本發(fā)明涉及表面輔助激光解吸電離法、質(zhì)量分析方法和質(zhì)量分析裝置。

背景技術(shù)：

目前，作為為了進(jìn)行質(zhì)量分析等而使生物體試樣等試樣電離的方法，已知有基質(zhì)輔助激光解吸電離法(maldi：matrix-assistedlaserdesorption/ionization)。maldi是通過(guò)將吸收紫外線激光的稱為基質(zhì)的低分子量的有機(jī)化合物與試樣混合并向其照射激光而使試樣電離的方法。根據(jù)該方法，能夠無(wú)損地使對(duì)熱不穩(wěn)定的物質(zhì)或高分子量物質(zhì)電離(所謂軟電離)。然而，在maldi中，發(fā)生來(lái)自基質(zhì)的背景噪聲。

因此，作為不使用基質(zhì)而進(jìn)行電離的方法，已知有通過(guò)使用表面具有微細(xì)的凹凸結(jié)構(gòu)的基板而使試樣電離的表面輔助激光解吸電離法(saldi：surface-assistedlaserdesorption/ionization)。例如，作為利用saldi的試樣的電離方法，存在使用表面具有微細(xì)的凹部的陽(yáng)極氧化多孔氧化鋁和陽(yáng)極氧化多孔硅等作為試樣保持面的方法(參照下述專利文獻(xiàn)1和2)。在該電離方法中，向具有微細(xì)的凹部的試樣保持面滴下分析對(duì)象的試樣，在干燥后照射激光，由此進(jìn)行試樣的電離。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本專利第5129628號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：美國(guó)專利6288390號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明所要解決的課題

然而，在上述的電離方法中，在滴下試樣時(shí)，會(huì)發(fā)生試樣相對(duì)于基板的位置偏移，因此，在原樣維持試樣原來(lái)的位置信息(構(gòu)成試樣的分子的二維分布)的狀態(tài)下進(jìn)行試樣的電離是困難的。因此，難以將上述電離方法用于測(cè)定在試樣區(qū)域的各位置何種分子存在多少并將試樣分子的二維分布圖圖像化的成像質(zhì)量分析等。另外，即使采用使試樣轉(zhuǎn)印于基板的方式來(lái)代替向基板上滴下試樣，也存在轉(zhuǎn)印試樣時(shí)發(fā)生試樣相對(duì)于基板的位置偏移、或者發(fā)生試樣的轉(zhuǎn)印不勻這樣的問(wèn)題。

因此，本發(fā)明的一個(gè)方面的目的在于：提供能夠在原樣維持試樣的位置信息的狀態(tài)下進(jìn)行試樣的電離的表面輔助激光解吸電離法、質(zhì)量分析方法和質(zhì)量分析裝置。

解決課題的技術(shù)手段

本發(fā)明的一個(gè)方面所涉及的表面輔助激光解吸電離法包括：第一工序，其準(zhǔn)備具有設(shè)置有從一個(gè)面貫通到另一個(gè)面的多個(gè)貫通孔的基板、和由導(dǎo)電性材料構(gòu)成且至少覆蓋一個(gè)面的導(dǎo)電層的試樣支撐體；第二工序，其將試樣載置于試樣臺(tái)，且以另一個(gè)面與試樣相對(duì)的方式，將試樣支撐體配置于試樣上；和第三工序，其通過(guò)向一個(gè)面照射激光，使利用毛細(xì)管現(xiàn)象從另一個(gè)面?zhèn)冉?jīng)由貫通孔而移動(dòng)至一個(gè)面?zhèn)鹊脑嚇与婋x。

根據(jù)上述表面輔助激光解吸電離法，通過(guò)將設(shè)置有多個(gè)貫通孔的基板配置于試樣上，能夠利用毛細(xì)管現(xiàn)象使試樣從基板的另一個(gè)面?zhèn)冉?jīng)由貫通孔向一個(gè)面?zhèn)壬仙?。由此，能夠在原樣維持試樣的位置信息(構(gòu)成試樣的分子的二維分布)的狀態(tài)下，使試樣從基板的另一個(gè)面?zhèn)认蛞粋€(gè)面?zhèn)纫苿?dòng)。再有，通過(guò)向基板的一個(gè)面照射激光，能量經(jīng)由導(dǎo)電層而傳遞給移動(dòng)至一個(gè)面?zhèn)鹊脑嚇?，從而試樣被電離。作為其結(jié)果，能夠在原樣維持試樣的位置信息的狀態(tài)下進(jìn)行試樣的電離。因此，根據(jù)上述方法，通過(guò)將設(shè)置有多個(gè)貫通孔的基板載置于試樣上的簡(jiǎn)單的操作，能夠在原樣維持試樣的位置信息的狀態(tài)下進(jìn)行試樣的電離。

基板也可以通過(guò)將閥金屬或硅陽(yáng)極氧化而形成。通過(guò)使用具有通過(guò)將閥金屬或硅陽(yáng)極氧化而設(shè)置有多個(gè)貫通孔的基板的試樣支撐體，能夠適當(dāng)?shù)貙?shí)現(xiàn)利用上述的毛細(xì)管現(xiàn)象的試樣的移動(dòng)。

貫通孔的寬度也可以為1～700nm。通過(guò)使用具有孔寬度為1～700nm的貫通孔的基板，能夠更順暢地進(jìn)行利用上述的毛細(xì)管現(xiàn)象的試樣的移動(dòng)。另外，能夠在使用上述表面輔助激光解吸電離法的質(zhì)量分析中獲得充分的信號(hào)強(qiáng)度。

基板的厚度也可以為5～10μm。由此，能夠保持基板的強(qiáng)度，并且能夠在使用上述表面輔助激光解吸電離法的質(zhì)量分析中獲得充分的信號(hào)強(qiáng)度。

試樣支撐體也可以還具有安裝于基板的一個(gè)面的外緣部的框體。利用框體抑制了基板的彎曲，并且對(duì)試樣支撐體進(jìn)行支撐或者使之移動(dòng)時(shí)的操作變得容易。作為其結(jié)果，能夠容易地進(jìn)行第二工序中的試樣支撐體向試樣上的配置。

在第二工序中，也可以將試樣支撐體固定于試樣臺(tái)。通過(guò)相對(duì)于試樣臺(tái)固定試樣支撐體，能夠使試樣與試樣支撐體緊貼，并能夠更順暢地進(jìn)行利用毛細(xì)管現(xiàn)象的試樣的移動(dòng)。另外，能夠防止配置于試樣上的試樣支撐體的橫向滑動(dòng)，并能夠抑制因試樣支撐體的橫向滑動(dòng)而導(dǎo)致的試樣的位置偏移。

本發(fā)明的另一個(gè)方面所涉及的表面輔助激光解吸電離法包括：第一工序，其準(zhǔn)備具有由導(dǎo)電性材料構(gòu)成且設(shè)置有從一個(gè)面貫通到另一個(gè)面的多個(gè)貫通孔的基板的試樣支撐體；第二工序，其將試樣載置于試樣臺(tái)，且以另一個(gè)面與試樣接觸的方式，將試樣支撐體配置于試樣上；和第三工序，其通過(guò)向一個(gè)面照射激光，使利用毛細(xì)管現(xiàn)象從另一個(gè)面?zhèn)冉?jīng)由貫通孔而移動(dòng)至一個(gè)面?zhèn)鹊脑嚇与婋x。

在上述表面輔助激光解吸電離法中，通過(guò)使用由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的基板，能夠省略導(dǎo)電層，并且能夠獲得與使用具有上述的導(dǎo)電層的試樣支撐體的情況相同的效果。

本發(fā)明的一個(gè)方面所涉及的質(zhì)量分析方法包括：上述表面輔助激光解吸電離法的各工序；和對(duì)第三工序中被電離的試樣進(jìn)行檢測(cè)的第四工序，一邊改變激光的照射位置，一邊在每個(gè)該照射位置進(jìn)行第三工序中的激光的照射、和第四工序中的被電離的試樣的檢測(cè)。

根據(jù)上述質(zhì)量分析方法，通過(guò)在試樣上配置試樣支撐體的簡(jiǎn)單的操作，能夠在原樣維持試樣的位置信息的狀態(tài)下進(jìn)行試樣的電離。再有，通過(guò)一邊改變激光的照射位置，一邊在每個(gè)該照射位置對(duì)被電離的試樣進(jìn)行檢測(cè)，能夠掌握試樣分子的二維分布。因此，根據(jù)上述質(zhì)量分析方法，通過(guò)簡(jiǎn)單的操作，能夠進(jìn)行將試樣分子的二維分布圖圖像化的成像質(zhì)量分析。

本發(fā)明的一個(gè)方面所涉及的質(zhì)量分析裝置具有：試樣臺(tái)，其載置試樣；激光照射部，其在具有設(shè)置有從一個(gè)面貫通到另一個(gè)面的多個(gè)貫通孔的基板、和由導(dǎo)電性材料構(gòu)成且至少覆蓋一個(gè)面的導(dǎo)電層的試樣支撐體以另一個(gè)面與試樣相對(duì)的方式被配置于試樣臺(tái)所載置的試樣上的狀態(tài)下，一邊改變照射位置，一邊向一個(gè)面照射激光；和檢測(cè)部，其在每個(gè)照射位置對(duì)通過(guò)激光的照射而被電離的試樣進(jìn)行檢測(cè)。

根據(jù)上述質(zhì)量分析裝置，通過(guò)在試樣上配置試樣支撐體的簡(jiǎn)單的操作，能夠在原樣維持試樣的位置信息的狀態(tài)下進(jìn)行試樣的電離。再有，通過(guò)激光照射部一邊改變照射位置一邊照射激光，檢測(cè)部在每個(gè)該照射位置對(duì)被電離的試樣進(jìn)行檢測(cè)，能夠掌握試樣分子的二維分布。因此，根據(jù)上述質(zhì)量分析裝置，通過(guò)簡(jiǎn)單的操作，能夠進(jìn)行將試樣分子的二維分布圖圖像化的成像質(zhì)量分析。

本發(fā)明的另一個(gè)方面所涉及的質(zhì)量分析裝置具有：試樣臺(tái)，其載置試樣；激光照射部，其在具有由導(dǎo)電性材料構(gòu)成且設(shè)置有從一個(gè)面貫通到另一個(gè)面的多個(gè)貫通孔的基板的試樣支撐體以另一個(gè)面與試樣接觸的方式被配置于試樣臺(tái)所載置的試樣上的狀態(tài)下，一邊改變照射位置，一邊向一個(gè)面照射激光；和檢測(cè)部，其在每個(gè)照射位置對(duì)通過(guò)激光的照射而被電離的試樣進(jìn)行檢測(cè)。

根據(jù)上述質(zhì)量分析裝置，通過(guò)使用由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的基板，能夠省略導(dǎo)電層，并且能夠獲得與使用具有上述的導(dǎo)電層的試樣支撐體的情況相同的效果。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種能夠在原樣維持試樣的位置信息的狀態(tài)下進(jìn)行試樣的電離的表面輔助激光解吸電離法、質(zhì)量分析方法和質(zhì)量分析裝置。

附圖說(shuō)明

圖1是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的質(zhì)量分析方法的概略的圖。

圖2是本實(shí)施方式所涉及的質(zhì)量分析方法所使用的試樣支撐體的立體圖。

圖3是沿圖2的iii－iii線的剖面圖。

圖4是圖2的試樣支撐體的實(shí)效區(qū)域r的放大俯視圖。

圖5是圖2的試樣支撐體的主要部分放大剖面圖。

圖6是表示圖2的基板的制造工序的圖。

圖7是表示本實(shí)施方式所涉及的質(zhì)量分析方法的步驟的圖。

圖8是表示本實(shí)施方式所涉及的質(zhì)量分析方法的步驟的圖。

圖9是表示本實(shí)施方式所涉及的質(zhì)量分析方法的步驟的圖。

圖10是表示貫通孔的孔寬度與質(zhì)譜的關(guān)系的圖。

圖11是表示貫通孔的孔寬度與質(zhì)譜的關(guān)系的圖。

圖12是表示貫通孔的孔寬度與質(zhì)譜的關(guān)系的圖。

圖13是表示貫通孔的孔寬度與質(zhì)譜的關(guān)系的圖。

圖14是表示基板的厚度與信號(hào)強(qiáng)度的關(guān)系的圖。

圖15是表示試樣支撐體的第一變形例的圖。

圖16是表示試樣支撐體的第二變形例的圖。

圖17是表示試樣支撐體的第三變形例的圖。

圖18是表示使用燒成前的試樣支撐體的質(zhì)量分析所得到的質(zhì)譜和使用燒成后的試樣支撐體的質(zhì)量分析所得到的質(zhì)譜的圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。其中，在各圖中，對(duì)相同部分或相當(dāng)部分標(biāo)注相同符號(hào)，省略重復(fù)的說(shuō)明。另外，為了容易理解說(shuō)明，有時(shí)附圖所示的各部件(或部位)的尺寸或尺寸比率與實(shí)際的尺寸或尺寸比率不同。

使用圖1對(duì)本實(shí)施方式所涉及的質(zhì)量分析方法(包括表面輔助激光解吸電離法)的概要進(jìn)行說(shuō)明。如圖1(a)所示，在上述質(zhì)量分析方法中，首先，將作為質(zhì)量分析的對(duì)象的一個(gè)試樣10載置于試樣臺(tái)1。再有，將具有設(shè)置有多個(gè)貫通孔的基板的試樣支撐體2配置于試樣10之上。其中，作為分析對(duì)象的試樣10例如是組織切片等的薄膜狀的生物體試樣(含水試樣)。

接著，如圖1(b)所示，試樣10利用毛細(xì)管現(xiàn)象從試樣支撐體2的下面?zhèn)冉?jīng)由貫通孔向試樣支撐體2的上面?zhèn)纫苿?dòng)。然后，試樣10成為利用表面張力而停留在試樣支撐體2的上面?zhèn)鹊臓顟B(tài)。

接著，如圖1(c)所示，通過(guò)向試樣支撐體2的上面?zhèn)日丈渥贤饩€激光，移動(dòng)至試樣支撐體2的上面?zhèn)鹊脑嚇?0被電離并被放出至真空中。具體而言，能量從吸收了紫外線激光的能量的試樣支撐體2傳遞給移動(dòng)至試樣支撐體2的上面?zhèn)鹊脑嚇?0。然后，獲得能量的試樣10氣化并獲得電荷，由此成為試樣離子(被電離的試樣)11。利用檢測(cè)器3對(duì)這樣放出至空氣中的試樣離子11進(jìn)行檢測(cè)，進(jìn)行所檢測(cè)到的試樣離子11的測(cè)定。這樣，進(jìn)行試樣10的質(zhì)量分析。

作為一個(gè)例子，本實(shí)施方式所涉及的質(zhì)量分析方法利用飛行時(shí)間型質(zhì)量分析法(tof－ms：time-of-flightmassspectrometry)。tof－ms的概要如下所述。在tof－ms中，在試樣支撐體2與檢測(cè)器3之間，設(shè)置有接地電極(未圖示)，并且對(duì)試樣支撐體2施加規(guī)定的電壓。由此，在試樣支撐體2與接地電極之間產(chǎn)生電位差，在試樣支撐體2的上面?zhèn)犬a(chǎn)生的試樣離子11利用該電位差向著接地電極一邊加速一邊移動(dòng)。之后，試樣離子11在不存在設(shè)置于接地電極至檢測(cè)器3之間的電場(chǎng)和磁場(chǎng)的漂移空間(driftspace)內(nèi)飛行，最終到達(dá)檢測(cè)器3。其中，由于試樣支撐體2與接地電極之間的電位差對(duì)任一試樣離子11都是一定的，因此，提供給各試樣離子11的能量是一定的。因此，越是分子量小的試樣離子11，越是在漂移空間內(nèi)高速飛行，從而在短時(shí)間內(nèi)到達(dá)檢測(cè)器3。在tof－ms中，根據(jù)這樣的試樣離子11向檢測(cè)器3的到達(dá)時(shí)間差進(jìn)行質(zhì)量分析。

接著，使用圖2～圖5對(duì)試樣支撐體2進(jìn)行說(shuō)明。圖2是表示試樣支撐體2的外觀(基板21和框體22)的立體圖。其中，實(shí)際上，在基板21設(shè)置有多個(gè)貫通孔s，試樣支撐體2具有粘接基板21和框體22的粘接層g、以及覆蓋基板21和框體22的表面(包括貫通孔s的內(nèi)面)的導(dǎo)電層23。然而，由于它們相對(duì)于基板21和框體22非常小，因此，在圖2中省略它們的圖示。另一方面，在作為沿圖2的iii－iii線的剖面圖的圖3中，為了對(duì)貫通孔s、導(dǎo)電層23和粘接層g的配置結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明，比實(shí)際尺寸大地圖示貫通孔s、導(dǎo)電層23和粘接層g的尺寸。

如圖2和圖3所示，試樣支撐體2為表面輔助激光解吸電離法(saldi：surface-assistedlaserdesorption/ionization)用的試樣支撐體，具有從一個(gè)面21a到另一個(gè)面21b而設(shè)置有多個(gè)貫通孔s的矩形板狀的基板21、和安裝于基板21的一個(gè)面21a的外緣部的框體22。

基板21的一個(gè)面21a和另一個(gè)面21b的形狀例如是每邊的長(zhǎng)度d1為1cm的正方形。從基板21的一個(gè)面21a至另一個(gè)面21b的厚度d1為1～50μm。在本實(shí)施方式中，作為一個(gè)例子，基板21由絕緣性材料構(gòu)成?；?1例如為通過(guò)將al(鋁)陽(yáng)極氧化而形成有孔徑大致一定的多個(gè)貫通孔s的氧化鋁多孔膜。其中，基板21也可以通過(guò)將ta(鉭)、nb(鈮)、ti(鈦)、hf(鉿)、zr(鋯)、zn(鋅)、w(鎢)、bi(鉍)、sb(銻)等的al以外的閥金屬陽(yáng)極氧化而形成，也可以通過(guò)將si(硅)陽(yáng)極氧化而形成。

框體22沿著基板21的一個(gè)面21a的外緣部而設(shè)置成四角環(huán)狀?？蝮w22的寬度d2例如為2mm?？蝮w22的厚度d2例如為10～500μm。基板21的一個(gè)面21a中未被框體22覆蓋的實(shí)效區(qū)域r成為0.6mm見(jiàn)方的正方形區(qū)域。實(shí)效區(qū)域r作為用于利用下述的毛細(xì)管現(xiàn)象使試樣10從另一個(gè)面21b向一個(gè)面21a移動(dòng)的區(qū)域而發(fā)揮功能。通過(guò)將框體22設(shè)置于基板21的外緣部，能夠抑制基板21的彎曲。另外，由于能夠固定或把持設(shè)置有框體22的部分，因此，對(duì)試樣支撐體2進(jìn)行支撐或使之移動(dòng)時(shí)的操作變得容易。另外，在本實(shí)施方式中，將框體22設(shè)置成四角環(huán)狀，但也可以沿著基板21的外緣部設(shè)置成圓環(huán)狀。通過(guò)將框體22設(shè)置成圓環(huán)狀，與將框體22設(shè)置成四角環(huán)狀的情況相比，能夠更進(jìn)一步抑制基板21的彎曲。

如圖3所示，框體22經(jīng)由粘接層g而與基板21的表面(一個(gè)面21a)粘接。作為粘接層g的材料，例如可以使用低熔點(diǎn)玻璃或真空用粘接劑等的放出氣體少的粘接材料。另外，在本實(shí)施方式中，作為一個(gè)例子，框體22以在基板21的一個(gè)面21a與設(shè)置有貫通孔s的部分重疊的方式，與基板21粘接。因此，基板21上設(shè)置有框體22的部分與未設(shè)置框體22的部分的邊界面的彎曲通過(guò)貫通孔s而被容許。由此，能夠抑制基板21在該邊界面上斷裂。

框體22具有與基板21大致同等的熱膨脹系數(shù)。框體22例如為具有與基板21相同的組成的陶瓷部件等。框體22例如為玻璃或金屬等。這樣，通過(guò)使基板21與框體22的熱膨脹系數(shù)接近，能夠防止因溫度變化而導(dǎo)致的變形(例如熱膨脹時(shí)的基板21和框體22的形變)等。

如圖3和圖5所示，試樣支撐體2具有覆蓋基板21的一個(gè)面21a、另一個(gè)面21b、和貫通孔s的內(nèi)面、以及框體22的表面的導(dǎo)電層23。導(dǎo)電層23是為了向絕緣性的基板21賦予導(dǎo)電性而設(shè)置的由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的層。但是，即使在基板21由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的情況下，也不妨礙設(shè)置導(dǎo)電層23。作為導(dǎo)電層23的材料，根據(jù)如下所述的理由，優(yōu)選與試樣10的親合性(反應(yīng)性)低而導(dǎo)電性高的金屬。

例如，在由與蛋白質(zhì)等的試樣10親合性高的cu(銅)等金屬形成導(dǎo)電層23的情況下，在下述的試樣10的電離過(guò)程中，存在試樣10以cu原子附著于試樣分子的狀態(tài)發(fā)生電離的情況。即，在對(duì)由檢測(cè)器3檢測(cè)到的試樣離子11的分子量進(jìn)行測(cè)定時(shí)，由于從實(shí)際的試樣10的分子量偏差所附著的cu的質(zhì)量部分，因此，無(wú)法進(jìn)行準(zhǔn)確的測(cè)定。因此，作為導(dǎo)電層23的材料，優(yōu)選與試樣10的親合性低的金屬。

另一方面，就導(dǎo)電性高的金屬而言，能夠容易且穩(wěn)定地賦予一定的電壓。因此，通過(guò)使導(dǎo)電性高的金屬成為導(dǎo)電層23，在上述接地電極與基板21之間產(chǎn)生一定的電位差，因而容易向基板21施加一定的電壓。另外，由于存在導(dǎo)電性越高的金屬其熱傳導(dǎo)性也越高的傾向，因此，能夠?qū)⒄丈渲粱?1的激光的能量經(jīng)由導(dǎo)電層23有效地傳給試樣10。因此，作為導(dǎo)電層23的材料，優(yōu)選導(dǎo)電性高的金屬。

根據(jù)上述觀點(diǎn)，作為導(dǎo)電層23的材料，例如可以使用au(金)和pt(鉑)等。例如，導(dǎo)電層23可以通過(guò)使用鍍敷法、原子層沉積法(ald：atomiclayerdeposition)、蒸鍍法和濺射法等，使au或pt在基板21的一個(gè)面21a、另一個(gè)面21b和貫通孔s的內(nèi)面、以及框體22的表面成膜而形成。另外，作為導(dǎo)電層23的材料，除了上述au和pt以外，例如也可以使用cr(鉻)、ni(鎳)和ti(鈦)等。

圖4是試樣支撐體2的實(shí)效區(qū)域r的放大俯視圖。在圖4中，黑色部分表示貫通孔s，白色部分表示未形成貫通孔s的間隔壁部分。如圖4所示，在基板21的表面形成有大小大致一定的多個(gè)貫通孔s。多個(gè)貫通孔s形成為利用下述的毛細(xì)管現(xiàn)象試樣10能夠從試樣10的另一個(gè)面21b向一個(gè)面21a移動(dòng)(上升)的大小即可。如圖4的例子那樣，貫通孔s的大小可以不一致，也可以存在多個(gè)貫通孔s彼此相互連結(jié)的部分。實(shí)效區(qū)域r中的貫通孔s的開(kāi)口率(形成貫通孔s的部分的面積/總面積)在實(shí)用上為10～80％，特別優(yōu)選為60～80％。

如圖5所示，貫通孔s從基板21的一個(gè)面21a側(cè)向另一個(gè)面21b側(cè)延伸。貫通孔s的寬度d3為1～700nm。另外，導(dǎo)電層23的厚度d4例如為1～25nm左右。其中，貫通孔s的寬度d3是在貫通孔s內(nèi)形成導(dǎo)電層23后的孔寬度。通過(guò)使用具有孔寬度為1～700nm的貫通孔s的基板21，能夠更順暢地進(jìn)行利用上述的毛細(xì)管現(xiàn)象的試樣10的移動(dòng)。如本實(shí)施方式那樣，在貫通孔s的剖面形狀為大致圓形的情況下，所謂貫通孔s的寬度d3，是指孔的直徑。另一方面，在貫通孔s的剖面形狀為圓形以外的情況下，所謂貫通孔s的寬度，是指貫通孔s所收納的假想的圓筒的直徑(有效直徑)。

接著，使用圖3和圖6對(duì)試樣支撐體2的制造工序進(jìn)行說(shuō)明。首先，使用圖6對(duì)基板21的制造工序進(jìn)行說(shuō)明。如圖6(a)所示，準(zhǔn)備作為基板21的材料的al基板50。接著，如圖6(b)所示，通過(guò)將al基板50陽(yáng)極氧化，al基板50從表面被氧化，形成具有多個(gè)凹部51a的陽(yáng)極氧化膜51。接著，如圖6(c)所示，將陽(yáng)極氧化膜51從al基板50剝離，對(duì)所剝離的陽(yáng)極氧化膜51的底部51b進(jìn)行除去或者貫通處理，由此獲得設(shè)置有從一個(gè)面21a貫通到另一個(gè)面21b的多個(gè)貫通孔s的基板21。

如上所述制造基板21后，經(jīng)由低熔點(diǎn)玻璃或真空用粘接劑等的粘接層g將框體22安裝在基板21的外緣部。由此，成為在圖3所示的試樣支撐體2中形成導(dǎo)電層23之前的狀態(tài)。最后，以覆蓋基板21的一個(gè)面21a、另一個(gè)面21b、和貫通孔s的內(nèi)面、以及框體22的表面的方式，設(shè)置由au或pt構(gòu)成的導(dǎo)電層23。如上所述，通過(guò)利用鍍敷法或原子層沉積法等使au或pt在基板21的一個(gè)面21a、另一個(gè)面21b、和貫通孔s的內(nèi)面、以及框體22的表面成膜而形成導(dǎo)電層23。通過(guò)以上操作，制造圖3所示的試樣支撐體2。

其中，在上述的al的陽(yáng)極氧化處理中，進(jìn)行調(diào)節(jié)，使得基板21的厚度d1成為1～50μm、貫通孔s的寬度d3成為1～700nm。具體而言，通過(guò)適當(dāng)?shù)卦O(shè)定最初準(zhǔn)備的al基板50的厚度或陽(yáng)極氧化的溫度和電壓等條件，基板21的厚度d1和貫通孔s的寬度d3形成為預(yù)先設(shè)定的大小(上述范圍所包括的大小)。

接著，使用圖7～圖9對(duì)利用試樣支撐體2的質(zhì)量分析方法的步驟進(jìn)行說(shuō)明。其中，在圖7～圖9中，省略導(dǎo)電層23、貫通孔s和粘接層g的圖示。

首先，使用圖9對(duì)實(shí)行使用試樣支撐體2的質(zhì)量分析的質(zhì)量分析裝置100進(jìn)行說(shuō)明。質(zhì)量分析裝置100具有載置試樣10的試樣臺(tái)1、激光照射部4和檢測(cè)器(檢測(cè)部)3。

激光照射部4在載置于試樣臺(tái)1的試樣10上配置試樣支撐體2的狀態(tài)下，一邊改變照射位置，一邊向一個(gè)面21a照射激光l。其中，試樣支撐體2以另一個(gè)面21b經(jīng)由導(dǎo)電層23與試樣10接觸的方式，被載置于試樣10上。由激光照射部4照射的激光l例如為波長(zhǎng)337nm的氮激光(n2激光)等的紫外線激光。

檢測(cè)器3在每個(gè)照射位置對(duì)通過(guò)激光照射部4的激光l的照射而被電離的試樣10(試樣離子11)進(jìn)行檢測(cè)。具體而言，激光照射部4按照預(yù)先設(shè)定的移動(dòng)寬度和移動(dòng)方向?qū)υ嚇又误w2的實(shí)效區(qū)域r進(jìn)行二維掃描，在各掃描位置進(jìn)行激光l的照射。檢測(cè)器3對(duì)通過(guò)各掃描位置上的激光l的照射而產(chǎn)生的試樣離子11進(jìn)行檢測(cè)。由此，能夠在實(shí)效區(qū)域r上的每個(gè)位置進(jìn)行質(zhì)量分析。通過(guò)綜合這樣獲得的試樣10中的各位置的質(zhì)量分析結(jié)果，能夠進(jìn)行將試樣分子的二維分布圖圖像化的成像質(zhì)量分析。以下，使用圖7～圖9對(duì)利用質(zhì)量分析裝置100的質(zhì)量分析步驟進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

首先，準(zhǔn)備上述的試樣支撐體2(第一工序)。試樣支撐體2可以通過(guò)使用質(zhì)量分析裝置100實(shí)行質(zhì)量分析的人自己制造而準(zhǔn)備，也可以通過(guò)從試樣支撐體2的制造者和銷售者等獲得而準(zhǔn)備。

接著，如圖7(a)所示，將作為質(zhì)量分析對(duì)象的試樣10載置于試樣臺(tái)1的載置面1a，并且如圖7(b)所示，以另一個(gè)面21b經(jīng)由導(dǎo)電層23(參照?qǐng)D3)與試樣10接觸的方式，將試樣支撐體2配置于試樣10上(第二工序)。其中，為了使作為分析對(duì)象的試樣10利用毛細(xì)管現(xiàn)象向基板21的一個(gè)面21a側(cè)移動(dòng)，試樣支撐體2以俯視時(shí)在實(shí)效區(qū)域r內(nèi)包含試樣10的方式，被配置于試樣10上。另外，為了使利用下述的毛細(xì)管現(xiàn)象的試樣10的移動(dòng)變得順暢，也可以將用于降低試樣10的粘度的溶液(例如乙腈混合液等)混在試樣10中。

接著，如圖8(a)所示，將試樣支撐體2固定于試樣臺(tái)1(第二工序續(xù))。其中，作為一個(gè)例子，利用碳膠帶等具有導(dǎo)電性的粘著膠帶t將試樣支撐體2的四條邊(框體22的上面和側(cè)面、以及基板21的側(cè)面)相對(duì)于試樣臺(tái)1的載置面1a進(jìn)行固定。這樣，通過(guò)相對(duì)于試樣臺(tái)1固定試樣支撐體2，能夠使試樣10與試樣支撐體2緊貼，并能夠更順暢地進(jìn)行利用下述的毛細(xì)管現(xiàn)象的試樣10的移動(dòng)。另外，能夠防止配置于試樣10上的試樣支撐體2的橫向滑動(dòng)，能夠抑制因試樣支撐體2的橫向滑動(dòng)而失去試樣10的位置信息。

其中，在試樣臺(tái)1具有導(dǎo)電性的情況下，試樣臺(tái)1與試樣支撐體2通過(guò)具有導(dǎo)電性的粘著膠帶t電連接。因此，如圖8(a)所示，在利用粘著膠帶t將試樣支撐體2固定于試樣臺(tái)1的狀態(tài)下，通過(guò)使規(guī)定的電流在試樣臺(tái)1中流動(dòng)，能夠向基板21施加規(guī)定的電壓。由此，能夠在上述的接地電極與基板21之間產(chǎn)生一定的電位差。另外，在本實(shí)施方式中，導(dǎo)電層23覆蓋框體22，粘著膠帶t與框體22上的導(dǎo)電層23接觸，因此，能夠在框體22上取得試樣支撐體2與電源(使電流在試樣臺(tái)1中流動(dòng)的規(guī)定的電源)的接觸。即，能夠不減少基板21上的實(shí)效區(qū)域r而取得試樣支撐體2與電源的接觸。

如圖8(b)所示，通過(guò)如上所述將試樣支撐體2配置于試樣10上，利用毛細(xì)管現(xiàn)象，試樣10從基板21的另一個(gè)面21b側(cè)經(jīng)由貫通孔s向一個(gè)面21a側(cè)移動(dòng)(上升)。然后，試樣10成為利用表面張力停留于試樣支撐體2的一個(gè)面21a側(cè)的狀態(tài)。其中，試樣臺(tái)1的載置面1a與基板21的一個(gè)面21a和另一個(gè)面21b相互大致平行地配置。因此，載置于試樣臺(tái)1的試樣10利用毛細(xì)管現(xiàn)象，沿著與試樣臺(tái)1的載置面1a正交的方向，從基板21的另一個(gè)面21b側(cè)經(jīng)由貫通孔s向一個(gè)面21a側(cè)移動(dòng)。由此，在利用毛細(xì)管現(xiàn)象的移動(dòng)前后，能夠維持試樣10(構(gòu)成試樣10的各試樣分子)的位置信息。換言之，構(gòu)成試樣10的各試樣分子的二維坐標(biāo)(與試樣臺(tái)1的載置面1a平行的二維平面上的位置)在利用毛細(xì)管現(xiàn)象的移動(dòng)前后不會(huì)發(fā)生較大地變化。因此，能夠利用這樣的毛細(xì)管現(xiàn)象在原樣維持試樣10的位置信息的狀態(tài)下，使試樣10從基板21的另一個(gè)面21b側(cè)向一個(gè)面21a側(cè)移動(dòng)。

接著，如圖9所示，利用激光照射部4向基板21的一個(gè)面21a照射激光l，利用毛細(xì)管現(xiàn)象從另一個(gè)面21b側(cè)經(jīng)由貫通孔s移動(dòng)至一個(gè)面21a側(cè)的試樣10被電離(第三工序)。然后，利用檢測(cè)器3對(duì)被電離的試樣10(試樣離子11)進(jìn)行檢測(cè)(第四工序)。一邊改變激光l的照射位置，一邊在每個(gè)該照射位置進(jìn)行第三工序中的激光l的照射、和第四工序中的試樣離子11的檢測(cè)。具體而言，激光照射部4按照預(yù)先設(shè)定的移動(dòng)寬度和移動(dòng)方向?qū)?shí)效區(qū)域r進(jìn)行掃描，一邊改變激光l的照射位置，一邊在各照射位置照射激光l。然后，檢測(cè)器3對(duì)通過(guò)各照射位置上的激光照射部4的激光l的照射而放出至真空中的試樣離子11進(jìn)行檢測(cè)。作為其結(jié)果，能夠根據(jù)在各照射位置所檢測(cè)到的試樣離子11的測(cè)定結(jié)果，進(jìn)行將試樣分子的二維分布圖圖像化的成像質(zhì)量分析。

根據(jù)上述表面輔助激光解吸電離法(第一～第三工序)，通過(guò)將設(shè)置有多個(gè)貫通孔s的基板21配置于試樣10上，能夠利用毛細(xì)管現(xiàn)象使試樣10從基板21的另一個(gè)面21b側(cè)經(jīng)由貫通孔s向一個(gè)面21a側(cè)上升。由此，能夠在原樣維持試樣10的位置信息(構(gòu)成試樣10的分子的二維分布)的狀態(tài)下，使試樣10從基板21的另一個(gè)面21b側(cè)向一個(gè)面21a側(cè)移動(dòng)。再有，將激光l照射在基板21的一個(gè)面21a，能量經(jīng)由導(dǎo)電層23傳遞給移動(dòng)至一個(gè)面21a側(cè)的試樣10，由此試樣10被電離。作為其結(jié)果，能夠在原樣維持試樣10的位置信息的狀態(tài)下進(jìn)行試樣10的電離。因此，根據(jù)上述方法，通過(guò)將設(shè)置有多個(gè)貫通孔s的基板21載置于試樣10上的簡(jiǎn)單的操作，能夠在原樣維持試樣10的位置信息的狀態(tài)下進(jìn)行試樣10的電離。

另外，通過(guò)使用具有將al陽(yáng)極氧化而設(shè)置有多個(gè)貫通孔s的基板21的試樣支撐體2，能夠適當(dāng)?shù)貙?shí)現(xiàn)利用上述的毛細(xì)管現(xiàn)象的試樣10的移動(dòng)。其中，即使使用具有代替al而將al以外的閥金屬或si陽(yáng)極氧化而獲得的基板21的試樣支撐體2，也能夠獲得相同的效果。

另外，通過(guò)使用具有孔寬度d3為1～700nm的貫通孔s的基板21，能夠更順暢地進(jìn)行利用上述的毛細(xì)管現(xiàn)象的試樣10的移動(dòng)。

另外，試樣支撐體2具有安裝在基板21的一個(gè)面21a的外緣部的框體22，因此，利用框體22能夠抑制基板21的彎曲，并且對(duì)試樣支撐體2進(jìn)行支撐或者使之移動(dòng)時(shí)的操作變得容易。因此，能夠容易地進(jìn)行第二工序中的試樣支撐體2向試樣10上的配置。

另外，根據(jù)上述質(zhì)量分析方法(第一～第四工序)，通過(guò)在試樣10上配置試樣支撐體2的簡(jiǎn)單的操作，能夠在原樣維持試樣10的位置信息的狀態(tài)下進(jìn)行試樣10的電離。再有，通過(guò)一邊改變激光l的照射位置，一邊在每個(gè)該照射位置對(duì)被電離的試樣10(試樣離子11)進(jìn)行檢測(cè)，能夠掌握試樣分子的二維分布。因此，根據(jù)上述質(zhì)量分析方法，通過(guò)簡(jiǎn)單的操作，能夠進(jìn)行將試樣分子的二維分布圖圖像化的成像質(zhì)量分析。

另外，根據(jù)上述質(zhì)量分析裝置100，通過(guò)在試樣10上配置試樣支撐體2的簡(jiǎn)單的操作，能夠在原樣維持試樣10的位置信息的狀態(tài)下進(jìn)行試樣10的電離。再有，通過(guò)激光照射部4一邊改變照射位置一邊照射激光l，檢測(cè)器3在每個(gè)該照射位置對(duì)電離的試樣10(試樣離子11)進(jìn)行檢測(cè)，能夠掌握試樣分子的二維分布。因此，根據(jù)上述質(zhì)量分析裝置100，通過(guò)簡(jiǎn)單的操作，能夠進(jìn)行將試樣分子的二維分布圖圖像化的成像質(zhì)量分析。

以上，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式，本發(fā)明在不脫離其要旨的范圍內(nèi)可以有各種變形。

例如，基板21也可以由半導(dǎo)體等的導(dǎo)電性材料構(gòu)成。在這種情況下，試樣支撐體2能夠省略用于向基板21賦予導(dǎo)電性的導(dǎo)電層23。在試樣支撐體2不具有導(dǎo)電層23的情況下，在上述第二工序中，以另一個(gè)面21b直接與試樣10接觸的方式，將試樣支撐體2配置于試樣10上。這樣，在使用基板21由導(dǎo)電性材料構(gòu)成、省略導(dǎo)電層23的試樣支撐體2的情況下，也能夠獲得與使用具有上述的導(dǎo)電層23的試樣支撐體2的情況相同的效果。

另外，利用上述表面輔助激光解吸電離法(第一～第三工序)的試樣10的電離不僅可以用于本實(shí)施方式所說(shuō)明的試樣10的成像質(zhì)量分析，也可以用于離子淌度測(cè)定等的其他測(cè)定、實(shí)驗(yàn)。

另外，導(dǎo)電層23也可以通過(guò)蒸鍍等設(shè)置為至少覆蓋基板21的一個(gè)面21a。即，導(dǎo)電層23也可以不設(shè)置于基板21的另一個(gè)面21b和貫通孔s的內(nèi)面。在這種情況下，在上述第二工序中，以另一個(gè)面21b與試樣10相對(duì)的方式，將試樣支撐體2配置與試樣10上，另一個(gè)面21b直接與試樣10接觸。另外，只要導(dǎo)電層23設(shè)置為至少覆蓋基板21的一個(gè)面21a和框體22的表面，就能夠在框體22上取得基板21與電極的接觸。

圖10～圖13表示貫通孔s的孔寬度與利用上述質(zhì)量分析方法所測(cè)得的質(zhì)譜的關(guān)系。其中，作為試樣支撐體，使用將導(dǎo)電層23(此處為pt)不設(shè)置于基板21的另一個(gè)面21b和貫通孔s的內(nèi)面而設(shè)置為覆蓋一個(gè)面21a和框體22的表面的試樣支撐體。另外，基板21的厚度d1為10μm，測(cè)定對(duì)象的試樣為“質(zhì)荷比(m/z)＝1049”的肽。在圖10～圖13中，(a)是將貫通孔s的孔寬度設(shè)為50nm時(shí)的測(cè)定結(jié)果，(b)是將貫通孔s的孔寬度設(shè)為100nm時(shí)的測(cè)定結(jié)果，(c)是將貫通孔s的孔寬度設(shè)為200nm時(shí)的測(cè)定結(jié)果，(d)是將貫通孔s的孔寬度設(shè)為300nm時(shí)的測(cè)定結(jié)果，(e)是將貫通孔s的孔寬度設(shè)為400nm時(shí)的測(cè)定結(jié)果，(f)是將貫通孔s的孔寬度設(shè)為500nm時(shí)的測(cè)定結(jié)果，(g)是將貫通孔s的孔寬度設(shè)為600nm時(shí)的測(cè)定結(jié)果，(h)是將貫通孔s的孔寬度設(shè)為700nm時(shí)的測(cè)定結(jié)果。在圖10～圖13中，縱軸表示將峰值作為100(％)而進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化后的信號(hào)強(qiáng)度(intensity)。

如圖10～圖13所示，在基板21的貫通孔s的孔寬度為50nm、100nm、200nm、300nm、400nm、500nm、600nm和700nm的任一種情況下，都可以獲得能夠?qū)Ψ暹M(jìn)行觀測(cè)的適當(dāng)?shù)淖V。這樣，通過(guò)使用具有至少在一個(gè)面21a設(shè)置有導(dǎo)電層23的基板21的試樣支撐體，能夠適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行質(zhì)量分析。

圖14表示基板21的厚度d1(thickness)與利用上述質(zhì)量分析方法所測(cè)得的峰的信號(hào)強(qiáng)度的關(guān)系。在圖14中，縱軸是將基板21的厚度d1為10μm時(shí)的信號(hào)強(qiáng)度作為“1”時(shí)的相對(duì)信號(hào)強(qiáng)度(relativeintensity)。其中，作為試樣支撐體，使用如上所述將導(dǎo)電層23(此處為pt)不設(shè)置于基板21的另一個(gè)面21b和貫通孔s的內(nèi)面而設(shè)置為覆蓋一個(gè)面21a和框體22的表面的試樣支撐體。貫通孔s的孔寬度為200nm。另外，測(cè)定對(duì)象的試樣為“質(zhì)荷比(m/z)＝1049”的肽。

在上述測(cè)定結(jié)果中，基板21的厚度d1為10μm時(shí)的信號(hào)強(qiáng)度在質(zhì)量分析中為充分的大小。另外，如圖14所示，存在基板21的厚度d1越小信號(hào)強(qiáng)度越大的傾向，在基板21的厚度d1處于3～10μm的范圍內(nèi)的情況下，獲得了充分的信號(hào)強(qiáng)度。另一方面，從確?；鍙?qiáng)度的觀點(diǎn)考慮，基板21的厚度d1可以大。因此，基板21的厚度d1也可以為5～10μm。由此，能夠保持基板21的強(qiáng)度，并且能夠在質(zhì)量分析中獲得充分的信號(hào)強(qiáng)度。

另外，在上述實(shí)施方式中，對(duì)利用粘著膠帶t將試樣支撐體2的框體22固定于試樣臺(tái)1的方式進(jìn)行了說(shuō)明，但將試樣支撐體2固定于試樣臺(tái)1的方式并不限定于上述方式。以下，使用圖15～圖17，與試樣支撐體2的第一～第三變形例一起對(duì)將試樣支撐體2固定于試樣臺(tái)1的方式的變形進(jìn)行說(shuō)明。其中，在圖15～圖17中，省略導(dǎo)電層23和貫通孔s的圖示。另外，在圖16和圖17中，也省略關(guān)于粘接框體和基板的粘接層g的圖示。

(第一變形例)

如圖15所示，第一變形例所涉及的試樣支撐體2a主要在以下的方面與試樣支撐體2不同，即，在基板21不設(shè)置框體22，粘著膠帶t直接貼附于基板21的一個(gè)面21a。粘著膠帶t以粘著面ta與基板21的一個(gè)面21a相對(duì)且具有延伸至比基板21的外緣更外側(cè)的部分的方式，被貼附于一個(gè)面21a的外緣部。由此，如圖15所示，能夠?qū)⒄持鎡a貼附于基板21的外緣和試樣臺(tái)1的載置面1a。作為其結(jié)果，試樣支撐體2a利用粘著膠帶t相對(duì)于試樣臺(tái)1被固定。根據(jù)試樣支撐體2a，例如在進(jìn)行表面具有凹凸的試樣10的質(zhì)量分析時(shí)等，能夠提高基板21對(duì)試樣10的追隨性。

另外，在試樣臺(tái)1具有導(dǎo)電性的情況下，試樣臺(tái)1與試樣支撐體2a(具體而言，設(shè)置于基板21的一個(gè)面21a上的導(dǎo)電層23)經(jīng)由具有導(dǎo)電性的粘著膠帶t電連接。因此，如圖15所示，在經(jīng)由粘著膠帶t將試樣支撐體2固定于試樣臺(tái)1的狀態(tài)下，通過(guò)使規(guī)定的電流在試樣臺(tái)1中流動(dòng)，能夠向基板21施加規(guī)定的電壓。

另外，試樣支撐體2a也可以以在基板21的外緣貼附粘著膠帶t且在延伸至比基板21的外緣更外側(cè)的部分的粘著面ta設(shè)置有粘著保護(hù)薄片的狀態(tài)流通。在這種情況下，試樣支撐體2a的使用者在即將將試樣支撐體2a固定于試樣臺(tái)1之前將粘著保護(hù)薄片剝離，將粘著面ta貼附于載置面1a，從而能夠容易地進(jìn)行試樣10的質(zhì)量分析的準(zhǔn)備。

(第二變形例)

如圖16所示，第二變形例所涉及的試樣支撐體2b主要在以下的方面與試樣支撐體2不同，即，具備具有延伸至比基板21的外緣更外側(cè)的部分的框體122。利用這樣的框體122，在把持搬運(yùn)試樣支撐體2b時(shí)等，能夠適當(dāng)?shù)匾种苹?1的端部的破損。再有，如圖16所示，在框體122中延伸至比基板21的外緣更外側(cè)的部分，設(shè)置有用于使螺絲30插通的插通孔122a。在這種情況下，通過(guò)使用例如在與插通孔122a相對(duì)應(yīng)的位置具有螺孔1b的試樣臺(tái)1a，能夠利用螺絲緊固將試樣支撐體2b可靠地固定于試樣臺(tái)1a。具體而言，通過(guò)在插通孔122a和螺孔1b中插通螺絲30，能夠?qū)⒃嚇又误w2b固定于試樣臺(tái)1a。

另外，在試樣臺(tái)1a具有導(dǎo)電性且螺絲30具有導(dǎo)電性的情況下，試樣臺(tái)1a與試樣支撐體2b(具體而言，形成于框體122的表面的導(dǎo)電層23)經(jīng)由螺絲30電連接。因此，如圖16所示，在通過(guò)螺絲30將試樣支撐體2b固定于試樣臺(tái)1a的狀態(tài)下，使規(guī)定的電流在試樣臺(tái)1a中流動(dòng)，由此能夠向基板21施加規(guī)定的電壓。

(第三變形例)

如圖17所示，第三變形例所涉及的試樣支撐體2c主要在以下的方面與試樣支撐體2不同，即，具有設(shè)置于基板21的另一個(gè)面21b的外緣部且具有朝向從一個(gè)面21a向另一個(gè)面21b的方向的粘著面24a的粘著層24。粘著層24例如為具有根據(jù)測(cè)定對(duì)象的試樣10的厚度而預(yù)先設(shè)定的厚度的雙面膠帶等。例如，粘著層24的一個(gè)粘著面24b被預(yù)先貼附于基板21的另一個(gè)面21b的外緣部，粘著層24的另一個(gè)粘著面24a在將試樣支撐體2c固定于試樣臺(tái)1時(shí)，被貼附于載置面1a。根據(jù)試樣支撐體2c，能夠簡(jiǎn)化將試樣支撐體2c固定于試樣臺(tái)1的結(jié)構(gòu)。

另外，在試樣臺(tái)1具有導(dǎo)電性且粘著層24具有導(dǎo)電性的情況下，試樣臺(tái)1與試樣支撐體2c(具體而言，基板21)經(jīng)由粘著層24電連接。因此，如圖17所示，在經(jīng)由粘著層24將試樣支撐體2c固定于試樣臺(tái)1的狀態(tài)下，使規(guī)定的電流在試樣臺(tái)1中流動(dòng)，由此能夠向基板21施加規(guī)定的電壓。

另外，試樣支撐體2c也可以以將粘著層24的粘著面24b貼附于基板21的另一個(gè)面21b的外緣部且在粘著面24a設(shè)置有粘著保護(hù)薄片的狀態(tài)流通。在這種情況下，試樣支撐體2c的使用者在即將將試樣支撐體2c固定于試樣臺(tái)1之前將粘著保護(hù)薄片剝離，將粘著面24a貼附于載置面1a，由此能夠容易地進(jìn)行試樣10的質(zhì)量分析的準(zhǔn)備。

另外，也可以在形成導(dǎo)電層23之后，對(duì)上述實(shí)施方式和變形例所涉及的試樣支撐體2、2a、2b、2c進(jìn)行燒成。即，在上述實(shí)施方式中的試樣支撐體的制造工序中，也可以包括對(duì)形成導(dǎo)電層23后的試樣支撐體進(jìn)行燒成的燒成工序。在設(shè)置框體22的情況下，對(duì)具有基板21、框體22和導(dǎo)電層23的試樣支撐體實(shí)施燒成工序。另外，在省略框體22的情況下，對(duì)具有基板21和導(dǎo)電層23的試樣支撐體實(shí)施燒成工序。

通過(guò)實(shí)施這樣的燒成工序，能夠提高導(dǎo)電層23(例如pt)的結(jié)晶性，能夠獲得更加適于質(zhì)量分析的試樣支撐體。其中，試樣支撐體的燒成優(yōu)選以在對(duì)燒成后的導(dǎo)電層23(試樣支撐體)所進(jìn)行的x射線衍射(xrd：x-raydiffraction)測(cè)定中顯示形成該導(dǎo)電層23的導(dǎo)電性材料(此處為pt)的結(jié)晶的衍射峰的方式實(shí)施。其中，所謂“顯示導(dǎo)電性材料的結(jié)晶的衍射峰”，是指與由對(duì)燒成前的試樣支撐體所進(jìn)行的x射線衍射測(cè)定得到的測(cè)定結(jié)果相比，更明確地顯示導(dǎo)電性材料的結(jié)晶的衍射圖案(峰強(qiáng)度等)。

圖18(a)表示由具有燒成前的試樣支撐體的質(zhì)量分析裝置100測(cè)得的質(zhì)譜。另一方面，圖18(b)表示由具有以燒成溫度400℃進(jìn)行燒成后的試樣支撐體的質(zhì)量分析裝置100測(cè)得的質(zhì)譜。其中，在圖18的(a)與(b)之間，有無(wú)燒成以外的測(cè)定條件(試樣的種類和試樣支撐體的結(jié)構(gòu)等)是相同的。另外，圖18的(a)和(b)的縱軸表示將使用燒成后的試樣支撐體時(shí)的峰的信號(hào)強(qiáng)度(即，圖18(b)的圖的峰值)作為“100”時(shí)的相對(duì)信號(hào)強(qiáng)度。如圖18所示，通過(guò)使用燒成后的試樣支撐體，與使用燒成前的試樣支撐體的情況相比，能夠提高質(zhì)量分析中的信號(hào)強(qiáng)度。這樣，通過(guò)實(shí)施上述的燒成工序，能夠獲得更加適于質(zhì)量分析的試樣支撐體。

符號(hào)的說(shuō)明

1…試樣臺(tái)；2、2a、2b、2c…試樣支撐體；3…檢測(cè)器；4…激光照射部；10…試樣；11…試樣離子；21…基板；21a…一個(gè)面；21b…另一個(gè)面；22、122…框體；23…導(dǎo)電層；24…粘著層；24a、24b…粘著面；30…螺絲；122a…插通孔；l…激光；s…貫通孔；t…粘著膠帶；ta…粘著面。