本實(shí)用新型屬于流式細(xì)胞篩查領(lǐng)域，具體涉及一種微流控芯片。

背景技術(shù)：

流式細(xì)胞儀能夠?qū)γ總€(gè)細(xì)胞進(jìn)行多種定量分析，是在血液、骨髓等組織中檢測(cè)稀有細(xì)胞的有力工具。當(dāng)樣本溶液進(jìn)入到流式細(xì)胞儀時(shí)，細(xì)胞在管道內(nèi)呈三維空間的隨機(jī)分布，使細(xì)胞逐個(gè)穿過激光束，才能保證數(shù)據(jù)采集的準(zhǔn)確性。目前，傳統(tǒng)的流式細(xì)胞儀通過流體動(dòng)力聚焦技術(shù)實(shí)現(xiàn)細(xì)胞在管道內(nèi)逐個(gè)穿過激光束，即通過鞘液帶動(dòng)細(xì)胞并將其限制在管道的中心位置，建立起單細(xì)胞流。但是稀有細(xì)胞的檢測(cè)往往需要大量樣本才能采集到足夠的數(shù)據(jù)，而傳統(tǒng)的流體動(dòng)力聚焦技術(shù)此時(shí)則遇到了限制，因?yàn)榇髽颖疽馕吨幚頃r(shí)間長(zhǎng)，若減少時(shí)間，則需要加快進(jìn)樣速率，樣本流速的提高會(huì)增大樣本流的寬度，造成細(xì)胞偏離激光中心甚至發(fā)生淤積，使得細(xì)胞的聚焦效果下降，而細(xì)胞偏離激光中心越遠(yuǎn)，激發(fā)光強(qiáng)度變化就越大，CV值也越高，造成檢測(cè)靈敏度的下降。因此，傳統(tǒng)方法的分析通量和分析精度之間存在著較大的矛盾關(guān)系。

與傳統(tǒng)流體動(dòng)力聚焦不同的是，聲波聚焦技術(shù)利用超聲波將細(xì)胞緊密聚集在樣本流中間，匯聚成一條直線。這種技術(shù)基本不受進(jìn)樣速率的影響，能使細(xì)胞強(qiáng)聚焦于激光檢測(cè)點(diǎn)，與樣本-鞘液的比率無關(guān)，不論樣本流與鞘液流的比例如何，都能使細(xì)胞緊密地聚集于激光檢測(cè)焦點(diǎn)，避免分散。這樣可以采集更多光子，在極高的樣本通量下保證高精度分析。此外，聲波聚焦流式細(xì)胞儀處理全血樣本可省去樣本制備的步驟，既沒有樣本損失，也不會(huì)影響數(shù)據(jù)質(zhì)量。因此，目前聲波聚焦技術(shù)越來越廣泛的應(yīng)用于流式細(xì)胞篩查領(lǐng)域。

微流控(Microfluidics)芯片技術(shù)通過微納技術(shù)在芯片上形成微管道(尺寸為數(shù)十到數(shù)百微米)，可用于處理或操縱微小流體(體積為納升到阿升)，借助其獨(dú)特的流體現(xiàn)象，微流控可以實(shí)現(xiàn)一系列常規(guī)方法所難以完成的微加工和微操作。因其具有微型化、集成化等特征，微流控裝置非常適合于流式細(xì)胞儀的細(xì)胞分析之中。綜合聲波聚焦技術(shù)和微流控芯片的優(yōu)勢(shì)，越來越多的技術(shù)人員將聲波聚焦技術(shù)與微流控技術(shù)結(jié)合并應(yīng)用于流式細(xì)胞儀之中，以實(shí)現(xiàn)高通量、高精度、和高靈敏度的流式細(xì)胞篩查。

如中國專利文獻(xiàn)CN101881779A公開的一種超聲駐波式微流控芯片及其制備方法，該芯片由載玻片、微流控芯片、印刷電路板(PCB板)、壓電陶瓷和控制電路所構(gòu)成，微流控芯片結(jié)構(gòu)中包含有駐波反應(yīng)腔，由聚二甲基硅氧烷(PDMS)液態(tài)預(yù)聚物通過陽模模板固化成型，并在其固化前將載玻片放置其上，待其固化連為一體后脫模；PCB板的正面鍍有一層導(dǎo)電層，其通過該導(dǎo)電層和微流控芯片的非載玻片面與微流控芯片連成一體，且在PCB板的正面設(shè)置有與微流控芯片結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)的孔位，其對(duì)應(yīng)駐波反應(yīng)腔的孔位安裝有壓電陶瓷；控制電路布設(shè)在PCB板的背面。上述方案中即將聲波聚焦技術(shù)與微流控技術(shù)結(jié)合實(shí)現(xiàn)對(duì)細(xì)胞等生物活體樣品的分離、捕獲和操縱，然而由于上述方案中的微流控芯片中采用壓電陶瓷片作為超聲駐波的聲源，輸出的聲波頻率較小，而且當(dāng)樣品經(jīng)過駐波反應(yīng)腔時(shí)，其對(duì)樣品的聚集僅是一個(gè)方向的聚焦，導(dǎo)致聲波對(duì)于高通量的樣品中的細(xì)胞等微顆粒的聚焦能力有限，不能完全的將高通量的樣品中的細(xì)胞完全聚焦于管道的中心點(diǎn)進(jìn)行檢測(cè)，影響檢測(cè)的精度和靈敏度，分析高通量效果較差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的超聲駐波式微流控芯片微流控芯片用于流式細(xì)胞檢測(cè)時(shí)，分析樣品的通量不高和檢測(cè)精度和靈敏度低，從而提供一種流式細(xì)胞檢測(cè)時(shí)分析通量高、檢測(cè)精度和靈敏度高的微流控芯片。

為此，本實(shí)用新型提供了一種微流控芯片，包括微流控基板，所述微流控基板上設(shè)置至少一個(gè)樣品通道，沿著所述樣品流動(dòng)方向每個(gè)所述樣品通道上設(shè)置至少三個(gè)超聲換能裝置；其中，至少一個(gè)所述超聲換能裝置設(shè)置在所述樣品通道的上方，至少一個(gè)所述超聲換能裝置設(shè)置在所述樣品通道的側(cè)部。

所述的微流控芯片，設(shè)置在所述樣品通道的上方的所述超聲換能裝置為縱向超聲換能裝置，設(shè)置在所述樣品通道的側(cè)部的所述超聲換能裝置為橫向超聲換能裝置，沿著所述樣品流動(dòng)方向所述縱向超聲換能裝置和所述橫向超聲換能裝置交錯(cuò)分布在所述樣品通道上。

所述的微流控芯片，沿著所述樣品流動(dòng)方向相鄰的兩個(gè)所述超聲換能裝置之間的間距小于1mm。

所述的微流控芯片，沿著所述樣品流動(dòng)方向，所述樣品通道上方設(shè)置一個(gè)所述縱向超聲換能裝置，在所述縱向超聲換能裝置下游的樣品通道的兩側(cè)分別設(shè)置一個(gè)所述橫向超聲換能裝置，兩個(gè)所述橫向超聲換能裝置相對(duì)。

所述的微流控芯片，所述樣品通道的截面為矩形，所述樣品通道的寬度為700-800微米，所述樣品通道的高度為200-300微米。

所述的微流控芯片，所述樣品通道的兩側(cè)對(duì)稱設(shè)置一個(gè)鞘液通道，所述鞘液通道的出液端與所述樣品通道連通。

所述的微流控芯片，所述超聲換能裝置為壓電陶瓷片。所述壓電陶瓷片為PZT4壓電陶瓷或PZT8壓電陶瓷。

本實(shí)用新型技術(shù)方案，具有如下優(yōu)點(diǎn)：

(1)本實(shí)用新型所述的微流控芯片，包括微流控基板，所述微流控基板上設(shè)置至少一個(gè)樣品通道，每個(gè)所述樣品通道上設(shè)置至少三個(gè)超聲換能裝置；其中，至少一個(gè)所述超聲換能裝置設(shè)置在所述樣品通道的上方，至少一個(gè)所述超聲換能裝置設(shè)置在所述樣品通道的側(cè)部；通過在所述樣品通道的上方設(shè)置至少一個(gè)超聲換能裝置，在所述樣品通道的側(cè)部設(shè)置至少一個(gè)超聲換能裝置，上述超聲換能裝置組列產(chǎn)生的聲波在樣品通道內(nèi)能夠形成穩(wěn)定的聲場(chǎng)，而中心位置處的聲場(chǎng)最弱，受到的聲場(chǎng)作用力最小，這樣的聲場(chǎng)非常有利于細(xì)胞等微顆粒的二維聚焦，使其聚焦在樣品通道的中心處，保證在樣品通道內(nèi)形成單粒子流或單細(xì)胞流，細(xì)胞或其他粒子呈逐個(gè)排列進(jìn)入流式細(xì)胞儀檢測(cè)的檢測(cè)位置進(jìn)行檢測(cè)，實(shí)現(xiàn)提高檢測(cè)精度、靈敏度和效率的作用，同時(shí)由于在樣品通道側(cè)部設(shè)置超聲換能裝置，可以根據(jù)需要調(diào)整該超聲換能裝置的頻率，使其在所述樣品通道內(nèi)的橫向方向形成多個(gè)駐波波節(jié)，將高濃度的樣品在所述樣品通道的中心處的橫向方向形成多個(gè)單細(xì)胞流或單粒子流，一個(gè)所述駐波波節(jié)對(duì)應(yīng)形成一個(gè)單細(xì)胞流或單粒子流，多個(gè)單細(xì)胞流或單粒子流可以進(jìn)入流式細(xì)胞儀檢測(cè)的檢測(cè)位置進(jìn)行檢測(cè)，既保證了能夠分析高通量的樣品，且保證檢測(cè)精度和靈敏度高。

(2)本實(shí)用新型所述的微流控芯片，設(shè)置在所述樣品通道的上方的所述超聲換能裝置為縱向超聲換能裝置，設(shè)置在所述樣品通道的側(cè)部的所述超聲換能裝置為橫向超聲換能裝置，沿著所述樣品流動(dòng)方向所述縱向超聲換能裝置和所述橫向超聲換能裝置交錯(cuò)分布在所述樣品通道上；通過所述縱向超聲換能裝置和所述橫向超聲換能裝置交錯(cuò)設(shè)置，縱向換能器負(fù)責(zé)縱向方向的聚焦，橫向換能器負(fù)責(zé)橫向方向的聚焦，防止兩個(gè)方向的超聲換能裝置產(chǎn)生的聲場(chǎng)之間疊加干擾，更加有利于細(xì)胞等微顆粒的二維聚焦。

(3)本實(shí)用新型所述的微流控芯片，所述樣品通道的截面為矩形，所述樣品通道的寬度為700-800微米，所述樣品通道的高度為200-300微米，通過將樣品通道的截面為矩形，使得外置的超聲換能裝置組列產(chǎn)生的聲波在矩形樣品通道內(nèi)能夠形成更加穩(wěn)定的聲場(chǎng)，進(jìn)一步有利于細(xì)胞等微顆粒的二維聚焦，同時(shí)保證樣品懸濁液在所述樣品通道內(nèi)的橫向方向能夠形成多個(gè)單細(xì)胞單粒子流，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)高通量的分析。

(4)本實(shí)用新型所述的微流控芯片，通過將所述超聲換能裝置設(shè)置為壓電陶瓷片，可以保證所述壓電陶瓷片在微流控芯片上所占用的空間更小。

(5)本實(shí)用新型所述的微流控芯片，所述壓電陶瓷片為PZT4壓電陶瓷或PZT8壓電陶瓷，通過選擇PZT4壓電陶瓷或PZT8壓電陶瓷可以保證所述壓電陶瓷片具有一定的功率和頻率。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本實(shí)用新型的一些實(shí)施方式，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實(shí)用新型的實(shí)施例3中所述的微流控芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型的實(shí)施例4中所述的微流控芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實(shí)用新型的實(shí)施例6中所述的微流控芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本實(shí)用新型的實(shí)施例7中所述的微流控芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本實(shí)用新型的實(shí)施例8中所述的微流控芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本實(shí)用新型的實(shí)施例12中所述的微流控芯片的制備流程圖；

圖7為本實(shí)用新型的實(shí)施例1-11中所述的微流控芯片的剖面圖；

圖8(a)為本實(shí)用新型的實(shí)施例16中所述的微流控芯片的縱向超聲換能裝置在矩形的樣品通道內(nèi)部中軸線上的聲強(qiáng)時(shí)間變化圖；

圖8(b)為本實(shí)用新型的實(shí)施例16中所述的微流控芯片的橫向超聲換能裝置在矩形的樣品通道內(nèi)部中軸線上的聲強(qiáng)時(shí)間變化圖；

圖9為本實(shí)用新型的實(shí)施例16中所述的微流控芯片的縱向超聲換能裝置和橫向超聲換能裝置在矩形的樣品通道內(nèi)形成的聲場(chǎng)分布仿真示意圖；

圖10為本實(shí)用新型的實(shí)施例16中所述的微流控芯片的樣品通道內(nèi)對(duì)細(xì)胞聚焦前后的顯微鏡觀察圖；

圖11為本實(shí)用新型的實(shí)施例18中所述的微流控芯片的樣品通道內(nèi)對(duì)細(xì)胞聚焦效果圖。

附圖標(biāo)記說明：

1-微流控基板，2-樣品通道，3-縱向超聲換能裝置，4-橫向超聲換能裝置，5-第一凹槽，6-第二凹槽，7-第三凹槽，8-蓋板，9-樣品進(jìn)口，10-廢液出口，11-鞘液通道，12-鞘液進(jìn)口，13-光刻膠，14-掩膜,15-光斑區(qū)，16-細(xì)胞。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

在本實(shí)用新型的描述中，需要說明的是，術(shù)語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本實(shí)用新型和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。

在本實(shí)用新型的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本實(shí)用新型中的具體含義。

此外，下面所描述的本實(shí)用新型不同實(shí)施方式中所涉及的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互結(jié)合。

實(shí)施例1

本實(shí)施例所述的微流控芯片，包括微流控基板1，所述微流控基板1上設(shè)置一個(gè)樣品通道2，所述樣品通道2的截面為方形，所述樣品通道2的寬度為500微米，所述樣品通道2的高度為500微米，沿著所述樣品流動(dòng)方向所述樣品通道2上依次設(shè)置三個(gè)超聲換能裝置，其中兩個(gè)所述超聲換能裝置沿著所述樣品流動(dòng)方向依次設(shè)置在上游的所述樣品通道2的上方，位于所述樣品通道2的下游在所述樣品通道2的側(cè)部設(shè)置一個(gè)所述超聲換能裝置設(shè)置，相鄰的兩個(gè)所述超聲換能裝置之間的間距為2mm。所述超聲換能裝置為PZT8壓電陶瓷片。

實(shí)施例2

本實(shí)施例所述的微流控芯片，包括微流控基板1，所述微流控基板1上設(shè)置一個(gè)樣品通道2，所述樣品通道2的截面為矩形，所述樣品通道2的寬度為680微米，所述樣品通道2的高度為320微米，所述樣品通道2上設(shè)置四個(gè)超聲換能裝置，設(shè)置在所述樣品通道2的上方的所述超聲換能裝置為縱向超聲換能裝置3，設(shè)置在所述樣品通道2的側(cè)部的所述超聲換能裝置為橫向超聲換能裝置4，沿著所述樣品流動(dòng)方向在所述樣品通道2的上游依次設(shè)置兩個(gè)所述縱向縱向超聲換能裝置3，位于所述樣品通道2的下游在所述樣品通道2的一側(cè)沿著所述樣品流動(dòng)方向依次設(shè)置兩個(gè)所述橫向超聲換能裝置4，相鄰的兩個(gè)所述超聲換能裝置之間的間距為1mm。所述超聲換能裝置為PZT8壓電陶瓷片。

實(shí)施例3

本實(shí)施例所述的微流控芯片，如圖1所示，包括微流控基板1，所述微流控基板1上設(shè)置一個(gè)樣品通道2，所述樣品通道2的截面為矩形，所述樣品通道2的寬度為820微米，所述樣品通道2的高度為180微米，所述樣品通道2上設(shè)置三個(gè)超聲換能裝置，設(shè)置在所述樣品通道2的上方的所述超聲換能裝置為縱向超聲換能裝置3，設(shè)置在所述樣品通道2的側(cè)部的所述超聲換能裝置為橫向超聲換能裝置4，沿著所述樣品流動(dòng)方向在所述樣品通道2的一側(cè)依次設(shè)置兩個(gè)所述橫向超聲換能裝置4，位于所述樣品通道2的下游在所述樣品通道的上方設(shè)置一個(gè)所述縱向超聲換能裝置3，相鄰的兩個(gè)所述超聲換能裝置之間的間距為0.9mm。所述超聲換能裝置為PZT4壓電陶瓷片。

實(shí)施例4

本實(shí)施例所述的微流控芯片，如圖2所示，包括微流控基板1，所述微流控基板1上設(shè)置一個(gè)樣品通道2，所述樣品通道2的截面為矩形，所述樣品通道2的寬度為800微米，所述樣品通道2的高度為200微米，所述樣品通道2上設(shè)置五個(gè)超聲換能裝置，設(shè)置在所述樣品通道2的上方的所述超聲換能裝置為縱向超聲換能裝置3，設(shè)置在所述樣品通道2的側(cè)部的所述超聲換能裝置為橫向超聲換能裝置4，在所述樣品通道2上游，沿著所述樣品流動(dòng)方向分別在所述樣品通道2的兩側(cè)排列設(shè)置兩個(gè)所述橫向超聲換能裝置4，所述樣品通道2的一側(cè)的所述橫向超聲換能裝置4與所述樣品通道2的一側(cè)的所述橫向超聲換能裝置4相對(duì)，位于所述樣品通道2的下游在所述樣品通道2的上方設(shè)置一個(gè)所述縱向超聲換能裝置3，沿著樣品流動(dòng)方向相鄰的兩個(gè)所述超聲換能裝置之間的間距為0.8mm。所述超聲換能裝置為PZT4壓電陶瓷片。

實(shí)施例5

本實(shí)施例所述的微流控芯片，包括微流控基板1，所述微流控基板1上設(shè)置一個(gè)樣品通道2，所述樣品通道2的截面為矩形，所述樣品通道2的寬度為700微米，所述樣品通道2的高度為300微米，所述樣品通道2上設(shè)置三個(gè)超聲換能裝置，設(shè)置在所述樣品通道2的上方的所述超聲換能裝置為縱向超聲換能裝置3，設(shè)置在所述樣品通道2的側(cè)部的所述超聲換能裝置為橫向超聲換能裝置4，沿著所述樣品流動(dòng)方向所述縱向超聲換能裝置3和所述橫向超聲換能裝置4交錯(cuò)分布在所述樣品通道2上，在本實(shí)施例中，沿著所述樣品流動(dòng)方向在上游的所述樣品通道2的一側(cè)設(shè)置一個(gè)所述橫向超聲換能裝置4，位于所述樣品通道2的中游在所述樣品通道2的上方設(shè)置一個(gè)所述縱向超聲換能裝置3，位于所述樣品通道2的下游在所述樣品通道2的另一側(cè)設(shè)置一個(gè)所述橫向超聲換能裝置4，沿著樣品流動(dòng)方向相鄰的兩個(gè)所述超聲換能裝置之間的間距為0.8mm。所述超聲換能裝置為PZT8壓電陶瓷片。

實(shí)施例6

本實(shí)施例所述的微流控芯片，如圖3所示，包括微流控基板1，所述微流控基板1上設(shè)置一個(gè)樣品通道2，所述樣品通道2的截面為矩形，所述樣品通道2的寬度為750微米，所述樣品通道2的高度為250微米，所述樣品通道2上設(shè)置三個(gè)超聲換能裝置，設(shè)置在所述樣品通道2的上方的所述超聲換能裝置為縱向超聲換能裝置3，設(shè)置在所述樣品通道2的側(cè)部的所述超聲換能裝置為橫向超聲換能裝置4，沿著所述樣品流動(dòng)方向所述縱向超聲換能裝置3和所述橫向超聲換能裝置4交錯(cuò)分布在所述樣品通道2上，在本實(shí)施例中，沿著所述樣品流動(dòng)方向在上游的所述樣品通道2的上方設(shè)置一個(gè)所述縱向超聲換能裝置3，位于所述樣品通道2的下游在所述樣品通道2的兩側(cè)分別設(shè)置一個(gè)所述橫向超聲換能裝置4，兩個(gè)所述橫向超聲換能裝置4相對(duì)，沿著樣品流動(dòng)方向相鄰的兩個(gè)所述超聲換能裝置之間的間距為0.8mm。所述超聲換能裝置為PZT4壓電陶瓷片。

實(shí)施例7

本實(shí)施例所述的微流控芯片，如圖4所示，包括微流控基板1，所述微流控基板1上設(shè)置一個(gè)樣品通道2，在所述樣品通道2的兩側(cè)對(duì)稱設(shè)置一個(gè)鞘液通道11，所述鞘液通道11的出液端與所述樣品通道2連通，所述樣品通道2的截面為矩形，所述樣品通道2的寬度為750微米，所述樣品通道2的高度為250微米，位于所述鞘液通道11與所述樣品通道2連通處的下游的所述樣品通道2上設(shè)置三個(gè)超聲換能裝置，設(shè)置在所述樣品通道2的上方的所述超聲換能裝置為縱向超聲換能裝置3，設(shè)置在所述樣品通道2的側(cè)部的所述超聲換能裝置為橫向超聲換能裝置4，沿著所述樣品流動(dòng)方向所述縱向超聲換能裝置3和所述橫向超聲換能裝置3交錯(cuò)分布在所述樣品通道2上，在本實(shí)施例中，沿著所述樣品流動(dòng)方向在上游的所述樣品通道2的上方設(shè)置一個(gè)所述縱向超聲換能裝置3，位于所述樣品通道2的下游在所述樣品通道2的兩側(cè)分別設(shè)置一個(gè)所述橫向超聲換能裝置4，兩個(gè)所述橫向超聲換能裝置4相對(duì)沿著樣品流動(dòng)方向相鄰的兩個(gè)所述超聲換能裝置之間的間距為0.8mm。所述超聲換能裝置為PZT8壓電陶瓷片。

實(shí)施例8

本實(shí)施例所述的微流控芯片，如圖5所示，包括微流控基板1，所述微流控基板1上設(shè)置三個(gè)樣品通道2，每個(gè)所述樣品通道2的截面為矩形，所述樣品通道2的寬度為750微米，所述樣品通道2的高度為250微米，每個(gè)所述樣品通道2上設(shè)置三個(gè)超聲換能裝置，設(shè)置在所述樣品通道2的上方的所述超聲換能裝置為縱向超聲換能裝置3，設(shè)置在所述樣品通道2的側(cè)部的所述超聲換能裝置為橫向超聲換能裝置4，沿著所述樣品流動(dòng)方向所述縱向超聲換能裝置3和所述橫向超聲換能裝置4交錯(cuò)分布在所述樣品通道2上，在本實(shí)施例中，沿著所述樣品流動(dòng)方向在上游的所述樣品通道2的上方設(shè)置一個(gè)所述縱向超聲換能裝置3，位于所述樣品通道2的下游在所述樣品通道2的兩側(cè)分別設(shè)置一個(gè)所述橫向超聲換能裝置4，兩個(gè)所述橫向超聲換能裝置4相對(duì)，沿著樣品流動(dòng)方向相鄰的兩個(gè)所述超聲換能裝置之間的間距為0.7mm。所述超聲換能裝置為PZT4壓電陶瓷片。

實(shí)施例9

本實(shí)施例所述的微流控芯片，包括微流控基板1，所述微流控基板1上設(shè)置三個(gè)樣品通道2，在每個(gè)所述樣品通道2的兩側(cè)對(duì)稱設(shè)置一個(gè)鞘液通道11，所述鞘液通道11設(shè)置有進(jìn)液端和出液端，所述鞘液通道11的出液端與所述樣品通道2連通，每個(gè)所述樣品通道2的截面為矩形，所述樣品通道2的寬度為750微米，所述樣品通道2的高度為250微米，位于所述鞘液通道11與所述樣品通道2連通處的下游的每個(gè)所述樣品通道2上設(shè)置三個(gè)超聲換能裝置，設(shè)置在所述樣品通道2的上方的所述超聲換能裝置為縱向超聲換能裝置3，設(shè)置在所述樣品通道2的側(cè)部的所述超聲換能裝置為橫向超聲換能裝置4，沿著所述樣品流動(dòng)方向所述縱向超聲換能裝置3和所述橫向超聲換能裝置4交錯(cuò)分布在所述樣品通道2上，在本實(shí)施例中，沿著所述樣品流動(dòng)方向在上游的所述樣品通道2的上方設(shè)置一個(gè)所述縱向超聲換能裝置3，位于所述樣品通道2的下游在所述樣品通道2的兩側(cè)分別設(shè)置一個(gè)所述橫向超聲換能裝置4，兩個(gè)所述橫向超聲換能裝置4相對(duì)，沿著樣品流動(dòng)方向相鄰的兩個(gè)所述超聲換能裝置之間的間距為0.8mm。所述超聲換能裝置為PZT8壓電陶瓷片。

實(shí)施例10

本實(shí)施例所述的微流控芯片，包括微流控基板1，所述微流控基板1上設(shè)置三個(gè)樣品通道2，在每個(gè)所述樣品通道2的兩側(cè)對(duì)稱設(shè)置一個(gè)鞘液通道11，所述鞘液通道11的出液端與所述樣品通道2連通，每個(gè)所述樣品通道2的截面為矩形，所述樣品通道2的寬度為750微米，所述樣品通道2的高度為250微米，位于所述鞘液通道11與所述樣品通道2連通處的下游的每個(gè)所述樣品通道2上設(shè)置五個(gè)超聲換能裝置，設(shè)置在所述樣品通道2的上方的所述超聲換能裝置為縱向超聲換能裝置3，設(shè)置在所述樣品通道2的側(cè)部的所述超聲換能裝置為橫向超聲換能裝置4，沿著所述樣品流動(dòng)方向所述縱向超聲換能裝置3和所述橫向超聲換能裝置4交錯(cuò)分布在所述樣品通道2上，在本實(shí)施例中，沿著所述樣品流動(dòng)方向在上游的所述樣品通道2的上方設(shè)置一個(gè)所述縱向超聲換能裝置3，位于所述樣品通道2的下游在所述樣品通道2的兩側(cè)分別排列設(shè)置兩個(gè)所述橫向超聲換能裝置4，兩個(gè)所述橫向超聲換能裝置4相對(duì)，沿著樣品流動(dòng)方向相鄰的兩個(gè)所述超聲換能裝置之間的間距為0.7mm。所述超聲換能裝置為PZT4壓電陶瓷片。

實(shí)施例11

本實(shí)施例所述的微流控芯片，包括微流控基板1，所述微流控基板1上設(shè)置五個(gè)樣品通道2，每個(gè)所述樣品通道2的截面為矩形，所述樣品通道2的寬度為750微米，所述樣品通道2的高度為250微米，每個(gè)所述樣品通道2上設(shè)置三個(gè)超聲換能裝置，設(shè)置在所述樣品通道2的上方的所述超聲換能裝置為縱向超聲換能裝置3，設(shè)置在所述樣品通道2的側(cè)部的所述超聲換能裝置為橫向超聲換能裝置4，沿著所述樣品流動(dòng)方向所述縱向超聲換能裝置3和所述橫向超聲換能裝置4交錯(cuò)分布在所述樣品通道2上，在本實(shí)施例中，沿著所述樣品流動(dòng)方向在上游的所述樣品通道2的上方設(shè)置一個(gè)所述縱向超聲換能裝置3，位于所述樣品通道2的下游在所述樣品通道2的兩側(cè)分別設(shè)置一個(gè)所述橫向超聲換能裝置4，兩個(gè)所述橫向超聲換能裝置4相對(duì)，沿著樣品流動(dòng)方向相鄰的兩個(gè)所述超聲換能裝置之間的間距為0.5mm。所述超聲換能裝置為PZT8壓電陶瓷片。

實(shí)施例12

本實(shí)施例提供了一種制備上述實(shí)施例1-11所述的微流控芯片的方法，制備流程如圖6-7所示，具體包括如下步驟：

采用濕法刻蝕方法制備包括至少一個(gè)第一凹槽5的微流控基板1，在每個(gè)所述第一凹槽5的側(cè)部切割至少一個(gè)第二凹槽6，然后將橫向超聲換能裝置4固定安置在所述第二凹槽6中，然后在所述第一凹槽5上粘接蓋板8，所述第一凹槽5形成樣品通道2，所述樣品通道2的兩端分別設(shè)有樣品進(jìn)口9和廢液出口10，在與所述樣品通道2正對(duì)的所述蓋板8上方固定連接縱向超聲換能裝置3，即得所述微流控芯片，具體步驟為：

(1)選擇石英玻璃為微流控基板1，在所述微流控基板1一面噴涂光刻膠13；

(2)然后在噴涂的所述光刻膠13表面粘貼掩膜14，在所述掩膜14上繪制所述第一凹槽5的走向，根據(jù)所述樣品通道2的個(gè)數(shù)繪制，若是分別制備1、3、5個(gè)樣品通道2的微流控基板，則在所述掩膜14上分別繪制1個(gè)、3個(gè)、5個(gè)所述第一凹槽5，如制備實(shí)施例6的微流控芯片，則在所述掩膜14上繪制一個(gè)所述第一凹槽5，控制所述第一凹槽5的寬度為750微米，所述第一凹槽5寬度即為所述樣品通道2的寬度，然后將繪制的所述第一凹槽5處的所述掩膜14去除；

(3)然后將步驟(2)的所述微流控基板1進(jìn)行曝光，對(duì)應(yīng)繪制的所述第一凹槽5部位的光刻膠13消失；

(4)然后將步驟(3)的所述微流控基板1上無所述光刻膠13的部位即繪制的所述第一凹槽5部位進(jìn)行刻蝕，根據(jù)設(shè)定的所述樣品通道2的規(guī)格，在所述微流控基板1上刻蝕得到一定高度的所述第一凹槽5，如實(shí)施例6中的樣品通道2的高度為250微米，則在所述微流控基板1上刻蝕得到高度為250微米的所述第一凹槽5；

(5)然后去除所述基板上的光刻膠13，然后根據(jù)所述橫向超聲換能裝置4的設(shè)置，如在實(shí)施例6中在位于所述樣品通道2的下游在所述樣品通道2的兩側(cè)分別設(shè)置一個(gè)所述橫向超聲換能裝置4，即在所述微流控基板1的上沿著樣品流動(dòng)方向的下游的所述樣品通道2的兩側(cè)分別激光切割一個(gè)第二凹槽6，兩個(gè)所述第二凹槽6相對(duì)，然后將所述橫向超聲換能裝置4固定安置在所述第二凹槽6中；

(6)將步驟(5)所得的微流控基板1的所述第一凹槽的上方覆蓋粘接蓋板8，所述蓋板8為石英玻璃，所述第一凹槽5的兩端分別設(shè)有樣品進(jìn)口9和廢液出口10，在本實(shí)施例中可以在所述第一凹槽5的兩端上對(duì)應(yīng)的所述石英玻璃板上分別設(shè)置通孔，兩個(gè)通孔分別為樣品進(jìn)口9和廢液出口10，通過所述通孔將所述樣品懸濁液注入所述樣品通道2或通過所述通孔將所述樣品通道2中的廢液排出，所述第一凹槽5形成所述樣品通道2，得到相應(yīng)個(gè)數(shù)的所述樣品通道2的微流控基板1，然后根據(jù)所述縱向超聲換能裝置3的設(shè)置，在與所述樣品通道2正對(duì)的蓋板8上方粘接所述縱向超聲換能裝置3，即得所述微流控芯片。在本實(shí)施例中，在本實(shí)施例中，所述超聲換能裝置為壓電陶瓷片，所述壓電陶瓷片可以與外設(shè)的控制電路連接。所述超聲波的聲源由所述壓電陶瓷片提供，所述壓電陶瓷片的功率和頻率可以通過調(diào)節(jié)外設(shè)的控制電路的輸入的功率和頻率獲得。所述壓電陶瓷片為采用PZT4或PZT8壓電陶瓷(由美國CTS公司提供)制成。

進(jìn)一步的，如在實(shí)施例7、9、10中的微流控芯片上還設(shè)置鞘液通道11，所述微流控芯片與上述的微流控芯片制備方法基本相同，區(qū)別僅在于在步驟(2)中還包括在所述掩膜14上繪制第三凹槽7的走向，根據(jù)鞘液通道11的設(shè)置在所述掩膜14上的對(duì)應(yīng)位置進(jìn)行繪制，如制備實(shí)施例7的微流控芯片，在所述掩膜14上繪制完一個(gè)所述第一凹槽5后，在所述第一凹槽5的兩側(cè)對(duì)稱繪制第三凹槽7，兩個(gè)所述第三凹槽7的一端與所述第一凹槽5相連，然后將繪制的所述第一凹槽5處以及所述第三凹槽3處所述掩膜14去除。

實(shí)施例13

本實(shí)施例所述的利用上述實(shí)施例1的微流控芯片進(jìn)行細(xì)胞篩查的方法，本實(shí)施例所采用的所述樣品懸濁液濃度為0.5×10⁵個(gè)/ml，細(xì)胞為CHO Cells(中國倉鼠卵巢細(xì)胞)，所述樣品懸濁液購自中國科學(xué)院細(xì)胞庫，取待測(cè)的樣品懸濁液通過所述樣品進(jìn)口9通入所述樣品通道2，所述樣品懸濁液的通量為0.5mL/min，所述樣品懸濁液在所述樣品通道2內(nèi)流動(dòng)，依次經(jīng)過兩個(gè)所述縱向超聲換能裝置3和一個(gè)所述橫向超聲換能裝置4的聚焦，所述超聲換能裝置輸入功率為12W，所述縱向超聲換能裝置3的聚焦聲波頻率為2.3MHz，所述橫向超聲換能裝置4聚焦聲波頻率為1.3MHz，聚焦后的所述樣品懸濁液經(jīng)過流式細(xì)胞儀進(jìn)行檢測(cè)，具體為聚焦后的所述樣品懸濁液中形成1個(gè)單細(xì)胞流，細(xì)胞16在所述樣品通道2內(nèi)流動(dòng)經(jīng)過光斑區(qū)15進(jìn)行檢測(cè)，所述光斑區(qū)位于所述超聲換能裝置下游的所述樣品通道2上，所述廢液出口10的上游，所述光斑區(qū)15為流式細(xì)胞儀中光學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)光束照亮區(qū)域，經(jīng)檢測(cè)后的樣品懸濁液由所述廢液出口10排出。

實(shí)施例14

本實(shí)施例所述的利用上述實(shí)施例3的微流控芯片進(jìn)行細(xì)胞篩查的方法，本實(shí)施例所采用的所述樣品懸濁液濃度為1.2×10⁷個(gè)/ml，細(xì)胞為CHO Cells(中國倉鼠卵巢細(xì)胞)，所述樣品懸濁液購自中國科學(xué)院細(xì)胞庫，取待測(cè)的樣品懸濁液通過所述樣品進(jìn)口9通入所述樣品通道2，所述樣品懸濁液的通量為1.3mL/min，所述樣品懸濁液在所述樣品通道2內(nèi)流動(dòng)，依次經(jīng)過兩個(gè)所述橫向超聲換能裝置4和一個(gè)所述縱向超聲換能裝置3的聚焦，所述超聲換能裝置輸入功率為18W，所述縱向超聲換能裝置3的聚焦聲波頻率為3.7MHz，所述橫向超聲換能裝置4聚焦聲波頻率為0.7MHz，聚焦后的所述樣品懸濁液經(jīng)過流式細(xì)胞儀進(jìn)行檢測(cè)，具體為聚焦后的所述樣品懸濁液中形成1個(gè)單細(xì)胞流如圖1所示，，單個(gè)細(xì)胞16在所述樣品通道2內(nèi)流動(dòng)逐個(gè)經(jīng)過光斑區(qū)15進(jìn)行檢測(cè)，所述光斑區(qū)位于所述超聲換能裝置下游的所述樣品通道2上，所述廢液出口19的上游，所述光斑區(qū)15為流式細(xì)胞儀中光學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)光束照亮區(qū)域，經(jīng)檢測(cè)后的樣品懸濁液由所述廢液出口排出。

實(shí)施例15

本實(shí)施例所述的利用上述實(shí)施例4的微流控芯片進(jìn)行細(xì)胞篩查的方法，本實(shí)施例所采用的所述樣品懸濁液濃度為10⁵個(gè)/ml，細(xì)胞為CHO Cells(中國倉鼠卵巢細(xì)胞)，所述樣品懸濁液購自中國科學(xué)院細(xì)胞庫，取待測(cè)的樣品懸濁液通過所述樣品進(jìn)口9通入所述樣品通道2，所述樣品懸濁液的通量為0.8mL/min，所述樣品懸濁液在所述樣品通道2內(nèi)流動(dòng)，依次經(jīng)過兩組相對(duì)的四個(gè)所述橫向超聲換能裝置4和一個(gè)所述縱向超聲換能裝置3的聚焦，所述超聲換能裝置輸入功率為13W，所述縱向超聲換能裝置3的聚焦聲波頻率為3.5MHz，所述橫向超聲換能裝置4聚焦聲波頻率為1.2MHz，聚焦后的所述樣品懸濁液經(jīng)過流式細(xì)胞儀進(jìn)行檢測(cè)，具體為聚焦后的所述樣品懸濁液中形成1個(gè)單細(xì)胞流如圖2所示，單個(gè)細(xì)胞16在所述樣品通道2內(nèi)流動(dòng)逐個(gè)經(jīng)過光斑區(qū)15進(jìn)行檢測(cè)，所述光斑區(qū)15位于所述超聲換能裝置下游的所述樣品通道2上，所述廢液出口10的上游，所述光斑區(qū)15為流式細(xì)胞儀中光學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)光束照亮區(qū)域，經(jīng)檢測(cè)后的樣品懸濁液由所述廢液出口10排出。所述樣品懸濁液聚焦前后細(xì)胞粒子的聚集情況見圖10(采用的是Olympus IX83型熒光顯微鏡觀察)，其中圖10(a)為所述的微流控芯片對(duì)細(xì)胞的聚焦前的圖，圖10(b)為所述的微流控芯片對(duì)細(xì)胞的聚焦后的圖。

實(shí)施例16

本實(shí)施例所述的利用上述實(shí)施例6的微流控芯片進(jìn)行細(xì)胞篩查的方法，如圖3所示，本實(shí)施例所采用的所述樣品懸濁液濃度為10⁶個(gè)/ml，細(xì)胞為CHO Cells(中國倉鼠卵巢細(xì)胞)，所述樣品懸濁液購自中國科學(xué)院細(xì)胞庫，取待測(cè)的樣品懸濁液通過所述樣品進(jìn)口9通入所述樣品通道2，所述樣品懸濁液的通量為1mL/min，所述樣品懸濁液在所述樣品通道2內(nèi)流動(dòng)，依次經(jīng)過一個(gè)所述縱向超聲換能裝置3和一組相對(duì)的兩個(gè)所述橫向超聲換能裝置4的聚焦，所述超聲換能裝置輸入功率為15W，所述縱向超聲換能裝置3的聚焦聲波頻率為3MHz，所述橫向超聲換能裝置4聚焦聲波頻率為2MHz，聚焦后的所述樣品懸濁液經(jīng)過流式細(xì)胞儀進(jìn)行檢測(cè)，具體為聚焦后的所述樣品懸濁液中形成2個(gè)單細(xì)胞流，單個(gè)細(xì)胞16在所述樣品通道2內(nèi)流動(dòng)逐個(gè)經(jīng)過光斑區(qū)15進(jìn)行檢測(cè)，所述光斑區(qū)15位于所述超聲換能裝置下游的所述樣品通道2上，所述廢液出口10的上游，所述光斑區(qū)15為流式細(xì)胞儀中光學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)光束照亮區(qū)域，經(jīng)檢測(cè)后的樣品懸濁液由所述廢液出口10排出，所述的微流控芯片的超聲換能裝置組列在矩形的樣品通道2內(nèi)中軸線上的聲強(qiáng)時(shí)間變化圖見圖8，所述的微流控芯片的超聲換能裝置組列在矩形的樣品通道2內(nèi)形成的聲場(chǎng)分布仿真示意圖見圖9，由圖8-圖9可以看到，外置的超聲換能裝置組列產(chǎn)生的聲波在矩形樣品通道2內(nèi)能夠形成穩(wěn)定的聲場(chǎng)，中心位置處的聲場(chǎng)最弱，受到的聲場(chǎng)作用力最小，這樣的聲場(chǎng)非常有利于細(xì)胞等微顆粒的二維聚焦，由圖8(a)、圖9)可知，所述縱向超聲換能裝置3在所述樣品通道2內(nèi)在縱向方向(豎直方向)形成1個(gè)駐波波節(jié)，由圖8(b)、圖9可知，所述橫向超聲換能裝置4在所述樣品通道2內(nèi)在橫向方向(水平方向)形成2個(gè)駐波波節(jié)。

實(shí)施例17

本實(shí)施例所述的利用上述實(shí)施例7的微流控芯片進(jìn)行細(xì)胞篩查的方法，本實(shí)施例所采用的所述樣品懸濁液濃度為10⁷個(gè)/ml，細(xì)胞為CHO Cells(中國倉鼠卵巢細(xì)胞)，所述樣品懸濁液購自中國科學(xué)院細(xì)胞庫，取待測(cè)的樣品懸濁液通過所述樣品進(jìn)口9通入所述樣品通道2，所述樣品懸濁液的通量為1mL/min，所述樣品懸濁液在所述樣品通道2內(nèi)流動(dòng)，所述樣品懸濁液先與所述鞘液通道11流入的鞘液相遇，然后所述樣品懸濁液依次經(jīng)過一個(gè)所述縱向超聲換能裝置3和一組相對(duì)的兩個(gè)所述橫向超聲換能裝置4的聚焦，所述超聲換能裝置輸入功率為15W，所述縱向超聲換能裝置3的聚焦聲波頻率為3MHz，所述橫向超聲換能裝置4聚焦聲波頻率為1MHz，聚焦后的所述樣品懸濁液經(jīng)過流式細(xì)胞儀進(jìn)行檢測(cè)，具體為聚焦后的所述樣品懸濁液中形成的1個(gè)單細(xì)胞流如圖4所示，單個(gè)細(xì)胞16在所述樣品通道2內(nèi)流動(dòng)經(jīng)過光斑區(qū)15進(jìn)行檢測(cè)，所述光斑區(qū)15位于所述超聲換能裝置下游的所述樣品通道2上，所述廢液出口10的上游，所述光斑區(qū)15為流式細(xì)胞儀中光學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)光束照亮區(qū)域，經(jīng)檢測(cè)后的樣品懸濁液由所述廢液出口10排出。

實(shí)施例18

本實(shí)施例所述的利用上述實(shí)施例8的微流控芯片進(jìn)行細(xì)胞篩查的方法，本實(shí)施例所采用的所述樣品懸濁液濃度為5×10⁶個(gè)/ml，細(xì)胞為CHO Cells(中國倉鼠卵巢細(xì)胞)，所述樣品懸濁液購自中國科學(xué)院細(xì)胞庫，分別取待測(cè)的樣品懸濁液通過三個(gè)樣品通道2各自所述樣品進(jìn)口9通入每個(gè)所述樣品通道2，所述樣品懸濁液的通量為1.2mL/min，所述樣品懸濁液在所述樣品通道2內(nèi)流動(dòng)，依次經(jīng)過一個(gè)所述縱向超聲換能裝置3和一組相對(duì)的兩個(gè)所述橫向超聲換能裝置4的聚焦，所述超聲換能裝置輸入功率為17W，所述縱向超聲換能裝置4的聚焦聲波頻率為2.5MHz，所述橫向超聲換能裝置3聚焦聲波頻率為2.4MHz，聚焦后的所述樣品懸濁液經(jīng)過流式細(xì)胞儀進(jìn)行檢測(cè)，具體為聚焦后的所述樣品懸濁液中形成3個(gè)單細(xì)胞流如圖5所示，單個(gè)細(xì)胞16在所述樣品通道2內(nèi)流動(dòng)經(jīng)過光斑區(qū)15進(jìn)行檢測(cè)，所述光斑區(qū)15位于所述超聲換能裝置下游的所述樣品通道2上，所述廢液出口10的上游，所述光斑區(qū)15為流式細(xì)胞儀中光學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)光束照亮區(qū)域，經(jīng)檢測(cè)后的樣品懸濁液由所述廢液出口10排出，所述樣品懸濁液在所述樣品通道2內(nèi)的聚焦效果圖見11，如圖11所示，其中的聚焦區(qū)域?yàn)閱渭?xì)胞流，所述樣品懸濁液在所述樣品通道2的中心位置形成3個(gè)單細(xì)胞流。

實(shí)施例19

本實(shí)施例所述的利用上述實(shí)施例9的微流控芯片進(jìn)行細(xì)胞篩查的方法，本實(shí)施例所采用的所述樣品懸濁液濃度為2×10⁶個(gè)/ml，細(xì)胞為CHO Cells(中國倉鼠卵巢細(xì)胞)，所述樣品懸濁液購自中國科學(xué)院細(xì)胞庫，分別取待測(cè)的樣品懸濁液通過三個(gè)樣品通道2各自所述樣品進(jìn)口9通入每個(gè)所述樣品通道2，所述樣品懸濁液的通量為1.2mL/min，所述樣品懸濁液在所述樣品通道2內(nèi)流動(dòng)，所述樣品懸濁液先與所述鞘液通道11流入的鞘液相遇，然后所述樣品懸濁液依次經(jīng)過一個(gè)所述縱向超聲換能裝置3和一組相對(duì)的兩個(gè)所述橫向超聲換能裝置4的聚焦，所述超聲換能裝置輸入功率為17W，所述縱向超聲換能裝置3的聚焦聲波頻率為2.5MHz，所述橫向超聲換能裝置4聚焦聲波頻率為12MHz，聚焦后的所述樣品懸濁液經(jīng)過流式細(xì)胞儀進(jìn)行檢測(cè)，具體為聚焦后的所述樣品懸濁液中形成10個(gè)單細(xì)胞流，單個(gè)細(xì)胞在所述樣品通道2內(nèi)流動(dòng)經(jīng)過光斑區(qū)15進(jìn)行檢測(cè)，所述光斑區(qū)15位于所述超聲換能裝置下游的所述樣品通道2上，所述廢液出口10的上游，所述光斑區(qū)15為流式細(xì)胞儀中光學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)光束照亮區(qū)域，經(jīng)檢測(cè)后的樣品懸濁液由所述廢液出口10排出。

對(duì)比例1

本實(shí)施例為按照中國專利文獻(xiàn)CN101881779A中實(shí)施例2制備的微流控芯片，所述微流控芯片的制備方法如下：1、用軟光刻的方法制取超聲駐波微流控芯片用的玻璃陽模模板，此模板中設(shè)計(jì)有三個(gè)駐波反應(yīng)腔4，形成1×3的駐波反應(yīng)腔陣列；2、在表面鍍有一層鉑的PCB板1上加工出與微流控芯片中結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)的孔位，在與超聲駐波反應(yīng)腔相對(duì)應(yīng)的孔位里安裝固定上三個(gè)PZ26壓電陶瓷片5，作為超聲駐波的聲源，同時(shí)在PCB板1的背面進(jìn)行布線，將所有的壓電陶瓷片5輸入信號(hào)連接到三路開關(guān)電路的輸出端，并將焊接有三路開關(guān)的電路板固定在PCB板1的兩側(cè)，作為支架；3、將PDMS液態(tài)預(yù)聚物2倒在陽模模板上，再將一塊載玻片3放入陽模模板上的PDMS液態(tài)預(yù)聚物2上，待反應(yīng)固化后，一起脫模成型，制成與載玻片一體的微流控芯片，用打孔器打孔；4、將以上制得的與載玻片一體的微流控芯片和已安裝有支架的PCB板1用螺絲固定在一起，即得到集成有三個(gè)駐波反應(yīng)腔4的微流控芯片。

采用上述的微流控芯片進(jìn)行細(xì)胞篩查，本實(shí)施例所采用的所述樣品懸濁液濃度為10⁶個(gè)/ml，細(xì)胞為CHO Cells(中國倉鼠卵巢細(xì)胞)，所述樣品懸濁液購自中國科學(xué)院細(xì)胞庫，取待測(cè)的樣品懸濁液通過其中一個(gè)所述進(jìn)液孔7進(jìn)入，然后在另兩個(gè)進(jìn)液孔7中注入鞘液，所述樣品懸濁液的通量為1mL/min，所述樣品懸濁液先與鞘液通道匯聚，然后依次經(jīng)過3個(gè)超聲駐波反應(yīng)腔4，所述超聲波的頻率為3MHZ，聚焦后的所述樣品懸濁液經(jīng)過流式細(xì)胞儀進(jìn)行檢測(cè)，經(jīng)檢測(cè)后的樣品懸濁液由所述出液孔7排出。

對(duì)比例2

本實(shí)施例與實(shí)施例8基本相同，區(qū)別僅在于所述的微流控芯片的樣品通道2上僅設(shè)置兩個(gè)橫向超聲換能裝置4，所述橫向超聲換能裝置4與實(shí)施例8中設(shè)置的位置相同。利用上述的微流控芯片進(jìn)行細(xì)胞篩查的方法與實(shí)施例18的方法相同，區(qū)別僅在于無需控制所述縱向超聲換能裝置4的聚焦聲波頻率。

效果例

比實(shí)施例13、16、18以及對(duì)比例1、對(duì)比例2的檢測(cè)效果，采用流式細(xì)胞儀(美國貝克曼庫爾特MoFlo XDP型流式細(xì)胞儀)對(duì)上述實(shí)施例中的聚焦后的所述樣品懸濁液中形成的單細(xì)胞流進(jìn)行檢測(cè)，各自顯示CV值如下：

由上述比較可知，采用本實(shí)用新型的微流控芯片進(jìn)行高通量細(xì)胞篩查時(shí)流式細(xì)胞儀的CV值明顯低于對(duì)比例1中的CV值，說明采用本實(shí)用新型的微流控芯片進(jìn)行高通量細(xì)胞篩查檢測(cè)精度和靈敏度顯著提高，檢測(cè)效率大大提高。

顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無需也無法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動(dòng)仍處于本實(shí)用新型創(chuàng)造的保護(hù)范圍之中。