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電池電流檢測保護(hù)喚醒電路的制作方法

文檔序號(hào):11047723閱讀:762來源:國知局
電池電流檢測保護(hù)喚醒電路的制造方法與工藝

本實(shí)用新型涉及電子電路技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種電池電流檢測保護(hù)喚醒電路。



背景技術(shù):

鋰電池行業(yè)在國家新能源政策的推動(dòng)下,正處快速增長期。在新能源事業(yè)發(fā)展迅速地今天,鋰電池在能力密度高、重量輕、自放電率低等方面的突出優(yōu)點(diǎn)使其應(yīng)用領(lǐng)域越來越廣泛,而鋰電池的應(yīng)用也有自身的缺點(diǎn):不能大電流放電、需保護(hù)線路防止過充放電。針對鋰電池自身放電的缺點(diǎn)。

參見附圖1,現(xiàn)有技術(shù)中的保護(hù)電路可以在MCU休眠或低功耗狀態(tài)時(shí)及時(shí)檢測鋰電池的工作狀態(tài),并及時(shí)做出相應(yīng)的保護(hù)措施,使鋰電池工作在正常的放電狀態(tài)。通過運(yùn)放的差分檢測電路來對鋰電池保護(hù)性檢測。

這種方案主要存在一些幾點(diǎn)不足之處:(1)采用運(yùn)放作檢測電路增加了整個(gè)檢測電路的成本;(2)運(yùn)放的差分放大電路,檢測過于靈敏,容易發(fā)生誤判斷;(3)當(dāng)MCU在休眠狀態(tài)下,運(yùn)放的功耗很大,當(dāng)鋰電池在欠壓情況下,長時(shí)間的大功耗會(huì)對鋰電池產(chǎn)生不可恢復(fù)的損害,縮短了鋰電池的壽命。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本實(shí)用新型為了解決上述技術(shù)問題,提供一種電池電流檢測保護(hù)喚醒電路,及時(shí)監(jiān)控電路電流狀態(tài),更好的延長鋰電池的壽命,并對外部電路進(jìn)行保護(hù)。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供以下技術(shù)方案:

本實(shí)用新型的有益效果是:

(1)檢測主回路的電流變化,將電流的改變轉(zhuǎn)化成電壓的變化,電壓的變化驅(qū)動(dòng)MOS的導(dǎo)通與截止,從而將此狀態(tài)傳遞給單片機(jī)或MCU,單片機(jī)或MCU對電路做出進(jìn)一步的保護(hù)措施;

(2)針對鋰電池特點(diǎn),能做到超低功耗,最大限度減少對鋰電池的壽命的損害;

(3)用三端可調(diào)分流基準(zhǔn)電壓源代替運(yùn)放能降低制作成本;

(4)三端可調(diào)分流基準(zhǔn)電壓源代替運(yùn)放能減少共模信號(hào)的干擾,更好的避免誤判。

附圖說明

附圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的鋰電池檢測電路圖;

附圖2是本實(shí)用新型的鋰電池檢測保護(hù)電路圖。

具體實(shí)施方式

下面對本實(shí)用新型電池電流檢測保護(hù)喚醒電路的具體實(shí)施方式作詳細(xì)說明。

參見附圖2,電池電流檢測保護(hù)喚醒電路包括MCU、主回路、穩(wěn)壓回路和檢測回路,主回路分別連接穩(wěn)壓回路和檢測回路,檢測回路連接至MCU的輸入腳,主回路包括電池連接負(fù)載以及采樣電阻,檢測回路通過MOS管連接至MCU。穩(wěn)壓回路包括穩(wěn)壓管和濾波電路。

以下是對此電路進(jìn)行詳細(xì)說明;

主回路有R2和R4以及電源VCC組成,R2是主回路的采樣電阻,R4表示主回路的負(fù)載(電機(jī))。穩(wěn)壓回路由R1、R2、R3、R9、U7組成,保證R2、R3串聯(lián)其他輸出的電壓為定值。R6、R7、R8、Q2組成檢測回路,將檢測到的信號(hào)通過Q2的導(dǎo)通,傳遞給MCU或單片機(jī)。

當(dāng)整個(gè)回路在休眠狀態(tài)或者低功耗狀態(tài)時(shí),主回路的電流小,即流經(jīng)采樣電阻R2的電流也很小。而在穩(wěn)壓電路中三端可調(diào)分流基準(zhǔn)電壓源保證了R2、R3為固定的值(如2.5V),即A點(diǎn)的電位是固定值(如2.5V),當(dāng)R2、R3的值確定后,此時(shí)B點(diǎn)的電位也是一定的。采樣電阻R2的值是非常小的,B點(diǎn)的電位也很小。檢測電路中Q2無法導(dǎo)通,MCU的輸入引腳還處于高電平狀態(tài)。MCU處于休眠狀態(tài),即沒有異常發(fā)生。

當(dāng)主回路工作時(shí)或者電流突然增加(短路、過流等),流經(jīng)過R2的電流突然增加,B點(diǎn)的電位也隨著升高,又因?yàn)锳點(diǎn)電位不變,B點(diǎn)電位增加很快,B點(diǎn)電壓信號(hào)傳遞到Q2,作用在MOS管的g、s兩端,達(dá)到了Vgs門檻電壓。Q2導(dǎo)通,使MCU的檢測引腳直接對地短路,MCU引腳以中斷的模式傳遞MCU,MCU檢測到信號(hào),立刻對電流進(jìn)行進(jìn)一步的檢測。判斷主回路各個(gè)功能是否正常。

以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式,應(yīng)當(dāng)指出,對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員,在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下,還可以做出若干改進(jìn)和潤飾,這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。

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