1.一種具有集成電流線圈的磁電阻電流傳感器，包括襯底、磁電阻、焊盤、次級線圈、鍵合引線，其特征在于，
磁電阻由至少兩個磁電阻橋臂構(gòu)成，每個磁電阻橋臂由磁電阻單元串構(gòu)成，所述的磁電阻單元串包括一個磁電阻單元或者多個串聯(lián)的磁電阻單元；
其中一個磁電阻橋臂的磁電阻單元串與另一個磁電阻橋臂的磁電阻單元串交替排列；所述次級線圈集成在所述襯底上，所述次級線圈與所述磁電阻構(gòu)成開環(huán)結(jié)構(gòu)的電流傳感器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有集成電流線圈的磁電阻電流傳感器，其特征在于，所述磁電阻單元包括依次沉積的底部電極層、種子層、釘扎層、被釘扎層、隔離層、自由層、偏置層以及頂部電極層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種具有集成電流線圈的磁電阻電流傳感器，其特征在于，所述隔離層為非磁性導體或者非磁性絕緣體，所述自由層為高磁導率材料層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種具有集成電流線圈的磁電阻電流傳感器，其特征在于，所述偏置層在所述自由層產(chǎn)生的偏置磁場的方向垂直于所述被釘扎層的磁化方向。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有集成電流線圈的磁電阻電流傳感器，其特征在于，所述磁電阻的電路形式是推挽半橋、參考半橋、梯度半橋、準半橋、推挽全橋、參考全橋、梯度全橋或者準全橋。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有集成電流線圈的磁電阻電流傳感器，其特征在于，所述次級線圈位于所述磁電阻單元的正上方或者正下方。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有集成電流線圈的磁電阻電流傳感器，其特征在于，所述次級線圈具有兩個端子，每個端子具有一個或多個并聯(lián)連接的焊盤。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種具有集成電流線圈的磁電阻電流傳感器，其特征在于，所述次級線圈是導電線圈。
9.一種具有集成電流線圈的磁電阻電流傳感器，包括襯底、磁電阻、焊盤、次級線圈、鍵合引線以及初級線圈，其特征在于，
磁電阻由至少兩個磁電阻橋臂構(gòu)成，每個磁電阻橋臂由磁電阻單元串構(gòu)成，所述的磁電阻單元串包括一個磁電阻單元或者由多個串聯(lián)的磁電阻單元；
其中一個磁電阻橋臂的磁電阻單元串與另一個磁電阻橋臂的磁電阻單元串交替排列；
所述次級線圈集成在所述襯底上，所述初級線圈和所述次級線圈以及所述磁電阻構(gòu)成閉環(huán)結(jié)構(gòu)的電流傳感器。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種具有集成電流線圈的磁電阻電流傳感器，其特征在于，所述磁電阻單元包括依次沉積的底部電極層、種子層、釘扎層、被釘扎層、隔離層、自由層、偏置層以及頂部電極層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的一種具有集成電流線圈的磁電阻電流傳感器，其特征在于，所述隔離層為非磁性導體或者非磁性絕緣體，所述自由層為高磁導率材料層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的一種具有集成電流線圈的磁電阻電流傳感器，其特征在于，所述偏置層在所述自由層產(chǎn)生的偏置磁場的方向垂直于所述被釘扎層的磁化方向。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種具有集成電流線圈的磁電阻電流傳感器，其特征在于，所述磁電阻的電路形式是推挽半橋、參考半橋、梯度半橋、準半橋、推挽全橋、參考全橋、梯度全橋或者準全橋。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種具有集成電流線圈的磁電阻電流傳感器，其特征在于，所述次級線圈位于所述磁電阻單元的正上方或者正下方。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種具有集成電流線圈的磁電阻電流傳感器，其特征在于，所述次級線圈具有兩個端子，每個端子具有一個或多個并聯(lián)連接的焊盤。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的一種具有集成電流線圈的磁電阻電流傳感器，其特征在于，所述次級線圈是導電線圈。
17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種具有集成電流線圈的磁電阻電流傳感器，其特征在于，所述磁電阻位于所述初級線圈和所述次級線圈之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種具有集成電流線圈的磁電阻電流傳感器，其特征在于，所述初級線圈和所述次級線圈分別在同一個磁電阻單元處產(chǎn)生的磁場分量方向相反。