本實(shí)用新型涉及方形整流橋，尤其涉及方形整流橋的絕緣測(cè)試裝置。

背景技術(shù)：

傳統(tǒng)金屬方形整流橋堆的絕緣測(cè)試方法是將被測(cè)材料外殼直接放于導(dǎo)電金屬平面上，然后將測(cè)試儀的一個(gè)電極接觸金屬平面，另一個(gè)電極接觸端子，此方法主要有以下不足：由于測(cè)試時(shí)電極不能同時(shí)接觸到所有端子，會(huì)造成所施加的高電壓會(huì)加到芯片上，使芯片上有電流流過(guò)，嚴(yán)重的會(huì)損傷到芯片，降低了產(chǎn)品的質(zhì)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型針對(duì)以上問(wèn)題，提供了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，測(cè)試方便，提高測(cè)試可靠性的方形整流橋絕緣測(cè)試裝置。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案是：所述方形整流橋包括方形殼體和通過(guò)環(huán)氧膠設(shè)在方形殼體內(nèi)的四個(gè)端子，所述絕緣測(cè)試裝置包括測(cè)試儀、金屬容器和若干金屬顆粒，若干金屬顆粒設(shè)在金屬容器內(nèi)，所述方形整流橋的四個(gè)端子設(shè)在金屬顆粒內(nèi)，所述測(cè)試儀的一個(gè)電極接觸金屬容器，另一個(gè)電極接觸方形整流橋的方形殼體。

所述端子的頭部呈折彎狀。

所述金屬容器的頂部敞口。

本實(shí)用新型通過(guò)在四周包邊（即頂部敞口）的金屬容器內(nèi)放置細(xì)小的金屬顆粒，將被測(cè)試材料（即方形整流橋）的四個(gè)端子放入金屬顆粒內(nèi)，將測(cè)試儀的一個(gè)電極接到金屬容器，另一個(gè)電極接觸方形殼體即可完成絕緣測(cè)試。

本實(shí)用新型操作更為方便，可以大大地節(jié)省作業(yè)時(shí)間，降低工人的勞動(dòng)強(qiáng)度，同時(shí)由于四個(gè)端子能同時(shí)接觸導(dǎo)電物，也避免了電流流過(guò)芯片的可能性，提高了產(chǎn)品質(zhì)量及良品率。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖，

圖2是本實(shí)用新型中方形整流橋的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖中11是金屬容器，12是金屬顆粒，13是端子，14是方形殼體，15是環(huán)氧膠。

具體實(shí)施方式

本實(shí)用新型如圖1-2所示，所述方形整流橋包括方形殼體14和通過(guò)環(huán)氧膠15設(shè)在方形殼體內(nèi)的四個(gè)端子13，環(huán)氧膠起灌封和絕緣的作用，所述絕緣測(cè)試裝置包括測(cè)試儀（即絕緣測(cè)試儀）、金屬容器11和若干金屬顆粒12，若干金屬顆粒設(shè)在金屬容器內(nèi)，所述方形整流橋的四個(gè)端子設(shè)在金屬顆粒內(nèi)，所述測(cè)試儀的一個(gè)電極接觸金屬容器，另一個(gè)電極接觸方形整流橋的方形殼體，即將方形整流橋的端子插入金屬顆粒中，使得四個(gè)端子同時(shí)接觸金屬顆粒，提高測(cè)試的可靠性。

所述端子13的頭部呈折彎狀，可使得端子支撐在金屬顆粒上。

所述金屬容器11的頂部敞口。

本實(shí)用新型在操作過(guò)程中，將細(xì)小的金屬顆粒倒入金屬容器底部，同時(shí)避免金屬顆粒流到外面，保證了產(chǎn)品在測(cè)試時(shí)四個(gè)端子都能同時(shí)接觸到金屬顆粒，避免在測(cè)試時(shí)加高壓后有電流流過(guò)芯片，造成芯片失效；金屬容器四周有包邊、底部平整，金屬顆粒具有導(dǎo)電性。