本發(fā)明涉及鐵磁性平面構(gòu)件損傷檢測(cè)領(lǐng)域，特別涉及一種鐵磁平面構(gòu)件淺層損傷磁發(fā)射檢測(cè)方法及磁發(fā)射檢測(cè)系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

目前鐵磁性構(gòu)件損傷檢測(cè)主要采用的方法有：漏磁檢測(cè)方法，通常對(duì)鐵磁性構(gòu)件進(jìn)行深度飽和勵(lì)磁，通過檢測(cè)構(gòu)件損傷產(chǎn)生的漏磁信號(hào)對(duì)構(gòu)件損傷進(jìn)行定位定量檢測(cè)，存在的問題是采用永磁勵(lì)磁機(jī)構(gòu)復(fù)雜笨重，需要對(duì)不同尺寸和結(jié)構(gòu)的構(gòu)件設(shè)計(jì)勵(lì)磁回路進(jìn)行勵(lì)磁。而采用交流勵(lì)磁的方式往往又需要很大的安匝數(shù)。

傳統(tǒng)的渦流檢測(cè)方法，通常由換能器、激勵(lì)線圈、檢測(cè)線圈、信號(hào)調(diào)理電路等組成，檢測(cè)過程中需要較大的激勵(lì)信號(hào)源，且檢測(cè)信號(hào)獲取，分析處理過程較為復(fù)雜。磁發(fā)射檢測(cè)是一種將磁場(chǎng)發(fā)射到檢測(cè)構(gòu)件的表面，通過檢測(cè)磁發(fā)射區(qū)域磁場(chǎng)的變化來確定缺陷的有無及缺陷定量檢測(cè)。不同于傳統(tǒng)的漏磁檢測(cè)施加磁場(chǎng)方向是在構(gòu)件平面內(nèi)，磁發(fā)射檢測(cè)施加的磁場(chǎng)方向是垂直于檢測(cè)表面。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種鐵磁平面構(gòu)件淺層損傷磁發(fā)射檢測(cè)方法及磁發(fā)射檢測(cè)系統(tǒng)，旨在解決目前磁性損傷檢測(cè)中，檢測(cè)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)復(fù)雜、數(shù)據(jù)處理過程繁瑣，檢測(cè)效果不理想等問題。

本發(fā)明提供一種鐵磁平面構(gòu)件淺層損傷磁發(fā)射檢測(cè)方法包括以下步驟：

A.磁發(fā)射機(jī)構(gòu)發(fā)出磁場(chǎng)，通過磁傳感器檢測(cè)磁場(chǎng)經(jīng)過構(gòu)件時(shí)產(chǎn)生的磁場(chǎng)強(qiáng)度變化；

B.信號(hào)處理電路將磁傳感器檢測(cè)到的磁場(chǎng)信號(hào)經(jīng)過處理傳入損傷報(bào)警終端和信號(hào)分析顯示終端；

C.損傷報(bào)警終端進(jìn)行定性檢測(cè)，對(duì)于超出閾值的信號(hào)進(jìn)行報(bào)警；和/或信號(hào)分析顯示終端進(jìn)行定量檢測(cè)，定量分析計(jì)算并顯示損傷的大小。

作為本發(fā)明的定性檢測(cè)方法，所述步驟C中定性檢測(cè)包括以下步驟：

S11.確定磁發(fā)射檢測(cè)裝置的高度，包括磁發(fā)射機(jī)構(gòu)與檢測(cè)構(gòu)件距離及磁傳感器與檢測(cè)構(gòu)件距離，取與檢測(cè)構(gòu)件相同材質(zhì)的構(gòu)件，制作一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)傷；

S12.將磁發(fā)射檢測(cè)裝置固定在距離標(biāo)準(zhǔn)傷構(gòu)件一定高度的位置，采用線掃描的方式對(duì)標(biāo)準(zhǔn)傷進(jìn)行檢測(cè)，獲取標(biāo)準(zhǔn)傷的缺陷信號(hào)；

S13.對(duì)標(biāo)準(zhǔn)傷獲取的缺陷信號(hào)信噪比進(jìn)行分析，如果信噪比過低，減小磁發(fā)射檢測(cè)裝置和構(gòu)件之間的距離重復(fù)步驟S12，直至缺陷信號(hào)的信噪比合適，記錄下磁發(fā)射檢測(cè)裝置和構(gòu)件之間的距離以及標(biāo)準(zhǔn)傷缺陷信號(hào)的大小作為損傷判定的閾值；

S14.將磁發(fā)射檢測(cè)裝置置于構(gòu)件上方步驟S13記錄下的距離處，檢測(cè)檢測(cè)構(gòu)件，如果出現(xiàn)檢測(cè)信號(hào)大于閾值的情況下，損傷報(bào)警終端報(bào)警，確定存在大于標(biāo)準(zhǔn)傷的損傷。

作為本發(fā)明的定量檢測(cè)方法，所述步驟C中定量檢測(cè)包括以下步驟：

S21. 確定磁發(fā)射檢測(cè)裝置的高度，取與檢測(cè)構(gòu)件相同材質(zhì)的構(gòu)件，制作一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)傷；

S22.將磁發(fā)射檢測(cè)裝置固定在距離標(biāo)準(zhǔn)傷構(gòu)件一定高度的位置，采用線掃描的方式對(duì)標(biāo)準(zhǔn)傷進(jìn)行檢測(cè)，獲取標(biāo)準(zhǔn)傷的缺陷信號(hào)；

S23.對(duì)標(biāo)準(zhǔn)傷獲取的缺陷信號(hào)信噪比進(jìn)行分析，如果信噪比過低，減小磁發(fā)射檢測(cè)裝置和構(gòu)件之間的距離重復(fù)步驟S22，直至缺陷信號(hào)的信噪比合適，記錄下磁發(fā)射檢測(cè)裝置和構(gòu)件之間的距離以及標(biāo)準(zhǔn)傷缺陷信號(hào)的大小作為損傷判定的閾值；

S24.制作一系列不同尺寸的標(biāo)準(zhǔn)損傷，采用等間隔采樣的方式對(duì)固定提離高度的標(biāo)準(zhǔn)損傷的測(cè)得的信號(hào)進(jìn)行標(biāo)定；

S25.采用等間隔采樣檢測(cè)檢測(cè)構(gòu)件，對(duì)于超出閾值的信號(hào)結(jié)合步驟S24中的標(biāo)定信號(hào)大小，對(duì)檢測(cè)獲得的信號(hào)進(jìn)行分析，計(jì)算損傷的等效深度和寬度。

作為本發(fā)明的鐵磁平面構(gòu)件淺層損傷磁發(fā)射檢測(cè)方法，所述步驟A包括：

A1.磁傳感器檢測(cè)與檢測(cè)構(gòu)件平面平行的任意方向磁場(chǎng)，通過磁發(fā)射機(jī)構(gòu)和帶有損傷檢測(cè)構(gòu)件構(gòu)成磁路的不平衡性，檢測(cè)由損傷帶來的磁場(chǎng)強(qiáng)度變化。

作為本發(fā)明的定量檢測(cè)方法，所述步驟A包括：

A2.磁傳感器檢測(cè)與檢測(cè)構(gòu)件平面法向平行或斜交方向磁場(chǎng)，通過磁發(fā)射機(jī)構(gòu)和檢測(cè)構(gòu)件的磁場(chǎng)強(qiáng)度變化，進(jìn)行損傷檢測(cè)。

本發(fā)明還提供一種磁發(fā)射檢測(cè)系統(tǒng)包括

磁發(fā)射檢測(cè)裝置，包括發(fā)出磁場(chǎng)的磁發(fā)射機(jī)構(gòu)和檢測(cè)磁場(chǎng)強(qiáng)度的磁傳感器；

處理磁場(chǎng)信號(hào)的信號(hào)處理電路；

進(jìn)行定性檢測(cè)并報(bào)警的損傷報(bào)警終端和/或進(jìn)行顯示和定量分析計(jì)算損傷大小的信號(hào)分析顯示終端；

所述磁發(fā)射機(jī)構(gòu)和磁傳感器通過磁路耦合連接，所述磁發(fā)射檢測(cè)裝置連接并輸出信號(hào)到信號(hào)處理電路，所述信號(hào)處理電路連接并輸出信號(hào)到損傷報(bào)警終端和/或信號(hào)分析顯示終端。

作為本發(fā)明的一種情況，所述磁傳感器由檢測(cè)線圈或磁檢測(cè)元件構(gòu)成，所述檢測(cè)線圈或磁檢測(cè)元件位于磁發(fā)射機(jī)構(gòu)的下方，檢測(cè)磁發(fā)射機(jī)構(gòu)下方的磁場(chǎng)強(qiáng)度或磁感應(yīng)強(qiáng)度的變化。

作為本發(fā)明的一種情況，所述磁發(fā)射機(jī)構(gòu)設(shè)有導(dǎo)磁體，所述磁傳感器由檢測(cè)線圈構(gòu)成，所述檢測(cè)線圈繞制在導(dǎo)磁體上。

作為本發(fā)明的一種情況，所述磁發(fā)射機(jī)構(gòu)由以下形式實(shí)現(xiàn)：永磁、激勵(lì)線圈、永磁和激勵(lì)線圈、永磁和導(dǎo)磁體、導(dǎo)磁體和激勵(lì)線圈結(jié)合的方式。

作為本發(fā)明的一種情況，所述磁發(fā)射機(jī)構(gòu)由勵(lì)磁結(jié)構(gòu)組成，所述勵(lì)磁結(jié)構(gòu)形成磁回路并存在和檢測(cè)平面垂直方向上的潛在磁路支路。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明為磁發(fā)射式檢測(cè)，不需要對(duì)檢測(cè)構(gòu)件進(jìn)行強(qiáng)勵(lì)磁，造成構(gòu)件磁化后剩磁較大的問題；檢測(cè)裝置不需要很強(qiáng)的磁場(chǎng)，較漏磁檢測(cè)檢測(cè)裝置輕便，同時(shí)避免了漏磁檢測(cè)強(qiáng)勵(lì)磁探頭對(duì)構(gòu)件強(qiáng)吸附，難閉合等問題；檢測(cè)采用非接觸式檢測(cè)，可以適用于粉塵、污垢、油污等惡劣環(huán)境；檢測(cè)方法簡單，檢測(cè)效果理想，檢測(cè)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單，成本低廉。

附圖說明

圖1是本發(fā)明一種磁發(fā)射檢測(cè)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明中磁發(fā)射機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明磁發(fā)射機(jī)構(gòu)的勵(lì)磁結(jié)構(gòu)的第一示意圖；

圖4是本發(fā)明磁發(fā)射機(jī)構(gòu)的勵(lì)磁結(jié)構(gòu)的第二示意圖；

圖5是本發(fā)明中磁傳感器的第一位置示意圖；

圖6是本發(fā)明中磁傳感器的第二位置示意圖；

圖7是本發(fā)明磁傳感器檢測(cè)磁場(chǎng)方向與檢測(cè)構(gòu)件平面平行時(shí)的第一示意圖；

圖8是本發(fā)明磁傳感器檢測(cè)磁場(chǎng)方向與檢測(cè)構(gòu)件平面平行時(shí)的第二示意圖；

圖9是本發(fā)明磁傳感器檢測(cè)磁場(chǎng)方向與檢測(cè)構(gòu)件平面法向平行或斜交時(shí)的第一示意圖；

圖10是本發(fā)明磁傳感器檢測(cè)磁場(chǎng)方向與檢測(cè)構(gòu)件平面法向平行或斜交時(shí)的第二示意圖；

圖11是本發(fā)明中磁敏感元件檢測(cè)時(shí)典型的損傷信號(hào)圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。

對(duì)鐵磁性平板構(gòu)件淺層損傷磁發(fā)射無損檢測(cè)方法是利用磁發(fā)射機(jī)構(gòu)11和磁傳感器12及相關(guān)的檢測(cè)分析電路來實(shí)現(xiàn)對(duì)檢測(cè)構(gòu)件5的磁性無損檢測(cè)。

如附圖1所示，整個(gè)磁發(fā)射檢測(cè)系統(tǒng)包括磁發(fā)射檢測(cè)裝置1，包括發(fā)出磁場(chǎng)的磁發(fā)射機(jī)構(gòu)11和檢測(cè)磁場(chǎng)強(qiáng)度的磁傳感器12；處理磁場(chǎng)信號(hào)的信號(hào)處理電路2；進(jìn)行定性檢測(cè)并報(bào)警的損傷報(bào)警終端3和/或進(jìn)行定量分析計(jì)算和顯示損傷大小的信號(hào)分析顯示終端4；磁發(fā)射機(jī)構(gòu)11和磁感應(yīng)器12通過磁路耦合連接，磁發(fā)射檢測(cè)裝置1連接并輸出信號(hào)到信號(hào)處理電路2，所述信號(hào)處理電路2連接并輸出信號(hào)到損傷報(bào)警終端3和/或信號(hào)分析顯示終端4。

磁發(fā)射機(jī)構(gòu)有兩種，第一種磁發(fā)射機(jī)構(gòu)11主要用于產(chǎn)生和構(gòu)件平面垂直的磁場(chǎng)，可以用永磁、激勵(lì)線圈或永磁和激勵(lì)線圈結(jié)合的方式產(chǎn)生和檢測(cè)構(gòu)件5平面垂直的磁場(chǎng)，磁場(chǎng)方向可以為磁極進(jìn)入檢測(cè)構(gòu)件，也可以為檢測(cè)構(gòu)件5進(jìn)入磁極。也可結(jié)合導(dǎo)磁體增強(qiáng)發(fā)射磁場(chǎng)或改善磁場(chǎng)分布，導(dǎo)磁體為高磁導(dǎo)率的材料，形狀可以為圓柱(附圖2a)、圓錐體、長方體（附圖2b）、圓臺(tái)等，圖2為幾種典型的第一類磁發(fā)射機(jī)構(gòu)，其中11a為磁極，11b為導(dǎo)磁體及11c為激勵(lì)線圈。

第二類磁發(fā)射機(jī)構(gòu)為一種由其他勵(lì)磁機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的隱含磁發(fā)射機(jī)構(gòu)11，勵(lì)磁機(jī)構(gòu)和檢測(cè)構(gòu)件形成磁回路后，會(huì)產(chǎn)生和檢測(cè)平面垂直方向上的潛在磁路支路。如附圖3和圖4所示，由于整個(gè)勵(lì)磁機(jī)構(gòu)和檢測(cè)構(gòu)件構(gòu)成磁回路，在該磁回路中導(dǎo)磁體11b中間位置的磁勢(shì)和待檢測(cè)構(gòu)件5中間位置的磁勢(shì)不相等，所以存在圖中的磁場(chǎng)矢量，故存在潛在的磁路支路，產(chǎn)生和檢測(cè)構(gòu)件5平面垂直的磁路支路，存在和檢測(cè)構(gòu)件平面垂直的磁場(chǎng)。附圖3為以線圈為傳感器的磁發(fā)射檢測(cè)裝置設(shè)計(jì)，附圖4以磁敏感元件為傳感器的磁發(fā)射檢測(cè)裝置設(shè)計(jì)。

磁發(fā)射檢測(cè)系統(tǒng)的磁傳感器12可以由檢測(cè)線圈12a或磁檢測(cè)元件12b（霍爾元件、磁通門、TMR、磁阻傳感器等）構(gòu)成，其中磁傳感器12的位置可以有兩種如附圖5和圖6所示，一種是線圈12a或磁檢測(cè)元件12b位于磁發(fā)射機(jī)構(gòu)11的下方，如附圖5，用于檢測(cè)磁發(fā)射機(jī)構(gòu)11下方的磁場(chǎng)強(qiáng)度或磁感應(yīng)強(qiáng)度的變化；另外一種是如果磁發(fā)射回路存在導(dǎo)磁體11b，檢測(cè)線圈12b繞制在導(dǎo)磁體11b上，檢測(cè)導(dǎo)磁體11b內(nèi)磁通的變化，如附圖5。

磁發(fā)射檢測(cè)系統(tǒng)磁傳感器12的檢測(cè)磁場(chǎng)的方向，即磁敏感元件的敏感方向或檢測(cè)線圈的感應(yīng)磁通變化的方向，可以有以下兩種：如圖7和圖8所示，一種是和檢測(cè)構(gòu)件5平面平行的任意方向D1，主要利用磁發(fā)射機(jī)構(gòu)11和存在損傷的檢測(cè)構(gòu)件5構(gòu)成磁路的不平衡性進(jìn)行定性和定量檢測(cè)；如圖9和圖10所示，一種是和檢測(cè)構(gòu)件5平面法向方向Dn平行D2或斜交D3的檢測(cè)方向，附圖4中磁傳感器12位置2實(shí)際為和檢測(cè)構(gòu)件5平面法向方向平行的一種情況。

本發(fā)明對(duì)鐵磁平面構(gòu)件淺層損傷磁發(fā)射檢測(cè)方法包括以下步驟：

A.磁發(fā)射機(jī)構(gòu)11發(fā)出磁場(chǎng)，通過磁傳感器12檢測(cè)磁場(chǎng)經(jīng)過構(gòu)件時(shí)產(chǎn)生的磁場(chǎng)強(qiáng)度變化；

B.信號(hào)處理電路2將磁傳感器12檢測(cè)到的磁場(chǎng)信號(hào)經(jīng)過處理傳入損傷報(bào)警終端3和信號(hào)分析顯示終端4；

C.損傷報(bào)警終端3進(jìn)行定性檢測(cè)，對(duì)于超出閾值的信號(hào)進(jìn)行報(bào)警；和/或信號(hào)分析顯示終端4進(jìn)行定量檢測(cè)，定量分析計(jì)算和顯示損傷的大小。

損傷報(bào)警終端主要是針對(duì)定性檢測(cè)，設(shè)計(jì)根據(jù)磁傳感器輸出的進(jìn)行閾值檢測(cè)，對(duì)于超出閾值的信號(hào)，即存在損傷進(jìn)行報(bào)警。信號(hào)分析顯示終端是針對(duì)定量檢測(cè)，對(duì)于磁傳感器檢測(cè)的信號(hào)進(jìn)行定量分析來定量計(jì)算和顯示損傷的大小。

其中步驟A包括兩種檢測(cè)方式，分別為：

A1.磁傳感器12檢測(cè)與檢測(cè)構(gòu)件5平面平行的任意方向磁場(chǎng)，通過磁發(fā)射機(jī)構(gòu)11和帶有損傷的檢測(cè)構(gòu)件5構(gòu)成磁路的不平衡性，檢測(cè)由損傷帶來的磁場(chǎng)強(qiáng)度變化；

A2. 磁傳感器12檢測(cè)與檢測(cè)構(gòu)件5平面法向平行或斜交方向磁場(chǎng)，通過磁發(fā)射機(jī)構(gòu)11和檢測(cè)構(gòu)件5的磁場(chǎng)強(qiáng)度變化，進(jìn)行損傷檢測(cè)。

步驟C中定性檢測(cè)包括以下步驟：

S11.確定磁發(fā)射檢測(cè)裝置1的高度，包括磁發(fā)射機(jī)構(gòu)11與檢測(cè)構(gòu)件5距離及磁傳感器12與檢測(cè)構(gòu)件5距離，取與檢測(cè)構(gòu)件5相同材質(zhì)的構(gòu)件，制作一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)傷；

S12.將磁發(fā)射檢測(cè)裝置1固定在距離標(biāo)準(zhǔn)傷構(gòu)件一定高度的位置，采用線掃描的方式對(duì)標(biāo)準(zhǔn)傷進(jìn)行檢測(cè)，獲取標(biāo)準(zhǔn)傷的缺陷信號(hào)；

S13.對(duì)標(biāo)準(zhǔn)傷獲取的缺陷信號(hào)信噪比進(jìn)行分析，如果信噪比過低，減小磁發(fā)射檢測(cè)裝置1和檢測(cè)構(gòu)件5之間的距離重復(fù)步驟S12，直至缺陷信號(hào)的信噪比合適，記錄下磁發(fā)射檢測(cè)裝置1和檢測(cè)構(gòu)件5之間的距離以及標(biāo)準(zhǔn)傷缺陷信號(hào)的大小作為損傷判定的閾值；

S14.將磁發(fā)射檢測(cè)裝置置于構(gòu)件上方步驟S13記錄下的距離處，檢測(cè)檢測(cè)構(gòu)件，如果出現(xiàn)檢測(cè)信號(hào)大于閾值的情況下，損傷報(bào)警終端3報(bào)警，確定存在大于標(biāo)準(zhǔn)傷的損傷。

步驟C中定量檢測(cè)包括以下步驟：

S21.確定磁發(fā)射檢測(cè)裝置1的高度，包括磁發(fā)射機(jī)構(gòu)11與檢測(cè)構(gòu)件5距離及磁傳感器12與檢測(cè)構(gòu)件5距離，取與檢測(cè)構(gòu)件5相同材質(zhì)的構(gòu)件，制作一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)傷；

S22.將磁發(fā)射檢測(cè)裝置1固定在距離標(biāo)準(zhǔn)傷構(gòu)件一定高度的位置，采用線掃描的方式對(duì)標(biāo)準(zhǔn)傷進(jìn)行檢測(cè)，獲取標(biāo)準(zhǔn)傷的缺陷信號(hào)；

S23.對(duì)標(biāo)準(zhǔn)傷獲取的缺陷信號(hào)信噪比進(jìn)行分析，如果信噪比過低，減小磁發(fā)射檢測(cè)裝置1和檢測(cè)構(gòu)件5之間的距離重復(fù)步驟S22，直至缺陷信號(hào)的信噪比合適，記錄下磁發(fā)射檢測(cè)裝置1和檢測(cè)構(gòu)件5之間的距離以及標(biāo)準(zhǔn)傷缺陷信號(hào)的大小作為損傷判定的閾值；

S24.制作一系列不同尺寸的標(biāo)準(zhǔn)損傷，采用等間隔采樣的方式對(duì)固定提離高度的標(biāo)準(zhǔn)損傷的測(cè)得的信號(hào)進(jìn)行標(biāo)定；

S25.采用等間隔采樣檢測(cè)檢測(cè)構(gòu)件，對(duì)于超出閾值的信號(hào)結(jié)合步驟S24中的標(biāo)定信號(hào)大小，對(duì)檢測(cè)獲得的信號(hào)進(jìn)行分析，計(jì)算損傷的等效深度和寬度。

如附圖11所示，磁敏感元件檢測(cè)時(shí)，采用附圖4的傳感器位置1，附圖5的敏感方向類型，檢測(cè)得到缺陷為長度為6.86mm，深度為1.2mm的矩形槽的典型損傷信號(hào)。

有益效果：

1） 檢測(cè)原理為磁發(fā)射式檢測(cè)，不需要對(duì)檢測(cè)構(gòu)件進(jìn)行強(qiáng)勵(lì)磁，造成構(gòu)件磁化后剩磁較大的問題；

2） 檢測(cè)裝置不需要很強(qiáng)的磁場(chǎng)，較漏磁檢測(cè)檢測(cè)裝置輕便，同時(shí)避免了漏磁檢測(cè)強(qiáng)勵(lì)磁探頭對(duì)構(gòu)件強(qiáng)吸附，難閉合等問題；

3） 檢測(cè)采用非接觸式檢測(cè)，可以適用于粉塵、污垢、油污等惡劣環(huán)境；

4） 檢測(cè)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單，成本低廉；

5） 檢測(cè)系統(tǒng)可以采用多個(gè)磁傳感器單元組成陣列式檢測(cè)裝置對(duì)檢測(cè)構(gòu)件平面進(jìn)行二維掃描；

6） 檢測(cè)系統(tǒng)可以設(shè)計(jì)為以磁發(fā)射機(jī)構(gòu)為單元的組合探頭，對(duì)于不同尺寸和結(jié)構(gòu)的構(gòu)件進(jìn)行拼合，可以避免像漏磁檢測(cè)一樣需要對(duì)不同尺寸的構(gòu)件重新設(shè)計(jì)檢測(cè)探頭的缺點(diǎn)。

以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說明。對(duì)于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。