本發(fā)明涉及智能終端技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電子部件極限環(huán)境參數(shù)記錄裝置及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

消費(fèi)類電子產(chǎn)品市場的繁榮，促使各個(gè)廠家層出不窮的推出新款產(chǎn)品。各類產(chǎn)品的上市周期越來越短。為了應(yīng)對(duì)這樣的市場響應(yīng)速度，在實(shí)際生產(chǎn)過程中，針對(duì)產(chǎn)品的各種可靠性測試并不完整，通常僅能保證產(chǎn)品正常運(yùn)行。

簡化的可靠性測試同時(shí)帶來了一些安全隱患。在某些極限條件下，偶發(fā)設(shè)備自燃或者爆炸的現(xiàn)象。尤其是應(yīng)用在電子設(shè)備中的鋰電池，在高溫條件下發(fā)生自燃或者爆炸的新聞屢見不鮮。在電子設(shè)備中設(shè)置有多種電子部件，如常見的設(shè)置在pcb電路板上的芯片、元器件等等。這些電子部件通常都沒有設(shè)計(jì)保護(hù)裝置，如果遇到自然或者爆炸等極限情況，就會(huì)使得電子部件遭到毀滅性的損失。不僅其中的數(shù)據(jù)無法恢復(fù)，也無法得到在極限狀態(tài)下的產(chǎn)品運(yùn)行參數(shù)，不利于產(chǎn)品的改良設(shè)計(jì)。

綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)中缺乏一種保護(hù)措施，可以使得電子產(chǎn)品中的電子部件在極端情況下的參數(shù)可以被安全記錄。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在設(shè)計(jì)一種電子部件極限環(huán)境參數(shù)記錄裝置，使得電子產(chǎn)品中的電子部件在極端情況下的工作參數(shù)可以被安全記錄。

本發(fā)明公開一種電子部件極限環(huán)境參數(shù)記錄裝置，包括殼體、記錄芯片模組和芯片保護(hù)單元，所述記錄芯片模組和芯片保護(hù)單元設(shè)置在殼體中，所述記錄芯片模組接收電子部件的狀態(tài)參數(shù)；芯片保護(hù)單元設(shè)置在所述記錄芯片模組和殼體之間；當(dāng)處于非保護(hù)狀態(tài)時(shí)，所述芯片保護(hù)單元間隔所述記錄芯片模組和殼體；當(dāng)處于保護(hù)狀態(tài)時(shí)，所述芯片保護(hù)單元?jiǎng)幼?，所述記錄芯片模組和殼體接觸。

進(jìn)一步的，所述殼體包括上殼體和下殼體，所述芯片保護(hù)單元包括熱熔膠和復(fù)位彈簧，所述熱熔膠設(shè)置在所述上殼體和記錄芯片模組之間，所述復(fù)位彈簧設(shè)置在所述下殼體和記錄芯片模組之間；當(dāng)處于非保護(hù)狀態(tài)時(shí)，所述熱熔膠處于固體狀態(tài)，所述復(fù)位彈簧處于壓縮狀態(tài)。

進(jìn)一步的，所述下殼體和記錄芯片模組之間設(shè)置有隔熱填充物。

進(jìn)一步的，所述記錄芯片模組包括記憶芯片和復(fù)位蓋板，所述記憶芯片設(shè)置在所述復(fù)位蓋板上，所述記憶芯片設(shè)置在隔熱填充物內(nèi)部形成的空腔中，當(dāng)處于非保護(hù)狀態(tài)時(shí)，所述記憶芯片和隔熱填充物之間具有間隙，所述熱熔膠設(shè)置在所述復(fù)位蓋板遠(yuǎn)離所述記憶芯片的一側(cè)。

進(jìn)一步的，所述記錄芯片模組還包括隔熱板，所述隔熱板設(shè)置在所述復(fù)位蓋板和記憶芯片之間，所述記憶芯片設(shè)置在所述隔熱板上。

進(jìn)一步的，所述復(fù)位蓋板設(shè)置有所述記憶芯片的一側(cè)還設(shè)置有導(dǎo)向件，所述導(dǎo)向件設(shè)置在記憶芯片的外側(cè)，所述下殼體上設(shè)置有與所述導(dǎo)向件匹配的導(dǎo)向槽，所述導(dǎo)向件伸入至所述導(dǎo)向槽中并沿所述導(dǎo)向槽移動(dòng)。

進(jìn)一步的，所述復(fù)位彈簧設(shè)置在所述導(dǎo)向槽外側(cè)，所述復(fù)位彈簧均勻布設(shè)在所述下殼體角部。

優(yōu)選的，所述殼體由鈦合金或高溫氧化鋯陶瓷制成，所述隔熱板和隔熱填充物由聚氨酯泡沫制成。

進(jìn)一步的，所述記錄芯片模組和主板連接，接收所述主板生成的與主板連接的至少一個(gè)電子部件的狀態(tài)參數(shù)。

采用本發(fā)明所公開的電子部件極限環(huán)境參數(shù)記錄裝置，如果一旦發(fā)生極端情況，記憶芯片可以記錄電子產(chǎn)品發(fā)生極端情況的指定工作參數(shù)，技術(shù)人員可以利用這些工作參數(shù)進(jìn)行后續(xù)的分析、研究和記錄或者用作恢復(fù)數(shù)據(jù)的依據(jù)，殼體和芯片保護(hù)單元可以保證記憶芯片不受破壞。

本發(fā)明同時(shí)公開了一種電子設(shè)備，包括電子部件極限環(huán)境參數(shù)記錄裝置，所述電子部件極限環(huán)境參數(shù)記錄裝置，包括殼體、記錄芯片模組和芯片保護(hù)單元，所述記錄芯片模組和芯片保護(hù)單元設(shè)置在殼體中，所述記錄芯片模組接收電子部件的狀態(tài)參數(shù)；芯片保護(hù)單元設(shè)置在所述記錄芯片模組和殼體之間；當(dāng)處于非保護(hù)狀態(tài)時(shí)，所述芯片保護(hù)單元間隔所述記錄芯片模組和殼體；當(dāng)處于保護(hù)狀態(tài)時(shí)，所述芯片保護(hù)單元?jiǎng)幼?，所述記錄芯片模組和殼體接觸。

本發(fā)明所公開的電子設(shè)備中增設(shè)有一套記錄裝置，如果其中部分電子部件在極限條件下發(fā)生不可逆的損壞，可以通過記錄裝置有效記錄電子部件極限條件下的運(yùn)行參數(shù)，可以為后續(xù)分析、優(yōu)化提供真實(shí)的檢測數(shù)據(jù)。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明所公開的電子部件極限環(huán)境參數(shù)記錄裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1的爆炸圖；

圖3為圖1中所公開的電子部件極限環(huán)境參數(shù)記錄裝置處于非保護(hù)狀態(tài)的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為圖1中所公開的電子部件極限環(huán)境參數(shù)記錄裝置處于保護(hù)狀態(tài)的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為圖1中記錄芯片模組的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為圖5的爆炸圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

參見圖1至圖6所示為本發(fā)明所公開的電子部件極限環(huán)境參數(shù)記錄裝置一種具體實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。在本發(fā)明中所定義的極限環(huán)境，主要是指使用鋰電池的電子設(shè)備，或者類似的使用蓄能結(jié)構(gòu)的電子設(shè)備在高溫環(huán)境，或者由于使用不當(dāng)、電路設(shè)計(jì)不當(dāng)?shù)榷喾N原因造成電子設(shè)備的溫度過高，可能出現(xiàn)自燃或者爆炸的極限情況。具體來說，為了能在出現(xiàn)類似的極限狀態(tài)下采集其中一個(gè)或多個(gè)電子部件的運(yùn)行狀態(tài)，為后續(xù)的數(shù)據(jù)恢復(fù)、分析以及改善提供支持。本實(shí)施例所公開的電子部件極限環(huán)境參數(shù)記錄裝置包括殼體10、記錄芯片模組3和芯片保護(hù)單元。其中記錄芯片模組3用于接收電子設(shè)備中一個(gè)或多個(gè)電子部件的運(yùn)行狀態(tài)參數(shù)，起到記錄作用的設(shè)備主要為一個(gè)或多個(gè)記憶芯片3-1，記憶芯片3-1可以選用多種形式，優(yōu)選為一個(gè)存儲(chǔ)器或多個(gè)存儲(chǔ)器的組合，存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)量可以根據(jù)需要記錄的參數(shù)的大小進(jìn)行選取，僅需要保證在斷電的情況下記憶芯片3-1中的數(shù)據(jù)不丟失即可。對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中所出售的大部分電子設(shè)備來說，主板是其中處理器、內(nèi)存、硬盤、電源設(shè)備以及外部設(shè)備的集合點(diǎn)。所以，在本實(shí)施例中，記錄芯片模組3優(yōu)選和主板建立連接，接收主板輸出的與主板連接的一個(gè)或多個(gè)電子部件的狀態(tài)參數(shù)。記錄芯片模組3中的記憶芯片3-1和主板之間的通信可以采用有線或者無線通信。采用有線通信可以采用fpc和連接器組合連接的形式，或者采用smt方式貼片。采用無線通信時(shí)，優(yōu)選采用藍(lán)牙通信的形式。采用藍(lán)牙通信時(shí)，需要在記錄芯片模組3中增加一個(gè)藍(lán)牙接收電路，藍(lán)牙接收電路可以采用常見的藍(lán)牙接收電路形式，在此不作進(jìn)一步限定。記錄芯片模組3的記憶芯片3-1中所記錄的數(shù)據(jù)優(yōu)選按照周期進(jìn)行寫入和擦除，僅保留最后一個(gè)周期中所寫入的數(shù)據(jù)，以提高采集到的數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性，不會(huì)對(duì)后續(xù)的分析造成影響。

為了實(shí)現(xiàn)在極限情況下對(duì)記錄芯片模組3的保護(hù)狀態(tài)，在殼體10中還設(shè)置有芯片保護(hù)單元。具體來說，芯片保護(hù)單元是在極限條件下可以隔熱或者引導(dǎo)記錄芯片模組3處于更安全狀態(tài)的機(jī)構(gòu)。參見圖2至圖6所示，在本實(shí)施例中，芯片保護(hù)單元包括熱熔膠2和復(fù)位彈簧5。殼體10包括上殼體1和下殼體6。熱熔膠2設(shè)置在上殼體1和記錄芯片模組3之間，復(fù)位彈簧5設(shè)置在下殼體6和記錄芯片模組3之間。當(dāng)處于正常工作狀態(tài)時(shí)，熱熔膠2處于固體狀態(tài)，記錄芯片模組3和上殼體1之間被固體狀態(tài)的熱熔膠2隔開，存在間隙使得記錄芯片模組3可以正常通風(fēng)散熱工作。在另一側(cè)，復(fù)位彈簧5一端固定在下殼體6上，另一端受到記錄芯片模組3的擠壓處于壓縮狀態(tài)。當(dāng)殼體10外側(cè)的溫度逐漸上升，熱熔膠2達(dá)到熔點(diǎn)時(shí)會(huì)迅速融化，記錄芯片模組3和上殼體1之間的間隙迅速消失，記錄芯片模組3和殼體10接觸，殼體10中形成一個(gè)密封的空腔，使得記憶芯片3-1可以得到有效的保護(hù)。

為了進(jìn)一步提高在極限熱狀態(tài)時(shí)可以可靠地保存記憶芯片3-1中記錄的，發(fā)生極限狀況的一個(gè)周期中電子部件的活動(dòng)參數(shù)，下殼體6和記錄芯片模組3之間設(shè)置有隔熱填充物4，隔熱填充物4優(yōu)選采用軟質(zhì)的聚氨酯泡沫制成，在隔絕熱傳遞的同時(shí)，提供一種緩沖作用，提供記憶芯片3-1隔熱和避免沖撞的雙重保護(hù)。

更具體一步的說，在本實(shí)施例中，記錄芯片模組3包括記憶芯片3-1和復(fù)位蓋板3-4。記憶芯片3-1設(shè)置在所述復(fù)位蓋板3-4上，熱熔膠2設(shè)置在復(fù)位蓋板3-4遠(yuǎn)離記憶芯片3-1的一側(cè)，在非保護(hù)狀態(tài)下利用呈固體狀態(tài)的熱熔膠2本身的厚度形成間隔。在設(shè)置記憶芯片3-1的一側(cè)，記憶芯片3-1通過貼片的工藝方式設(shè)置在pcb電路板3-2上。pcb電路板3-2和復(fù)位蓋板3-4之間還設(shè)置有隔熱板3-3，隔熱板3-3同樣優(yōu)選采用軟質(zhì)的聚氨酯泡沫制成，如圖所示，記錄芯片模組3中，記憶芯片3-1、pcb電路板3-2、隔熱板3-3和復(fù)位蓋板3-4之間呈階梯形布設(shè)，最內(nèi)側(cè)的記憶芯片3-1周圍通過隔熱填充物4包圍。當(dāng)處于非保護(hù)狀態(tài)時(shí)，隔熱填充物4和隔熱板3-3之間形成環(huán)狀縫隙，在殼體10中形成散熱的通道，保證記憶芯片3-1的正常散熱和運(yùn)行。環(huán)狀縫隙的高度與處于固體狀態(tài)的隔熱膠的厚度相當(dāng)。當(dāng)處于保護(hù)狀態(tài)時(shí)，隔熱板3-3在復(fù)位彈簧5的作用下在記錄芯片模組3中與記錄芯片模組3一同形成一定位移，并抵靠在隔熱填充物4上，封閉環(huán)狀縫隙，設(shè)置有記憶芯片3-1的pcb電路板3-2處于隔熱填充物4和隔熱板3-3形成的密封空腔中，對(duì)記憶芯片3-1形成完好的保護(hù)。

當(dāng)熱熔膠2融化后，需要記錄芯片模組3相對(duì)于殼體10在確定的方向上移動(dòng)。因此在復(fù)位蓋板3-4設(shè)置有記憶芯片3-1的一側(cè)還設(shè)置有導(dǎo)向件3-5，導(dǎo)向件3-5設(shè)置在記憶芯片3-1的外側(cè)，在下殼體6內(nèi)側(cè)設(shè)置有導(dǎo)向槽6-1。導(dǎo)向件3-5沿上殼體1向下殼體6的方向延伸，導(dǎo)向槽6-1沿下殼體6向上殼體1的方向延伸。處于非保護(hù)狀態(tài)時(shí)，導(dǎo)向件3-5伸入至導(dǎo)向槽6-1中。當(dāng)處于保護(hù)狀態(tài)時(shí)，熱熔膠2融化后，記錄芯片模組3相對(duì)于殼體10移動(dòng)，導(dǎo)向件3-5沿導(dǎo)向槽6-1移動(dòng)，確定記錄芯片模組3的移動(dòng)方向。為了保持復(fù)位彈簧5的穩(wěn)定性，復(fù)位彈簧5設(shè)置在導(dǎo)向槽6-1外側(cè)，復(fù)位彈簧5優(yōu)選設(shè)置四個(gè)，四個(gè)復(fù)位彈簧5均勻布設(shè)在下殼體6的四個(gè)角部。

除了上述優(yōu)選實(shí)施例所公開的電子部件極限環(huán)境參數(shù)記錄裝置中公開的芯片保護(hù)單元中采用熱熔膠2的觸發(fā)方式之外。芯片保護(hù)單元還可以選用熱敏電阻和復(fù)位彈性件的組合實(shí)現(xiàn)觸發(fā)，當(dāng)記錄裝置殼體10外的溫度過高時(shí)，熱敏電阻生成電信號(hào)并輸出，利用電機(jī)或類似的設(shè)備驅(qū)動(dòng)復(fù)位彈性件，如上述所示的復(fù)位彈簧5動(dòng)作，使得記錄芯片模組3向著上殼體1的方向移動(dòng)，另一側(cè)的用于間隔殼體和記錄芯片模組3的支撐材料可以選用軟性材料制成，軟性材料的應(yīng)力小于復(fù)位彈簧5的彈力，通過擠壓縮小記錄芯片模組3和殼體10之間的間隙，使得處于保護(hù)狀態(tài)時(shí)，利用隔熱填充物4和隔熱板3-3形成對(duì)記憶芯片3-1的整體保護(hù)，隔熱填充物4和隔熱板3-3之間不存在縫隙，確保極端工況不會(huì)對(duì)記憶芯片3-1造成嚴(yán)重的損壞。復(fù)位彈性件除了彈簧之外，還可以采用曲柄連桿機(jī)構(gòu)等類似的具有復(fù)位功能的機(jī)械結(jié)構(gòu)。但是，由于熱熔膠2本身熱敏性材料的熱特性，依舊是本發(fā)明芯片保護(hù)單元的一種優(yōu)選的觸發(fā)方式。

對(duì)應(yīng)的，可以根據(jù)記錄電子部件的損壞溫度調(diào)整熱熔膠2的特性，通過在膠內(nèi)增加不同種類的添加劑以及調(diào)節(jié)添加劑的比例來控制角的耐熱溫度、固化強(qiáng)度以及融化速度等參數(shù)，以匹配不同環(huán)境下的使用需求。殼體10優(yōu)選由鈦合金或高溫氧化鋯陶瓷制成。

需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例部分所記錄的“上”“下”僅為了便于描述，并非對(duì)技術(shù)方案中結(jié)構(gòu)方向的限制。

采用本發(fā)明所公開的電子部件極限環(huán)境參數(shù)記錄裝置，如果一旦發(fā)生極端情況，記憶芯片可以記錄電子產(chǎn)品發(fā)生極端情況的指定工作參數(shù)，技術(shù)人員可以利用這些工作參數(shù)進(jìn)行后續(xù)的分析、研究和記錄，殼體和芯片保護(hù)單元可以保證記憶芯片不受破壞。

本發(fā)明同時(shí)公開了一種電子產(chǎn)品，包括如上述實(shí)施例詳細(xì)描述的電子部件極限環(huán)境溫度參數(shù)記錄裝置，電子部件極限環(huán)境溫度參數(shù)裝置中的記錄芯片模組用于記錄電子產(chǎn)品中一個(gè)或多個(gè)電子部件的狀態(tài)參數(shù)，并在發(fā)生極限情況時(shí)予以保護(hù)。本發(fā)明所公開的電子產(chǎn)品可以達(dá)到同樣的技術(shù)效果。

最后應(yīng)說明的是：以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。