本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種光檢測(cè)電路及光檢測(cè)方法。

背景技術(shù)：

隨著芯片的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，用戶將很多重要信息放入各種芯片中，例如銀行卡芯片、手機(jī)SIM卡、社?？ǖ鹊龋虼诵酒陌踩珕?wèn)題也愈發(fā)重要。

目前，芯片存在一定的安全隱患：攻擊者為了不破壞芯片的外界封裝，借助于先進(jìn)的半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備探測(cè)芯片的內(nèi)部連線，從而干擾芯片的正常工作，達(dá)到竊取芯片上信息的目的。

發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，攻擊者在借助于半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備探測(cè)芯片的內(nèi)部連線時(shí)，通常會(huì)都芯片進(jìn)行照射，因此通過(guò)光檢測(cè)電路檢測(cè)有無(wú)光照的發(fā)生，從而解決上述安全隱患，提高安全性。因此，如何提高一種光檢測(cè)電路對(duì)光照進(jìn)行檢測(cè)，是目前亟待解決的技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種光檢測(cè)電路及光檢測(cè)方法，已實(shí)現(xiàn)對(duì)光照進(jìn)行檢測(cè)。

為此，本發(fā)明解決技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案是：

本發(fā)明提供了一種光檢測(cè)電路，包括：第一開(kāi)關(guān)組、第二開(kāi)關(guān)組、感光電路、第一開(kāi)關(guān)管、第二開(kāi)關(guān)管、第三開(kāi)關(guān)管以及運(yùn)放緩沖器；

其中，所述第一開(kāi)關(guān)組包括至少兩個(gè)串聯(lián)的開(kāi)關(guān)管，所述第一開(kāi)關(guān)組中各個(gè)開(kāi)關(guān)管的控制端連接地，所述第一開(kāi)關(guān)組的第一端連接電源電壓，第二端連接感光電路的負(fù)極和所述第一開(kāi)關(guān)管的控制端，所述感光電路的正極連接地；

所述第一開(kāi)關(guān)管的第一導(dǎo)通端連接電源電壓，第二導(dǎo)通端連接所述第二開(kāi)關(guān)管的第一導(dǎo)通端、所述第二開(kāi)關(guān)管的控制端和所述第三開(kāi)關(guān)管的控制端，所述第二開(kāi)關(guān)管的第二導(dǎo)通端連接地；

所述第二開(kāi)關(guān)組包括至少兩個(gè)串聯(lián)的開(kāi)關(guān)管，所述第二開(kāi)關(guān)組中各個(gè)開(kāi)關(guān)管的控制端連接地，所述第二開(kāi)關(guān)組的第一端連接電源電壓，第二端連接所述第三開(kāi)關(guān)管的第一導(dǎo)通端和所述運(yùn)放緩沖器的輸入端，所述第三開(kāi)關(guān)管的第二導(dǎo)通端連接地，所述運(yùn)放緩沖器的輸出端為所述光檢測(cè)電路的輸出端。

可選的，還包括：第四開(kāi)關(guān)管；

其中，所述第四開(kāi)關(guān)管串聯(lián)在第一開(kāi)關(guān)組的第二端和所述感光電路的正極之間，所述第四開(kāi)關(guān)管的控制端用于輸入控制電壓，所述控制電壓用于控制所述光檢測(cè)電路的開(kāi)關(guān)狀態(tài)。

可選的，所述第一開(kāi)關(guān)組包括第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管；

其中，所述第一PMOS管的源極為所述第一開(kāi)關(guān)組的第一端，所述第一PMOS管的漏極連接所述第二PMOS管的源極，所述第二PMOS管的漏極連接所述第三PMOS管的源極，所述第三PMOS管的漏極作為所述第一開(kāi)關(guān)組的第二端；所述第一PMOS管的柵極、所述第二PMOS管的柵極和所述第三PMOS管的柵極連接地。

可選的，所述第四開(kāi)關(guān)管包括第四PMOS管；

其中，所述第四PMOS管的源極連接所述第一開(kāi)關(guān)組的第二端，所述第四PMOS管的漏極連接所述感光電路的正極，所述第四PMOS管的柵極用于輸入所述控制電壓。

可選的，所述第一開(kāi)關(guān)管包括第五PMOS管，所述第二開(kāi)關(guān)管包括第一NMOS管，所述第三開(kāi)關(guān)管包括所述第二NMOS管；

其中，所述第五PMOS管的柵極連接所述第一開(kāi)關(guān)組的第二端，所述第五PMOS管的源極連接電源電壓，所述第五PMOS管的漏極連接所述第一NMOS管的柵極和漏極，以及所述第二NMOS管的柵極，所述第一NMOS管的源極連接地，所述第二NMOS管的漏極連接所述第二開(kāi)關(guān)組的第二端，所述第二NMOS管的源極連接地。

可選的，所述第二開(kāi)關(guān)組包括第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管和第九PMOS管；

其中，所述第六PMOS管的源極為所述第二開(kāi)關(guān)組的第一端，所述第六PMOS管的漏極連接所述第七PMOS管的源極，所述第七PMOS管的漏極連接所述第八PMOS管的源極，所述第八PMOS管的漏極連接所述第九PMOS管的源極，所述第九PMOS管的漏極作為所述第二開(kāi)關(guān)組的第二端；所述第六PMOS管的柵極、所述第七PMOS管的柵極、所述第八PMOS管的柵極和所述第九PMOS管的柵極連接地。

可選的，所述運(yùn)放緩沖器包括第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第十PMOS管和第十一PMOS管；

其中，所述第四NMOS管的柵極為所述運(yùn)放緩沖器的輸入端，所述第四NMOS管的漏極連接第十PMOS管的漏極和柵極，以及所述第十一PMOS管的柵極，所述第十PMOS管的源極和所述第十一PMOS管的源極連接電源電壓，所述第十一PMOS管的漏極連接所述第五NMOS管的漏極和柵極，并作為所述運(yùn)放緩沖器的輸出端；

所述第四NMOS管的源極和所述第五NMOS管的源極連接所述第三NMOS管的漏極，所述第三NMOS管的柵極連接所述第三開(kāi)關(guān)管的控制端，所述第三NMOS管的源極連接地。

可選的，所述感光電路包括至少一個(gè)并聯(lián)的光電二極管。

本發(fā)明還提供了一種芯片電路，包括：芯片，以及上述任一光檢測(cè)電路。

本發(fā)明還提供了一種光檢測(cè)方法，用于上述任一光檢測(cè)電路中；所述方法包括：

監(jiān)測(cè)所述光檢測(cè)電路的輸出電壓是否小于預(yù)設(shè)閾值；

如果是，則確定出所述光檢測(cè)電路檢測(cè)出光照。

通過(guò)上述技術(shù)方案可知，本發(fā)明實(shí)施例的光檢測(cè)電路包括:第一開(kāi)關(guān)組、第二開(kāi)關(guān)組、感光電路、第一開(kāi)關(guān)管、第二開(kāi)關(guān)管、第三開(kāi)關(guān)管以及運(yùn)放緩沖器；其中，所述第一開(kāi)關(guān)組包括至少兩個(gè)串聯(lián)的開(kāi)關(guān)管，所述第一開(kāi)關(guān)組中各個(gè)開(kāi)關(guān)管的控制端連接地，所述第一開(kāi)關(guān)組的第一端連接電源電壓，第二端連接感光電路的負(fù)極和所述第一開(kāi)關(guān)管的控制端，所述感光電路的正極連接地；所述第一開(kāi)關(guān)管的第一導(dǎo)通端連接電源電壓，第二導(dǎo)通端連接所述第二開(kāi)關(guān)管的第一導(dǎo)通端、所述第二開(kāi)關(guān)管的控制端和所述第三開(kāi)關(guān)管的控制端，所述第二開(kāi)關(guān)管的第二導(dǎo)通端連接地；所述第二開(kāi)關(guān)組包括至少兩個(gè)串聯(lián)的開(kāi)關(guān)管，所述第二開(kāi)關(guān)組中各個(gè)開(kāi)關(guān)管的控制端連接地，所述第二開(kāi)關(guān)組的第一端連接電源電壓，第二端連接所述第三開(kāi)關(guān)管的第一導(dǎo)通端和所述運(yùn)放緩沖器的輸入端，所述第三開(kāi)關(guān)管的第二導(dǎo)通端連接地，所述運(yùn)放緩沖器的輸出端為所述光檢測(cè)電路的輸出端。可見(jiàn)，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種能夠?qū)庹者M(jìn)行檢測(cè)的光檢測(cè)電路，并且電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低，檢測(cè)效果較好。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的光檢測(cè)電路的一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的仿真結(jié)果的示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的光檢測(cè)電路的另一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的芯片電路的一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明中的技術(shù)方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明提供了光檢測(cè)電路的一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例的光檢測(cè)電路包括第一開(kāi)關(guān)組101、第二開(kāi)關(guān)組102、感光電路103、第一開(kāi)關(guān)管104、第二開(kāi)關(guān)管105、第三開(kāi)關(guān)管106以及運(yùn)放緩沖器107。

其中，第一開(kāi)關(guān)組101包括至少兩個(gè)串聯(lián)的開(kāi)關(guān)管，第一開(kāi)關(guān)組101中各個(gè)開(kāi)關(guān)管的控制端連接地agnd，第一開(kāi)關(guān)組101的第一端連接電源電壓avdd，第一開(kāi)關(guān)組101的第二端連接感光電路103的負(fù)極和第一開(kāi)關(guān)管104的控制端，感光電路103的正極連接地agnd。

第一開(kāi)關(guān)管104的第一導(dǎo)通端連接電源電壓avdd，第一開(kāi)關(guān)管104的第二導(dǎo)通端連接第二開(kāi)關(guān)管105的第一導(dǎo)通端、第二開(kāi)關(guān)管105的控制端和第三開(kāi)關(guān)管106的控制端，第二開(kāi)關(guān)管105的第二導(dǎo)通端連接地agnd；

第二開(kāi)關(guān)組102包括至少兩個(gè)串聯(lián)的開(kāi)關(guān)管，第二開(kāi)關(guān)組102中各個(gè)開(kāi)關(guān)管的控制端連接地，第二開(kāi)關(guān)組102的第一端連接電源電壓avdd，第二開(kāi)關(guān)組102的第二端連接第三開(kāi)關(guān)管106的第一導(dǎo)通端和運(yùn)放緩沖器107的輸入端，第三開(kāi)關(guān)管106的第二導(dǎo)通端連接地agnd，運(yùn)放緩沖器107的輸出端為所述光檢測(cè)電路的輸出端。

通過(guò)上述技術(shù)方案可知，本發(fā)明實(shí)施例中的光檢測(cè)電路包括第一開(kāi)關(guān)組101、第二開(kāi)關(guān)組102、感光電路103、第一開(kāi)關(guān)管104、第二開(kāi)關(guān)管105、第三開(kāi)關(guān)管106以及運(yùn)放緩沖器107。其中，第一開(kāi)關(guān)組101包括至少兩個(gè)串聯(lián)的開(kāi)關(guān)管，第一開(kāi)關(guān)組101中各個(gè)開(kāi)關(guān)管的控制端連接地agnd，第一開(kāi)關(guān)組101的第一端連接電源電壓avdd，第一開(kāi)關(guān)組101的第二端連接感光電路103的負(fù)極和第一開(kāi)關(guān)管104的控制端，感光電路103的正極連接地agnd。第一開(kāi)關(guān)管104的第一導(dǎo)通端連接電源電壓avdd，第一開(kāi)關(guān)管104的第二導(dǎo)通端連接第二開(kāi)關(guān)管105的第一導(dǎo)通端、第二開(kāi)關(guān)管105的控制端和第三開(kāi)關(guān)管106的控制端，第二開(kāi)關(guān)管105的第二導(dǎo)通端連接地agnd；第二開(kāi)關(guān)組102包括至少兩個(gè)串聯(lián)的開(kāi)關(guān)管，第二開(kāi)關(guān)組102中各個(gè)開(kāi)關(guān)管的控制端連接地，第二開(kāi)關(guān)組102的第一端連接電源電壓avdd，第二開(kāi)關(guān)組102的第二端連接第三開(kāi)關(guān)管106的第一導(dǎo)通端和運(yùn)放緩沖器107的輸入端，第三開(kāi)關(guān)管106的第二導(dǎo)通端連接地agnd，運(yùn)放緩沖器107的輸出端為所述光檢測(cè)電路的輸出端。

可見(jiàn)，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種能夠?qū)庹者M(jìn)行檢測(cè)的光檢測(cè)電路，具體地，當(dāng)光檢測(cè)電路的輸出端的電壓小于預(yù)設(shè)閾值時(shí)(例如為低電平時(shí))，則表示光檢測(cè)電路檢測(cè)到光照。并且本發(fā)明實(shí)施例的光檢測(cè)電路不僅電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低，而且檢測(cè)效果較好。

本發(fā)明實(shí)施例具體可以用于芯片電路中，當(dāng)光檢測(cè)電路檢測(cè)到光照時(shí)，說(shuō)明芯片上的信息可能被竊取，因此可以采取相應(yīng)的保護(hù)措施，例如報(bào)警、自毀部分電路等，從而提高安全性。

在本發(fā)明實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)管可以是三極管、IGBT管、MOS管等具有開(kāi)關(guān)功能的電子器件。開(kāi)關(guān)管具有兩個(gè)導(dǎo)通端和一個(gè)控制端，例如開(kāi)關(guān)管具體為MOS管時(shí)，導(dǎo)通端指的是MOS管的源極和漏極，控制端指的是MOS管的柵極。

可選的，如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例的光檢測(cè)電路還包括：第四開(kāi)關(guān)管108。其中第四開(kāi)關(guān)管108用于對(duì)光檢測(cè)電路起到開(kāi)關(guān)的作用。具體地，第四開(kāi)關(guān)管108串聯(lián)在第一開(kāi)關(guān)組101的第二端和感光電路103的正極之間，第四開(kāi)關(guān)管108的控制端用于輸入控制電壓pd，控制電壓pd用于控制所述光檢測(cè)電路的開(kāi)關(guān)狀態(tài)，例如，控制電壓p為低電平時(shí)，第四開(kāi)關(guān)管108導(dǎo)通，光檢測(cè)電路處于正常工作狀態(tài)，控制電壓p為高電平時(shí)，第四開(kāi)關(guān)管108關(guān)斷，光檢測(cè)電路處于關(guān)斷狀態(tài)。

下面對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的光檢測(cè)電路的工作原理進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

本發(fā)明實(shí)施例中，第一開(kāi)關(guān)組包括串聯(lián)的多個(gè)開(kāi)關(guān)管，例如多個(gè)MOS串聯(lián)，能夠起到電阻的功能。第二開(kāi)關(guān)管105的控制端和第一導(dǎo)通端連接到一起，這樣可以確保第二開(kāi)關(guān)管105與第三開(kāi)關(guān)管106具有相同的導(dǎo)通電壓(例如，第二開(kāi)關(guān)管105與第三開(kāi)關(guān)管106均為MOS管時(shí)，具有相同的漏源電壓)，為第三開(kāi)關(guān)管106的控制端提供偏置電流，并且同時(shí)連接到第一開(kāi)關(guān)管104的第一導(dǎo)通端。第二開(kāi)關(guān)組包括串聯(lián)的多個(gè)開(kāi)關(guān)管，例如多個(gè)MOS串聯(lián)，能夠起到電阻的功能。

當(dāng)電源電壓上電到正常狀態(tài)，當(dāng)沒(méi)有光照時(shí)，感光電路103只存在暗電流，在這種狀態(tài)下仍然存在pA量級(jí)的微弱電流流向第二開(kāi)關(guān)管105中，第二開(kāi)關(guān)管105處于關(guān)斷狀態(tài)，電壓Vbn接近于0，參考電壓Vref比較大，運(yùn)放緩沖器的輸出電壓會(huì)跟隨著參考電壓Vref的變化，因此輸出電壓Vout也大于預(yù)設(shè)閾值。當(dāng)存在光照時(shí)，隨著光照的增強(qiáng)，流過(guò)感光電路的電流也逐漸增加，由于第一開(kāi)關(guān)組101的第二端的電壓Vd＝Vavdd-I×R，其中Vavdd為電源電壓的電壓值，I為流過(guò)感光電路103的電流值，R為第一開(kāi)關(guān)組101的電阻值，當(dāng)I增加時(shí)，Vd下降，因此第一開(kāi)關(guān)管104的控制端的電壓增加，使得流過(guò)第一開(kāi)關(guān)管104的電流增加，從而流過(guò)第二開(kāi)關(guān)管105的電流增加，電流鏡像作用使得流過(guò)第三開(kāi)關(guān)管106的電流增加從而導(dǎo)致參考電壓Vref下降，因此輸出電壓Vout也下降。

仿真實(shí)驗(yàn)的結(jié)果如圖3所示，通過(guò)光照的逐漸增強(qiáng)(光電流隨之增強(qiáng))，參考電壓Vref在光照增加到一定程度以后從高電平逐漸變?yōu)榈碗娖剑\(yùn)放緩沖器的輸出電壓Vout則緊隨參考電壓Vref的變化?？梢詫⑤敵鲭妷篤out輸出到數(shù)字模塊作為判決處理芯片工作情況的輸入信號(hào)。電壓dio_out可以用于判斷光照的照射強(qiáng)度。

在本發(fā)明實(shí)施例中，第一開(kāi)關(guān)管104的寬長(zhǎng)比比較大，具體值需要綜合考慮光電流與第二開(kāi)關(guān)組102的阻值來(lái)決定。決定參考電壓Vref的因素包括第三開(kāi)關(guān)管106的導(dǎo)通電流和第二開(kāi)關(guān)組102的電阻，因此需要設(shè)計(jì)合理的第三開(kāi)關(guān)管106的寬長(zhǎng)比，其中第三開(kāi)關(guān)管106的寬長(zhǎng)比大約為第二開(kāi)關(guān)管105管的寬長(zhǎng)比的800到1200倍之間。

在一種可選的實(shí)施方式中，第一開(kāi)關(guān)組101具體可以包括至少兩個(gè)串聯(lián)的NMOS管或者至少兩個(gè)串聯(lián)的PMOS管。下面提供第一開(kāi)關(guān)組101的一種具體電路。

如圖3所示，第一開(kāi)關(guān)組101包括第一PMOS管Mp1、第二PMOS管Mp2和第三PMOS管Mp3。

其中，第一PMOS管Mp1的源極為第一開(kāi)關(guān)組101的第一端，連接電源電壓avdd。第一PMOS管Mp1的漏極連接第二PMOS管Mp2的源極，第二PMOS管Mp2的漏極連接第三PMOS管Mp3的源極，第三PMOS管Mp3的漏極作為第一開(kāi)關(guān)組101的第二端，直接或者間接連接感光電路103的正極；第一PMOS管Mp1的柵極、第二PMOS管Mp2的柵極和第三PMOS管Mp3的柵極連接地agnd。

第四開(kāi)關(guān)管108可以包括第四PMOS管Mp4；其中，第四PMOS管Mp4的源極連接第一開(kāi)關(guān)組101的第二端，第四PMOS管Mp4的漏極連接感光電路103的正極，第四PMOS管Mp4的柵極用于輸入所述控制電壓。

在一種可選的實(shí)施方式中，如圖3所示，第一開(kāi)關(guān)管104包括第五PMOS管Mp5，第二開(kāi)關(guān)管105包括第一NMOS管Mn1，第三開(kāi)關(guān)管106包括第二NMOS管Mn2。

其中，第五PMOS管Mp5的柵極連接第一開(kāi)關(guān)組101的第二端，第五PMOS管Mp5的源極連接電源電壓avdd，第五PMOS管Mp5的漏極連接第一NMOS管Mn1的柵極和漏極，以及第二NMOS管Mn2的柵極，第一NMOS管Mn1的源極連接地agnd，第二NMOS管Mn2的漏極連接第二開(kāi)關(guān)組102的第二端，第二NMOS管Mn2的源極連接地agnd。

在一種可選的實(shí)施方式中，第二開(kāi)關(guān)組102具體可以包括至少兩個(gè)串聯(lián)的NMOS管或者至少兩個(gè)串聯(lián)的PMOS管。下面提供第二開(kāi)關(guān)組102的一種具體電路。

如圖3所示，第二開(kāi)關(guān)組102包括第六PMOS管Mp6、第七PMOS管Mp7、第八PMOS管Mp8和第九PMOS管Mp9。

其中，第六PMOS管Mp6的源極為第二開(kāi)關(guān)組102的第一端，連接電源電壓avdd。第六PMOS管Mp6的漏極連接第七PMOS管Mp7的源極，第七PMOS管Mp7的漏極連接第八PMOS管Mp8的源極，第八PMOS管Mp8的漏極連接第九PMOS管Mp9的源極，第九PMOS管Mp9的漏極作為第二開(kāi)關(guān)組102的第二端；第六PMOS管Mp6的柵極、第七PMOS管Mp7的柵極、第八PMOS管Mp8的柵極和第九PMOS管Mp9的柵極連接地agnd。

下面提供運(yùn)放緩沖器的一種可選的電路。

如圖3所示。運(yùn)放緩沖器107包括第三NMOS管Mn3、第四NMOS管Mn4、第五NMOS管Mn5、第十PMOS管Mp10和第十一PMOS管Mp11。

其中，第四NMOS管Mn4的柵極為運(yùn)放緩沖器107的輸入端，連接第二開(kāi)關(guān)組的第二端。第四NMOS管Mn4的漏極連接第十PMOS管Mp10的漏極和柵極，以及所述第十一PMOS管Mp11的柵極，第十PMOS管Mp10的源極和第十一PMOS管Mp11的源極連接電源電壓avdd，第十一PMOS管Mp11 的漏極連接第五NMOS管Mn5的漏極和柵極，并作為運(yùn)放緩沖器107的輸出端，同時(shí)也是光檢測(cè)電路的輸出端。

第四NMOS管Mn4的源極和第五NMOS管Mn5的源極連接第三NMOS管Mn3的漏極，第三NMOS管Mn3的柵極連接第三開(kāi)關(guān)管106的控制端，第三NMOS管Mn3的源極連接地agnd。

可見(jiàn)，第十PMOS管Mp10和第十一PMOS管Mp11為PMOS管電流鏡負(fù)載，第四NMOS管Mn4和第五NMOS管Mn5為運(yùn)放差分對(duì)輸入，第三NMOS管Mn3為尾電流源。由于尾電流源的電流來(lái)自第一NMOS管Mn1管的鏡像，所以為了使運(yùn)放緩沖器正常工作，在電路參數(shù)設(shè)計(jì)中需要使第三NMOS管Mn3的寬長(zhǎng)比遠(yuǎn)大于第一NMOS管Mn1的寬長(zhǎng)比,第三NMOS管Mn3的寬長(zhǎng)比與第一NMOS管Mn1的寬長(zhǎng)比的比值，大約在30到50倍之間。一方面為了使運(yùn)放緩沖器在感光電路103在暗電流狀態(tài)下能夠正常工作，同時(shí)也為了在該條件下增加運(yùn)放緩沖器對(duì)數(shù)字輸出驅(qū)動(dòng)能力，防止誤判。

可選的，感光電路103包括至少一個(gè)并聯(lián)的光電二極管，例如圖3所示，包括并聯(lián)的光電二極管D1、D2和D3。

如圖4所示，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種芯片電路，包括：芯片以及本發(fā)明任一種實(shí)施例提供的光檢測(cè)電路。光檢測(cè)電路檢測(cè)到光照時(shí)，可以通過(guò)保護(hù)電路采取相應(yīng)的保護(hù)措施，例如報(bào)警、自毀芯片的部分電路等。

對(duì)應(yīng)上述實(shí)施例，本發(fā)明還提供了相應(yīng)的光檢測(cè)方法的一種實(shí)施例，用于本發(fā)明任一種實(shí)施例提供的光檢測(cè)電路中。所述方法包括：

監(jiān)測(cè)所述光檢測(cè)電路的輸出電壓是否小于預(yù)設(shè)閾值；

如果是，則確定出所述光檢測(cè)電路檢測(cè)出光照。本發(fā)明實(shí)施例中在檢測(cè)出光照時(shí)，還可以檢測(cè)光照的照射強(qiáng)度。

可選的，如果否，則確定出所述光檢測(cè)電路沒(méi)有檢測(cè)出光照。

所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到，為描述的方便和簡(jiǎn)潔，上述描述方法實(shí)施例中的對(duì)應(yīng)過(guò)程，，可以參考前述光檢測(cè)電路的具體工作過(guò)程，在此不再贅述。

以上所述，以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。