本發(fā)明涉及電子裝置檢測技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種基于體二極管的熱阻檢測方法。
背景技術(shù):
采用多管并聯(lián)的電機控制器,對每個絕緣柵型場效應(yīng)(Mosfet,MOS)管的熱阻大小均一性有嚴格的要求,因此需要一種簡潔有效的方法對熱阻一致檢測。目前,傳統(tǒng)的檢測方法是將多個MOS管并聯(lián)焊接在印刷電路板(Printed Circuit Board,PCB)上,向每個MOS管內(nèi)通入正向電流,如圖1,電流方向如圖中箭頭所示,漏極為電流輸入端,源極為電流輸出端,在每個功率MOS管上貼熱電偶(Negative Temperature Coefficient,NTC)來檢測各功率MOS管的發(fā)熱,通過計算MOS管的溫度差和功率值得到熱阻值。
這種方法耗時較多,效率較低。功率MOS管具有正溫特性,多個功率MOS管并聯(lián),正向通入大電流時,正溫特性使得各MOS管自動調(diào)節(jié)不同發(fā)熱情況下的各自功耗,熱阻大會導(dǎo)致溫升大,溫升大的功率MOS管通態(tài)電阻變大,電流會變小,發(fā)熱隨之變小。這樣會使得各管之間的發(fā)熱表現(xiàn)差異變小,不利于檢查大批次功率MOS自身熱阻差異。因此,在控制器正常運轉(zhuǎn)過程中,由于高頻開關(guān)延時特性、電流回路相應(yīng)特性差距,導(dǎo)致實際測量溫差來源無法判定是由于熱阻不均造成還是發(fā)熱不均造成,檢測準確度較低。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
針對現(xiàn)有上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的熱阻檢測效率和準確率低的問題,現(xiàn)提供一種旨在提高檢測準確率和檢測效率的熱阻檢測方法。
具體技術(shù)方案如下:
一種基于體二極管的熱阻檢測方法,用于檢測絕緣柵型場效應(yīng)管的熱阻值,所述絕緣柵型場效應(yīng)管連接在電路上,所述電路使所述絕緣柵型場效應(yīng)管工作,每個所述絕緣柵型場效應(yīng)管分別具有一體二極管,所述方法包括下列步驟:
步驟A1.將復(fù)數(shù)個絕緣柵型場效應(yīng)管并聯(lián)設(shè)置;
步驟A2.向每個所述絕緣柵型場效應(yīng)管通入反向電流,使所述反向電流分別流經(jīng)每個所述絕緣柵型場效應(yīng)管的體二極管;
步驟A3.采用熱阻檢測設(shè)備對每個所述絕緣柵型場效應(yīng)管熱阻值進行檢測;
所述反向電流為從每個絕緣柵型場效應(yīng)管的源極輸入,且從每個所述絕緣柵型場效應(yīng)管的漏極輸出的電流;
所述熱阻檢測設(shè)備通過采集每個所述絕緣柵型場效應(yīng)管的發(fā)熱值計算得到所述熱阻值。
優(yōu)選的,所述復(fù)數(shù)個絕緣柵型場效應(yīng)管并聯(lián)設(shè)置在固定裝置上。
優(yōu)選的,所述固定裝置包括印刷電路板。
優(yōu)選的,所述熱阻檢測設(shè)備包括:
熱成像儀,所述熱成像儀上設(shè)置有溫度檢測探頭,所述溫度檢測探頭用于采集每個所述體二極管的發(fā)熱溫度值。
優(yōu)選的,所述熱阻檢測設(shè)備包括:
熱敏電阻,所述熱敏電阻設(shè)置在所述電路上且與所述絕緣柵型場效應(yīng)管連接。
優(yōu)選的,所述熱阻檢測設(shè)備根據(jù)所述發(fā)熱溫度值計算得到每個所述體二極管對應(yīng)的所述絕緣柵型場效應(yīng)管的熱阻值。
上述技術(shù)方案的有益效果:.通過將多個絕緣柵型場效應(yīng)管并聯(lián)并通入反向電流,使電流流經(jīng)每個絕緣柵型場效應(yīng)的體二極管,利用體二極管的發(fā)熱效率高于絕緣柵型場效應(yīng)管,放大不同熱阻的絕緣柵型場效應(yīng)管的發(fā)熱表現(xiàn),通過檢測體二極管的發(fā)熱溫度值來檢測并聯(lián)各支路絕緣柵型場效應(yīng)管的熱阻值,提高檢測靈敏度;由于體二極管通態(tài)壓降比絕緣柵型場效應(yīng)管大很多,產(chǎn)生同樣的熱量,需要流經(jīng)體二極管的電流比絕緣柵型場效應(yīng)管小很多,使得試驗條件更容易,相對于傳統(tǒng)的熱阻檢測方法,步驟也更簡單。
附圖說明
圖1為傳統(tǒng)的絕緣柵型場效應(yīng)管熱阻檢測方法的原理示意圖;
圖2為本發(fā)明所述的基于體二極管的熱阻檢測方法的原理示意圖;
圖3為本發(fā)明所述的基于體二極管的熱阻檢測方法的方法流程圖。
具體實施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖,對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒景l(fā)明中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明保護的范圍。
需要說明的是,在不沖突的情況下,本發(fā)明中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。
下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步說明,但不作為本發(fā)明的限定。
一種熱阻檢測方法,如圖1-2所示,用于檢測絕緣柵型場效應(yīng)管1的熱阻值,每個上述絕緣柵型場效應(yīng)管1上分別具有一體二極管,上述方法包括下列步驟:
步驟A1.將復(fù)數(shù)個絕緣柵型場效應(yīng)管1并聯(lián)設(shè)置;
步驟A2.向每個上述絕緣柵型場效應(yīng)管1通入反向電流,使上述反向電流分別流經(jīng)每個上述絕緣柵型場效應(yīng)管1的體二極管2;
步驟A3.采用熱阻檢測設(shè)備對每個上述絕緣柵型場效應(yīng)管1的熱阻值進行檢測;
上述反向電流為從每個上述絕緣柵型場效應(yīng)管1的源極輸入,且從每個上述絕緣柵型場效應(yīng)管的漏極輸出的電流;
上述熱阻檢測設(shè)備通過采集每個上述絕緣柵型場效應(yīng)管1的發(fā)熱值計算得到上述熱阻值。
在本實施例中,.通過將多個絕緣柵型場效應(yīng)管1并聯(lián)并通入反向電流,反向電流為從每個絕緣柵型場效應(yīng)管1的源極輸入,且從每個上述絕緣柵型場效應(yīng)管的漏極輸出,使電流流經(jīng)每個絕緣柵型場效應(yīng)1的體二極管2,電流方向如圖2中的箭頭所示,利用體二極管2的發(fā)熱效率高于絕緣柵型場效應(yīng)管1,放大不同熱阻的絕緣柵型場效應(yīng)管1的發(fā)熱表現(xiàn),通過檢測絕緣柵型場效應(yīng)管1的發(fā)熱溫度值來檢測并聯(lián)各支路絕緣柵型場效應(yīng)管1的熱阻值,測試并聯(lián)各支路體二極管2的發(fā)熱來檢測功率絕緣柵型場效應(yīng)管1的熱阻均一性,提高檢測靈敏度。由于體二極管2通態(tài)壓降比絕緣柵型場效應(yīng)管大很多,產(chǎn)生同樣的熱量,需要流經(jīng)體二極管2的電流比絕緣柵型場效應(yīng)管1小很多,使得試驗條件更容易,相對于傳統(tǒng)的熱阻檢測方法,步驟也更簡單。
在優(yōu)選的實施例中,上述體二極管2的發(fā)熱效率高于每個上述體二極管2對應(yīng)的上述絕緣柵型場效應(yīng)管1的發(fā)熱效率。
在本實施例中,利用體二極管2的發(fā)熱效率比絕緣柵型場效應(yīng)管1高,使得試驗條件更容易。功率MOS管反向并聯(lián)的體二極管具有負溫特性。與正溫特性相反,多個功率MOS管并聯(lián),反向通入電流時,電流全部流經(jīng)體二極管2,熱阻大導(dǎo)致溫升大,溫升大的的體二極管2的通態(tài)電阻變小,流經(jīng)的電流會變大,形成正反饋,從而放大不同熱阻的功率MOS管的發(fā)熱表現(xiàn),通過檢查發(fā)熱情況,能方便的檢測不同功率MOS管的熱阻差異。由于體二極管2通態(tài)壓降比功率MOS管大很多,產(chǎn)生同樣的熱量,需要流經(jīng)體二極管2的電流比功率MOS管小很多,使得試驗條件更容易,與給功率MOS管通電流相比,該方案大幅提高了熱阻差異的檢出率。.
在優(yōu)選的實施例中,上述復(fù)數(shù)個絕緣柵型場效應(yīng)管1并聯(lián)設(shè)置在固定裝置(圖中未顯示)上。
在優(yōu)選的實施例中,上述固定裝置包括印刷電路板。
在本實施例中,具體使用時可以將各絕緣柵型場效應(yīng)管1并聯(lián)設(shè)置在鋁基板上。
在優(yōu)選的實施例中,上述熱阻檢測設(shè)備(圖中未顯示)包括:
熱成像儀,上述熱成像儀上設(shè)置有溫度檢測探頭,上述溫度檢測探頭用于采集每個上述體二極管2的發(fā)熱溫度值。
在優(yōu)選的實施例中,上述熱阻檢測設(shè)備包括:
熱敏電阻(圖中未顯示),上述熱敏電阻設(shè)置在上述電路上且與所述絕緣柵型場效應(yīng)管1連接。
在本實施例中,可通過計算體二極管2的發(fā)熱和熱敏電阻的組織來計算每個上述體二極管2對應(yīng)的上述絕緣柵型場效應(yīng)管1的熱阻值。
以上僅為本發(fā)明較佳的實施例,并非因此限制本發(fā)明的實施方式及保護范圍,對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言,應(yīng)當能夠意識到凡運用本發(fā)明說明書及圖示內(nèi)容所作出的等同替換和顯而易見的變化所得到的方案,均應(yīng)當包含在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。