本發(fā)明涉及原子磁力儀制備技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種提高原子磁力儀弛豫時(shí)間的裝置。
背景技術(shù):
在現(xiàn)有技術(shù)中,為了減小銫原子與吸收室器壁碰撞造成的能級(jí)改變,在吸收室內(nèi)壁鍍高分子材料,例如聚四氟乙烯。此類材料的分子量遠(yuǎn)大于銫原子,與銫原子的碰撞類似彈性碰撞,減小了銫原子通過(guò)碰撞改變能級(jí)的幾率。常用的銫吸收室規(guī)格為25mmx25mm,但是由于銫吸收室內(nèi)壁鍍層的方法工藝復(fù)雜,批量生產(chǎn)時(shí)很難保證鍍層厚度,鍍層質(zhì)量的一致性差。因此,急需一種能夠在吸收室同樣可以達(dá)到內(nèi)部鍍層效果的裝置,而且制造工藝簡(jiǎn)單,實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的是提供一種提高原子磁力儀弛豫時(shí)間的裝置,解決現(xiàn)有技術(shù)中原子吸收室內(nèi)部鍍層工藝復(fù)雜,不能夠批量生產(chǎn)的技術(shù)問(wèn)題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了如下技術(shù)方案:
本發(fā)明提供了一種提高原子磁力儀弛豫時(shí)間的裝置,包括若干透光的云母片、若干非透光的聚四氟乙烯片和圓桿,所述云母片與所述聚四氟乙烯片均為環(huán)形,在所述云母片的內(nèi)圓向外側(cè)開有若干個(gè)第一矩形槽,所述第一矩形槽沿圓周對(duì)稱分布,所述聚四氟乙烯片的內(nèi)圓向外側(cè)開有若干個(gè)第二矩形槽,所述第二矩形槽沿圓周對(duì)稱分布,所述第一矩形槽與所述第二矩形槽數(shù)目相同,所述云母片與所述聚四氟乙烯片互相交替疊放,所述云母片與所述聚四氟乙烯片外側(cè)圓周開有若干個(gè)連接孔,相鄰的所述云母片與所述聚四氟乙烯片旋轉(zhuǎn)一定角度使所述第一矩形槽與所述第二矩形槽互不重疊,所述連接孔沿垂直方向形成通孔,所述圓桿穿過(guò)所述連接孔后將所述云母片與所述聚四氟乙烯片固定連接。
優(yōu)選的,所述第一矩形槽和所述第二矩形槽的數(shù)目均為8-12個(gè),所述云母片和所述聚四氟乙烯片的內(nèi)圓開槽部分的弧長(zhǎng)與內(nèi)圓未開槽部分的弧長(zhǎng)相等;
優(yōu)選的,所述連接孔設(shè)置在所述第一矩形槽和所述第二矩形槽的外側(cè);
優(yōu)選的,所述云母片與所述聚四氟乙烯片的外圓直徑為原子吸收室的內(nèi)徑,所述云母片與所述聚四氟乙烯片的內(nèi)圓的直徑為外圓直徑的2/5~3/5;
優(yōu)選的,所述云母片與所述聚四氟乙烯片的外圓直徑為25mm,所述云母片與所述聚四氟乙烯片的內(nèi)圓的直徑為10~15mm;
優(yōu)選的,所述云母片與所述聚四氟乙烯片的厚度均為0.2mm,相鄰所述云母片與所述聚四氟乙烯片的間距為0.5mm.
本發(fā)明相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)而言取得了以下技術(shù)效果:
本發(fā)明通過(guò)云母片與聚四氟乙烯片交錯(cuò)疊放,而且相鄰的云母片與聚四氟乙烯片的開槽位置也互相錯(cuò)開,使得不透光的聚四氟乙烯片在開槽的位置能夠通過(guò)透光云母片將光線照射進(jìn)來(lái),但是氣體分子不能通過(guò)開槽位置擴(kuò)散,達(dá)到了降低氣體分子擴(kuò)散速度的目的。裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,原材料獲取方便,加工時(shí)間短,便于批量生產(chǎn),而且在使用過(guò)程中更換方便。本發(fā)明巧妙的將鍍膜的結(jié)構(gòu)擴(kuò)展具體化,通過(guò)材料混合使用,將不透光的材料和透光的材料做成片狀并交錯(cuò)疊加,通過(guò)限制銫原子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),減小銫原子與吸收室內(nèi)部碰撞的幾率,達(dá)到內(nèi)部鍍層的效果。
附圖說(shuō)明
為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發(fā)明實(shí)施例提高原子磁力儀弛豫時(shí)間的裝置的整體示意圖;
圖2為本發(fā)明實(shí)施例聚四氟乙烯片的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為本發(fā)明實(shí)施例云母片的結(jié)構(gòu)示意圖;
其中,1-聚四氟乙烯片、2-云母片、3-圓桿、4-第一矩形槽、5-第二矩形槽、6-連接孔。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
本發(fā)明的目的是提供一種提高原子磁力儀弛豫時(shí)間的裝置,解決現(xiàn)有技術(shù)中原子吸收室內(nèi)部鍍層工藝復(fù)雜,不能夠批量生產(chǎn)的技術(shù)問(wèn)題。
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂,下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。
如圖1所示,本發(fā)明提供一種提高原子磁力儀弛豫時(shí)間的裝置,包括若干透光的云母片2、若干非透光的聚四氟乙烯片1和圓桿3,所述云母片2與所述聚四氟乙烯片1均為環(huán)形,在所述云母片2的內(nèi)圓向外側(cè)開有若干個(gè)第一矩形槽4,所述第一矩形槽4沿圓周對(duì)稱分布,所述聚四氟乙烯片1的內(nèi)圓向外側(cè)開有若干個(gè)第二矩形槽5,所述第二矩形槽5沿圓周對(duì)稱分布,所述第一矩形槽4與所述第二矩形槽5數(shù)目相同,所述云母片2與所述聚四氟乙烯片1互相交替疊放,所述云母片2與所述聚四氟乙烯片1外側(cè)圓周開有若干個(gè)連接孔6,相鄰的所述云母片2與所述聚四氟乙烯片1旋轉(zhuǎn)一定角度使所述第一矩形槽4與所述第二矩形槽5互不重疊,所述連接孔6沿垂直方向形成通孔,所述圓桿3穿過(guò)所述連接孔6后將所述云母片2與所述聚四氟乙烯片1固定連接。
本發(fā)明的裝置是由高分子材料構(gòu)成的支架結(jié)構(gòu),原有技術(shù)中是在銫原子吸收室內(nèi)部鍍一層高分子材料,通常為聚四氟乙烯,此類材料的分子量遠(yuǎn)大于銫原子,與銫原子的碰撞類似彈性碰撞,減小了銫原子通過(guò)碰撞改變能級(jí)的幾率;而本發(fā)明的支架結(jié)構(gòu)同樣是放在銫原子吸收室內(nèi)部,但是是套接在內(nèi)部,通過(guò)將高分子材料制成片狀結(jié)構(gòu),進(jìn)而疊放成中間具有通孔的立體支架結(jié)構(gòu),這種特殊結(jié)構(gòu),通過(guò)限制銫原子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),減小銫原子與吸收室內(nèi)部碰撞的幾率,同樣可以達(dá)到內(nèi)部鍍層的效果,且工藝簡(jiǎn)單,便于批量生產(chǎn)。
如圖2和3,所述第一矩形槽4和所述第二矩形槽5的數(shù)目均為8-12個(gè),開槽的數(shù)目小于8個(gè)則達(dá)不到組織原子擴(kuò)散的目的,所述云母片2和所述聚四氟乙烯片1的內(nèi)圓開槽部分的弧長(zhǎng)與內(nèi)圓未開槽部分的弧長(zhǎng)相等;所述連接孔6設(shè)置在所述第一矩形槽4和所述第二矩形槽5的外側(cè)。
云母片2與聚四氟乙烯片1的外圓直徑為原子吸收室的內(nèi)徑,云母片2與聚四氟乙烯片1的內(nèi)圓的直徑為外圓直徑的2/5~3/5。
比如,對(duì)于常用的25mmx25mm的銫吸收室,云母片2與聚四氟乙烯片1的外圓直徑為25mm,云母片2與聚四氟乙烯片1的內(nèi)圓的直徑為10~15mm;云母片2與聚四氟乙烯片1的厚度均為0.2mm,而且相鄰的云母片2與聚四氟乙烯片1的間距為0.5mm。
本發(fā)明提高原子磁力儀弛豫時(shí)間的裝置為支架結(jié)構(gòu),在組裝支架時(shí),將云母片2與聚四氟乙烯片1交錯(cuò)疊放在一起,而且相鄰的兩個(gè)薄片需要通過(guò)未開槽的部分掩蓋住開槽的位置,這樣一個(gè)透光材料相鄰一個(gè)不透光的材料,但是開槽的部位由于透光材料云母片2的原因,光依然可以照射進(jìn)來(lái),但是原子在徑向擴(kuò)散的時(shí)候卻起到一定的抑制作用,但是如果云母片2不開槽,雖然聚四氟乙烯片1開槽部分能夠透光,但是這樣原子將無(wú)法擴(kuò)散,因此,聚四氟乙烯片1與云母片2需要同時(shí)開槽,而且開槽的數(shù)目和形狀相同,這樣旋轉(zhuǎn)一定角度后未開槽部分與開槽部分才能夠互相遮蓋,疊放完成后,圓桿3穿過(guò)連接孔6將疊好的薄片連接起來(lái),進(jìn)而固定好成為支架。在使用過(guò)程中將支架放入原子吸收室,即可達(dá)到在原子吸收室鍍高分子材料的同等效果,更換更加容易,而且適用于批量生產(chǎn),大大解決了現(xiàn)有技術(shù)中鍍高分子材料存在的鍍層不均勻,質(zhì)量差的問(wèn)題。
本發(fā)明中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述,以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想;同時(shí),對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員,依據(jù)本發(fā)明的思想,在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處。綜上所述,本說(shuō)明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。