本發(fā)明涉及LED結(jié)溫測量領(lǐng)域,特別是涉及一種新型的LED結(jié)溫測量方法。
背景技術(shù):
LED以其節(jié)能環(huán)保,發(fā)光效率高,使用壽命長,響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)在顯示、照明、通訊等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。但隨著單顆LED芯片功率地不斷提高,發(fā)熱問題不容忽視。LED正常工作時,有70%的能量轉(zhuǎn)化為熱能,這將直接導(dǎo)致芯片結(jié)溫上升,光通量下降,使用壽命縮短并產(chǎn)生一定的色偏,因此,在改進(jìn)LED散熱的同時,還需要對LED結(jié)溫實(shí)時監(jiān)測并進(jìn)行有效分析。而這都離不開對LED結(jié)溫的測量。
現(xiàn)有的LED結(jié)溫測量方式主要有光學(xué)測量法、熱阻測量法、電學(xué)參數(shù)法等。其中,光學(xué)測量法脫離LED芯片實(shí)際工作環(huán)境,且所需測量設(shè)備價格昂貴;熱阻測量法中熱阻值的測量難度較大,且所需測量參數(shù)較多,易導(dǎo)致誤差積累。電學(xué)參數(shù)法是依據(jù)恒定電流下,結(jié)溫與電壓基本線性的關(guān)系來求解結(jié)溫。該方法雖然能夠快速準(zhǔn)確地測量LED結(jié)溫,但測量只限于電流為小幅窄脈沖情況下,而這種情況下,芯片易出現(xiàn)閃爍且結(jié)溫快速跌落,不利于LED結(jié)溫的實(shí)時監(jiān)測。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
有鑒于此,本發(fā)明的目的是提供明一種新型的LED結(jié)溫測量方法,簡便實(shí)用,便于實(shí)時檢測與實(shí)時監(jiān)測的LED結(jié)溫測量方法,且該方法具備一定的精度。
本發(fā)明采用以下方案實(shí)現(xiàn):一種新型的LED結(jié)溫測量方法,包括以下步驟:
步驟S1:提供一LED芯片結(jié)溫數(shù)據(jù)測量提取裝置,包括脈沖電流發(fā)生器,用以測試的LED芯片,恒溫設(shè)備,數(shù)據(jù)采集裝置,計算機(jī);
步驟S2:將LED芯片置于一恒溫設(shè)備中,測量在不同恒定結(jié)溫T條件下,不同輸入電流I下的LED芯片的輸入電壓U,并獲得U-I-T的曲面圖;
步驟S3:根據(jù)測量得到的輸入電壓U、輸入電流I和結(jié)溫T數(shù)據(jù),在所述計算機(jī)中通過MATLAB獲得以輸入電壓U和輸入電流I為變量的LED結(jié)溫T的模型表達(dá)式;
步驟S4:將LED芯片實(shí)時的輸入電流I和輸入電壓值U代入步驟S3得到的LED結(jié)溫T的模型表達(dá)式,得到此時LED芯片的結(jié)溫,即實(shí)現(xiàn)LED結(jié)溫的實(shí)時檢測與實(shí)時監(jiān)測。
進(jìn)一步地,所述步驟S2中,測量在不同恒定結(jié)溫T條件下,不同輸入電流I下的LED芯片的輸入電壓U,并獲得U-I-T的曲面圖的具體包括以下步驟:
步驟S21:將LED芯片放置于所述恒溫設(shè)備中,所述LED芯片的兩端與脈沖電流發(fā)生器的兩端連接;
步驟S22:當(dāng)LED芯片達(dá)到熱穩(wěn)定時,其結(jié)溫為恒溫設(shè)備內(nèi)部溫度,脈沖電流發(fā)生器產(chǎn)生一個幅值恒定的脈沖電流I輸入LED芯片,利用與所述LED芯片相連的數(shù)據(jù)采集裝置記錄此時的輸入電壓U;
步驟S23:調(diào)節(jié)恒溫設(shè)備溫度,返回步驟S22,重復(fù)數(shù)據(jù)測試采集過程,得到一系列不同結(jié)溫,不同脈沖電流下對應(yīng)的輸入電壓。
進(jìn)一步地,所述步驟S3中,所述計算機(jī)與所述數(shù)據(jù)采集裝置相連,所述數(shù)據(jù)采集將步驟S2采集到的測量數(shù)據(jù)傳輸至所述計算機(jī),所述MATLAB擬合步驟S21中LED芯片在不同結(jié)溫下的輸入電流和輸入電壓值,獲得以輸入電壓U和輸入電流I為變量的LED結(jié)溫T的具體模型表達(dá)式,即提取建立結(jié)溫T模型所需的參數(shù)。
特別地,所述步驟S22中,將LED芯片置入能控溫的恒溫設(shè)備中,當(dāng)LED達(dá)到熱穩(wěn)定時,LED的結(jié)溫與恒溫設(shè)備內(nèi)溫度一致,此時通過脈沖電流發(fā)生器給LED芯片通入一幅值恒定并且脈沖時間足夠短的脈沖電流I,通過數(shù)據(jù)采集裝置獲得通入脈沖電流所對應(yīng)的電壓值;所述步驟S23中改變恒溫設(shè)備溫度,給予LED芯片在恒溫條件內(nèi)足夠長的熱交換時間,如2min后,LED芯片即可重新達(dá)到熱穩(wěn)定。
進(jìn)一步地,所述步驟S3中,利用MATLAB獲得LED結(jié)溫關(guān)于輸入電壓U與輸入電流I的表達(dá)式的具體方法為:在0℃以上,輸入電流I在0-2A的范圍內(nèi),U與I近似為多次項(xiàng)的關(guān)系,U與T為近似線性關(guān)系;
將LED芯片的電路模型等效為一個理想二極管和一個電阻R串聯(lián),則LED的伏安特性為:
式中I為輸入電流,Is為反向飽和電流,q為電子電量,U為輸入電壓,R為串聯(lián)電阻,n為理想因子,k為玻爾茲曼常數(shù),T為結(jié)溫;
通過泰勒級數(shù)展開,LED伏安特性的電壓模型可簡化為:
U(I,T)=(C1I3+C2I2+C3I+C4)(C5T+1)
表達(dá)式中C1,C2,C3,C4,C5為常系數(shù),可通過對實(shí)測數(shù)據(jù)擬合得到;
LED的結(jié)溫公式為:
特別地,本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的原理是:
通常LED的等效電路模型為一個理想二極管與一個電阻R串聯(lián),其中理想二極管滿足Schockley方程可表達(dá)為:
式中I為輸入電流,Is為反向飽和電流,q為電子電量,U為輸入壓降,R為等效電阻,n為理想因子,k為玻爾茲曼常數(shù),T為結(jié)溫,由于exp[q(U-IR)/nkT]>>1,因此省略-1,方程改寫為:
\*MERGEFORMAT(1)
由上式可以獲得LED的電壓表達(dá)式為:
\*MERGEFORMAT(2)
當(dāng)輸入電流在0-2A范圍時,可將上式泰勒展開,得到:
\*MERGEFORMAT(3)
則可知U是關(guān)于I的多次表達(dá)式,可以簡寫為:
U=A1+A2I+A3I2+A4I3+…
\*MERGEFORMAT(4)
其中,系數(shù)A1,A2,A3,A4為系數(shù)。
R與Is是一個與溫度有關(guān)的函數(shù),在半導(dǎo)體材料雜質(zhì)完全電離,本征激發(fā)可以忽略,且工作溫度高于0℃的條件下,將式的U對T求導(dǎo),最終可得:
\*MERGEFORMAT(5)
其中B1,B2,B3為系數(shù)。由上式可知,在恒流下,U與T近似線性關(guān)系。
根據(jù)和,LED正向電壓模型可表示為式,U是一個與電流I呈三次關(guān)系,與結(jié)溫呈一次關(guān)系的函數(shù):
U(I,T)=(C1I3+C2I2+C3I+C4)(C5T+1)
\*MERGEFORMAT(6)
其中,C1,C2,C3,C4,C5為LED在0℃時的系數(shù)。
根據(jù)式可得以輸入電壓U和輸入電流I為變量的LED結(jié)溫T的模型為:
\*MERGEFORMAT(7)
式中,C1,C2,C3,C4,C5為系數(shù),可通過實(shí)測數(shù)據(jù)擬合得到。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明將LED的結(jié)溫T的表達(dá)式僅用電壓U和電流I兩個變量來表示,而不需要難測的熱阻,熱容參數(shù),甚至連LED的反向飽和電流Is都不需要,大大簡化了LED結(jié)溫測試過程,并能實(shí)現(xiàn)LED結(jié)溫的實(shí)時檢測和實(shí)時監(jiān)測。避免了傳統(tǒng)的LED結(jié)溫測量方法中設(shè)備昂貴,脫離實(shí)際工作場合等問題,極大簡化了LED的結(jié)溫測量過程。
附圖說明
圖1是本發(fā)明結(jié)溫模型參數(shù)的提取裝置示意圖。
圖2是本發(fā)明測量CREE XRE U-I曲線與實(shí)際U-I的曲線對比圖
圖3是本發(fā)明測量的CREE XRE結(jié)溫曲線與實(shí)際結(jié)溫的曲線對比圖
圖4是本發(fā)明測量CREE XRE擬合出的U-I-T曲面圖。
圖中:1-脈沖電流源;2-數(shù)據(jù)采集裝置;3-用以測量的LED芯片;4-恒溫設(shè)備,包括油浴鍋,恒溫箱等。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對本發(fā)明做進(jìn)一步說明。
本實(shí)施例提供一種新型的LED結(jié)溫測量方法,包括以下步驟:
步驟S1:提供一LED芯片結(jié)溫數(shù)據(jù)測量提取裝置,包括脈沖電流發(fā)生器,用以測試的LED芯片,恒溫設(shè)備,數(shù)據(jù)采集裝置,計算機(jī);
步驟S2:將LED芯片置于一恒溫設(shè)備中,測量在不同恒定結(jié)溫T條件下,不同輸入電流I下的LED芯片的輸入電壓U,并獲得U-I-T的曲面圖;
步驟S3:根據(jù)測量得到的輸入電壓U、輸入電流I和結(jié)溫T數(shù)據(jù),在所述計算機(jī)中通過MATLAB獲得以輸入電壓U和輸入電流I為變量的LED結(jié)溫T的模型表達(dá)式;
步驟S4:將LED芯片實(shí)時的輸入電流I和輸入電壓值U代入步驟S3得到的LED結(jié)溫T的模型表達(dá)式,得到此時LED芯片的結(jié)溫,即實(shí)現(xiàn)LED結(jié)溫的實(shí)時檢測與實(shí)時監(jiān)測。
進(jìn)一步地,所述步驟S2中,測量在不同恒定結(jié)溫T條件下,不同輸入電流I下的LED芯片的輸入電壓U,并獲得U-I-T的曲面圖的具體包括以下步驟:
步驟S21:將LED芯片放置于所述恒溫設(shè)備中,所述LED芯片的兩端與脈沖電流發(fā)生器的兩端連接;
步驟S22:當(dāng)LED芯片達(dá)到熱穩(wěn)定時,其結(jié)溫為恒溫設(shè)備內(nèi)部溫度,脈沖電流發(fā)生器產(chǎn)生一個幅值恒定的脈沖電流I輸入LED芯片,利用與所述LED芯片相連的數(shù)據(jù)采集裝置記錄此時的輸入電壓U;
步驟S23:調(diào)節(jié)恒溫設(shè)備溫度,返回步驟S22,重復(fù)數(shù)據(jù)測試采集過程,得到一系列不同結(jié)溫,不同脈沖電流下對應(yīng)的輸入電壓。
在本實(shí)施例中,所述步驟S3中,所述計算機(jī)與所述數(shù)據(jù)采集裝置相連,所述數(shù)據(jù)采集將步驟S2采集到的測量數(shù)據(jù)傳輸至所述計算機(jī),所述MATLAB擬合步驟S21中LED芯片在不同結(jié)溫下的輸入電流和輸入電壓值,獲得以輸入電壓U和輸入電流I為變量的LED結(jié)溫T的具體模型表達(dá)式,即提取建立結(jié)溫T模型所需的參數(shù)。
在本實(shí)施例中,所述步驟S22中,將LED芯片置入能控溫的恒溫設(shè)備中,當(dāng)LED達(dá)到熱穩(wěn)定時,LED的結(jié)溫與恒溫設(shè)備內(nèi)溫度一致,此時通過脈沖電流發(fā)生器給LED芯片通入一幅值恒定并且脈沖時間足夠短的脈沖電流I,通過數(shù)據(jù)采集裝置獲得通入脈沖電流所對應(yīng)的電壓值;所述步驟S23中改變恒溫設(shè)備溫度,給予LED芯片在恒溫條件內(nèi)足夠長的熱交換時間,如2min后,LED芯片即可重新達(dá)到熱穩(wěn)定。
在本實(shí)施例中,所述步驟S3中,利用MATLAB獲得LED結(jié)溫關(guān)于輸入電壓U與輸入電流I的表達(dá)式的具體方法為:在0℃以上,輸入電流I在0-2A的范圍內(nèi),U與I近似為多次項(xiàng)的關(guān)系,U與T為近似線性關(guān)系;
將LED芯片的電路模型等效為一個理想二極管和一個電阻R串聯(lián),則LED的伏安特性為:
式中I為輸入電流,Is為反向飽和電流,q為電子電量,U為輸入電壓,R為串聯(lián)電阻,n為理想因子,k為玻爾茲曼常數(shù),T為結(jié)溫;
通過泰勒級數(shù)展開,LED伏安特性的電壓模型可簡化為:
U(I,T)=(C1I3+C2I2+C3I+C4)(C5T+1)
表達(dá)式中C1,C2,C3,C4,C5為常系數(shù),可通過對實(shí)測數(shù)據(jù)擬合得到;
LED的結(jié)溫公式為:
。
在本實(shí)施例中,根據(jù)圖1的結(jié)溫模型參數(shù)的提取裝置示意圖連接好測量實(shí)驗(yàn)裝置,本實(shí)施例中采用的LED樣品型號為CREE XRE,恒溫設(shè)備選用可控溫油浴鍋,將該設(shè)備調(diào)節(jié)至設(shè)定溫度,脈沖輸入電流幅值為0.05至1.6A,其中在0.05-0.4A區(qū)間,電流步長為0.05A,在0.4-1.6A之間,電流步長為0.1A,測得此時對應(yīng)的各值,其中測完一次電壓U,每個電流脈沖寬度不超過20ms,每兩次測量的時間間隔不低于2min,確保LED樣品在測試過程中,結(jié)溫近似保持與設(shè)定油溫一致。則在50℃結(jié)溫時的U-I曲線如圖2所示,為:
U=0.1805I3-0.7562I2+1.286I+2.6302
獲得在固定油溫下的U-I曲線后,改變油浴鍋的油溫,按照相同的方法,重新測試上述脈沖電流下所對應(yīng)的電壓值。此次測試完成了設(shè)定油溫分別是30℃,35℃,40℃,50℃,60℃,70℃的數(shù)據(jù)測量。則根據(jù)CREE XRE的技術(shù)參數(shù),我們?nèi)?.8A時的U-T關(guān)系進(jìn)行擬合,效果如圖3所示,曲線為:
U=-0.0044T+3.4567
根據(jù)以上所測試的數(shù)據(jù),通過MATLAB軟件擬合得圖4,該LED樣品的LED結(jié)溫T模型表達(dá)式為:
其中模型參數(shù):C1=0.1690,C2=-0.7080,C3=1.2041,C4=2.4627,C5=0.0041。
根據(jù)圖4可以看出該公式與實(shí)測點(diǎn)的擬合效果達(dá)到了較為理想的吻合。驗(yàn)證了本方法、模型及理論公式的有效性與精確性。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例,凡依本發(fā)明申請專利范圍所做的均等變化與修飾,皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。