本發(fā)明涉及光纖測試技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種通信光纖宏彎損耗測試方法。

背景技術(shù)：

通信光纖的宏彎損耗隨波長的增加和彎曲半徑的減少而增大，在彎曲半徑情況下對光纖的宏彎損耗進(jìn)行測試時，針對同一個測試樣品、在相同測試條件下，多次測試結(jié)果會出現(xiàn)較大差異，引起該差異的主要原因是彎曲條件下輻射出纖芯的輻射模經(jīng)過光纖芯與包層、包層與光纖涂層、光纖涂層與空氣界面多次反射回到纖芯，與傳輸模產(chǎn)生耦合，在特定的條件下會出現(xiàn)干涉加強或減弱的現(xiàn)象，稱為Whispering gallery modes（簡稱W波）的影響。受該現(xiàn)象的影響，在進(jìn)行光纖的宏彎損耗測試時，將會出現(xiàn)宏彎損耗振蕩現(xiàn)象，導(dǎo)致宏彎損耗測試結(jié)果不準(zhǔn)確。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是抑制W波的影響，實現(xiàn)對通信光纖宏彎損耗的準(zhǔn)確、穩(wěn)定測試，目的在于提供一種通信光纖宏彎損耗測試方法，解決當(dāng)前測試方法測量不準(zhǔn)確、穩(wěn)定性差的問題。

本發(fā)明通過下述技術(shù)方案實現(xiàn)：

一種通信光纖宏彎損耗測試方法，包括如下步驟：

A、按照測試要求制備待測光纖，具體為將待測光纖按照測試要求的半徑和圈數(shù)繞圈；

B、將待測光纖置于光功率吸收劑中；

C、采用宏彎損耗測試裝置對待測光纖宏彎損耗進(jìn)行測試。

特別地，所述光功率吸收劑的光折射率大于等于光纖涂層的光折射率。

特別地，所述光功率吸收劑的光折射率大于等于光纖包層的光折射率，所述待測光纖采用剝除涂層后的光纖。

特別地，所述光功率吸收劑具體采用肉桂酸乙酯。

特別地，所述光功率吸收劑具體采用甘油。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下的優(yōu)點和有益效果：

本發(fā)明所述一種通信光纖宏彎損耗測試方法，將待測光纖按照測試要求的半徑和圈數(shù)繞圈后，置于光功率吸收劑中，采用宏彎損耗測試裝置對待測光纖的宏彎損耗進(jìn)行測試，從而實現(xiàn)在測試過程中有效吸收泄露出光纖的光功率，抑制W波對測試的影響，獲得光纖宏彎損耗的真實數(shù)值，保證了光纖宏彎損耗測試的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明實施例的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請的一部分，并不構(gòu)成對本發(fā)明實施例的限定。在附圖中：

圖1為本發(fā)明實施例1提供的存在W波干擾時光纖內(nèi)部光折射結(jié)構(gòu)圖。

圖2為本發(fā)明實施例1提供的采用肉桂酸乙酯作為光功率吸收劑時獲得的光纖宏彎損耗測試結(jié)果。

圖3為本發(fā)明實施例2提供的采用甘油作為光功率吸收劑時獲得的光纖宏彎損耗測試結(jié)果。

圖4為本發(fā)明實施例1提供的通信光纖宏彎損耗測試方法流程圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白，下面結(jié)合實施例和附圖，對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明，本發(fā)明的示意性實施方式及其說明僅用于解釋本發(fā)明，并不作為對本發(fā)明的限定。

光纖由二氧化硅玻璃制成，光吸收和散射是引起損耗的因素，另一個引起光損耗的因素是光纖的彎曲，它導(dǎo)致全反射條件的破壞。通信光纖中宏彎損耗隨波長的增加和彎曲半徑的減小而增大。在小彎曲半徑情況下對通信光纖的宏彎損耗進(jìn)行測試時，針對同一個測試樣品、在相同測試條件下，多次測試結(jié)果會出現(xiàn)較大差異。引起該差異的主要原因是彎曲條件下輻射出纖芯的輻射模經(jīng)過光纖芯與包層、包層與光纖涂層、光纖涂層與空氣界面多次反射回到纖芯，與傳輸模產(chǎn)生耦合，在特定的條件下會出現(xiàn)干涉加強或減弱的現(xiàn)象，稱為Whispering gallery modes（簡稱W波）的影響。如圖1所示，圖1為本發(fā)明實施例1提供的存在W波干擾時通信光纖結(jié)構(gòu)圖。受該現(xiàn)象的影響，在進(jìn)行通信光纖的宏彎損耗測試時，將會出現(xiàn)宏彎損耗振蕩現(xiàn)象，導(dǎo)致宏彎損耗測試結(jié)果不準(zhǔn)確

為了抑制通信光纖宏彎損耗測試過程中W波的存在對測試結(jié)果產(chǎn)生的干擾，將待測光纖置于光功率吸收劑中，該光功率吸收劑的光折射率大于光纖涂層和、或光纖包層的光折射率，則可實現(xiàn)對泄露出光纖的光功率的吸收，避免輻射出纖芯的輻射模經(jīng)過光纖芯與包層、包層與光纖涂層、光纖涂層與空氣界面多次反射回到纖芯，與傳輸模產(chǎn)生耦合，從而抑制W波對測試的影響，獲得光纖宏彎損耗的真實數(shù)值。

實施例1

如圖4所示，圖4為本發(fā)明實施例1提供的通信光纖宏彎損耗測試方法流程圖。

本實施例采用肉桂酸乙酯作為光功率吸收劑對光纖進(jìn)行宏彎損耗的測試，具體方法包括：

S101、將待測通信光纖按照測試要求的半徑和圈數(shù)繞圈。

關(guān)于光纖宏彎損耗的測試，在國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T9771.3-2008中對于B1.3類單模光纖有兩處描述，其一為：光纖以30mm半徑松繞100圈，在1625nm測得的宏彎損耗應(yīng)不超過0.1dB；其二為：為了保證彎曲損耗易于測量和測量準(zhǔn)確度，可用1圈或幾圈小半徑環(huán)光纖代替100圈光纖進(jìn)行試驗，在此情況下，繞的圈數(shù)環(huán)的半徑和最大允許的彎曲損耗都應(yīng)該與30mm半徑100圈試驗的損耗值相適應(yīng)。

在國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T9771.7-2012中B6類單模光纖由于宏彎損耗隨波長增加，選擇了1550nm和1625nm兩個長波長處的宏彎損耗作為指標(biāo)。為了保證宏彎損耗易于測量和測量準(zhǔn)確度，可用其他彎曲半徑和圈數(shù)進(jìn)行試驗，在此情況下，繞的圈數(shù)、環(huán)的半徑和最大允許的宏彎損耗，都應(yīng)該與表中的指標(biāo)相適應(yīng)。

基于上述標(biāo)準(zhǔn)，本實施例選取一段長度22m，型號為 G.657.A2的光纖進(jìn)行測試，按照Φ15mm*1圈的標(biāo)準(zhǔn)制備待測光纖，將待測光纖以7.5mm為半徑繞一圈。

S102、將待測光纖置于光功率吸收劑中。

在光纖宏彎損耗測試過程中，因彎曲條件下輻射出纖芯的輻射模經(jīng)過光纖芯與包層、包層與光纖涂層、光纖涂層與空氣界面多次反射回到纖芯，與傳輸模產(chǎn)生耦合，從而導(dǎo)致W波的存在，進(jìn)而對測試結(jié)果產(chǎn)生干擾，故為了獲得光纖宏彎損耗的真實數(shù)值，應(yīng)盡可能對泄露出通信光纖的光功率進(jìn)行吸收。通信光纖涂層的光折射率大于包層的光折射率，將待測光纖置于光折射率大于光纖涂層的光折射率的液體中進(jìn)行測試，可以對泄露出光纖涂層的光功率進(jìn)行有效吸收，獲得的測試結(jié)果準(zhǔn)確性、穩(wěn)定性更高。

光折射率不同的介質(zhì)對于光功率的吸收效果不同，肉桂酸乙酯的光折射率為1.567，同時肉桂酸乙酯具有易獲得、價格便宜、無危害的特點，而光纖的包層和涂層的光折射率分別為1.4和1.5，故本實施例采用肉桂酸乙酯作為光功率吸收劑，將步驟S101制備的待測光纖置于肉桂酸乙酯中。

S103、采用宏彎損耗測試裝置對待測光纖宏彎損耗進(jìn)行測試。

將宏彎損耗測試裝置與待測光纖連接，對步驟S102中置于肉桂酸乙酯中的光纖的宏彎損耗進(jìn)行測試，獲得的測試結(jié)果如圖2所示，圖2為本發(fā)明實施例1提供的采用肉桂酸乙酯作為光功率吸收劑時獲得的宏彎損耗測試結(jié)果。圖2中虛線所示曲線為將待測光纖置于空氣中獲得的波長及宏彎損耗對應(yīng)曲線圖，實線所示為將待測光纖置于肉桂酸乙酯中獲得的波長及宏彎損耗對應(yīng)曲線圖，通過兩條曲線的對比可以看出，將待測光纖置于肉桂酸乙酯中獲得的測試結(jié)果曲線更為平滑，消除了宏彎損耗宏彎損耗隨波長的振蕩現(xiàn)象。故肉桂酸乙酯作為光功率吸收劑，可以大大吸收泄露出光纖涂層的光功率，抑制W波產(chǎn)生的影響，從而獲得宏彎損耗的真實數(shù)值，保證了宏彎損耗測試的準(zhǔn)確性。

需要說明的是本實施例所述方法同樣適用于按照Φ60mm*100圈標(biāo)準(zhǔn)、以及按照1圈或幾圈小半徑環(huán)標(biāo)準(zhǔn)制備的光纖的測試。

實施例2

本實施例與實施例1的測試步驟相似，區(qū)別在于所述光功率吸收劑的光折射率大于光纖包層的光折射率，為獲取更為穩(wěn)定的測試結(jié)果，剝除光纖涂層后再將其置于光功率吸收劑中進(jìn)行測試。作為光功率吸收劑，甘油的光折射率為1.4746，同樣具有易獲得、價格便宜、無危害的特點，將待測光纖剝除涂層后置于甘油中，對其進(jìn)行宏彎損耗測試，獲得的測試結(jié)果如圖3所示，圖3為本發(fā)明實施例2提供的采用甘油作為光功率吸收劑時獲得的宏彎損耗測試結(jié)果。圖3中虛線所示曲線為將待測光纖置于空氣中獲得的波長及宏彎損耗對應(yīng)曲線圖，實線所示為將待測光纖剝除涂層后置于甘油中獲得的波長及宏彎損耗對應(yīng)曲線圖，通過兩條曲線的對比可以看出，將待測光纖剝除涂層后置于甘油中獲得的測試結(jié)果曲線更為平滑，消除了宏彎損耗隨波長的振蕩現(xiàn)象。故甘油作為光功率吸收劑，可以大大吸收泄露出光纖的光功率，抑制W波產(chǎn)生的影響，從而獲得宏彎損耗的真實數(shù)值，保證了宏彎損耗測試的準(zhǔn)確性。

需要說明的是所述光功率吸收劑并非局限于上述2個實施例中所述材質(zhì)，采用其他光折射率大于光纖包層和/涂層的光折射率的材質(zhì)同樣有助于提高光纖宏彎損耗測試的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。

本發(fā)明的技術(shù)方案將待測通信光纖按照測試要求的半徑和圈數(shù)繞圈后，置于光功率吸收劑中，采用宏彎損耗測試裝置對待測光纖的宏彎損耗進(jìn)行測試，從而實現(xiàn)在測試過程中有效吸收泄露出光纖的光功率，抑制W波對測試的影響，獲得光纖宏彎損耗的真實數(shù)值，保證了宏彎損耗測試的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。

以上所述的具體實施方式，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施方式而已，并不用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。