本發(fā)明涉及牙科檢測(cè)
技術(shù)領(lǐng)域：
，特別是涉及一種牙科樹脂內(nèi)應(yīng)變場(chǎng)的測(cè)量裝置。
背景技術(shù)：
：牙科樹脂是一種廣泛應(yīng)用于臨床的牙色修復(fù)材料，具有對(duì)牙齒修復(fù)的美觀性好、修復(fù)時(shí)對(duì)牙體切割少等優(yōu)點(diǎn)。在修復(fù)過(guò)程中，該材料要經(jīng)歷一個(gè)從填入窩洞時(shí)的全塑性狀態(tài)，經(jīng)聚合反應(yīng)發(fā)生固化，最終達(dá)到高剛性彈性狀態(tài)的變化過(guò)程，在過(guò)程中并伴隨著體積收縮，體積收縮產(chǎn)生收縮應(yīng)力，會(huì)影響樹脂本身及粘結(jié)界面，會(huì)導(dǎo)致在牙科樹脂內(nèi)出現(xiàn)孔洞、裂縫、缺口等缺陷，因此會(huì)造成臨床上樹脂修復(fù)后出現(xiàn)微滲漏、邊緣染色、繼發(fā)齲、術(shù)后敏感、釉質(zhì)折裂等問(wèn)題。現(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)牙科樹脂內(nèi)缺陷的檢測(cè)是采用傳統(tǒng)的三維有限元分析理論進(jìn)行分析，然而該方法難以得到與實(shí)際情況一致的檢測(cè)結(jié)果。近年來(lái)，在材料檢測(cè)領(lǐng)域的研究中發(fā)現(xiàn)，當(dāng)材料內(nèi)部存在孔洞、缺口、裂縫等缺陷的材料在受力變形時(shí)，其缺陷周圍的部分會(huì)形成一個(gè)應(yīng)力集中區(qū)域，該區(qū)域內(nèi)材料所受的應(yīng)力遠(yuǎn)大于其他位置，相應(yīng)會(huì)產(chǎn)生明顯形變，因此，可以根據(jù)材料受應(yīng)力作用時(shí)內(nèi)部的應(yīng)變情況，來(lái)對(duì)材料內(nèi)部缺陷進(jìn)行分析檢測(cè)。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：基于此，本發(fā)明提供一種牙科樹脂內(nèi)應(yīng)變場(chǎng)的測(cè)量裝置，基于光學(xué)干涉原理獲得被測(cè)牙齒樹脂內(nèi)多層面的干涉光譜，根據(jù)干涉光譜獲得樹脂內(nèi)的應(yīng)變分布，以便根據(jù)在應(yīng)力作用下樹脂內(nèi)應(yīng)變場(chǎng)的變化對(duì)其內(nèi)部缺陷進(jìn)行檢測(cè)。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種牙科樹脂內(nèi)應(yīng)變場(chǎng)的測(cè)量裝置，包括光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)、探測(cè)頭和數(shù)據(jù)處理器；所述光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)包括提供相干光的光源、光纖耦合器，光學(xué)組件和光電成像裝置，所述光纖耦合器的一輸入端與所述光源連接，一輸出端通過(guò)光纖連接所述探測(cè)頭，在另一輸出端設(shè)置由反光元件構(gòu)成的用于形成參考光的所述光學(xué)組件，在另一輸入端設(shè)置用于接收物光與參考光形成的干涉光的所述光電成像裝置；所述探測(cè)頭用于將光纖輸出的探測(cè)光照射在被測(cè)牙齒并接收反射回的物光；所述數(shù)據(jù)處理器與所述光電成像裝置相連，用于根據(jù)所述光電成像裝置成像得到的干涉光譜計(jì)算獲得被測(cè)牙齒樹脂內(nèi)的應(yīng)變場(chǎng)測(cè)量結(jié)果。可選地，所述光學(xué)組件至少包括沿光路依次布置的第一透鏡、第一反射鏡、光程調(diào)節(jié)組件和第二反射鏡；所述第一透鏡用于將光纖的輸出光調(diào)整為平行光；所述第一反射鏡的法線與所述第一透鏡的中心軸成45度角；所述光程調(diào)節(jié)組件至少包括相互垂直設(shè)置且反射面相向的第三反射鏡和第四反射鏡，所述第三反射鏡與所述第一反射鏡平行，所述第二反射鏡與所述第四反射鏡相向，且兩者法線的夾角為45度；所述第一反射鏡的反射光以45度入射角入射到所述第三反射鏡，經(jīng)所述第三反射鏡、所述第四反射鏡依次反射后，所述第四反射鏡的反射光垂直入射到所述第二反射鏡；所述光程調(diào)節(jié)組件可沿其入射光的方向位移。可選地，所述光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)與所述探測(cè)頭通過(guò)光纖跳線連接?？蛇x地，在所述光纖耦合器的輸入端與所述光電成像裝置之間的光路上依次設(shè)置有第二透鏡、反射式衍射光柵和第三透鏡。可選地，在所述探測(cè)頭內(nèi)至少設(shè)置有用于調(diào)整光束的第四透鏡。可選地，所述光纖耦合器為分光比為50:50的光纖耦合器?？蛇x地，所述光電成像裝置為CCD相機(jī)。可選地，所述數(shù)據(jù)處理器根據(jù)干涉光譜計(jì)算獲得被測(cè)牙齒樹脂內(nèi)的應(yīng)變場(chǎng)測(cè)量結(jié)果，具體包括：采集的干涉光譜以如下公式描述：I(k)=DC+AC+2Σj=1MIRIjcos(φj0+2k·Λj);]]>其中，I(k)表示干涉光光強(qiáng)度，DC表示直流分量，AC表示自相干分量，IR表示參考光光強(qiáng)度，Ij表示第j層表面反射回光的光強(qiáng)度，k為波數(shù)，k＝2π/λ，λ為波長(zhǎng)，M為參與干涉的表面?zhèn)€數(shù)，φj0為參考面與第j層表面干涉時(shí)的初始相位，Λj為第j層表面與參考面之間的光程差；按照如下公式計(jì)算牙科樹脂內(nèi)第j層表面與參考面之間的距離zj：zj=Λj+1-Λjnj+Σi=1j-1Λi-Λi-1ni-1;]]>其中，nj表示折射率，Λj通過(guò)以下公式計(jì)算獲得：fk=12π·∂(φj0+2k·Λj)∂k=Λjπ;]]>fk表示干涉光譜沿波數(shù)k軸的變化頻率?？蛇x地，所述數(shù)據(jù)處理器根據(jù)干涉光譜計(jì)算獲得被測(cè)牙齒樹脂內(nèi)的應(yīng)變場(chǎng)測(cè)量結(jié)果，還包括：根據(jù)如下公式計(jì)算牙科樹脂內(nèi)第j層表面的離面位移wj：wj=Δφj2kc·nj-1+1nj-1Σi=1j-1{[wi-1-wi]·ni-1+(zi-1-zi)·Δni-1}+(zj-1-zj)·Δnj-1nj-1+wj-1;]]>其中，Δφj表示變形前后干涉光譜的相位變化，kc表示光源輸出光的中心波數(shù)，Δnj表示變形前后折射率的變化量；根據(jù)如下公式計(jì)算牙科樹脂內(nèi)第j層表面的離面應(yīng)變?chǔ)舑：ϵj=∂wj∂z=12kc·nj·∂Δφj∂z-Δnjnj.]]>由上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明提供的一種牙科樹脂內(nèi)應(yīng)變場(chǎng)的測(cè)量裝置，包括探測(cè)頭、光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)和數(shù)據(jù)處理器，其中光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)包括光源、光纖耦合器、光學(xué)組件和光電成像裝置。光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)中光源產(chǎn)生的相干光進(jìn)入光纖耦合器，一部分光經(jīng)光纖耦合器的一輸出端輸出到探測(cè)頭，用于照射被測(cè)牙齒；另一部分光輸出到光學(xué)組件，形成參考光返回；被測(cè)牙齒反射回的物光與參考光在光纖耦合器內(nèi)發(fā)生干涉，形成的干涉光由光電成像裝置接收得到干涉光譜。牙科樹脂內(nèi)存在多層面結(jié)構(gòu)，探測(cè)光照射到樹脂經(jīng)各層面形成反射光，反射光與參考光干涉得到干涉光譜，根據(jù)測(cè)量的干涉光譜可獲得被測(cè)牙齒樹脂內(nèi)的應(yīng)變場(chǎng)分布。本發(fā)明牙科樹脂內(nèi)應(yīng)變場(chǎng)的測(cè)量裝置，基于光學(xué)干涉理論，測(cè)量獲得牙科樹脂內(nèi)多層面的干涉光譜，基于干涉光譜獲得其內(nèi)部應(yīng)變場(chǎng)分布，實(shí)現(xiàn)了牙科樹脂內(nèi)應(yīng)變場(chǎng)的在線測(cè)量，可進(jìn)一步根據(jù)牙科樹脂受應(yīng)力作用時(shí)樹脂內(nèi)應(yīng)變分布的變化對(duì)其內(nèi)部缺陷進(jìn)行分析檢測(cè)。附圖說(shuō)明為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種牙科樹脂內(nèi)應(yīng)變場(chǎng)的測(cè)量裝置的示意圖；圖2為本發(fā)明又一實(shí)施例提供的一種牙科樹脂內(nèi)應(yīng)變場(chǎng)的測(cè)量裝置的示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例中建立的牙科樹脂內(nèi)的多層結(jié)構(gòu)模型示意圖。具體實(shí)施方式為了使本
技術(shù)領(lǐng)域：
的人員更好地理解本發(fā)明中的技術(shù)方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。請(qǐng)參考圖1，為本實(shí)施例提供的一種牙科樹脂內(nèi)應(yīng)變場(chǎng)的測(cè)量裝置的示意圖，本實(shí)施例牙科樹脂內(nèi)應(yīng)變場(chǎng)的測(cè)量裝置包括光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)1、探測(cè)頭2和數(shù)據(jù)處理器3；所述光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)1包括提供相干光的光源10、光纖耦合器11，光學(xué)組件12和光電成像裝置13，所述光纖耦合器11的一輸入端與所述光源10連接，一輸出端通過(guò)光纖連接所述探測(cè)頭2，在另一輸出端設(shè)置由反光元件構(gòu)成的用于形成參考光的光學(xué)組件12，在另一輸入端設(shè)置用于接收物光與參考光形成的干涉光的所述光電成像裝置13；所述探測(cè)頭2用于將光纖輸出的探測(cè)光照射在被測(cè)牙齒并接收反射回的物光；所述數(shù)據(jù)處理器3與所述光電成像裝置13相連，用于根據(jù)所述光電成像裝置成像得到的干涉光譜計(jì)算獲得被測(cè)牙齒內(nèi)的應(yīng)變場(chǎng)測(cè)量結(jié)果。本實(shí)施例提供的牙科樹脂內(nèi)部應(yīng)變場(chǎng)的測(cè)量裝置，包括探測(cè)頭2、光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)1和數(shù)據(jù)處理器3，其中光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)1包括光源10、光纖耦合器11、光學(xué)組件12和光電成像裝置13。光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)中，光源10產(chǎn)生的相干光進(jìn)入光纖耦合器11，一部分光經(jīng)光纖耦合器的一輸出端輸出到探測(cè)頭2，用于照射被測(cè)牙齒；另一部分光輸出到光學(xué)組件12，形成參考光返回；被測(cè)牙齒反射回的物光與參考光在光纖耦合器11內(nèi)發(fā)生干涉，形成干涉光由光電成像裝置13接收得到干涉光譜。被測(cè)牙齒樹脂內(nèi)存在多層面結(jié)構(gòu)，探測(cè)光照射到牙齒，由各層面形成反射光，返回的各層面反射光與參考光干涉得到干涉光譜，根據(jù)得到的干涉光譜可計(jì)算獲得被測(cè)牙齒樹脂內(nèi)的應(yīng)變分布，因此本實(shí)施例牙科樹脂內(nèi)應(yīng)變場(chǎng)的測(cè)量裝置，基于光學(xué)干涉理論，獲得牙科樹脂內(nèi)多層面的干涉光譜，基于干涉光譜獲得其內(nèi)部應(yīng)變場(chǎng)分布。本實(shí)施例牙科樹脂內(nèi)應(yīng)變場(chǎng)的測(cè)量裝置基于干涉層析測(cè)量方法獲得牙科樹脂內(nèi)應(yīng)變場(chǎng)分布，實(shí)現(xiàn)了對(duì)牙科樹脂內(nèi)應(yīng)變場(chǎng)的在線實(shí)時(shí)測(cè)量，應(yīng)用在臨床中通過(guò)測(cè)量牙齒內(nèi)應(yīng)變場(chǎng)在應(yīng)力作用中的變化，可以對(duì)牙科樹脂內(nèi)部缺陷進(jìn)行分析和檢測(cè)。下面對(duì)本實(shí)施例牙科樹脂內(nèi)應(yīng)變場(chǎng)的測(cè)量裝置作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。請(qǐng)參考圖2，本實(shí)施例牙科樹脂內(nèi)應(yīng)變場(chǎng)的測(cè)量裝置，在光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)1中，由光源10提供相干光，光源可采用激光器，其輸出端通過(guò)光纖與光纖耦合器11的一輸入端連接。光纖耦合器11的一輸出端通過(guò)光纖連接探測(cè)頭2，在另一輸出端連接用于形成參考光的光學(xué)組件12。在一種具體實(shí)施例中，參考圖2所示，所述光學(xué)組件12至少包括沿光路依次布置的第一透鏡120、第一反射鏡121、光程調(diào)節(jié)組件和第二反射鏡122，所述第一透鏡120用于將光纖的輸出光調(diào)整為平行光，所述第一反射鏡121的法線與所述第一透鏡120的中心軸成45度角。所述光程調(diào)節(jié)組件至少包括相互垂直設(shè)置且反射面相向的第三反射鏡123和第四反射鏡124，所述第三反射鏡123與所述第一反射鏡121平行，所述第二反射鏡122與所述第四反射鏡124相向，且兩者法線的夾角為45度。由光纖輸出的輸出光經(jīng)第一透鏡120后調(diào)整為平行光，入射到第一反射鏡121，第一反射鏡121的反射光以45度入射角入射到所述第三反射鏡123，經(jīng)所述第三反射鏡123、所述第四反射鏡124依次反射后，所述第四反射鏡124的反射光垂直入射到所述第二反射鏡122，經(jīng)第二反射鏡122反射后光經(jīng)原光路返回到光纖耦合器11，提供參考光。所述光程調(diào)節(jié)組件可沿其入射光的方向位移，如圖2中所示箭頭所指的方向。通過(guò)調(diào)節(jié)光程調(diào)節(jié)組件沿該方向的位置，可調(diào)節(jié)參考光的光程。在實(shí)際測(cè)量時(shí)，需要調(diào)節(jié)參考光和被測(cè)件反射回的物光的光程近似相等，可通過(guò)所述光程調(diào)節(jié)組件對(duì)參考光的光程進(jìn)行調(diào)節(jié)，調(diào)節(jié)兩者的光程差。在光纖耦合器11的另一輸入端設(shè)置光電成像裝置13，被測(cè)牙齒反射回的物光與參考光形成的干涉光由光電成像裝置13接收，成像得到干涉光譜。優(yōu)選的，在所述光纖耦合器11的輸入端與所述光電成像裝置13之間的光路上依次設(shè)置有第二透鏡15、反射式衍射光柵14和第三透鏡16。當(dāng)光源10采用寬帶光源時(shí)，通過(guò)衍射光柵14對(duì)干涉光進(jìn)行光譜展開。其中，第二透鏡15用于將光纖的輸出光調(diào)整為平行光，第三透鏡16用于將光柵的平行光進(jìn)行匯聚，匯聚到光電成像裝置13的光感應(yīng)面上。本實(shí)施例中，光電成像裝置13可采用CCD相機(jī)，所述光纖耦合器優(yōu)選采用分光比為50:50的光纖耦合器。本實(shí)施例測(cè)量裝置，所述光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)1與所述探測(cè)頭2通過(guò)光纖跳線4連接，使探測(cè)頭與光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)之間連接和拆卸方便，并可根據(jù)測(cè)量需要改變長(zhǎng)度。本實(shí)施例測(cè)量裝置，可將光源10和光電成像裝置13通過(guò)連接線與數(shù)據(jù)處理器3連接，通過(guò)數(shù)據(jù)處理器3可對(duì)光源進(jìn)行控制，并對(duì)測(cè)量的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，獲得測(cè)量結(jié)果。下面對(duì)本實(shí)施例測(cè)量裝置中數(shù)據(jù)處理器根據(jù)干涉光譜計(jì)算獲得牙科樹脂內(nèi)應(yīng)變場(chǎng)的計(jì)算方法進(jìn)行說(shuō)明，牙科樹脂內(nèi)存在多層面結(jié)構(gòu)，照射到被測(cè)牙齒的探測(cè)光，經(jīng)牙科樹脂內(nèi)各層表面被反射，形成的反射光與參考光發(fā)生干涉，根據(jù)此建立牙科樹脂內(nèi)多層結(jié)構(gòu)模型，如圖3所示，圖中R表示參考面，zj表示牙科樹脂內(nèi)第j層表面與參考面之間的距離，各層表面的折射率依次表示為n1，n2，…，nj，…。相應(yīng)的，采集的干涉光譜以如下公式描述：I(k)=DC+AC+2Σj=1MIRIjcos(φj0+2k·Λj);]]>其中，I(k)表示干涉光光強(qiáng)度，DC表示直流分量，AC表示自相干分量，IR表示參考光光強(qiáng)度，Ij表示第j層表面反射回光的光強(qiáng)度，k為波數(shù)，k＝2π/λ，λ為波長(zhǎng)，M為參與干涉的表面?zhèn)€數(shù)，φj0為參考面與第j層表面干涉時(shí)的初始相位，Λj為第j層表面與參考面之間的光程差。按照如下公式計(jì)算牙科樹脂內(nèi)第j層表面與參考面之間的距離zj：zj=Λj+1-Λjnj+Σi=1j-1Λi-Λi-1ni-1;]]>其中，nj表示折射率，Λj通過(guò)以下公式計(jì)算獲得：fk=12π·∂(φj0+2k·Λj)∂k=Λjπ;]]>fk表示干涉光譜沿波數(shù)k軸的變化頻率。本實(shí)施例測(cè)量裝置能夠測(cè)量到的最大深度zmax和深度分辨率zmin分別為：zmax=Nλc24Δλ;]]>zmin=λc22Δλ;]]>其中，λc和Δλ分別表示低相干寬帶光源的中心波長(zhǎng)和波長(zhǎng)帶寬，N為線掃描CCD相機(jī)沿波數(shù)k軸的像素?cái)?shù)。在代入實(shí)際參數(shù)時(shí)，測(cè)量深度可達(dá)到毫米級(jí)，深度分辨率為微米級(jí)。本實(shí)施例測(cè)量裝置，在被測(cè)牙齒產(chǎn)生熱變形時(shí)，根據(jù)測(cè)量獲得的干涉光譜可以計(jì)算獲得牙科樹脂內(nèi)的離面位移和離面應(yīng)變。根據(jù)干涉光譜計(jì)算牙科樹脂內(nèi)的離面位移和離面應(yīng)變具體包括：根據(jù)如下公式計(jì)算牙科樹脂內(nèi)第j層表面的離面位移wj：wj=Δφj2kc·nj-1+1nj-1Σi=1j-1{[wi-1-wi]·ni-1+(zi-1-zi)·Δni-1}+(zj-1-zj)·Δnj-1nj-1+wj-1;]]>其中，Δφj表示變形前后干涉光譜的相位變化，kc表示光源輸出光的中心波數(shù)，Δnj表示變形前后折射率的變化量。根據(jù)如下公式計(jì)算牙科樹脂內(nèi)第j層表面的離面應(yīng)變?chǔ)舑：ϵj=∂wj∂z=12kc·nj·∂Δφj∂z-Δnjnj.]]>本實(shí)施例牙科樹脂內(nèi)應(yīng)變場(chǎng)的測(cè)量裝置，可以在線測(cè)量獲得牙科樹脂產(chǎn)生熱變形時(shí)的位移場(chǎng)和應(yīng)變場(chǎng)，獲得卷繞相位、離面位移場(chǎng)、離面應(yīng)變場(chǎng)等測(cè)量結(jié)果，可以根據(jù)位移場(chǎng)及應(yīng)變場(chǎng)的變化對(duì)樹脂內(nèi)部缺陷進(jìn)行分析。在實(shí)際測(cè)量中，代入實(shí)際參數(shù)，本實(shí)施例測(cè)量裝置的測(cè)量深度可達(dá)到毫米級(jí)，深度分辨率為微米級(jí)，應(yīng)變場(chǎng)的測(cè)量靈敏度為微應(yīng)變級(jí)，因此可實(shí)現(xiàn)對(duì)牙科樹脂的高精度的微應(yīng)變測(cè)量。采用本實(shí)施例牙科樹脂內(nèi)應(yīng)變場(chǎng)的測(cè)量裝置對(duì)牙科樹脂進(jìn)行缺陷檢測(cè)，具體可采用如下方法：在被測(cè)牙齒降溫過(guò)程中，將測(cè)量裝置的探測(cè)頭照射到被測(cè)牙齒，獲得一系列溫度下的被測(cè)牙齒樹脂內(nèi)的應(yīng)變場(chǎng)測(cè)量結(jié)果，所述一系列溫度具有均勻的溫度差。然后可根據(jù)獲得的一系列溫度下的應(yīng)變場(chǎng)測(cè)量結(jié)果，對(duì)被測(cè)牙齒內(nèi)部缺陷進(jìn)行分析。具體的，在臨床應(yīng)用中對(duì)患者牙齒進(jìn)行檢測(cè)前，可讓患者口含溫度約為40攝氏度的溫水10秒后吐出；然后，開啟測(cè)量裝置，將探測(cè)頭照射到患者的被測(cè)牙齒；在牙齒降溫過(guò)程中，分別測(cè)量在38℃、37℃、36℃、35℃、34℃時(shí)牙齒樹脂內(nèi)的位移場(chǎng)和應(yīng)變場(chǎng)分布圖，包括卷繞相位、離面位移場(chǎng)、離面應(yīng)變場(chǎng)的測(cè)量結(jié)果，比較各溫度下位移場(chǎng)和應(yīng)變場(chǎng)的變化，以分析檢測(cè)牙齒樹脂內(nèi)部缺陷。以上對(duì)本發(fā)明所提供的一種牙科樹脂內(nèi)應(yīng)變場(chǎng)的測(cè)量裝置進(jìn)行了詳細(xì)介紹。本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想。應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本
技術(shù)領(lǐng)域：
的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行若干改進(jìn)和修飾，這些改進(jìn)和修飾也落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3