本發(fā)明涉及功率檢測技術領域，尤其涉及一種功率檢測器。

背景技術：

對于傳統(tǒng)功率檢測器，電路中管子的漏端電壓由電流鏡產生，管子工作在臨界導通狀態(tài)，漏源端電位幾乎相等，因此漏端偏置電壓決定了輸出端的直流電平，由于處于臨界導通狀態(tài)的管子對偏置電壓的變化非常敏感，就會容易造成管子截止，從而影響功率檢測器的作用。

技術實現要素：

針對現有技術中缺陷與不足的問題，本發(fā)明提出了一種功率檢測器，可穩(wěn)定管子的直流偏置，不使管子截止。

本發(fā)明解決其技術問題所采用的技術方案是：

一種功率檢測器，包括隔直電容器C0、C1，耦合電容C2、C3，偏置電阻R1、R2、R3、R4，由R5、C4、C5組成的低通濾波器和PMOS管M8、M9；CO與C2、C1與C3相連，再分別連到M1、M2的柵極，由M1、M2的柵端分別經R3、R4連到A點，由M1、M2的漏端連到B點，B點與低通濾波器相連，所述M8、M9漏端相連，組成源跟隨器結構，C點位于M8、M9之間，A點與C點相連， M9的柵極通過D點與低通濾波器相連，所述CO、C2之間與C1、C3之間通過R1、R2加有偏置電壓VB。

進一步的，所述M8還連有管子M5，M5與M4相連，M4與M3相連，M3與M7相連，M7與M6相連。

進一步的，所述M5、M6、M8的柵端接入電源VDD，M3、M4、M7的柵端接入基準電流IREF，所述M3、M4、M7的漏端接地GND。

進一步的，所述M9和低通濾波器接地。

進一步的，所述CO與輸入射頻信號VIN+相連，C1與輸入射頻信號VIN-相連，低通濾波器與輸出信號VOUT相連。

進一步的，所述A點與C點電位相等，B點與D點電位相等。

本發(fā)明具有如下有益效果：本發(fā)明具有很高的輸入阻抗，約在千歐級，功率檢測節(jié)點的阻抗為50歐姆，因此引入的損失極?。浑娐返墓暮苄?，微安級別；由于通過自混頻方式實現，因此工作頻率很寬；靈敏度很高，能檢測輸入功率低至-15dBm的載波泄漏信號。

附圖說明

圖1為本發(fā)明電路示意圖。

具體實施方式

下面結合具體實施例，進一步闡述本發(fā)明。應理解，這些實施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。此外應理解，在閱讀了本發(fā)明講授的內容之后，本領域技術人員可以對本發(fā)明作各種改動或修改，這些等價形式同樣落于本申請所附權利要求書所限定的范圍。

如圖所示，一種功率檢測器，包括隔直電容器C0、C1，耦合電容C2、C3，偏置電阻R1、R2、R3、R4，由R5、C4、C5組成的低通濾波器和PMOS管M8、M9；CO與C2、C1與C3相連，再分別連到M1、M2的柵極，由M1、M2的柵端分別經R3、R4連到A點，由M1、M2的漏端連到B點，B點與低通濾波器相連，所述M8、M9漏端相連，組成源跟隨器結構，C點位于M8、M9之間，A點與C點相連， M9的柵極通過D點與低通濾波器相連，所述CO、C2之間與C1、C3之間通過R1、R2加有偏置電壓VB。

進一步的，所述M8還連有管子M5，M5與M4相連，M4與M3相連，M3與M7相連，M7與M6相連。

進一步的，所述M5、M6、M8的柵端接入電源VDD，M3、M4、M7的柵端接入基準電流IREF，所述M3、M4、M7的漏端接地GND。

進一步的，所述M9和低通濾波器接地。

進一步的，所述CO與輸入射頻信號VIN+相連，C1與輸入射頻信號VIN-相連，低通濾波器與輸出信號VOUT相連。

進一步的，所述A點與C點電位相等，B點與D點電位相等

具體地，輸入射頻信號VIN+、VIN-分別經耦合電容C2、C3耦合到M2、M1管子的柵極。漏端輸入的射頻信號與柵端輸入的射頻信號經M1、M2實現自混頻功能，然后由R5、C5、C4組成的低通濾波器濾除高頻分量，從而得到直流電平輸出。

M1、M2管子的漏端電壓由電流鏡產生，管子工作在臨界導通狀態(tài)，漏源端電位幾乎相等，因此漏端偏置電壓決定了輸出端的直流電平。PMOS管M8、M9組成源跟隨器結構，M8為電流源。當電流一定時，C、D兩點的電位差為一定值，從而A、B兩點之間的電位差也為定值。即通過M9管穩(wěn)定的柵源電壓差來鉗制M1管和M2管的柵源兩端的電壓差。因此通過這種方式來穩(wěn)定管子的直流偏置，不使管子截止。