技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種非制冷紅外焦平面探測器微橋的制作方法和結(jié)構(gòu)，該制作方法包括：在以讀出電路為基底的晶圓上制備反射層；在反射層上依次制備絕緣介質(zhì)層、第一犧牲層和第一支撐層；蝕刻第一支撐層，在反射層上方制備第一通孔；在第一支撐層上依次制備第一電極、第一介質(zhì)層、第一鈍化層、第二犧牲層、第二支撐層、熱敏層、保護(hù)層；蝕刻第二支撐層，在第一電極上方制備第二通孔；蝕刻保護(hù)層，在熱敏層上方制備接觸孔；在熱敏層及第二支撐層上依次制備第二電極、第二介質(zhì)層、第二鈍化層、第三犧牲層、第三支撐層、第三鈍化層；釋放各層犧牲層，得到探測器結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過三層微橋結(jié)構(gòu)提高了像素結(jié)構(gòu)的有效填充因子及紅外吸收效率。

技術(shù)研發(fā)人員：王宏臣;楊水長
受保護(hù)的技術(shù)使用者：煙臺睿創(chuàng)微納技術(shù)股份有限公司
文檔號碼：201610685286
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.18
技術(shù)公布日：2017.01.25