本發(fā)明涉及電氣試驗領域，并且更具體地，涉及一種±2400kV直流電壓發(fā)生器的均壓屏蔽罩及無電暈試驗方法。

背景技術：

隨著經濟的發(fā)展，中國建設了越來越多的超特高壓輸變電工程。目前電壓等級最高的±1100kV直流工程，為保證工程的可靠，需要對工程所用的電氣設備進行直流耐壓、局部放電試驗。這就要用到更高電壓等級的直流電壓發(fā)生器，為滿足高壓設備局部放電試驗的要求，直流電壓發(fā)生器必須在1800kV電壓下局部放電水平低于一定水平。

傳統(tǒng)的戶內型高壓設備端部的均壓屏蔽裝置大都采用碟片型均壓環(huán)結構。此種結構的均壓環(huán)根據(jù)設備要求的尺寸，利用角鋼、槽鋼等加工符合外形尺寸的均壓環(huán)骨架，然后在骨架外部裝設直徑20cm-30cm的圓盤形鋁制碟片，來改善均壓環(huán)的屏蔽效果，從而達到改善電場的結果。碟片型均壓環(huán)的優(yōu)點是便于運輸并且可以現(xiàn)場組裝，缺點是貴電場改善效果不明顯，尤其是當電壓超過1500kV后，其本身的電暈現(xiàn)象將特別明顯。

傳統(tǒng)的戶外型高壓設備頂部的均壓屏蔽裝置大都采用細管型均壓環(huán)結構。細管型均壓環(huán)根據(jù)設備要求的尺寸來制作，并設計了支撐環(huán)、支撐筋和多條直徑為12mm-20mm的細不銹鋼管與其焊接以達到能夠承受10級風的要求。此種均壓環(huán)的優(yōu)點是便于運輸并且可以現(xiàn)場組裝，缺點是電場改善效果不明顯，尤其是當電壓超過1500kV之后，其本身電暈將特別明顯，一方面容易引起設備的異常放電，另一方面試驗設備本身的局部放電水平也不滿足試驗要求。

直流發(fā)生器的局部放電有很大一部分來自于頂部的均壓屏蔽裝置的電暈放電，為減小或消除頂部均壓屏蔽裝置的電暈放電，需要本體和分壓器的均壓屏蔽裝置進行特殊設計。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出了一種±2400kV直流發(fā)生器均壓屏蔽罩及無電暈試驗方法，可以有效提高直流電壓發(fā)生器的起暈電壓，降低其局部放電水平，為電氣設備的試驗提供技術手段。

技術實現(xiàn)要素：

為了解決上述問題，本發(fā)明提出了一種用于±2400kV直流發(fā)生器的均壓屏蔽罩裝置，所述裝置包括：

第一均壓屏蔽罩，為單圓環(huán)形結構的鋁制均壓環(huán)，位于直流電壓發(fā)生器的本體上，用于對直流電壓發(fā)生器的電容器和硅堆高壓電場進行有效屏蔽，使得分壓器各段的電壓分布均勻；以及

第二均壓屏蔽罩，為雙圓環(huán)形結構的鋁制均壓環(huán)，其中雙圓環(huán)結構包括上圓環(huán)形結構和下圓環(huán)形結構，所述第二均壓屏蔽罩位于直流電壓發(fā)生器的電阻分壓器上，用于對電阻分壓器上的電壓進行均分。

優(yōu)選地，其中所述第一均壓屏蔽罩的均壓環(huán)的外直徑為10400mm，內直徑為6000mm以及均壓環(huán)管徑為2200mm。

優(yōu)選地，其中所述第二均壓屏蔽罩中每個鋁制均壓環(huán)的外直徑為6000mm，內直徑為3200mm以及均壓環(huán)管徑為1400mm，其中上圓環(huán)形結構的均壓環(huán)和下圓環(huán)形結構的均壓環(huán)之間的距離為4100mm。

優(yōu)選地，其中所述第一均壓屏蔽罩的均壓環(huán)能夠拆分為為8個相等部分。

優(yōu)選地，其中為所述第二均壓屏蔽罩的均壓環(huán)能夠拆分為上部分和下部分。

優(yōu)選地，通過氬弧焊對第一均壓屏蔽罩的均壓環(huán)的8個相等部分進行焊接以及對第二均壓屏蔽罩的均壓環(huán)的上部分和下部分進行焊接，并對焊接表面進行打磨以滿足預定的光潔度。

一種使用如上述用于±2400kV直流電壓發(fā)生器的均壓屏蔽罩裝置進行無電暈試驗的方法，所述方法包括：

將直流電壓從0V逐漸升高至±2250kV；

利用紫外成像儀和無線電干擾儀測試均壓屏蔽罩的可見電暈和無線電干擾水平，并記錄明顯的電暈放電點；

將直流電壓降至0V，并接地后對上述明顯的電暈放電點進行打磨和消缺處理，直至在±2250kV直流電壓下無明顯的可見電暈現(xiàn)象出現(xiàn)為止；以及

對±2100kV直流電壓下無可見電暈現(xiàn)象和±1800kV直流電壓下局部放電水平進行測試。

優(yōu)選地，其中所述方法在滿足直流電壓發(fā)生器在±2100kV直流電壓下無明顯的可見電暈現(xiàn)象出現(xiàn)的情況下，實現(xiàn)±1800kV直流電壓下局部放電水平滿足高壓試驗要求。

本發(fā)明的關鍵點在于：

1.將整個均壓屏蔽罩裝置分為第一均壓屏蔽罩和第二均壓屏蔽罩兩部分，根據(jù)上述兩個屏蔽罩的大小分為幾部分來分開運輸，并且實現(xiàn)現(xiàn)場組裝。

2.將設備電壓升高至±2250kV，利用紫外成像儀和無線電干擾儀來測試并記錄電暈放電點。

3.將電壓降至0V，并接地后對上述明顯的電暈放電點進行打磨和消缺處理，使其在±2250kV直流電壓下無明顯的可見電暈現(xiàn)象出現(xiàn)，來實現(xiàn)±2100kV下無明顯可見電暈現(xiàn)象，從而滿足±1800kV下局部放電水平滿足高壓實驗要求。

附圖說明

通過參考下面的附圖，可以更為完整地理解本發(fā)明的示例性實施方式：

圖1為根據(jù)本發(fā)明實施方式的±2400kV直流電壓發(fā)生器100的結構示意圖；

圖2為根據(jù)本發(fā)明實施方式的±2400kV直流電壓發(fā)生器本體均壓環(huán)200結構示意圖；

圖3為根據(jù)本發(fā)明實施方式的±2400kV直流電壓發(fā)生器的電阻分壓器均壓環(huán)300結構示意圖；以及

圖4為根據(jù)本發(fā)明實施方式的使用±2400kV直流電壓發(fā)生器均壓屏蔽罩裝置進行無電暈試驗的方法400流程圖。

具體實施方式

現(xiàn)在參考附圖介紹本發(fā)明的示例性實施方式，然而，本發(fā)明可以用許多不同的形式來實施，并且不局限于此處描述的實施例，提供這些實施例是為了詳盡地且完全地公開本發(fā)明，并且向所屬技術領域的技術人員充分傳達本發(fā)明的范圍。對于表示在附圖中的示例性實施方式中的術語并不是對本發(fā)明的限定。在附圖中，相同的單元/元件使用相同的附圖標記。

除非另有說明，此處使用的術語(包括科技術語)對所屬技術領域的技術人員具有通常的理解含義。另外，可以理解的是，以通常使用的詞典限定的術語，應當被理解為與其相關領域的語境具有一致的含義，而不應該被理解為理想化的或過于正式的意義。

圖1為根據(jù)本發(fā)明實施方式的±2400kV直流電壓發(fā)生器100的結構示意圖。如圖1所示，直流電壓發(fā)生器100包括：直流電壓發(fā)生器本體101、電阻分壓器102、保護電阻103、充電變壓器104、充電保護電阻105、第一均壓屏蔽罩106和第二均壓屏蔽罩107。第一均壓屏蔽罩106為單圓環(huán)形結構的鋁制均壓環(huán)，位于直流電壓發(fā)生器的本體101上，用于對直流電壓發(fā)生器的電容器和硅堆高壓電場進行有效屏蔽，使得分壓器各段的電壓分布均勻。圖2為根據(jù)本發(fā)明實施方式的±2400kV直流電壓發(fā)生器本體均壓環(huán)200結構示意圖。如圖2所示，第一均壓屏蔽罩106的均壓環(huán)的外直徑為10400mm，內直徑為6000mm以及均壓環(huán)管徑為2200mm。優(yōu)選地，所述第一均壓屏蔽罩106的均壓環(huán)能夠拆分為8個相等部分。

圖3為根據(jù)本發(fā)明實施方式的±2400kV直流電壓發(fā)生器的電阻分壓器均壓環(huán)300結構示意圖。如圖3所示，第二均壓屏蔽罩107為雙圓環(huán)形結構的鋁制均壓環(huán)，其中雙圓環(huán)形結構包括上圓環(huán)形結構和下圓環(huán)形結構，所述第二均壓屏蔽罩107位于直流電壓發(fā)生器的電阻分壓器102上，用于對電阻分壓器102上的電壓進行均分。優(yōu)選地，其中所述第二均壓屏蔽罩107總每個鋁制的均壓環(huán)的外直徑為6000mm，內直徑為3200mm以及均壓環(huán)管徑為1400mm，其中上圓環(huán)形結構的均壓環(huán)和下圓環(huán)形結構的均壓環(huán)之間的距離為4100mm。優(yōu)選地，其中所述第二均壓屏蔽罩107的均壓環(huán)能夠拆分為上部分和下部分。

優(yōu)選地，通過氬弧焊對第一均壓屏蔽罩的均壓環(huán)的8個相等部分進行焊接以及對第二均壓屏蔽罩的均壓環(huán)的上部分和下部分進行焊接，并對焊接表面進行打磨以滿足預定的光潔度。

圖4為根據(jù)本發(fā)明實施方式的使用±2400kV直流電壓發(fā)生器均壓屏蔽罩裝置進行無電暈試驗的方法400流程圖。如圖4所示，在步驟401將直流電壓從0V逐漸升高至±2250kV。

優(yōu)選地，在步驟402利用紫外成像儀和無線電干擾儀測試均壓屏蔽罩的可見電暈和無線電干擾水平，并記錄明顯的電暈放電點。

優(yōu)選地，在步驟403將直流電壓降至0V，并接地后對上述明顯的電暈放電點進行打磨和消缺處理，直至在±2250kV直流電壓下無明顯的可見電暈現(xiàn)象出現(xiàn)。

優(yōu)選地，在步驟404對±2100kV直流電壓下無可見電暈現(xiàn)象和±1800kV直流電壓下局部放電水平進行測試。

優(yōu)選地，其中所述方法是為了滿足直流電壓發(fā)生器在±2100kV直流電壓下無明顯的可見電暈現(xiàn)象出現(xiàn)的情況下，實現(xiàn)±1800kV直流電壓下局部放電水平滿足高壓試驗要求。

已經通過參考少量實施方式描述了本發(fā)明。然而，本領域技術人員所公知的，正如附帶的專利權利要求所限定的，除了本發(fā)明以上公開的其他的實施例等同地落在本發(fā)明的范圍內。

通常地，在權利要求中使用的所有術語都根據(jù)他們在技術領域的通常含義被解釋，除非在其中被另外明確地定義。所有的參考“一個/所述/該[裝置、組件等]”都被開放地解釋為所述裝置、組件等中的至少一個實例，除非另外明確地說明。這里公開的任何方法的步驟都沒必要以公開的準確的順序運行，除非明確地說明。