本發(fā)明涉及電源開關(guān)控制技術(shù)，特別是涉及一種DC-DC電路中開關(guān)管的耐壓測試方法。

背景技術(shù)：

DC-DC電路是一種開關(guān)式穩(wěn)壓電源，根據(jù)輸出電壓與輸入電壓的高低比較，可以分為boost(輸出電壓高于輸入電壓)和buck(輸出電壓低于輸入電壓)兩種電路結(jié)構(gòu)。其電路一般包括開關(guān)管、續(xù)流二極管、儲能電感及濾波電容，通過儲能電感不斷的儲能、放電，最后達(dá)到穩(wěn)定電壓輸出。具體地，通過檢測輸出電壓來控制控制開關(guān)管的閉合和斷開的時間(即PWM――脈沖寬度調(diào)制)，進(jìn)而控制輸出電壓以保持輸出電壓不變，達(dá)到穩(wěn)壓的目的。

開關(guān)管的耐壓是DC-DC電路中一項(xiàng)非常重要的參數(shù)，因此需要對電路中的開關(guān)管作耐壓測試。然而，傳統(tǒng)的開關(guān)管耐壓測試方法是在所有工藝流程完成后，對封裝好的電路進(jìn)行測試，且對于不同的產(chǎn)品規(guī)格需要搭建相應(yīng)的測試電路，從而導(dǎo)致開發(fā)周期長、成本高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于此，有必要提供一種可以縮短開發(fā)周期、降低成本的開關(guān)管耐壓測試方法。

一種DC-DC電路中開關(guān)管的耐壓測試方法，包括：

根據(jù)DC-DC電路的結(jié)構(gòu)進(jìn)行流片以完成晶圓片的制作；

將所述晶圓片與傳輸線脈沖發(fā)生器連接；

記錄傳輸線脈沖發(fā)生器輸出的測試數(shù)據(jù)，所述測試數(shù)據(jù)包括維持電壓和維持電流；

根據(jù)所述測試數(shù)據(jù)獲取DC-DC電路中開關(guān)管的耐壓結(jié)果。

在其中一個實(shí)施例中，所述測試數(shù)據(jù)還包括觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流以及二次 擊穿電壓和二次擊穿電流。

在其中一個實(shí)施例中，所述測試數(shù)據(jù)以曲線圖的方式輸出。

在其中一個實(shí)施例中，所述根據(jù)DC-DC電路的結(jié)構(gòu)進(jìn)行流片以完成晶圓片的制作的步驟之后，還包括：

確認(rèn)所述晶圓片中各器件的閾值電壓、導(dǎo)通電流、漏電以及擊穿電壓。

在其中一個實(shí)施例中，所述將所述晶圓片與傳輸線脈沖發(fā)生器連接的步驟，包括：

將所述晶圓片放置在傳輸線脈沖發(fā)生器上；

確定所述晶圓片上的測試位置；

將傳輸線脈沖發(fā)生器的測試探針插在所述測試位置對應(yīng)的測試引腳上。

在其中一個實(shí)施例中，所述測試位置為5個以上。

在其中一個實(shí)施例中，所述測試位置在晶圓片上均勻分布。

上述DC-DC電路中開關(guān)管的耐壓測試方法，將制作的晶圓片與傳輸線脈沖發(fā)生器連接來測試DC-DC電路中開關(guān)管的維持電壓，然后通過維持電壓來判斷DC-DC電路中開關(guān)管的耐壓性，這樣不必在封裝后外接電路進(jìn)行測試，縮短了工藝開發(fā)周期，降低了開發(fā)成本。

附圖說明

圖1為一實(shí)施例中DC-DC電路中開關(guān)管的耐壓測試方法流程圖；

圖2為傳輸線路脈沖發(fā)生器輸出的測試曲線圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

請參照圖1，為一實(shí)施例中DC-DC電路中開關(guān)管的耐壓測試方法流程圖。

該DC-DC電路中開關(guān)管的耐壓測試方法包括：

步驟S110：根據(jù)DC-DC電路的結(jié)構(gòu)進(jìn)行流片以完成晶圓片的制作。

在集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，“流片”指的是“試生產(chǎn)”，就是說設(shè)計(jì)完電路以后，先生產(chǎn)幾片或幾十片，供測試用。如果測試通過，再開始大規(guī)模生產(chǎn)。因此，經(jīng)過流片制作的晶圓片是沒有經(jīng)過封裝的。

步驟S120：將所述晶圓片與傳輸線脈沖發(fā)生器連接。

TLP(Transmission Line Pulse，傳輸線脈沖發(fā)生器)是一種集成電路靜電放電防護(hù)技術(shù)。

在本實(shí)施例中，步驟S120具體包括：將所述晶圓片放置在傳輸線脈沖發(fā)生器上；確定所述晶圓片上的測試位置；將傳輸線脈沖發(fā)生器的測試探針插在所述測試位置對應(yīng)的測試引腳上。

在本實(shí)施例中，所述測試位置為5個，其中4個測試位置均勻地分布在所述晶圓片的四周，還有一個測試位置位于所述晶圓片的中央位置?？梢岳斫?，在其他實(shí)施例中，還可以在本實(shí)施例的基礎(chǔ)上增加測試位置。這樣可以驗(yàn)證測試數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性，同時也可以確認(rèn)所述晶圓片的電學(xué)特性的均勻性情況，如果各個測試數(shù)據(jù)相差不大，求取所有測試數(shù)據(jù)的平均值作為最終的測試數(shù)據(jù)。

步驟S130：記錄傳輸線脈沖發(fā)生器輸出的測試數(shù)據(jù)，所述測試數(shù)據(jù)包括維持電壓和維持電流。

維持電壓和維持電流是指DC-DC電路中開關(guān)管的鉗位電壓和電流。維持電壓的值越大，表示開關(guān)管的開態(tài)耐壓越高。

在本實(shí)施例中，所述測試數(shù)據(jù)還包括觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流以及二次擊穿電壓和二次擊穿電流，所述測試數(shù)據(jù)以曲線圖的方式輸出，具體如圖2所示。

圖2中(Vt1，It1)為器件襯底和源端之間的PN結(jié)正向偏置，寄生的橫向晶體管開啟時的電壓和電流，又稱為觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流。(Vh，Ih)是寄生的橫向晶體管的鉗位電壓和電流，又稱維持電壓和維持電流。(Vt2，It2)是橫向晶體管發(fā)生二次擊穿時的電壓和電流。

步驟S140：根據(jù)所述測試數(shù)據(jù)獲取DC-DC電路中開關(guān)管的耐壓結(jié)果。

采用傳輸線脈沖發(fā)生器來測試開關(guān)管的維持電壓，這樣在晶圓片上就可以測試，不必在封裝后外接電路進(jìn)行測試，縮短了工藝開發(fā)周期，降低了開發(fā)成本。另外，因?yàn)門LP輸出的測試數(shù)據(jù)還包括觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流以及二次擊穿 電壓和二次擊穿電流等詳細(xì)數(shù)據(jù)，這為后期對開關(guān)管的其他特性的研究也提供了便利性。

在一個實(shí)施例中，步驟S110之后還包括確認(rèn)所述晶圓片中各器件的閾值電壓、導(dǎo)通電流、漏電以及擊穿電壓的步驟。

進(jìn)一步地，在測試完成之后，需要將測試數(shù)據(jù)和曲線圖保存到計(jì)算機(jī)上進(jìn)行備份，然后對晶圓片進(jìn)行劃片、封裝。

通過驗(yàn)證，本發(fā)明測試得到的DC-DC電路中開關(guān)管的耐壓結(jié)果與晶圓片封裝后置于相應(yīng)的測試電路中進(jìn)行測試得到的耐壓結(jié)果基本相同。

上述DC-DC電路中開關(guān)管的耐壓測試方法，將制作的晶圓片與傳輸線脈沖發(fā)生器連接來測試DC-DC電路中開關(guān)管的維持電壓，然后通過維持電壓來判斷DC-DC電路中開關(guān)管的耐壓性，這樣不必在封裝后外接電路進(jìn)行測試，縮短了工藝開發(fā)周期，降低了開發(fā)成本。

以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。