本發(fā)明涉及截面拋光技術(shù)領(lǐng)域，尤其是指一種截面拋光儀的切片方法。

背景技術(shù)：

參見圖1所示，圖1是現(xiàn)有的截面拋光儀的定位工作原理圖?，F(xiàn)有截面拋光儀自帶定位系統(tǒng)，為表面定位方式，該方式是基于在高倍顯微鏡下實(shí)現(xiàn)對(duì)位操作，使得樣品待處理位置定位。如圖1所示，檢測樣品90在顯微鏡下完成對(duì)位后，用擋片91遮住檢測樣品90，使擋片91邊緣與檢測樣品90的待切部位對(duì)齊，然后再用離子槍92對(duì)檢測樣品90的待切部位進(jìn)行離子轟擊，檢測樣品90的待切部位被切除后在表面形成一個(gè)凹坑93，如圖2所示，圖2是圖1中檢測樣品的待切部位切除后的放大示意圖。

參見圖3所示，圖3是呈立方體的檢測樣品的不同待切點(diǎn)的分布示意圖。但是，現(xiàn)有的用于截面拋光儀的樣品定位治具。僅能提供在顯微鏡俯視狀態(tài)下，該方式僅能針對(duì)能夠通過表面觀察即可定位的產(chǎn)品，如圖3中所示的呈立方體的檢測樣品90的表層待切點(diǎn)94；但有一部分產(chǎn)品尤其是半導(dǎo)體中封裝完好的芯片，往往需要對(duì)呈立方體的檢測樣品90深層次的結(jié)構(gòu)的深層待切點(diǎn)95進(jìn)行定位和切片，則現(xiàn)有系統(tǒng)是無法實(shí)現(xiàn)精確定位，一是因?yàn)闃悠返姆庋b體材料不透明，顯微鏡從平面看不到深層位置；二是若采用記號(hào)法才實(shí)現(xiàn)定位，精度遠(yuǎn)不夠要求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于上述問題，本發(fā)明提供了一種截面拋光儀的切片方法，待檢測樣品的待切點(diǎn)位于所述待檢測樣品的側(cè)表面，所述切片方法包括：

將截面拋光儀的顯微鏡設(shè)置于所述待檢測樣品的上方，所述顯微鏡上設(shè)有定位坐標(biāo)，所述定位坐標(biāo)包括相互垂直的X軸和Y軸，所述定位坐標(biāo)的X軸垂直于所述待檢測樣品上具有所述待切點(diǎn)的側(cè)表面，所述定位坐標(biāo)的Y軸平行于所述待檢測樣品上具有所述待切點(diǎn)的側(cè)表面；

將所述待檢測樣品由初始的水平狀態(tài)旋轉(zhuǎn)至豎直狀態(tài)，使所述待檢測樣品上具有所述待切點(diǎn)的側(cè)表面的方向朝上；

在所述顯微鏡的俯視觀察下移動(dòng)所述待檢測樣品，使所述待切點(diǎn)與所述定位坐標(biāo)的X軸對(duì)齊；

將所述待檢測樣品由豎直狀態(tài)旋轉(zhuǎn)至初始的水平狀態(tài)，使所述待檢測樣品上具有所述待切點(diǎn)的側(cè)表面復(fù)原到初始狀態(tài)；

在所述顯微鏡的俯視觀察下移動(dòng)所述待檢測樣品，保持所述待切點(diǎn)與所述定位坐標(biāo)的X軸對(duì)齊，并使所述待切點(diǎn)與所述定位坐標(biāo)的Y軸對(duì)齊，定位出所述待檢測樣品的切片位置；

根據(jù)所述待檢測樣品的切片位置在所述待檢測樣品上遮蓋擋片，僅露出所述待檢測樣品的所述待切點(diǎn)的部分；

退出所述顯微鏡，對(duì)所述待檢測樣品的所述待切點(diǎn)的部分進(jìn)行切片。

本發(fā)明截面拋光儀的切片方法，通過對(duì)待檢測樣品的兩次旋轉(zhuǎn)，可以對(duì)待檢測樣品的側(cè)表面位置軸心定位后回歸到平面狀態(tài)再次軸心同步，從而對(duì)位于待檢測樣品的側(cè)表面的待切點(diǎn)實(shí)現(xiàn)精確定位。

本發(fā)明截面拋光儀的切片方法的進(jìn)一步改進(jìn)在于，在所述顯微鏡的俯視觀察下移動(dòng)所述待檢測樣品，使所述待切點(diǎn)在所述顯微鏡的觀察視角內(nèi)與所述定位坐標(biāo)的X軸對(duì)齊，包括：

在所述顯微鏡的觀察視角內(nèi)上下移動(dòng)所述待檢測樣品，使所述待切點(diǎn)在所述顯微鏡的觀察視角內(nèi)與所述定位坐標(biāo)的X軸對(duì)齊。

本發(fā)明截面拋光儀的切片方法的進(jìn)一步改進(jìn)在于，在所述顯微鏡的俯視觀察下移動(dòng)所述待檢測樣品，保持所述待切點(diǎn)與所述定位坐標(biāo)的X軸對(duì)齊，并使所述待切點(diǎn)與所述定位坐標(biāo)的Y軸對(duì)齊，定位出所述待檢測樣品的切片位置，包括：

在所述顯微鏡的觀察視角內(nèi)左右移動(dòng)所述待檢測樣品，保持所述待切點(diǎn)與所述定位坐標(biāo)的X軸對(duì)齊，并使所述待切點(diǎn)與所述定位坐標(biāo)的Y軸對(duì)齊，定位出所述待檢測樣品的切片位置。

本發(fā)明截面拋光儀的切片方法的進(jìn)一步改進(jìn)在于，根據(jù)所述待檢測樣品的切片位置在所述待檢測樣品上遮蓋擋片，僅露出所述待檢測樣品的所述待切點(diǎn)的部分，包括：

將所述擋片的邊緣與所述待切點(diǎn)的位置對(duì)齊，僅露出所述待檢測樣品的所述待切點(diǎn)的部分。

本發(fā)明截面拋光儀的切片方法的進(jìn)一步改進(jìn)在于，所述待檢測樣品裝載于一承載臺(tái)上，所述承載臺(tái)裝載于截面拋光儀的裝樣器內(nèi)。

本發(fā)明截面拋光儀的切片方法的進(jìn)一步改進(jìn)在于，通過設(shè)置于所述裝樣器上的轉(zhuǎn)軸對(duì)所述承載臺(tái)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，以帶動(dòng)所述待檢測樣品進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。

本發(fā)明截面拋光儀的切片方法的有益效果是：

(1)確認(rèn)待檢測樣品的待切點(diǎn)目標(biāo)方便快捷。

(2)辨認(rèn)深度位置的定位精度大大提高。

(3)待檢測樣品的種類可以從平面級(jí)增加到立體級(jí)。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有的截面拋光儀的定位工作原理圖。

圖2是圖1中檢測樣品的待切部位切除后的放大示意圖。

圖3是呈立方體的檢測樣品的不同待切點(diǎn)的分布示意圖。

圖4是本發(fā)明截面拋光儀的切片方法的流程示意圖。

圖5至圖12是本發(fā)明截面拋光儀的切片方法的一種較佳實(shí)施例的詳細(xì)步驟說明圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

配合參看圖4所示，圖4是本發(fā)明截面拋光儀的切片方法的流程示意圖。本發(fā)明截面拋光儀的切片方法，待檢測樣品的待切點(diǎn)位于所述待檢測樣品的側(cè)表面，所述切片方法包括：

步驟S1：將截面拋光儀的顯微鏡設(shè)置于所述待檢測樣品的上方，所述顯微鏡上設(shè)有定位坐標(biāo)，所述定位坐標(biāo)包括相互垂直的X軸和Y軸，所述定位坐標(biāo)的X軸垂直于所述待檢測樣品上具有所述待切點(diǎn)的側(cè)表面，所述定位坐標(biāo)的Y軸平行于所述待檢測樣品上具有所述待切點(diǎn)的側(cè)表面；

步驟S2：將所述待檢測樣品由初始的水平狀態(tài)旋轉(zhuǎn)至豎直狀態(tài)，使所述待檢測樣品上具有所述待切點(diǎn)的側(cè)表面的方向朝上；

步驟S3：在所述顯微鏡的俯視觀察下移動(dòng)所述待檢測樣品，使所述待切點(diǎn)與所述定位坐標(biāo)的X軸對(duì)齊；

步驟S4：將所述待檢測樣品由豎直狀態(tài)旋轉(zhuǎn)至初始的水平狀態(tài)，使所述待檢測樣品上具有所述待切點(diǎn)的側(cè)表面復(fù)原到初始狀態(tài)；

步驟S5：在所述顯微鏡的俯視觀察下移動(dòng)所述待檢測樣品，保持所述待切點(diǎn)與所述定位坐標(biāo)的X軸對(duì)齊，并使所述待切點(diǎn)與所述定位坐標(biāo)的Y軸對(duì)齊，定位出所述待檢測樣品的切片位置；

步驟S6：根據(jù)所述待檢測樣品的切片位置在所述待檢測樣品上遮蓋擋片，僅露出所述待檢測樣品的所述待切點(diǎn)的部分；

步驟S7：退出所述顯微鏡，對(duì)所述待檢測樣品的所述待切點(diǎn)的部分進(jìn)行切片。

本發(fā)明截面拋光儀的切片方法，通過對(duì)待檢測樣品的兩次旋轉(zhuǎn)，可以對(duì)待檢測樣品的側(cè)表面位置軸心定位后回歸到平面狀態(tài)再次軸心同步，從而對(duì)位于待檢測樣品的側(cè)表面的待切點(diǎn)實(shí)現(xiàn)精確定位。

在本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施方式中，上述步驟S3中，在所述顯微鏡的俯視觀察下移動(dòng)所述待檢測樣品，使所述待切點(diǎn)在所述顯微鏡的觀察視角內(nèi)與所述定位坐標(biāo)的X軸對(duì)齊，包括：

在所述顯微鏡的觀察視角內(nèi)上下移動(dòng)所述待檢測樣品，使所述待切點(diǎn)在所述顯微鏡的觀察視角內(nèi)與所述定位坐標(biāo)的X軸對(duì)齊。

在本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施方式中，上述步驟S5中，在所述顯微鏡的俯視觀察下移動(dòng)所述待檢測樣品，保持所述待切點(diǎn)與所述定位坐標(biāo)的X軸對(duì)齊，并使所述待切點(diǎn)與所述定位坐標(biāo)的Y軸對(duì)齊，定位出所述待檢測樣品的切片位置，包括：

在所述顯微鏡的觀察視角內(nèi)左右移動(dòng)所述待檢測樣品，保持所述待切點(diǎn)與所述定位坐標(biāo)的X軸對(duì)齊，并使所述待切點(diǎn)與所述定位坐標(biāo)的Y軸對(duì)齊，定位出所述待檢測樣品的切片位置。

在本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施方式中，上述步驟S6中，根據(jù)所述待檢測樣品的切片位置在所述待檢測樣品上遮蓋擋片，僅露出所述待檢測樣品的所述待切點(diǎn)的部分，包括：

將所述擋片的邊緣與所述待切點(diǎn)的位置對(duì)齊，僅露出所述待檢測樣品的所述待切點(diǎn)的部分。

在本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施方式中，所述待檢測樣品裝載于一承載臺(tái)上，所述承載臺(tái)裝載于截面拋光儀的裝樣器內(nèi)。優(yōu)選地，通過設(shè)置于所述裝樣器上的轉(zhuǎn)軸對(duì)所述承載臺(tái)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，以帶動(dòng)所述待檢測樣品進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。

以下結(jié)合具體實(shí)施例和附圖，對(duì)本發(fā)明截面拋光儀的切片方法進(jìn)行詳細(xì)介紹。

參見圖5至圖12所示，圖5至圖12是本發(fā)明截面拋光儀的切片方法的一種較佳實(shí)施例的詳細(xì)步驟說明圖。在該實(shí)施例中，以待檢測樣品裝載于承載臺(tái)上，承載臺(tái)裝載于截面拋光儀的裝樣器內(nèi)為例。

結(jié)合圖5與圖6所示，圖5是圖6的俯視圖。首先，將待檢測樣品10裝載于一承載臺(tái)20上，將承載臺(tái)20裝載于截面拋光儀的裝樣器30上，將截面拋光儀的顯微鏡40設(shè)置于待檢測樣品10的上方。其中，待檢測樣品10的待切點(diǎn)位于待檢測樣品10的側(cè)表面110上。顯微鏡40上設(shè)有定位坐標(biāo)，所述定位坐標(biāo)包括相互垂直的X軸和Y軸，所述定位坐標(biāo)的X軸垂直于待檢測樣品10上具有所述待切點(diǎn)的側(cè)表面110，所述定位坐標(biāo)的Y軸平行于待檢測樣品10上具有所述待切點(diǎn)的側(cè)表面110。

結(jié)合圖7和圖8所示，圖7是圖8的俯視圖。將待檢測樣品10由初始的水平狀態(tài)旋轉(zhuǎn)至豎直狀態(tài)，使待檢測樣品10上具有待切點(diǎn)101的側(cè)表面110的方向朝上。

結(jié)合圖9所示，在顯微鏡40的俯視觀察下移動(dòng)待檢測樣品10，具體為在顯微鏡40的觀察視角內(nèi)上下移動(dòng)待檢測樣品10，使待檢測樣品10的待切點(diǎn)101與顯微鏡40的所述定位坐標(biāo)的X軸對(duì)齊。

將待檢測樣品10由豎直狀態(tài)旋轉(zhuǎn)至初始的水平狀態(tài)，使待檢測樣品10上具有所述待切點(diǎn)的側(cè)表面110復(fù)原到初始狀態(tài)，即如圖5所示。

結(jié)合圖10與圖11所示，在顯微鏡40的俯視觀察下移動(dòng)待檢測樣品10，具體為在顯微鏡40的觀察視角內(nèi)左右移動(dòng)待檢測樣品10，保持待檢測樣品10的所述待切點(diǎn)與顯微鏡40的所述定位坐標(biāo)的X軸對(duì)齊，并使待檢測樣品10的所述待切點(diǎn)與顯微鏡40的所述定位坐標(biāo)的Y軸對(duì)齊，定位出待檢測樣品10的切片位置。

結(jié)合圖12所示，根據(jù)待檢測樣品10的切片位置在待檢測樣品10上遮蓋擋片50，將擋片50的邊緣與待檢測樣品10的所述待切點(diǎn)的位置對(duì)齊，僅露出待檢測樣品10的所述待切點(diǎn)的部分。

最后，退出顯微鏡40，采用離子槍對(duì)待檢測樣品10的所述待切點(diǎn)的部分進(jìn)行切片。

以上所述僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明做任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容做出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。