技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種用于測(cè)試漏電斷路器的測(cè)試設(shè)備，包括交流電源電路、相位產(chǎn)生電路、交流漏電調(diào)節(jié)電路和時(shí)間檢測(cè)電路；其特征在于：相位產(chǎn)生電路包括可控硅電流控制電路；所述可控硅電流控制電路包括：根據(jù)所述第一半波整流電路、第二半波整流電路和第三半波整流電路輸出的控制信號(hào)而導(dǎo)通的三極管BG18、由三極管BG18驅(qū)動(dòng)的光耦芯片IC4，由光耦芯片IC4控制通斷的雙向可控硅BG19，雙向可控硅BG19的A、K極串聯(lián)在外接模擬漏電回路中。本發(fā)明通過(guò)改進(jìn)可控硅電流控制電路，使其結(jié)構(gòu)較為合理，能夠有效滿足特殊漏電斷路器的測(cè)試需求。

技術(shù)研發(fā)人員：胡小青
受保護(hù)的技術(shù)使用者：胡小青
文檔號(hào)碼：201610475456
技術(shù)研發(fā)日：2012.07.27
技術(shù)公布日：2016.12.07