技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種2D傳感器陣列包括半導(dǎo)體襯底和布置在半導(dǎo)體襯底上的多個像素。每一個像素包括耦合區(qū)和結(jié)區(qū)，以及平板波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，所述平板波導(dǎo)結(jié)構(gòu)布置在半導(dǎo)體襯底上并且從耦合區(qū)延伸到區(qū)。平板波導(dǎo)包括布置在第一包覆層與第二包覆層之間的限制層。第一包覆和第二包覆每一個具有比限制層的折射率低的折射率。每一個像素還包括布置在耦合區(qū)中和平板波導(dǎo)內(nèi)的耦合結(jié)構(gòu)。耦合結(jié)構(gòu)包括具有不同折射率的至少兩種材料，其布置為由光柵周期限定的光柵。結(jié)區(qū)包括與電接觸件連通的p?n結(jié)以用于偏置和收集由入射輻射的吸收引起的載流子。

技術(shù)研發(fā)人員：S.R.J.布呂克;A.諾伊曼;P.扎克什-哈
受保護的技術(shù)使用者：STC.UNM公司
技術(shù)研發(fā)日：2015.06.09
技術(shù)公布日：2017.07.11