本申請(qǐng)涉及地質(zhì)研究技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種對(duì)巖石密度和速度曲線調(diào)校的方法及裝置。

背景技術(shù)：

密度曲線與由聲波曲線轉(zhuǎn)換所得的速度曲線在油氣勘探中有著重要的應(yīng)用，是井震標(biāo)定將地震資料與鉆井及地質(zhì)資料聯(lián)系的橋梁，是地震反演所需的基礎(chǔ)資料，需要有較好的質(zhì)量，但鉆井過(guò)程中在泥巖或泥質(zhì)含量較重或未膠結(jié)及膠結(jié)差的砂巖段處，時(shí)有因井壁垮塌而造成的擴(kuò)徑現(xiàn)象，當(dāng)擴(kuò)徑重或井壁很不規(guī)則時(shí)聲波時(shí)差時(shí)常會(huì)明顯變大失真，而密度也會(huì)因擴(kuò)徑使得數(shù)值降低，導(dǎo)致它們的數(shù)值出現(xiàn)變異，給資料的質(zhì)量帶來(lái)不良的影響。

已有不少專業(yè)人士對(duì)巖石的密度曲線和速度曲線的調(diào)校進(jìn)行了研究。

例如，現(xiàn)有的對(duì)巖石的密度和速度曲線的調(diào)校方法可以包括：可以根據(jù)聲波時(shí)差測(cè)量結(jié)果受井徑擴(kuò)徑和巖性變化的雙重影響，設(shè)計(jì)一種砂泥巖剖面的變井徑、變巖性模型，分析補(bǔ)償聲波測(cè)井產(chǎn)生的滑行波傳播路徑，按照費(fèi)馬時(shí)間最小原理推導(dǎo)出同時(shí)考慮井徑變化和巖性變化的聲時(shí)差補(bǔ)償計(jì)算公式，利用所述補(bǔ)償計(jì)算公式對(duì)巖石的密度和速度曲線進(jìn)行調(diào)校。

在實(shí)現(xiàn)本申請(qǐng)過(guò)程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問(wèn)題：現(xiàn)有的對(duì)巖石的密度和速度曲線的調(diào)校方法，計(jì)算復(fù)雜，調(diào)校速度較慢。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請(qǐng)實(shí)施例的目的是提供一種對(duì)巖石密度和速度曲線調(diào)校的方法及裝置，以實(shí)現(xiàn)對(duì)巖石密度和速度曲線的快速調(diào)校。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種對(duì)巖石密度和速度曲線調(diào)校的方法及裝置是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種對(duì)巖石密度和速度曲線調(diào)校的方法，包括：

基于井徑曲線或電阻率曲線在相同深度段與第一屬性曲線的相關(guān)性，結(jié)合對(duì)應(yīng)的合成記錄與井旁地震道信息的匹配結(jié)果，確定井徑的擴(kuò)徑對(duì)第一屬性曲線產(chǎn)生的擴(kuò)徑影響為第一影響，或者確定井徑的擴(kuò)徑對(duì)第一屬性曲線產(chǎn)生的擴(kuò)徑影響為第二影響；所述第一屬性曲線包 括：密度曲線和/或速度曲線；

若為第一影響，采用與第一影響對(duì)應(yīng)的第一調(diào)校方式對(duì)所述第一屬性曲線進(jìn)行調(diào)校；

若為第二影響，采用與第二影響對(duì)應(yīng)的第二調(diào)校方式對(duì)所述第一屬性曲線進(jìn)行調(diào)校。

優(yōu)選方案中，所述第一調(diào)校方式具體包括：

根據(jù)所述第一屬性曲線生成與所述第一屬性曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線；

統(tǒng)計(jì)所述低頻趨勢(shì)線與第一屬性曲線各波谷段數(shù)據(jù)的最大幅差，確定其中的最小值、最大值和均值，確定大于所述均值的幅差第二幅差均值；

將所述最小值和所述最大值之間的差值根據(jù)預(yù)設(shè)步距劃分為多個(gè)區(qū)間，根據(jù)預(yù)設(shè)規(guī)則確定待調(diào)校區(qū)間；

根據(jù)第二預(yù)設(shè)規(guī)則對(duì)所述待調(diào)校區(qū)間的第一屬性曲線進(jìn)行調(diào)校。

優(yōu)選方案中，所述根據(jù)第一屬性曲線生成與所述第一屬性曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線，具體包括：

對(duì)于所述第一屬性曲線中的每個(gè)樣點(diǎn)計(jì)算其前后n個(gè)樣點(diǎn)的平均值，通過(guò)對(duì)從淺到深的滑動(dòng)均值進(jìn)行m次平滑迭代生成曲線的低頻趨勢(shì)線；所述迭代次數(shù)m為正整數(shù)，所述迭代次數(shù)為大于5次；所述n為正整數(shù)，所述n的取值范圍為：61≤n≤701，且n的值小于或等于樣點(diǎn)總數(shù)的0.3倍。

優(yōu)選方案中，所述生成所述低頻趨勢(shì)線后，所述方法還包括：若所述低頻趨勢(shì)線受異常值的影響在局部有較大的起伏，則采用相同系數(shù)或不同系數(shù)的加權(quán)相加來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)所述低頻趨勢(shì)線的進(jìn)一步處理。

優(yōu)選方案中，當(dāng)所述第一屬性曲線為密度曲線時(shí)，所述預(yù)設(shè)步距為0.01克/立方厘米；當(dāng)所述第一屬性曲線為速度曲線時(shí)，所述預(yù)設(shè)步距為100米/秒。

優(yōu)選方案中，所述根據(jù)第一預(yù)設(shè)規(guī)則在所述劃分的多個(gè)區(qū)間中確定待調(diào)校區(qū)間，具體包括：計(jì)算各區(qū)間幅差數(shù)值在整個(gè)數(shù)值區(qū)間中占的百分?jǐn)?shù)；按照幅差從小到大，依次累積區(qū)間幅差數(shù)值的百分?jǐn)?shù)；當(dāng)所述累積的百分?jǐn)?shù)大于預(yù)設(shè)百分比時(shí)，將該百分?jǐn)?shù)對(duì)應(yīng)的幅差值設(shè)置為調(diào)校門檻；所述調(diào)校門檻所在的區(qū)間，以及大于所述調(diào)校門檻的區(qū)間為待調(diào)校區(qū)間；所述預(yù)設(shè)百分比的取值包括：50％-100％。

優(yōu)選方案中，所述第二預(yù)設(shè)規(guī)則包括：根據(jù)所述調(diào)校門檻確定比例因子，將所述第一屬性曲線與所述比例因子相乘，得到調(diào)校后的第一屬性曲線。

優(yōu)選方案中，所述第二調(diào)校方式具體包括：

獲取與所述第一屬性曲線對(duì)應(yīng)的第二屬性曲線，將所述第二屬性曲線或取自然對(duì)數(shù)的第二屬性曲線作為第一結(jié)果曲線；所述第二屬性曲線包括：電阻率曲線或伽馬曲線或井徑曲線； 當(dāng)所述第二屬性曲線為伽馬曲線或井徑曲線時(shí)，將所述第二屬性曲線作為第一結(jié)果曲線；當(dāng)所述第二屬性曲線為電阻率曲線時(shí)，將取自然對(duì)數(shù)的電阻率曲線作為得到第一結(jié)果曲線；

分別計(jì)算所述第一屬性曲線和所述第一結(jié)果曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線；

根據(jù)所述第一結(jié)果曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線與第二屬性曲線的交點(diǎn)，確定第二屬性曲線的各波峰段和各波谷段，計(jì)算所述各波峰段和各波谷段處對(duì)應(yīng)的第一屬性和第二屬性的互相關(guān)值，并確定目標(biāo)區(qū)域；

將所述目標(biāo)區(qū)域?qū)?yīng)的第一結(jié)果曲線沿第一結(jié)果曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線進(jìn)行鏡像旋轉(zhuǎn)；

統(tǒng)計(jì)所述目標(biāo)區(qū)域內(nèi)所述旋轉(zhuǎn)后的第一結(jié)果曲線與所述第一結(jié)果曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線之間的幅差的第二均方值，以及所述目標(biāo)區(qū)域內(nèi)第一屬性曲線與第一屬性曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線之間的幅差的第一均方值；

根據(jù)所述第一均方值和第二均方值，對(duì)所述第一屬性曲線的目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行調(diào)校。

優(yōu)選方案中，所述確定目標(biāo)區(qū)域，具體包括：先根據(jù)先所述井徑曲線，或者根據(jù)合成記錄與井旁地震道的匹配情況，確定第一屬性曲線與第二屬性曲線是呈正相關(guān)為正常還是呈負(fù)相關(guān)為正常，再根據(jù)所述互相關(guān)值的正負(fù)來(lái)確定目標(biāo)區(qū)域。

一種對(duì)巖石密度和速度曲線調(diào)校的裝置，包括：判斷模塊、第一調(diào)校模塊和第二調(diào)校模塊；其中，

所述判斷模塊，用于基于井徑曲線或電阻率曲線在相同深度段與第一屬性曲線的相關(guān)性，或者結(jié)合對(duì)應(yīng)的合成記錄與井旁地震道信息的匹配結(jié)果，確定井徑的擴(kuò)徑對(duì)第一屬性曲線產(chǎn)生的擴(kuò)徑影響為第一影響，或者確定井徑的擴(kuò)徑對(duì)第一屬性曲線產(chǎn)生的擴(kuò)徑影響為第二影響；

所述第一調(diào)校模塊，用于當(dāng)所述判斷模塊的判斷結(jié)果為第一影響時(shí)，采用與第一影響對(duì)應(yīng)的第一調(diào)校方式對(duì)所述第一屬性曲線進(jìn)行調(diào)校；所述第一調(diào)校方式具體包括：根據(jù)所述第一屬性曲線生成與所述第一屬性曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線；統(tǒng)計(jì)所述低頻趨勢(shì)線與第一屬性各波谷段數(shù)據(jù)的最大幅差，確定其中的最小值、最大值和均值，確定大于所述均值幅差的第二幅差均值；將所述最小值和所述最大值之間的差值根據(jù)預(yù)設(shè)步距劃分為多個(gè)區(qū)間，根據(jù)預(yù)設(shè)規(guī)則確定待調(diào)校區(qū)間；根據(jù)第二預(yù)設(shè)規(guī)則對(duì)所述待調(diào)校區(qū)間的第一屬性曲線進(jìn)行調(diào)校；

所述第二調(diào)校模塊，用于當(dāng)所述判斷模塊的判斷結(jié)果為第二影響時(shí)，采用與第二影響對(duì)應(yīng)的第二調(diào)校方式對(duì)所述第一屬性曲線進(jìn)行調(diào)校；所述第二調(diào)校方式具體包括：獲取與所述第一屬性曲線對(duì)應(yīng)的第二屬性曲線，將所述第二屬性曲線或取自然對(duì)數(shù)的第二屬性曲線作為第一結(jié)果曲線；分別計(jì)算所述第一屬性曲線和所述第一結(jié)果曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線；根據(jù)所述第一結(jié)果曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線與第二屬性曲線的交點(diǎn)，確定第二屬性曲線的各波峰段和 各波谷段，計(jì)算所述各波峰段和各波谷段處對(duì)應(yīng)的第一屬性和第二屬性的互相關(guān)值，并確定目標(biāo)區(qū)域；統(tǒng)計(jì)所述目標(biāo)區(qū)域內(nèi)所述第一結(jié)果曲線或者旋轉(zhuǎn)后的第一結(jié)果曲線與所述第一結(jié)果曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線之間的幅差的第二均方值，以及所述目標(biāo)區(qū)域內(nèi)第一屬性曲線與第一屬性曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線之間的幅差的第一均方值；根據(jù)所述第一均方值和第二均方值，對(duì)所述第一屬性曲線的目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行調(diào)校。

由以上本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案可見，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的對(duì)巖石密度和速度曲線調(diào)校的方法和裝置，利用砂泥巖地層中正常密度或速度曲線因地層的壓實(shí)效應(yīng)大致存在著隨深度增加而變大的趨勢(shì)，即低頻趨勢(shì)，這一特點(diǎn)，直接利用低頻趨勢(shì)線對(duì)泥巖段或未膠結(jié)或膠結(jié)差的砂巖段因井壁擴(kuò)徑而造成的異常低速度值或密度值進(jìn)行調(diào)校，調(diào)校實(shí)施過(guò)程快捷，可以快速改進(jìn)速度和密度曲線的質(zhì)量。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本申請(qǐng)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請(qǐng)中記載的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本申請(qǐng)對(duì)巖石密度和速度曲線調(diào)校的方法一個(gè)實(shí)施例的流程圖；

圖2示出了本申請(qǐng)的測(cè)井曲線的一個(gè)示例；

圖3示出了對(duì)圖2中的密度曲線提取低頻趨勢(shì)線后得到的測(cè)井曲線；

圖4示出了對(duì)圖2中的密度曲線采用第一調(diào)校方式調(diào)校得到的測(cè)井曲線；

圖5示出了本申請(qǐng)的測(cè)井曲線的另一示例；

圖6示出了采用現(xiàn)有技術(shù)對(duì)圖5中的測(cè)井曲線調(diào)校得到的測(cè)井曲線；

圖7示出了采用第二調(diào)校方式對(duì)圖5中的測(cè)井曲線調(diào)校得到的測(cè)井曲線；

圖8是本申請(qǐng)對(duì)巖石密度和速度曲線調(diào)校的裝置一個(gè)實(shí)施例的模塊圖。

具體實(shí)施方式

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種對(duì)巖石密度和速度曲線調(diào)校的方法及裝置。

為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本申請(qǐng)中的技術(shù)方案，下面將結(jié)合本申請(qǐng)實(shí)施例中的附圖，對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本申請(qǐng)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒旧暾?qǐng)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。

圖1是本申請(qǐng)對(duì)巖石密度和速度曲線調(diào)校的方法一個(gè)實(shí)施例的流程圖。如圖1所示，所述方法可以包括：

s101：基于井徑曲線或電阻率曲線在相同深度段與第一屬性曲線的相關(guān)性，結(jié)合對(duì)應(yīng)的合成記錄與井旁地震道信息的匹配結(jié)果，確定井徑的擴(kuò)徑對(duì)第一屬性曲線產(chǎn)生的擴(kuò)徑影響為第一影響，或者確定井徑的擴(kuò)徑對(duì)第一屬性曲線產(chǎn)生的擴(kuò)徑影響為第二影響。

所述第一屬性可以包括：所述巖石的密度和/或所述巖石中聲波的傳播速度。相應(yīng)地，所述第一屬性曲線可以包括：密度曲線和/或速度曲線。通常，密度曲線和速度曲線隨深度的變化趨勢(shì)是一致的，因此對(duì)所述密度曲線和速度曲線可以采用相同的調(diào)校方式。

所述井徑曲線可以用于描述所述井徑隨井深的變化，可以直觀地反應(yīng)井徑大小的變化。

所述合成記錄可以用于表示速度曲線與密度曲線及子波合成得到的數(shù)據(jù)。

所述合成記錄和所述井旁地震道信息可以根據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)獲得。

當(dāng)所述井徑曲線的擴(kuò)徑使得對(duì)應(yīng)的第一屬性曲線在其波谷處產(chǎn)生異常低值，可以確定所述井徑的擴(kuò)徑對(duì)第一屬性曲線產(chǎn)生的擴(kuò)徑影響為第一影響。

當(dāng)所述井徑曲線的擴(kuò)徑使得對(duì)應(yīng)的第一屬性曲線在其波峰處產(chǎn)生異常低值，可以確定所述井徑的擴(kuò)徑對(duì)第一屬性曲線產(chǎn)生的擴(kuò)徑影響為第二影響。

當(dāng)所述合成記錄與井旁地震道信息的匹配結(jié)果為不匹配時(shí)，即所述合成記錄與所述井旁地震道信息的變化趨勢(shì)不相同時(shí)，若所述電阻率曲線在相同深度段與第一屬性曲線的相關(guān)性為正相關(guān)，可以確定所述第一屬性曲線對(duì)應(yīng)的擴(kuò)徑影響為第二影響。

s102：若為第一影響，采用與第一影響對(duì)應(yīng)的第一調(diào)校方式對(duì)所述第一屬性曲線進(jìn)行調(diào)校。

其中，所述第一調(diào)校方式具體可以包括：

s201：根據(jù)所述第一屬性曲線生成與所述第一屬性曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線。

具體地，可以包括：對(duì)于所述第一屬性曲線中的每個(gè)樣點(diǎn)計(jì)算其前后n個(gè)樣點(diǎn)的平均值，通過(guò)對(duì)從淺到深的滑動(dòng)均值進(jìn)行m次平滑迭代可以生成曲線的低頻趨勢(shì)線。所述對(duì)數(shù)次從淺到深的滑動(dòng)均值進(jìn)行平滑迭代包括：對(duì)每個(gè)樣點(diǎn)經(jīng)取均值滑動(dòng)后可以得到的較為平滑的新曲線，然后可以對(duì)新曲線再作取均值滑動(dòng)的平滑，如此迭代數(shù)次。其中，所述迭代次數(shù)m為正整數(shù)可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行調(diào)整，所述迭代次數(shù)可以為大于5次。所述n為正整數(shù)。

通常情況下，單位深度段內(nèi)曲線的采樣點(diǎn)多，n可取的大些，反之可取小些。采樣密度相同的情況下，n越大平滑力度也越大。同樣，迭代次數(shù)越多平滑力度越也大。一般n 的取值范圍可以為：61≤n≤701，且n的值小于或等于樣點(diǎn)總數(shù)的0.3倍。

進(jìn)一步地，若所述低頻趨勢(shì)線受較密集出現(xiàn)的異常值的影響在局部有較大的起伏，則可以采用相同系數(shù)或不同系數(shù)的加權(quán)相加來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)所述低頻趨勢(shì)線的進(jìn)一步處理。經(jīng)過(guò)此處理的低頻趨勢(shì)線，可以消減異常低值和異常高值對(duì)低頻趨勢(shì)線的不良影響。

s202：統(tǒng)計(jì)所述低頻趨勢(shì)線與第一屬性曲線各波谷段數(shù)據(jù)的最大幅差，確定其中的最小值、最大值和均值，確定大于所述均值幅差的第二幅差均值。

所述波谷段表示某一段位置兩側(cè)的值都大于該段位置處值的段，所述各波谷段的最大幅差可以表示所述各波谷段最低處數(shù)據(jù)與低頻趨勢(shì)線的幅值。

可以確定所述各波谷段最大幅差中的最小值、最大值和均值。

可以確定第二幅差均值。具體地，可以對(duì)所述最大幅差中大于均值的幅差求平均值，所述求得的平均值可以作為第二幅差均值。

s203：將所述最小值和所述最大值之間的差值根據(jù)預(yù)設(shè)步距劃分為多個(gè)區(qū)間，根據(jù)第一預(yù)設(shè)規(guī)則確定待調(diào)校區(qū)間。

具體地，可以將所述最小值和所述最大值之間的差值根據(jù)預(yù)設(shè)步距劃分為多個(gè)區(qū)間。當(dāng)所述第一屬性曲線為密度曲線時(shí)，所述預(yù)設(shè)步距可以為0.01克/立方厘米。當(dāng)所述第一屬性曲線為速度曲線時(shí)，所述預(yù)設(shè)步距可以為100米/秒。

根據(jù)第一預(yù)設(shè)規(guī)則可以在所述劃分的多個(gè)區(qū)間中確定待調(diào)校區(qū)間。具體地，可以計(jì)算各區(qū)間幅差數(shù)值在整個(gè)數(shù)值區(qū)間中占的百分?jǐn)?shù)。按照幅差從小到大，依次累積區(qū)間幅差數(shù)值的百分?jǐn)?shù)，當(dāng)所述累積的百分?jǐn)?shù)大于預(yù)設(shè)百分比時(shí)，將該百分?jǐn)?shù)對(duì)應(yīng)的幅差值設(shè)置為調(diào)校門檻。所述調(diào)校門檻所在的區(qū)間，以及大于所述調(diào)校門檻的區(qū)間可以為待調(diào)校區(qū)間。

所述預(yù)設(shè)百分比的取值可以包括：50％-100％。例如所述預(yù)設(shè)百分比的取值可以為80％。

s204：根據(jù)第二預(yù)設(shè)規(guī)則對(duì)所述待調(diào)校區(qū)間的第一屬性曲線進(jìn)行調(diào)校。

所述第二預(yù)設(shè)規(guī)則可以包括：根據(jù)所述調(diào)校門檻確定比例因子，將所述第一屬性曲線與所述比例因子相乘，可以得到調(diào)校后的第一屬性曲線。

例如，假設(shè)確定的調(diào)校門檻為a，對(duì)于所述幅差值中大于a的波谷段，獲取其中與低頻趨勢(shì)線的差值小于0.5a或0.6a的所有曲線數(shù)值，確定所述曲線數(shù)值中的最小值并計(jì)算該最小值被調(diào)校為a所需的比例因子，將所述所有大于0.5a或0.6a的曲線數(shù)值與所述比例因子進(jìn)行乘積運(yùn)算，得到的結(jié)果即為調(diào)校后的第一屬性曲線。

圖2示出了本申請(qǐng)的測(cè)井曲線的一個(gè)示例。其中，最左邊的“caliper_1”表示井徑曲 線，中間的“*den4tsm”表示密度曲線，最右邊的“resistivity_1”表示電阻率曲線。由圖1可以看出，在小于2150米的深度段，井徑曲線的波谷處對(duì)應(yīng)的密度曲線產(chǎn)生異常低值，因此可以判斷為第一影響。

圖3示出了對(duì)圖2中的密度曲線提取低頻趨勢(shì)線后得到的測(cè)井曲線。圖中，最左邊的“caliper_1”表示井徑曲線，右邊波動(dòng)幅度最大且灰度最淺的曲線“*den4tsm”表示密度曲線。右邊另外3條波動(dòng)幅度較小的3條曲線中：約1500米之上位于最左側(cè)，而1950米之后位于最右側(cè)的表示均值平滑曲線；約1500米之上位于最右側(cè)，而1950米之后位于最左側(cè)的表示密度隨深度變化擬合所得曲線；位于上述均值平滑曲線和擬合曲線中間的表示加權(quán)后的趨勢(shì)線。

圖4示出了對(duì)圖2中的密度曲線采用第一調(diào)校方式調(diào)校得到的測(cè)井曲線。圖4中，最左邊的曲線表示井徑曲線，右邊的3條曲線中：波動(dòng)幅度最大且灰度最淺的曲線表示未調(diào)校的密度曲線；波動(dòng)幅度最小的曲線表示為圖3中加權(quán)后的趨勢(shì)線；波動(dòng)幅度中的曲線表示調(diào)校后的密度曲線。由圖4可以看出，調(diào)校后的密度曲線的低幅段得到了改善。

s103：若為第二影響，采用與第二影響對(duì)應(yīng)的第二調(diào)校方式對(duì)所述第一屬性曲線進(jìn)行調(diào)校。

所述第二調(diào)校方式具體可以包括：

s301：獲取與所述第一屬性曲線對(duì)應(yīng)的第二屬性曲線，將所述第二屬性曲線或取自然對(duì)數(shù)的第二屬性曲線作為第一結(jié)果曲線。

所述第二屬性可以包括：巖石的電阻率或巖石的伽馬值或井徑。

相應(yīng)地，所述第二屬性曲線可以包括：電阻率曲線或伽馬曲線或井徑曲線。

當(dāng)所述第二屬性曲線為伽馬曲線或井徑曲線時(shí)，可以將所述第二屬性曲線作為第一結(jié)果曲線。

當(dāng)所述第二屬性曲線為電阻率曲線時(shí)，可以對(duì)所述電阻率曲線取自然對(duì)數(shù)，將取自然對(duì)數(shù)的電阻率曲線作為得到第一結(jié)果曲線。

s302：分別計(jì)算所述第一屬性曲線和所述第一結(jié)果曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線。

可以分別計(jì)算所述第一屬性曲線和所述第一結(jié)果曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線。所述低頻趨勢(shì)線的計(jì)算方法可以與s201中計(jì)算低頻趨勢(shì)線的方法相同。

s303：根據(jù)所述第一結(jié)果曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線與第二屬性曲線的交點(diǎn)，確定第二屬性曲線的各波峰段和各波谷段，計(jì)算所述各波峰段和各波谷段處對(duì)應(yīng)的第一屬性和第二屬性的互相關(guān)值，并確定目標(biāo)區(qū)域。

根據(jù)所述第一結(jié)果曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線與第二屬性曲線的交點(diǎn)，可以確定第二屬性曲線的各波峰段和各波谷段。第二屬性曲線位于所述低頻趨勢(shì)線上方的可以確定為波峰段，第二屬性曲線位于所述低頻趨勢(shì)線下方的可以確定為波谷段。

可以計(jì)算所述各波峰段和各波谷段處對(duì)應(yīng)的第一屬性和第二屬性的互相關(guān)值。例如可以計(jì)算電阻率和速度的互相關(guān)值，或者可以計(jì)算電阻率和密度的互相關(guān)值。

所述目標(biāo)區(qū)域可以表示第一屬性曲線中需要進(jìn)行調(diào)校的部分。所述確定目標(biāo)區(qū)域可以根據(jù)所述互相關(guān)值來(lái)實(shí)現(xiàn)。具體地，可以先根據(jù)先所述井徑曲線，或者根據(jù)合成記錄與井旁地震道的匹配情況，確定第一屬性曲線與第二屬性曲線是呈正相關(guān)為正常還是呈負(fù)相關(guān)為正常，再根據(jù)所述互相關(guān)值的正負(fù)來(lái)確定目標(biāo)區(qū)域。例如，若第一屬性曲線與第二屬性曲線是呈正相關(guān)為正常，那么當(dāng)所述互相關(guān)值為負(fù)數(shù)時(shí)，該互相關(guān)值對(duì)應(yīng)的第一屬性曲線的區(qū)域?yàn)槟繕?biāo)區(qū)域。若第一屬性曲線與第二屬性曲線是呈正相關(guān)為正常，那么當(dāng)所述互相關(guān)值為正數(shù)時(shí)，該互相關(guān)值對(duì)應(yīng)的第一屬性曲線的區(qū)域?yàn)槟繕?biāo)區(qū)域。

s304：統(tǒng)計(jì)所述目標(biāo)區(qū)域內(nèi)所述第一結(jié)果曲線或者旋轉(zhuǎn)后的第一結(jié)果曲線與所述第一結(jié)果曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線之間的幅差的第二均方值，以及所述目標(biāo)區(qū)域內(nèi)第一屬性曲線與第一屬性曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線之間的幅差的第一均方值。

當(dāng)所述第一結(jié)果曲線是伽馬曲線或井徑曲線時(shí)，可以統(tǒng)計(jì)所述目標(biāo)區(qū)域內(nèi)所述第一結(jié)果曲線與所述第一結(jié)果曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線之間的幅差的第二均方值，以及所述目標(biāo)區(qū)域內(nèi)第一屬性曲線與第一屬性曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線之間的幅差的第一均方值。

當(dāng)所述第一結(jié)果曲線是取自然對(duì)數(shù)的電阻率曲線時(shí)，可以將所述目標(biāo)區(qū)域?qū)?yīng)的第一結(jié)果曲線沿第一結(jié)果曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線進(jìn)行鏡像旋轉(zhuǎn)。使得第一結(jié)果曲線中的波峰部分轉(zhuǎn)換為波谷，以及使得第一結(jié)果曲線中的波谷部分轉(zhuǎn)換為波峰。相應(yīng)地，可以統(tǒng)計(jì)所述目標(biāo)區(qū)域內(nèi)所述旋轉(zhuǎn)后的第一結(jié)果曲線與所述第一結(jié)果曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線之間的幅差的第二均方值，以及所述目標(biāo)區(qū)域內(nèi)第一屬性曲線與第一屬性曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線之間的幅差的第一均方值。

s305：根據(jù)所述第一均方值和第二均方值，對(duì)所述第一屬性曲線的目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行調(diào)校。

具體地，可以以第一均方值除以第二均方值，生成對(duì)應(yīng)于波峰和波谷的兩個(gè)標(biāo)定因子，在此兩因子的標(biāo)定下，將旋轉(zhuǎn)后的第一結(jié)果的各波峰段和波谷段的曲線樣點(diǎn)值，分別影射到第一屬性曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線的上方和下方以生成調(diào)校后的第一屬性曲線。

圖5示出了本申請(qǐng)的測(cè)井曲線的另一示例。圖5中，從左到右的曲線依次表示：井徑曲線；密度曲線；電阻率曲線；聲波速度曲線；根據(jù)速度曲線與密度曲線而得的合成地震記錄。從圖7中可以看出：在500米～750米深度段處，電阻率曲線和速度曲線是負(fù)相關(guān)為主，合成記錄 與井旁地震道的波動(dòng)趨勢(shì)基本一致；第一屬性和第二屬性的互相關(guān)值為負(fù)；在750米～1000米深度段以及1500米～1750米深度段處，電阻率曲線和速度曲線是正相關(guān)為主，合成記錄與井旁地震道的波動(dòng)不一致；第一屬性和第二屬性的互相關(guān)值為負(fù)。當(dāng)處于該井大于1950米深度段時(shí)，電阻率曲線與速度曲線呈負(fù)相關(guān)時(shí)為正常，而電阻率曲線與速度曲線呈正相關(guān)時(shí)為異常，此時(shí)，當(dāng)?shù)谝粚傩耘c第二屬性的互相關(guān)值為正時(shí)，可以采用第二調(diào)校方式對(duì)速度曲線或密度曲線進(jìn)行調(diào)校。

圖6示出了采用現(xiàn)有技術(shù)對(duì)圖5中的測(cè)井曲線調(diào)校得到的測(cè)井曲線。圖6中，從左到右的曲線依次表示：密度曲線；電阻率曲線及該電阻率曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線；聲波速度曲線及該速度曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線；根據(jù)取了自然對(duì)數(shù)的電阻率曲線、電阻率曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線和速度曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線擬合所得的速度曲線；根據(jù)擬合所得速度曲線與密度曲線得到的合成地震記錄。

圖7示出了采用第二調(diào)校方式對(duì)圖5中的測(cè)井曲線調(diào)校得到的測(cè)井曲線。圖7中，從左到右的曲線依次表示：密度曲線；電阻率曲線及該電阻率曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線；聲波速度曲線及該速度曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線；根據(jù)電阻率曲線、電阻率曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線和速度曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線映射所得的速度曲線；根據(jù)映射所得速度曲線與密度曲線得到的合成地震記錄。由于第二調(diào)校方式中采用了鏡像映射，鏡像映射后的曲線的波谷變成了波峰，而波峰部分變成了波谷，這樣，電阻率曲線與鏡像映射后的曲線在各波峰或波谷段都是負(fù)相關(guān)了。通過(guò)該方法可以對(duì)第一屬性曲線在一定程度上進(jìn)行隨局部具體情況作映射幅差的調(diào)整。從圖7可以看出，根據(jù)調(diào)校后的速度曲線與密度曲線得到的合成記錄與井旁地震道匹配情況比圖6中的匹配情況更好。

上述實(shí)施例提供的對(duì)巖石密度和速度曲線調(diào)校的方法，利用砂泥巖地層中正常密度或速度曲線因地層的壓實(shí)效應(yīng)大致存在著隨深度增加而變大的趨勢(shì)(低頻趨勢(shì))這一特點(diǎn)，直接利用低頻趨勢(shì)線對(duì)泥巖段或未膠結(jié)或膠結(jié)差的砂巖段因井壁擴(kuò)徑而造成的出現(xiàn)在低部位段的異常低速度值或密度值進(jìn)行調(diào)校，調(diào)校實(shí)施過(guò)程快捷，可以快速改進(jìn)速度和密度曲線的質(zhì)量。

圖8是本申請(qǐng)對(duì)巖石密度和速度曲線調(diào)校的裝置一個(gè)實(shí)施例的模塊圖。如圖8所示，所述裝置可以包括：判斷模塊201、第一調(diào)校模塊202和第二調(diào)校模塊203。其中，

所述判斷模塊201，可以用于基于井徑曲線或電阻率曲線在相同深度段與第一屬性曲線的相關(guān)性，或者結(jié)合對(duì)應(yīng)的合成記錄與井旁地震道信息的匹配結(jié)果，確定井徑的擴(kuò)徑對(duì)第一 屬性曲線產(chǎn)生的擴(kuò)徑影響為第一影響，或者確定井徑的擴(kuò)徑對(duì)第一屬性曲線產(chǎn)生的擴(kuò)徑影響為第二影響。

所述第一調(diào)校模塊202，可以用于當(dāng)所述判斷模塊201的判斷結(jié)果為第一影響時(shí)，采用與第一影響對(duì)應(yīng)的第一調(diào)校方式對(duì)所述第一屬性曲線進(jìn)行調(diào)校。所述第一調(diào)校方式具體可以包括：根據(jù)所述第一屬性曲線生成與所述第一屬性曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線；統(tǒng)計(jì)所述低頻趨勢(shì)線與第一屬性曲線各波谷段數(shù)據(jù)的最大幅差，確定其中的最小值、最大值和均值，確定大于所述均值的幅差第二幅差均值；將所述最小值和所述最大值之間的差值根據(jù)預(yù)設(shè)步距劃分為多個(gè)區(qū)間，根據(jù)預(yù)設(shè)規(guī)則確定待調(diào)校區(qū)間；根據(jù)第二預(yù)設(shè)規(guī)則對(duì)所述待調(diào)校區(qū)間的第一屬性曲線進(jìn)行調(diào)校。

所述第二調(diào)校模塊203，可以用于當(dāng)所述判斷模塊201的判斷結(jié)果為第二影響時(shí)，采用與第二影響對(duì)應(yīng)的第二調(diào)校方式對(duì)所述第一屬性曲線進(jìn)行調(diào)校。所述第二調(diào)校方式具體可以包括：獲取與所述第一屬性曲線對(duì)應(yīng)的第二屬性曲線，將所述第二屬性曲線或取自然對(duì)數(shù)的第二屬性曲線作為第一結(jié)果曲線；分別計(jì)算所述第一屬性曲線和所述第一結(jié)果曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線；根據(jù)所述第一結(jié)果曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線與第二屬性曲線的交點(diǎn)，確定第二屬性曲線的各波峰段和各波谷段，計(jì)算所述各波峰段和各波谷段處對(duì)應(yīng)的第一屬性和第二屬性的互相關(guān)值，并確定目標(biāo)區(qū)域；統(tǒng)計(jì)所述目標(biāo)區(qū)域內(nèi)所述第一結(jié)果曲線或者旋轉(zhuǎn)后的第一結(jié)果曲線與所述第一結(jié)果曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線之間的幅差的第二均方值，以及所述目標(biāo)區(qū)域內(nèi)第一屬性曲線與第一屬性曲線對(duì)應(yīng)的低頻趨勢(shì)線之間的幅差的第一均方值；根據(jù)所述第一均方值和第二均方值，對(duì)所述第一屬性曲線的目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行調(diào)校。

上述實(shí)施例提供的對(duì)巖石密度和速度曲線調(diào)校的裝置實(shí)施例，與本申請(qǐng)方法實(shí)施例相對(duì)應(yīng)，可以實(shí)現(xiàn)本申請(qǐng)方法實(shí)施例并取得方法實(shí)施例的技術(shù)效果。

在20世紀(jì)90年代，對(duì)于一個(gè)技術(shù)的改進(jìn)可以很明顯地區(qū)分是硬件上的改進(jìn)(例如，對(duì)二極管、晶體管、開關(guān)等電路結(jié)構(gòu)的改進(jìn))還是軟件上的改進(jìn)(對(duì)于方法流程的改進(jìn))。然而，隨著技術(shù)的發(fā)展，當(dāng)今的很多方法流程的改進(jìn)已經(jīng)可以視為硬件電路結(jié)構(gòu)的直接改進(jìn)。設(shè)計(jì)人員幾乎都通過(guò)將改進(jìn)的方法流程編程到硬件電路中來(lái)得到相應(yīng)的硬件電路結(jié)構(gòu)。因此，不能說(shuō)一個(gè)方法流程的改進(jìn)就不能用硬件實(shí)體模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，可編程邏輯器件(programmablelogicdevice,pld)(例如現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(fieldprogrammablegatearray，fpga))就是這樣一種集成電路，其邏輯功能由用戶對(duì)器件編程來(lái)確定。由設(shè)計(jì)人員自行編程來(lái)把一個(gè)數(shù)字系統(tǒng)“集成”在一片pld上，而不需要請(qǐng)芯片制造廠商來(lái)設(shè)計(jì)和制 作專用的集成電路芯片2。而且，如今，取代手工地制作集成電路芯片，這種編程也多半改用“邏輯編譯器(logiccompiler)”軟件來(lái)實(shí)現(xiàn)，它與程序開發(fā)撰寫時(shí)所用的軟件編譯器相類似，而要編譯之前的原始代碼也得用特定的編程語(yǔ)言來(lái)撰寫，此稱之為硬件描述語(yǔ)言(hardwaredescriptionlanguage，hdl)，而hdl也并非僅有一種，而是有許多種，如abel(advancedbooleanexpressionlanguage)、ahdl(alterahardwaredescriptionlanguage)、confluence、cupl(cornelluniversityprogramminglanguage)、hdcal、jhdl(javahardwaredescriptionlanguage)、lava、lola、myhdl、palasm、rhdl(rubyhardwaredescriptionlanguage)等，目前最普遍使用的是vhdl(very-high-speedintegratedcircuithardwaredescriptionlanguage)與verilog2。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該清楚，只需要將方法流程用上述幾種硬件描述語(yǔ)言稍作邏輯編程并編程到集成電路中，就可以很容易得到實(shí)現(xiàn)該邏輯方法流程的硬件電路。

控制器可以按任何適當(dāng)?shù)姆绞綄?shí)現(xiàn)，例如，控制器可以采取例如微處理器或處理器以及存儲(chǔ)可由該(微)處理器執(zhí)行的計(jì)算機(jī)可讀程序代碼(例如軟件或固件)的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)、邏輯門、開關(guān)、專用集成電路(applicationspecificintegratedcircuit，asic)、可編程邏輯控制器和嵌入微控制器的形式，控制器的例子包括但不限于以下微控制器：arc625d、atmelat91sam、microchippic18f26k20以及siliconelabsc8051f320，存儲(chǔ)器控制器還可以被實(shí)現(xiàn)為存儲(chǔ)器的控制邏輯的一部分。

本領(lǐng)域技術(shù)人員也知道，除了以純計(jì)算機(jī)可讀程序代碼方式實(shí)現(xiàn)控制器以外，完全可以通過(guò)將方法步驟進(jìn)行邏輯編程來(lái)使得控制器以邏輯門、開關(guān)、專用集成電路、可編程邏輯控制器和嵌入微控制器等的形式來(lái)實(shí)現(xiàn)相同功能。因此這種控制器可以被認(rèn)為是一種硬件部件，而對(duì)其內(nèi)包括的用于實(shí)現(xiàn)各種功能的裝置也可以視為硬件部件內(nèi)的結(jié)構(gòu)?；蛘呱踔?，可以將用于實(shí)現(xiàn)各種功能的裝置視為既可以是實(shí)現(xiàn)方法的軟件模塊又可以是硬件部件內(nèi)的結(jié)構(gòu)。

上述實(shí)施例闡明的系統(tǒng)、裝置、模塊或單元，具體可以由計(jì)算機(jī)芯片或?qū)嶓w實(shí)現(xiàn)，或者由具有某種功能的產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)。

為了描述的方便，描述以上裝置時(shí)以功能分為各種單元分別描述。當(dāng)然，在實(shí)施本申請(qǐng)時(shí)可以把各單元的功能在同一個(gè)或多個(gè)軟件和/或硬件中實(shí)現(xiàn)。

通過(guò)以上的實(shí)施方式的描述可知，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到本申請(qǐng)可借助軟件加必需的通用硬件平臺(tái)的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)?；谶@樣的理解，本申請(qǐng)的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說(shuō)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來(lái)，在一個(gè)典型的配置中，計(jì)算設(shè)備包括一個(gè)或多個(gè)處理器(cpu)、輸入/輸出接口、網(wǎng)絡(luò)接口和內(nèi)存。該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品可以 包括若干指令用以使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可以是個(gè)人計(jì)算機(jī)，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本申請(qǐng)各個(gè)實(shí)施例或者實(shí)施例的某些部分所述的方法。該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品可以存儲(chǔ)在內(nèi)存中，內(nèi)存可能包括計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中的非永久性存儲(chǔ)器，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram)和/或非易失性內(nèi)存等形式，如只讀存儲(chǔ)器(rom)或閃存(flashram)。內(nèi)存是計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的示例。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)包括永久性和非永久性、可移動(dòng)和非可移動(dòng)媒體可以由任何方法或技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)。信息可以是計(jì)算機(jī)可讀指令、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、程序的模塊或其他數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)介質(zhì)的例子包括，但不限于相變內(nèi)存(pram)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(sram)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram)、其他類型的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram)、只讀存儲(chǔ)器(rom)、電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(eeprom)、快閃記憶體或其他內(nèi)存技術(shù)、只讀光盤只讀存儲(chǔ)器(cd-rom)、數(shù)字多功能光盤(dvd)或其他光學(xué)存儲(chǔ)、磁盒式磁帶，磁帶磁磁盤存儲(chǔ)或其他磁性存儲(chǔ)設(shè)備或任何其他非傳輸介質(zhì)，可用于存儲(chǔ)可以被計(jì)算設(shè)備訪問(wèn)的信息。按照本文中的界定，計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)不包括短暫電腦可讀媒體(transitorymedia)，如調(diào)制的數(shù)據(jù)信號(hào)和載波。

本說(shuō)明書中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見即可，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處。尤其，對(duì)于系統(tǒng)實(shí)施例而言，由于其基本相似于方法實(shí)施例，所以描述的比較簡(jiǎn)單，相關(guān)之處參見方法實(shí)施例的部分說(shuō)明即可。

本申請(qǐng)可用于眾多通用或?qū)Ｓ玫挠?jì)算機(jī)系統(tǒng)環(huán)境或配置中。例如：個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器計(jì)算機(jī)、手持設(shè)備或便攜式設(shè)備、平板型設(shè)備、多處理器系統(tǒng)、基于微處理器的系統(tǒng)、置頂盒、可編程的消費(fèi)電子設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)pc、小型計(jì)算機(jī)、大型計(jì)算機(jī)、包括以上任何系統(tǒng)或設(shè)備的分布式計(jì)算環(huán)境等等。

本申請(qǐng)可以在由計(jì)算機(jī)執(zhí)行的計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令的一般上下文中描述，例如程序模塊。一般地，程序模塊包括執(zhí)行特定任務(wù)或?qū)崿F(xiàn)特定抽象數(shù)據(jù)類型的例程、程序、對(duì)象、組件、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)等等。也可以在分布式計(jì)算環(huán)境中實(shí)踐本申請(qǐng)，在這些分布式計(jì)算環(huán)境中，由通過(guò)通信網(wǎng)絡(luò)而被連接的遠(yuǎn)程處理設(shè)備來(lái)執(zhí)行任務(wù)。在分布式計(jì)算環(huán)境中，程序模塊可以位于包括存儲(chǔ)設(shè)備在內(nèi)的本地和遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)中。

雖然通過(guò)實(shí)施例描繪了本申請(qǐng)，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員知道，本申請(qǐng)有許多變形和變化而不脫離本申請(qǐng)的精神，希望所附的權(quán)利要求包括這些變形和變化而不脫離本申請(qǐng)的精神。