1.一種電流傳感器，其特征在于，具備：
導(dǎo)體，被測(cè)量電流流過該導(dǎo)體；
第一磁電轉(zhuǎn)換元件，其被配置在所述導(dǎo)體的附近；
第二磁電轉(zhuǎn)換元件，其隔著所述導(dǎo)體配置在所述第一磁電轉(zhuǎn)換元件的相反側(cè)；
絕緣構(gòu)件，其支承所述第一磁電轉(zhuǎn)換元件和所述第二磁電轉(zhuǎn)換元件；以及
金屬板，其與所述導(dǎo)體絕緣，
其中，所述絕緣構(gòu)件不被所述導(dǎo)體支承而被所述金屬板支承，
所述導(dǎo)體的一部分具有高度差，通過所述高度差，所述導(dǎo)體被配置為與所述絕緣構(gòu)件不接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流傳感器，其特征在于，
還具備模制構(gòu)件，該模制構(gòu)件用于將所述導(dǎo)體、所述第一磁電轉(zhuǎn)換元件、所述第二磁電轉(zhuǎn)換元件、所述絕緣構(gòu)件以及所述金屬板模制成型，
所述金屬板與所述絕緣構(gòu)件接觸，
所述金屬板的一部分從所述模制構(gòu)件露出。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電流傳感器，其特征在于，
還具備信號(hào)處理IC，該信號(hào)處理IC被配置在所述金屬板上，
所述第一磁電轉(zhuǎn)換元件和所述第二磁電轉(zhuǎn)換元件與所述信號(hào)處理IC電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中的任一項(xiàng)所述的電流傳感器，其特征在于，
所述導(dǎo)體與所述絕緣構(gòu)件之間被模制樹脂填充。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中的任一項(xiàng)所述的電流傳感器，其特征在于，
所述第一磁電轉(zhuǎn)換元件和所述第二磁電轉(zhuǎn)換元件使用芯片貼裝膜而與所述絕緣構(gòu)件芯片接合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中的任一項(xiàng)所述的電流傳感器，其特征在于，
所述金屬板俯視時(shí)具有凹狀部和突出部，其中，所述凹狀部以向與所述導(dǎo)體側(cè)相反的一側(cè)凹的方式形成，所述突出部設(shè)置在所述凹狀部的兩端，朝向所述導(dǎo)體側(cè)突出，
所述導(dǎo)體俯視時(shí)具有凸?fàn)畈?，該凸?fàn)畈渴且苑謩e沿著所述金屬板的所述凹狀部和所述突出部的方式形成的。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電流傳感器，其特征在于，
所述導(dǎo)體以包圍所述第一磁電轉(zhuǎn)換元件的周圍的方式形成，
所述第二磁電轉(zhuǎn)換元件被配置在以包圍所述第一磁電轉(zhuǎn)換元件的方式形成的所述導(dǎo)體的外側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中的任一項(xiàng)所述的電流傳感器，其特征在于，
所述第一磁電轉(zhuǎn)換元件的感磁部和所述第二磁電轉(zhuǎn)換元件的各感磁部在包含所述導(dǎo)體的面的垂直方向上設(shè)置于所述導(dǎo)體的上表面與下表面之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中的任一項(xiàng)所述的電流傳感器，其特征在于，
當(dāng)將所述導(dǎo)體與所述絕緣構(gòu)件之間的距離設(shè)為g、將所述第一磁電轉(zhuǎn)換元件的厚度設(shè)為d1、將所述第二磁電轉(zhuǎn)換元件的厚度設(shè)為d2時(shí)，滿足下述式1和式2，
10μm≤g≤d1μm…(1)
10μm≤g≤d2μm…(2)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1～9中的任一項(xiàng)所述的電流傳感器，其特征在于，
所述導(dǎo)體與所述第一磁電轉(zhuǎn)換元件之間的距離和所述導(dǎo)體與所述第二磁電轉(zhuǎn)換元件之間的距離w俯視時(shí)為50μm以上且150μm以下。
11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電流傳感器，其特征在于，
所述信號(hào)處理IC基于所述第一磁電轉(zhuǎn)換元件的輸出與所述第二磁電轉(zhuǎn)換元件的輸出之間的差，消除外部產(chǎn)生的磁場(chǎng)的影響來計(jì)算電流值。
12.根據(jù)權(quán)利要求1～11中的任一項(xiàng)所述的電流傳感器，其特征在于，
所述絕緣構(gòu)件是絕緣帶或涂布有粘接劑的絕緣片。