1.一種壓力傳感器的制備方法，其特征在于，包括：
提供一半導(dǎo)體基板，所述半導(dǎo)體基板中形成有互連結(jié)構(gòu)和底部接觸電極；
形成犧牲層，所述犧牲層覆蓋所述底部接觸電極；
形成壓力感應(yīng)層，所述壓力感應(yīng)層覆蓋所述犧牲層、互連結(jié)構(gòu)的上層金屬層及剩余的半導(dǎo)體基板表面，所述壓力感應(yīng)層包括頂壁、底壁和側(cè)壁，所述頂壁位于所述犧牲層上，所述側(cè)壁圍繞在所述犧牲層的周圍，所述底壁位于所述互連結(jié)構(gòu)的上層金屬層上；
在壓力感應(yīng)層上形成掩膜層；
刻蝕壓力感應(yīng)層，在壓力感應(yīng)層的頂壁上未被掩膜層保護(hù)的區(qū)域形成開口；
利用第一灰化工藝去除所述掩膜層；
對(duì)刻蝕后的壓力感應(yīng)層進(jìn)行濕法清洗；
利用第二灰化工藝，通過所述開口去除犧牲層。
2.如權(quán)利要求1所述的壓力傳感器的制備方法，其特征在于，所述第一灰化工藝的工藝參數(shù)為：時(shí)間：20～30S/溫度：170℃～300℃/功率：1000W～2000W/氧氣：流量1510SCCM～3000SCCM。
3.如權(quán)利要求2所述的壓力傳感器的制備方法，其特征在于，所述第二灰化工藝的工藝參數(shù)為：時(shí)間：100S～150S/溫度：170℃～300℃/功率：1000W～2000W/氧氣流量：1510SCCM～3000SCCM/H2N2流量：140SCCM～300SCCM/CF4流量：3SCCM～8SCCM。
4.如權(quán)利要求1所述的壓力傳感器的制備方法，其特征在于，所述濕法清洗的參數(shù)為：濕法工藝化學(xué)溶液是ST-44，工藝時(shí)間是90～150分鐘。
5.如權(quán)利要求1所述的壓力傳感器的制備方法，其特征在于，所述犧牲層的材料為非晶碳，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝形成所述犧牲層，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝采用的溫度為400℃～500℃。