本發(fā)明專利涉及一種測定分子篩結晶度的粉末X射線衍射方法，具體講是一種測定ZSM-22分子篩相對結晶度的粉末X射線衍射方法。
背景技術：
：沸石分子篩作為催化劑或催化劑載體，廣泛應用于石油化工的催化過程。相對結晶度、晶胞參數(shù)、硅鋁比、純度等是表征分子篩性能不可缺少的基本參數(shù)。因此，準確測定分子篩的結晶度等對于設計分子篩制備工藝和評價相關催化劑的性能是十分重要的。粉末X射線衍射法制樣簡單、測定時間短、重復性好、可靠性高、費用低，廣泛應用于分子篩結晶度、晶胞參數(shù)、硅鋁比和純度等的測定中。結晶度是合成工業(yè)ZSM-22分子篩的重要質量控制指標，實際的工業(yè)ZSM-22分子篩合成是通過測定其結晶度來決定晶化條件的，并且它也關系到工業(yè)產品的質量優(yōu)劣和是否能用于后續(xù)催化劑的制備。但利用粉末X射線衍射法詳細測定工業(yè)產品ZSM-22分子篩相對結晶度的專利、標準或研究報告尚未見報道。涉及ZSM-22分子篩較多的是合成或相關的催化研究報告，但在其中通常也只是簡述該測定，并沒有敘述具體的測定步驟(例如，霍志萍，李孝國，張耀日，等.ZSM-22分子篩合成研究進展.工業(yè)催化，2013，21(3)：9～12.)?！吨袊鴥?yōu)秀碩士學位論文全文數(shù)據(jù)庫工程科技Ⅰ輯》，2013年第07期，邢偉靜，《ZSM-5分子篩的制備及其顆粒度、結晶度研究》，2013年7月25日，公開了一種XRD測量ZSM-5結晶度的方法，其中公開了通過XRD來計算其相對結晶度，ZSM-5結構與ZSM-22分子篩不同，系不同的物質，ZSM是美孚公司的硅鋁分子篩牌號。不同結構的不同物質，其分析方法自然不同；該系列研究資料中，沒有解決分子篩標準物問題，采用市售商品ZSM-5分子篩樣品為參比樣，故在標準物選擇上沒有進行研發(fā)，從而使其相對結晶度 數(shù)據(jù)(質量百分數(shù))從數(shù)十至一百多不等；眾所周知，無論什么晶體材料，其完美結晶的樣品，結晶度才可能為100％；此外，ZSM-5是小晶粒分子篩，其產品的粒度范圍通常為5μm～7μm，有的晶粒度低至2μm，不存在研磨、過篩獲取篩分后進行分析的問題；再者，晶化溫度(或者說是反應溫度、反應器溫度)是指在制備分子篩時，分子篩在原料反應溶液中形成并成長為大晶粒的過程中需控制的一個反應液參數(shù)。為制備最佳結晶度的分子篩，需要考察不同的晶化(或反應)溫度、晶化時間對結晶度或試樣有關譜峰相對峰高、峰面積的影響；而經過濾溶液得到濕基分子篩，將其洗滌、脫水、干燥得到干基分子篩，然后儲藏之以備工業(yè)應用。在進行相對結晶度的XRD分析前，需要對其進行焙燒活化處理以得到完全潔凈的表面，該焙燒活化過程與晶化過程(涉及晶化溫度、時間)是兩個完全不同的過程?！斗勰┒嗑射線衍射技術原理及應用》，鄭州大學出版社，張海軍等主編，提到XRD測試時對樣品的前處理是研磨，《粉末多晶X射線衍射技術原理及應用》中樣品研磨后粉末粒度約為1μm～5μm，這種研磨存在嚴重的弊端，不能保證解決顆粒篩分過程中產生靜電的問題。眾所周知要獲得小于10μm粒度的顆粒，尤其還要求有一定粒度范圍的顆粒，一定須用篩子?？尚∮?0μm的標準篩子，國內外都沒有出售，即使花費大量外匯，特殊訂購，外商答復：不能保證解決顆粒篩分過程中產生靜電的問題。綜上，現(xiàn)有技術存在很多弊端，且分子篩制備專利強調的重點是詳細合成條件的選擇，其中不涉及或甚少涉及XRD表征的問題。所有ZSM-22分子篩制備專利，在涉及結晶度分析問題時，通常僅僅列出所用儀器XRD或其XRD譜圖及其譜圖之間的對比、結晶度數(shù)據(jù)等，詳細的分析過程或方法沒有?？傊紤]到任何樣品的結晶度都不可能超過完美結晶的100％結晶度，所以，在進行相對結晶度分析時，首先需要解決一個最高結晶度的同系原料、同一合成工藝、同一分子篩選擇問題，這個過程只有在分子篩工業(yè)放大或大批量工業(yè)生產時，才具有重大的實踐意義。優(yōu)選一個標準物并加以表征，需要很久時間，并作上百次(合成)或數(shù)百次(分析表征)試驗，涉及XRD、電子顯微鏡、BET、元素分析等。優(yōu)選標準物問題不解決，后續(xù)一系列問題，將無法解決或不能給予合理解釋。本發(fā)明可以規(guī)范工業(yè)產品ZSM-22分子篩的產品質控分析，有助于 ZSM-22分子篩及后續(xù)催化劑的工業(yè)推廣應用和開展外委分析工作。由于國內外尚無公開的工業(yè)產品ZSM-22分子篩相對結晶度分析試驗方法的標準，因此，本發(fā)明專利以工業(yè)產品ZSM-22分子篩相對結晶度的多家實驗室聯(lián)合分析研究結果為依據(jù)，確定發(fā)明專利的方法精密度。技術實現(xiàn)要素：本發(fā)明提供了一種準確測定工業(yè)產品ZSM-22分子篩相對結晶度的粉末X射線衍射方法，為分子篩的合成或相關催化劑的制備及工業(yè)應用提供可靠的技術支持。本發(fā)明的目的是，首先解決參比物的選擇問題，參比物選用ZSM-22分子篩標準物，怎么選擇并進行嚴格分析表征，系我們在數(shù)百次分析試驗的基礎上首次提出的，目前，沒有任何文獻報道。本發(fā)明的另一目的是，經過大量試驗，同樣是篩分，我們本專利只需要做到將ZSM-22分子篩研磨至20μm～30μm即可，這樣做得益處是：省時、省力，因顆粒不太細小，還不易產生靜電，而且，也是最關鍵的：其分析精度能滿足工業(yè)生產高效、快速的要求。本發(fā)明提供一種測定ZSM-22分子篩相對結晶度的方法，包括如下步驟：a、樣品的前處理將ZSM-22分子篩的標準樣品和工業(yè)樣品分別經過研磨、過篩、焙燒活化和控溫恒濕吸水四個步驟制得標準試樣和工業(yè)試樣；b、粉末X射線衍射儀工作條件的確定啟動粉末X射線衍射儀后，選用NIST硅粉核查測角儀的角度重現(xiàn)性為±0.0001°，整機穩(wěn)定度為≤0.1％，根據(jù)工業(yè)試樣X射線衍射譜圖中最弱衍射峰衍射信號的信噪比S/N≥5/1，確定粉末X射線衍射儀電壓、電流、發(fā)散狹縫、發(fā)散高度限制狹縫、防散射狹縫、接收狹縫、濾光片或單色器的參數(shù)，獲得試樣的最佳粉末X射線衍射譜圖；c、測定在相同的粉末X射線衍射儀工作條件下，將標準試樣和工業(yè)試樣分別裝填進相應的粉末X射線衍射儀樣品架中，進行試樣測定并收集其粉末X射線衍射數(shù)據(jù)；d、計算采用粉末X射線衍射數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)軟件的化學計量學分峰方法，測定試樣(021)、(131)、(330)、(400)4個晶面衍射峰的峰面積積分強度計數(shù)值并求和，用外標法計算工業(yè)試樣的相對結晶度。開啟粉末X射線衍射儀進行ZSM-22分子篩標準試樣及工業(yè)試樣測定，在相同的試驗條件下，分別收集2θ角度6°～29°范圍內ZSM-22分子篩標準試樣及工業(yè)試樣的銅KαX射線衍射數(shù)據(jù)，采用粉末X射線衍射數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)軟件的化學計量學分峰方法，測定試樣(021)、(131)、(330)、(400)4個晶面衍射峰的峰面積積分強度計數(shù)值并求和，用外標法計算試樣的相對結晶度。化學計量學分峰方法有多種，本專利在經數(shù)值分析大量樣品試驗數(shù)據(jù)的基礎上，選用Pearson-Ⅶ方法。本發(fā)明所述的測定ZSM-22分子篩相對結晶度的方法，其中，步驟a中所述ZSM-22分子篩待測工業(yè)樣品的相對結晶度范圍優(yōu)選為67％～97％；ZSM-22分子篩標準樣品的結晶度優(yōu)選為99％，其雜晶含量優(yōu)選小于0.5％，純度優(yōu)選優(yōu)于99％，且與待測工業(yè)樣品合成時，具有相同的原料配比和合成方法。本發(fā)明所述的測定ZSM-22分子篩相對結晶度的方法，其中，優(yōu)選的是，步驟a中在對所述ZSM-22分子篩樣品焙燒活化處理前，對所述ZSM-22分子篩樣品進行脫除模板劑處理。本發(fā)明所述的測定ZSM-22分子篩相對結晶度的方法，其中，優(yōu)選的是，步驟a中所述ZSM-22分子篩樣品進行脫除模板劑處理的步驟是：先進行所述ZSM-22分子篩樣品的熱分析，通過其熱失重曲線或其一次微分曲線，獲得完全脫除模板劑的最低溫度，并在該最低溫度下進行脫除模板劑。本發(fā)明所述的測定ZSM-22分子篩相對結晶度的方法，其中，步驟a中所述研磨、過篩后，粉末的粒度控制范圍優(yōu)選為10μm～50μm，更優(yōu)選為20μm～30μm。本發(fā)明所述的測定ZSM-22分子篩相對結晶度的方法，其中，步驟a中所述焙燒活化條件為：焙燒活化溫度優(yōu)選為250℃～450℃，焙燒活化時間優(yōu)選為2h～6h。本發(fā)明所述的測定ZSM-22分子篩相對結晶度的方法，其中，步驟c中，于恒溫恒濕箱中對樣品架與待測標準試樣和待測工業(yè)試樣進行相同的控溫恒濕處理，所述溫控范圍為35℃～65℃，優(yōu)選為45℃～55℃，控溫恒濕吸水時間優(yōu)選為3h～7h。本發(fā)明還可詳述如下：首先將ZSM-22分子篩標準樣品及工業(yè)樣品經過研磨、過篩、焙燒活化、控溫恒濕以加速吸水處理，得到待測試樣，在相同的粉末X射線衍射儀工作條件下，將ZSM-22分子篩標準試樣及工業(yè)試樣分別壓入相應的X射線衍射儀樣品架中，進行試樣測定并分別收集其粉末X射線衍射數(shù)據(jù)，啟動粉末X射線衍射儀后，用硅粉驗證儀器測角儀的角度重現(xiàn)性(±0.0001°)和整機穩(wěn)定度(≤0.1％)符合測定要求；采用粉末X射線衍射數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)軟件的化學計量學分峰方法(Pearson-Ⅶ方法)，測定(021)、(131)、(330)、(400)4個晶面衍射峰的峰面積積分強度計數(shù)值并求和，用外標法計算試樣的相對結晶度。其特征在于樣品研磨、過篩粒度范圍控制在20μm～30μm，即粒度偏差小于10μm；最大限度減輕測定時制備試樣的粉末研磨工作量，并避免因為試樣粉末粒度太小而極易產生靜電的問題，還解決了非常細小粒度粉末過篩時，需要向外國廠商特殊訂購篩子，花費大量外匯的問題，同時更不必擔心外商聲稱不能保證解決如此細小粉末過篩易產生靜電的問題；樣品焙燒活化處理時采用馬弗爐，溫度控制在250℃～450℃，得到純凈表面的待測試樣，然后進行控溫、恒濕以加速飽和吸水處理，將標準試樣及工業(yè)試樣分別壓入相應的樣品架中，進行試樣測定并收集粉末X射線衍射數(shù)據(jù)。采用上述方法，工業(yè)ZSM-22樣品相對結晶度測定范圍為67％～97％，ZSM-22分子篩純相標準樣品的結晶度為99％，用作外標樣。采用上述方法，ZSM-22分子篩純相標準樣品要采用大功率(例如，18kW)粉末X射線衍射儀進行純度檢驗，以保證其所含雜晶小于0.5％，即純度優(yōu)于99％，非晶未檢出；且與工業(yè)ZSM-22分子篩合成時，具有相同的原料配比和合成方法。采用上述方法，由于樣品經過篩分后，粉末的粒度控制范圍為20μm～30μm，即控制粒度粒徑偏差小于10μm，提高了粉末衍射數(shù)據(jù)測定的準確度，而且較為省時、省力，并可避免因粉末顆粒過于細小而極易產生靜電的問題。采用上述方法，在進行樣品活化預處理時采用馬弗爐焙燒2h～6h，焙燒溫度250℃～450℃。根據(jù)合成方法的不同(包括原料配比的不同)，焙燒活化時要避免分子篩晶體結構因馬弗爐溫度過高而受到破壞及溫度過低致使分子篩不能充分被活化即不能形成完全潔凈的表面，影響后續(xù)吸水過程，進而影響該分子篩的相對結晶度測定數(shù)據(jù)。上述方法，能有效地將已脫除模板劑的ZSM-22分子篩吸附的包括水等各種無機和有機雜質完全脫附，得到純凈表面的樣品，這與Y分子篩的預處理溫度110℃及預處理設備采用烘箱是截然不同的，詳見行業(yè)標準SH/T0339-1992。如果樣品含模板劑，則需要先進行ZSM-22分子篩的熱分析，通過其TG曲線及DTG(微分)曲線，找到能夠完全脫除模板劑的最低溫度，再在該最低溫度下進行徹底脫除模板劑，避免分子篩結構因脫除模板劑的爐溫過高而受到破壞及爐溫過低又不能完全脫除模板劑或者脫除時間拖得過長。具體操作可通過取一系列的工業(yè)分子篩樣品，分別將其置于惰性陶瓷等坩堝中，再分別放置于馬弗爐中，在脫除模板劑的最低溫度下加熱不同的時間后，分別將其取出并在干燥器中冷卻至室溫，然后在感量為萬分之一克分析天平上稱量，如果模板劑已經脫除完畢，此時及之后的樣品因脫除模板劑而失重的百分率應該恒定，這樣便可找出完全脫除模板劑的最短時間，以節(jié)約能源，尤其在工業(yè)生產中，其節(jié)能效益更為顯著。ZSM-22分子篩焙燒活化前，需要先確保已脫除模板劑。采用上述方法，試驗所用的樣品架也需要與試樣進行相同的控溫恒濕處理。采用上述方法，用NIST硅粉核查粉末X射線衍射儀測角儀的角度重現(xiàn)性(±0.0001°)和整機穩(wěn)定度(≤0.1％)符合測定要求，以保證發(fā)明方法的精密度滿足其工業(yè)產品質控分析的要求。啟動粉末X射線衍射儀后，根據(jù)工業(yè)試樣X射線衍射譜圖中最弱衍射峰衍射信號的信噪比(S/N≥5/1)，確定衍射儀其它工作參數(shù)：電壓、電流、發(fā)散狹縫、發(fā)散高度限制狹縫、防散射狹縫、接收狹縫、濾光片或單色器，以便獲得試樣的最佳X射線衍射譜圖；本發(fā)明的有益效果：首次明確提出結晶材料相對結晶度分析時，結晶標準物的選擇原則和選擇 方法；只需要做到將ZSM-22分子篩研磨至20μm～30μm即可，這樣做得益處是：省時、省力，因顆粒不太細小，還不易產生靜電，而且最關鍵的是其分析精度能滿足工業(yè)生產高效、快速的要求；同時，關于焙燒活化：首次明確提出先進行分子篩的熱分析，以確定最低活化溫度，并在此最低溫度下進行分子篩的焙燒以活化之，在保證不破壞分子篩結構的前提下，獲得潔凈表面的分子篩，以便進行后續(xù)分析；控溫恒濕吸水：首次提出控溫并適當提高吸水溫度，在保證飽和吸水的條件下，使吸水過程縮短，這有利于加快分析速度；關于儀器標定以確定儀器精度的方案在本專利中系首次提出；關于獲得最佳譜圖的問題：經過大量試驗，本專利獲得了只要保證ZSM-22分子篩中最弱譜峰的信噪比不小于5/1，即可滿足XRD相對結晶度分析要求的新概念；提供一種準確測定工業(yè)產品ZSM-22分子篩相對結晶度的粉末X射線衍射方法，為分子篩的合成或相關催化劑的制備及工業(yè)應用提供可靠的技術支持。附圖說明圖1：工業(yè)ZSM-22分子篩試樣典型的粉末X射線衍射圖；圖2：工業(yè)ZSM-22分子篩試樣典型的化學計量學分峰擬合圖(選用Pearson-Ⅶ方法)。具體實施方式以下通過實施例進一步說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限于這些實施例。以下對本發(fā)明的實施例作詳細說明：本實施例在以本發(fā)明技術方案為前提下進行實施，給出了詳細的實施方式和過程，但本發(fā)明的保護范圍不限于下述的實施例，下列實施例中未注明具體條件的實驗方法，通常按照常規(guī)條件。待測工業(yè)試樣X射線衍射譜圖中最弱衍射峰衍射信號的信噪比：在本發(fā)明中，對待測工業(yè)試樣X射線衍射譜圖中最弱衍射峰衍射信號的信噪比并無特別限定，通常待測工業(yè)試樣X射線衍射譜圖中最弱衍射峰衍射信號的信噪比S/N≥5/1，確定粉末X射線衍射儀電壓、電流、發(fā)散狹縫、發(fā)散 高度限制狹縫、防散射狹縫、接收狹縫、濾光片或單色器的參數(shù)，獲得試樣的最佳粉末X射線衍射譜圖；如果S/N<5/1，由于待測工業(yè)試樣X射線衍射譜圖中最弱衍射峰衍射信號的信噪比過小，造成相對結晶度分析數(shù)據(jù)不能滿足其工業(yè)生產質控分析對數(shù)據(jù)精密度和準確度的要求，并無其他有益效果。步驟a中所述ZSM-22分子篩待測工業(yè)樣品的相對結晶度范圍：在本發(fā)明中，對步驟a中所述ZSM-22分子篩待測工業(yè)樣品的相對結晶度范圍并無特別限定，通常步驟a中所述ZSM-22分子篩待測工業(yè)樣品的相對結晶度范圍為67％～97％；如果步驟a中所述ZSM-22分子篩待測工業(yè)樣品的相對結晶度小于67％，由于ZSM-22分子篩待測工業(yè)樣品的相對結晶度過小，造成該批次分子篩質量降等并且不能保證其可用于后續(xù)催化劑的制備；而步驟a中所述ZSM-22分子篩待測工業(yè)樣品的相對結晶度大于97％，由于ZSM-22分子篩待測工業(yè)樣品的相對結晶度過大，造成該批次分子篩用于后續(xù)催化劑制備時，催化劑的催化性能并不一定好，并無其他有益效果。ZSM-22分子篩標準樣品：在本發(fā)明中，對ZSM-22分子篩標準樣品并無特別限定，通常ZSM-22分子篩標準樣品的結晶度為99％，其雜晶含量小于0.5％，純度優(yōu)于99％，且與待測工業(yè)樣品合成時，具有相同的原料配比；如果雜晶含量≥0.5％，由于雜晶含量過高，有可能還不含一種雜晶，有時含兩種雜晶，并且在考慮雜晶含量分析誤差的情況下，造成不能保證所選標準物結晶度優(yōu)于99％，并無其他有益效果；如果純度≤99％，由于純度過低，造成不能保證所選標準物結晶度優(yōu)于99％，并無其他有益效果。粉末的粒度控制范圍：在本發(fā)明中，對粉末的粒度控制范圍并無特別限定，通常粉末的粒度控制范圍優(yōu)選為10μm～50μm，更優(yōu)選為20μm～30μm；如果粉末的粒度控制范圍小于20μm，造成研磨樣品費時、費力；篩孔越小，篩子越昂貴，如選用過小篩孔的篩子將增加購買篩具的成本；并且，篩孔越小，顆粒越細小，過篩時越易起靜電，靜電的產生將影響篩分操作不能正常 進行；如果粉末的粒度控制范圍大于30μm，造成衍射數(shù)據(jù)質量下降，不能保證工業(yè)生產質控分析所需的數(shù)據(jù)精密度和準確度，并無其他有益效果。步驟a中所述焙燒活化條件：在本發(fā)明中，對步驟a中所述焙燒活化條件并無特別限定，通常步驟a中所述焙燒活化條件為：焙燒活化溫度為250℃～450℃，焙燒活化時間為2h～6h；如果焙燒活化溫度為小于250℃，由于焙燒溫度過小，導致焙燒時間的浪費，且活化不完全，不能保證得到潔凈表面的分子篩；而焙燒活化溫度超過450℃，由于焙燒溫度過大，浪費能源，并可能造成分子篩骨架過度收縮、部分或完全破壞分子篩的結構，并無其他有益效果；如果馬弗爐焙燒小于2h，由于焙燒時間過短，造成活化不完全，不能保證得到潔凈表面的分子篩；而馬弗爐焙燒超過6h，由于焙燒時間過長，造成時間和能源浪費，并無其他有益效果?？販睾銤裉幚恚涸诒景l(fā)明中，對控溫恒濕處理并無特別限定，通常步驟c中，于恒溫恒濕箱中對樣品架與待測標準試樣和待測工業(yè)試樣進行相同的控溫恒濕處理，所述溫控范圍為35℃～65℃，優(yōu)化的溫度范圍為45℃～55℃，控溫恒濕吸水時間為3h～7h；如果溫控小于35℃，由于溫度過低，造成吸水時間過長，接近一晝夜，不能滿足工業(yè)生產高效、快速的質控分析要求，且過低的溫度，如接近室溫，恒溫恒濕箱對溫濕度也不好控制；而溫控大于65℃，由于溫度過高，造成箱內水蒸氣含量太高，局部吸水過于劇烈，也不易在分子篩整個外表面形成均勻的水膜并最終影響分析數(shù)據(jù)的精密度和準確度，并無其他有益效果。如果控溫恒濕吸水時間小于3h，由于時間過短，造成在分子篩外表面不能完全形成一層均勻的水膜，影響分析數(shù)據(jù)的精密度和準確度，而控溫恒濕吸水時間大于7h，由于時間過長，造成時間浪費，并無其他有益效果。1、樣品前處理取ZSM-22分子篩標準樣品及工業(yè)樣品各約1g，分別研細、過篩，收集 20μm～30μm的篩分約0.2g，再分別置于陶瓷等惰性坩堝中，放入250℃～450℃馬弗爐中活化2h～6h，待馬弗爐溫度降至約125℃，用坩堝鉗子將坩堝轉移到盛有氯化鎂飽和溶液的恒溫恒濕箱中，箱內溫度45℃～55℃，控溫恒濕吸水3h～7h。裝填試樣的樣品架也進行相同的恒濕處理。2、儀器工作條件粉末X射線衍射儀對工業(yè)ZSM-22分子篩試樣的分析表明：衍射峰的衍射強度隨著發(fā)散狹縫、接收狹縫的增加而增加；掃描步長增加，曲線的點-點分布變疏；掃描速度越慢，曲線越平滑；隨著電壓、電流的增加，產物衍射峰的衍射強度也線性增加。根據(jù)上述實驗，綜合考慮強度、峰背比、分辨率、曲線光滑度、峰形對稱性等因素，優(yōu)選出適合工業(yè)ZSM-22分子篩試樣分析的粉末X射線衍射儀工作條件見表1。優(yōu)化分析譜圖量化為：工業(yè)試樣X射線衍射譜圖中最弱衍射峰衍射信號的信噪比S/N≥5/1。表1儀器工作條件啟動粉末X射線衍射儀，待儀器穩(wěn)定后，用硅粉核查儀器測角儀的角度重現(xiàn)性(±0.0001°)和整機穩(wěn)定度(≤0.1％)符合測定的要求。對粉末X射線衍射儀進行設定，達到所推薦的儀器工作條件(見表1)或能獲得同等信噪比(S/N)的其它適宜條件(當粉末X射線衍射儀測定的工業(yè)ZSM-22分子篩衍射譜圖中最小峰的S/N不小于5/1時，X射線衍射儀工作條件即可滿足分析要求)。利用其最佳粉末X射線衍射曲線(見圖1)，采用粉末X射線衍射數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)軟件的化學計量學分峰程序(選用Pearson-Ⅶ方法)和外標法獲 得工業(yè)ZSM-22分子篩的相對結晶度。3、試樣測定將飽和吸水的ZSM-22分子篩標準試樣及工業(yè)試樣分別壓入相應的樣品架中，在粉末X射線衍射儀上裝調樣品架。在適宜的粉末X射線衍射儀工作條件下，分別對ZSM-22分子篩標準試樣及工業(yè)試樣進行測定并收集其粉末X射線衍射數(shù)據(jù)。采用粉末X射線衍射數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)軟件的化學計量學分峰程序(選擇Pearson-Ⅶ方法)，分別測定標準試樣及工業(yè)試樣(021)、(131)、(330)、(400)4個晶面衍射峰的峰面積積分強度計數(shù)值并求和。標準試樣重復測定兩次，取其(021)、(131)、(330)、(400)4個晶面衍射峰的峰面積積分強度計數(shù)值之和的算術平均值供定量計算用。工業(yè)ZSM-22分子篩典型的化學計量學分峰擬合圖(選用Pearson-Ⅶ方法)見圖2。4、數(shù)據(jù)處理工業(yè)ZSM-22分子篩的相對結晶度RCi按式(1)計算，數(shù)值以％表示：…………………………………(式1)式(1)中：Ai——工業(yè)ZSM-22分子篩試樣(021)、(131)、(330)、(400)4個晶面衍射峰的峰面積之和；As——ZSM-22分子篩標準試樣(021)、(131)、(330)、(400)4個晶面衍射峰的峰面積之和；Cs——ZSM-22分子篩標準試樣的結晶度，99％(質量分數(shù))；RCi——工業(yè)ZSM-22分子篩的相對結晶度，％(質量分數(shù))。按照上述試驗方案，在8個實驗室分別對選定的4個水平樣品的相對結晶度進行了測定，所得試驗數(shù)據(jù)見表2。由8個實驗室之間的試驗結果經統(tǒng)計分析得出的精密度見表3。要求每個樣品重復測定兩次并求其算術平均值，測定結果取整數(shù)。表2工業(yè)ZSM-22分子篩試樣相對結晶度的原始分析數(shù)據(jù)(％，質量分數(shù))表3方法精密度(％，質量分數(shù))相對結晶度范圍重復性再現(xiàn)性67～9755綜上所述，本發(fā)明了提供一種準確測定工業(yè)產品ZSM-22分子篩相對結晶度的粉末X射線衍射方法，為分子篩的合成或相關催化劑的制備及工業(yè)應用提供可靠的技術支持。當然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質的情況下，熟悉本領域的技術人員可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應的改變和變形，但這些相應的改變和變形都應屬于本發(fā)明權利要求的保護范圍。當前第1頁1 2 3