一種雙模復(fù)合紅外電控液晶微透鏡陣列芯片的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種雙模復(fù)合紅外電控液晶微透鏡陣列芯片，包括：芯片殼體、電控散光液晶微透鏡陣列、以及電控聚光液晶微透鏡陣列，電控散光液晶微透鏡陣列與電控聚光液晶微透鏡陣列級(jí)聯(lián)耦合構(gòu)成雙模復(fù)合電調(diào)架構(gòu)，電控散光液晶微透鏡陣列與電控聚光液晶微透鏡陣列均設(shè)置在芯片殼體內(nèi)部，二者彼此緊密貼合并與芯片殼體連接，且二者的光軸重合，電控散光液晶微透鏡陣列的光入射面和電控聚光液晶微透鏡陣列的光出射面分別通過(guò)芯片殼體頂面和底面的開(kāi)口裸露出來(lái)。本實(shí)用新型的雙模復(fù)合紅外電控液晶微透鏡陣列芯片結(jié)構(gòu)緊湊，可用于形成多種光束形態(tài)，具有較常規(guī)電控液晶微透鏡更好的光場(chǎng)適應(yīng)性，控制精度高，易與常規(guī)紅外光學(xué)光電機(jī)械結(jié)構(gòu)耦合。
【專(zhuān)利說(shuō)明】—種雙模復(fù)合紅外電控液晶微透鏡陣列芯片

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于紅外波束精密測(cè)量與控制【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地，涉及一種雙模復(fù)合紅外電控液晶微透鏡陣列芯片。

【背景技術(shù)】
[0002]近些年來(lái)，基于光匯聚和光發(fā)散微透鏡陣列的耦合甚至集成，進(jìn)行功能化光束變換這一技術(shù)快速發(fā)展，已在多個(gè)領(lǐng)域獲得應(yīng)用。典型的如基于級(jí)聯(lián)配置的匯聚型微透鏡陣列間的交錯(cuò)移動(dòng)所構(gòu)造的，靈巧光場(chǎng)掃描器和激光波束掃描投送器；耦合匯聚型與發(fā)散型微透鏡陣列來(lái)減小像差，調(diào)節(jié)匯聚型和發(fā)散型微透鏡陣列間距來(lái)調(diào)變視場(chǎng)、焦長(zhǎng)、焦斑尺寸和焦深；有序調(diào)整交錯(cuò)排布的多微透鏡陣列的分布形態(tài)和間距所構(gòu)造的，靈巧高光譜分辨率譜波束選擇和調(diào)變器；耦合陣列化LED光源與級(jí)聯(lián)配置的微透鏡陣列，調(diào)變輻射場(chǎng)亮度分布和光能輸運(yùn)形態(tài)；調(diào)節(jié)級(jí)聯(lián)微透鏡陣列間的位形排布實(shí)現(xiàn)激光束的可調(diào)變擴(kuò)束、縮束或束出射方向改變等。隨著應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)展和技術(shù)水平的提升，構(gòu)建通過(guò)相互固連的微透鏡陣列，實(shí)現(xiàn)可調(diào)變的束匯聚、束發(fā)散、束擴(kuò)張、束收縮、束掃描、束變向、束形勻質(zhì)化、束譜凝固和束譜調(diào)變等需求，對(duì)提高技術(shù)適應(yīng)性、提升控光效能、擴(kuò)大適用范圍、增強(qiáng)使用靈活性、提高與其他紅外光學(xué)光電裝置的匹配能力以及降低成本等，均具有廣泛和迫切的需求。
[0003]基于常規(guī)的匯聚型和發(fā)散型微透鏡陣列的匹配耦合，進(jìn)行功能化束整形和束變換這一技術(shù)方式的缺陷主要表現(xiàn)在以下方面:(一)固定形貌輪廓的常規(guī)微透鏡因其光學(xué)性能的不變性，僅能通過(guò)改變微透鏡陣列間距或相對(duì)位置來(lái)構(gòu)建特定的光束形態(tài)和光能輸運(yùn)模式；(二)從表面形貌固定的陣列化微透鏡出射的光場(chǎng)不具備能態(tài)及形態(tài)的精細(xì)調(diào)變能力；(三)通過(guò)機(jī)械運(yùn)動(dòng)方式調(diào)變微透鏡陣列間的位置排布需要按照特定順序展開(kāi)，響應(yīng)慢，狀態(tài)轉(zhuǎn)換耗時(shí)長(zhǎng)，慣性大，需要匹配復(fù)雜的輔助驅(qū)控裝置，因運(yùn)動(dòng)的本征連續(xù)性無(wú)法執(zhí)行任意的狀態(tài)切入或跳變；(四)難以靈活接入光路中或與其他紅外光學(xué)光電結(jié)構(gòu)耦合甚至集成。
[0004]近些年來(lái)，可電控調(diào)變光匯聚或光發(fā)散的液晶微透鏡技術(shù)發(fā)展迅速，為解決上述問(wèn)題提供了新思路。目前已具備的主要功能包括:(一)基于圖案化電極驅(qū)控的微米級(jí)厚度液晶材料，可對(duì)光波進(jìn)行精細(xì)化匯聚或發(fā)散處理，對(duì)焦長(zhǎng)、焦斑尺寸、焦深和視場(chǎng)進(jìn)行可調(diào)變操作；(二)液晶微透鏡的光場(chǎng)調(diào)控處理與所施加的電驅(qū)控信號(hào)存在對(duì)應(yīng)關(guān)系，微透鏡的控光操作可在電參數(shù)范圍內(nèi)通過(guò)隨意選取，即隨意選擇某一電控狀態(tài)展開(kāi)，并可以通過(guò)調(diào)變電參數(shù)進(jìn)行快速跳變；(三)由于可依照先驗(yàn)知識(shí)或光束變換特征，對(duì)微透鏡的加電順序進(jìn)行約束、干預(yù)或引導(dǎo)，具有明顯的智能化特征；(四)輕薄和平面端面的液晶微透鏡，可被靈活接入光路中或與其他紅外結(jié)構(gòu)耦合甚至集成；(五)液晶微透鏡的功耗可低至微瓦級(jí)，驅(qū)控裝置可小微型化甚至與液晶結(jié)構(gòu)集成。目前，如何靈巧化耦合甚至集成匯聚型與發(fā)散型液晶微透鏡陣列，實(shí)現(xiàn)特殊波束形態(tài)的功能化構(gòu)建和調(diào)變，已成為紅外波束精密測(cè)量與控制技術(shù)繼續(xù)發(fā)展所面臨的難點(diǎn)問(wèn)題，迫切需要新的突破。實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的以上缺陷或改進(jìn)需求，本實(shí)用新型提供了一種雙模復(fù)合紅外電控液晶微透鏡陣列芯片技術(shù)，其目的在于，實(shí)現(xiàn)特定形態(tài)紅外波束的電控成形與精細(xì)調(diào)變以及光學(xué)參數(shù)可變動(dòng)范圍的顯著擴(kuò)展，易與其它紅外光學(xué)光電機(jī)械結(jié)構(gòu)耦合，環(huán)境適應(yīng)性好。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，按照本實(shí)用新型的一個(gè)方面，提供了一種雙模復(fù)合紅外電控液晶微透鏡陣列芯片，包括:芯片殼體、電控散光液晶微透鏡陣列、以及電控聚光液晶微透鏡陣列，電控散光液晶微透鏡陣列與電控聚光液晶微透鏡陣列級(jí)聯(lián)耦合構(gòu)成雙模復(fù)合電調(diào)架構(gòu)，電控散光液晶微透鏡陣列與電控聚光液晶微透鏡陣列均設(shè)置在芯片殼體內(nèi)部，二者彼此緊密貼合并與芯片殼體連接，且二者的光軸重合，電控散光液晶微透鏡陣列的光入射面和電控聚光液晶微透鏡陣列的光出射面分別通過(guò)芯片殼體頂面和底面的開(kāi)口裸露出來(lái)，紅外光波進(jìn)入芯片的雙模復(fù)合電調(diào)架構(gòu)后，由電控散光液晶微透鏡陣列將其按照微透鏡的陣列規(guī)模和位置情況，離散化為陣列化子入射波束。各陣列化子入射波束與受控電場(chǎng)激勵(lì)下的液晶分子作用并進(jìn)入電控聚光液晶微透鏡陣列，經(jīng)由其微透鏡進(jìn)行匯聚壓縮，再經(jīng)耦合形成紅外出射波束輸出。
[0007]優(yōu)選地，電控聚光液晶微透鏡陣列采用雙層結(jié)構(gòu)，且上下層之間順次設(shè)置有第一基片、第一電極層、第一電隔離層、第一定向?qū)?、第一液晶層、第二定向?qū)?、第二基片、以及第二電極層，第一電極層和第二電極層分別固定在第一基片和第二基片上，第一電極層包括爪※!!個(gè)孔，其中!I1、??！均為大于的整數(shù)，第一電極層的其余部分作為電極，且從第一電極層延伸出一根第一電極引線，第二電極層整體為電極，從該第二電極層延伸出一根第二電極引線和一根第三電極引線。
[0008]優(yōu)選地，第一定向?qū)雍偷诙ㄏ驅(qū)泳删埘啺分瞥?，第一電隔離層由3102制成。
[0009]優(yōu)選地，電控散光液晶微透鏡陣列采用雙層結(jié)構(gòu)，且上下層之間順次設(shè)置有第三基片、第三定向?qū)印⒌诙壕?、第四定向?qū)印⒌诙姼綦x層、第三電極層、以及第四基片，第三電極層包括111X11個(gè)均勻分布且彼此電連接的子電極，子電極的中心與電控聚光液晶微透鏡陣列的第一電極層對(duì)應(yīng)的孔的孔心投影重合，且從一個(gè)子電極延伸出一根第四電極引線。
[0010]優(yōu)選地，第三定向?qū)雍偷谒亩ㄏ驅(qū)泳删埘啺分瞥?，第二電隔離層由3102制成。
[0011]優(yōu)選地，本實(shí)用新型的芯片還包括第一驅(qū)控信號(hào)輸入端口以及第二驅(qū)控信號(hào)輸入端口，其均設(shè)置在芯片殼體的側(cè)面上。
[0012]優(yōu)選地，第二電極引線和第三電極引線相連，并連接到第一驅(qū)控信號(hào)輸入端口和第二驅(qū)控信號(hào)輸入端口的一端，然后與第一電極引線和第一驅(qū)控信號(hào)輸入端口的另一端連接，第四電極引線和第二驅(qū)控信號(hào)輸入端口的另一端連接。
[0013]優(yōu)選地，在第一基片的光出射面和第四基片的光入射面上設(shè)置有紅外增透膜系和紅外增透膜系，它們材質(zhì)相同。
[0014]總體而言，通過(guò)本實(shí)用新型所構(gòu)思的以上技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠取得下列有益效果:
[0015]1、相對(duì)較寬的光學(xué)參數(shù)變動(dòng)范圍:本實(shí)用新型基于獨(dú)立加電驅(qū)控的發(fā)散和聚光液晶微透鏡陣列的級(jí)聯(lián)耦合，進(jìn)行紅外波束的整形和調(diào)變處理，具有較常規(guī)電控液晶微透鏡其光學(xué)參數(shù)，諸如焦長(zhǎng)、焦斑尺寸、焦深和可有效響應(yīng)的光照度等，具有更寬的變動(dòng)范圍。
[0016]2、控制方式靈活:通過(guò)對(duì)芯片中的發(fā)散和聚光液晶微透鏡陣列進(jìn)行獨(dú)立加電驅(qū)控，可實(shí)現(xiàn)基于發(fā)散/匯聚、單一發(fā)散或單一匯聚等模式下的波束構(gòu)建，因此可以靈活控制芯片的光束處理操作。
[0017]3、智能化:通過(guò)調(diào)變加載在發(fā)散和聚光液晶微透鏡陣列上的電信號(hào)頻率或幅度，對(duì)紅外波束進(jìn)行的形態(tài)構(gòu)建和調(diào)變，可在先驗(yàn)知識(shí)或波束處理結(jié)果的約束、干預(yù)或引導(dǎo)下展開(kāi)，具有智能化特征。
[0018]4、控制精度高:由于本實(shí)用新型采用可精密電驅(qū)控的液晶微透鏡，具有極高的結(jié)構(gòu)、電學(xué)與電光參數(shù)的穩(wěn)定性和控制精度，以及采用雙路信號(hào)協(xié)同對(duì)芯片進(jìn)行驅(qū)動(dòng)和調(diào)控，所以本實(shí)用新型具有控制精度高的優(yōu)點(diǎn)。
[0019]5、使用方便。本實(shí)用新型的芯片主體為封裝在芯片殼體內(nèi)，由電控散光液晶微透鏡陣列與電控聚光液晶微透鏡陣列級(jí)聯(lián)耦合構(gòu)成的雙模復(fù)合電調(diào)架構(gòu)，芯片在紅外光路中接插方便，易與常規(guī)紅外光學(xué)光電結(jié)構(gòu)、電子和機(jī)械裝置等匹配耦合。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0020]圖1是本實(shí)用新型雙模復(fù)合紅外電控液晶微透鏡陣列芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2是本實(shí)用新型雙模復(fù)合紅外電控液晶微透鏡陣列的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖3是本實(shí)用新型雙模復(fù)合紅外電控液晶微透鏡陣列的電結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖4是本實(shí)用新型雙模復(fù)合紅外電控液晶微透鏡陣列的光束變換示意圖。
[0024]在所有附圖中，相同的附圖標(biāo)記用來(lái)表示相同的元件或結(jié)構(gòu)，其中:
[0025]1-芯片殼體,2-電控散光液晶微透鏡陣列,3-電控聚光液晶微透鏡陣列,4-第一驅(qū)控信號(hào)輸入端口，5-第二驅(qū)控信號(hào)輸入端口，6-雙模復(fù)合電調(diào)架構(gòu)。

【具體實(shí)施方式】
[0026]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。此外，下面所描述的本實(shí)用新型各個(gè)實(shí)施方式中所涉及到的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互組合。
[0027]如圖1所示，本實(shí)用新型的雙模復(fù)合紅外電控液晶微透鏡陣列芯片包括:芯片殼體1、電控散光液晶微透鏡陣列2、電控聚光液晶微透鏡陣列3、第一驅(qū)控信號(hào)輸入端口 4以及第二驅(qū)控信號(hào)輸入端口 5，其中電控散光液晶微透鏡陣列2與電控聚光液晶微透鏡陣列3級(jí)聯(lián)稱(chēng)合構(gòu)成雙模復(fù)合電調(diào)架構(gòu)6,電控散光液晶微透鏡陣列2與電控聚光液晶微透鏡陣列3均設(shè)置在芯片殼體I內(nèi)部，二者彼此緊密貼合并與芯片殼體I連接，且二者的光軸重合，第一驅(qū)控信號(hào)輸入端口 4和第二驅(qū)控信號(hào)輸入端口 5設(shè)置在芯片殼體I的側(cè)面上。
[0028]電控散光液晶微透鏡陣列2的光入射面和電控聚光液晶微透鏡陣列3的光出射面分別通過(guò)芯片殼體I頂面和底面的開(kāi)口裸露出來(lái)。
[0029]紅外光波進(jìn)入芯片的雙模復(fù)合電調(diào)架構(gòu)6后，首先由電控散光液晶微透鏡陣列2將其按照微透鏡的陣列規(guī)模和位置情況，離散化為陣列化子入射波束。各子入射波束與受控電場(chǎng)激勵(lì)下的液晶分子作用，被發(fā)散出射并進(jìn)入電控聚光液晶微透鏡陣列3，經(jīng)由相應(yīng)微透鏡進(jìn)行匯聚壓縮，再經(jīng)耦合形成具有特定圖案形態(tài)的紅外出射波束，并經(jīng)芯片的光出射窗口輸出。
[0030]如圖2和圖3所示，電控聚光液晶微透鏡陣列3采用雙層結(jié)構(gòu)，且上下層之間順次設(shè)置有第一基片7、第一電極層8、第一電隔離層9、第一定向?qū)?0、第一液晶層11、第二定向?qū)?2、第二基片13、以及第二電極層14。
[0031]第一電極層7和第二電極層8分別固定在第一基片7和第二基片13上。第一電極層7包括個(gè)微圓孔(或微方孔)，其中，II1、II均為大于1的整數(shù)，第一電極層7的其余部分作為電極，且從第一電極層7延伸出一根第一電極引線，第二電極層8整體為電極，從該第二電極層8延伸出一根第二電極引線和一根第三電極引線。
[0032]第一定向?qū)?0和第二定向?qū)?2均由聚酰亞胺制成，但應(yīng)理解定向?qū)硬牧喜⒉痪窒抻诖?，也可以是其它可形成納米級(jí)深度和寬度的溝道材料。
[0033]第一電隔離層9由3102制成，但應(yīng)理解電隔離層材料并不局限于此，也可以是其它可形成電絕緣且與基片和液晶定向?qū)涌捎行я詈系牟牧稀?br> [0034]電控散光液晶微透鏡陣列2采用雙層結(jié)構(gòu)，且上下層之間順次設(shè)置有第三基片15、第三定向?qū)?6、第二液晶層17、第四定向?qū)?8、第二電隔離層19、第三電極層20、以及第四基片21，第三電極層20包括!XIX??！個(gè)均勻分布且彼此電連接的微圓形(或微方形)子電極，微圓形(或微方形)子電極的圓心(或中心)與電控聚光液晶微透鏡陣列3的第一電極層8對(duì)應(yīng)的微圓孔(或微方孔)的孔心投影重合，且從一個(gè)微圓形(或微方形)子電極延伸出一根第四電極引線。
[0035]第二電極引線和第三電極引線相連，并連接到第一驅(qū)控信號(hào)輸入端口 4和第二驅(qū)控信號(hào)輸入端口 5的一端，然后與第一電極引線和第一驅(qū)控信號(hào)輸入端口 4的另一端連接，第四電極引線和第二驅(qū)控信號(hào)輸入端口 5的另一端連接。
[0036]第三定向?qū)?6和第四定向?qū)?8均由聚酰亞胺制成，但應(yīng)理解定向?qū)硬牧喜⒉痪窒抻诖耍部梢允瞧渌尚纬杉{米級(jí)深度和寬度的溝道材料。
[0037]第二電隔離層由3102制成，但應(yīng)理解電隔離層材料并不局限于此，也可以是其它可形成電絕緣的材料。
[0038]芯片中的電控散光微透鏡陣列其微圓形(或微方形)圖案化電極，以及電控聚光微透鏡陣列中的微圓孔(或微方孔)圖案化電極，因分別相互連通被同步加電。在第一基片7的光出射面和第四基片21的光入射面上設(shè)置有紅外增透膜系22和紅外增透膜系23，它們材質(zhì)相同。
[0039]如圖4所示，所述雙模復(fù)合紅外電控液晶微透鏡陣列芯片用于形成特定的光束形態(tài)，以及在較常規(guī)液晶微透鏡陣列更為寬大的光學(xué)參數(shù)變動(dòng)范圍內(nèi)，對(duì)紅外光束形態(tài)和能量輸運(yùn)模式進(jìn)行調(diào)變。通過(guò)調(diào)節(jié)加載在電控散光液晶微透鏡陣列上的電壓信號(hào)調(diào)變陣列化子出射波束的發(fā)散程度，該操作等效于調(diào)變?nèi)鐖D所示的，與平面液晶微透鏡具有類(lèi)似光發(fā)散效能的常規(guī)凹折射微透鏡其表面彎曲程度和下彎深度，即光線發(fā)散能力；通過(guò)調(diào)節(jié)加載在電控聚光液晶微透鏡陣列上的電壓信號(hào)調(diào)變陣列化紅外子出射光束的匯聚式壓縮程度，該操作等效于調(diào)變?nèi)鐖D所示的，與平面液晶微透鏡具有類(lèi)似光匯聚效能的常規(guī)凸折射微透鏡其表面彎曲程度和上凸高度，即光線匯聚能力。最終輸出基于被調(diào)變子波束耦合形成的特定形態(tài)紅外透射波束。所得到的出射波束可通過(guò)電信號(hào)其頻率或幅度的調(diào)變操作，被凝固在特定形態(tài)或調(diào)變到預(yù)定形態(tài)。
[0040]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型，下面結(jié)合圖1、圖2、圖3和圖4說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的雙模復(fù)合紅外電控液晶微透鏡陣列芯片的工作過(guò)程。
[0041 ] 首先將信號(hào)線接入第一驅(qū)控信號(hào)輸入端口以及第二驅(qū)控信號(hào)輸入端口，將兩路電壓信號(hào)獨(dú)立輸入和加載在電控散光和聚光液晶微透鏡陣列上。雙模復(fù)合紅外電控液晶微透鏡陣列芯片被置于測(cè)試光路中，或被置于由主鏡構(gòu)成的紅外光學(xué)系統(tǒng)的焦面處也可弱離焦配置。紅外光波通過(guò)芯片的光入射窗口進(jìn)入電控散光液晶微透鏡陣列后，與受控電場(chǎng)激勵(lì)下構(gòu)建的具有特定陣列化折射率分布形態(tài)的液晶分子相互作用而呈發(fā)散態(tài)，形成微光孔形圖案化出射光場(chǎng)，微光孔的邊界亮度及孔內(nèi)消光比，隨驅(qū)控信號(hào)頻率或幅度的變化而改變，或者說(shuō)由施加在液晶微透鏡其圖案化電極上的電壓信號(hào)調(diào)變。所出射的陣列化子發(fā)散波束進(jìn)一步進(jìn)入與電控散光液晶微透鏡陣列級(jí)聯(lián)耦合的電控聚光液晶微透鏡陣列，按照發(fā)散與聚光液晶微透鏡間已固化的一一對(duì)應(yīng)關(guān)系，被進(jìn)一步執(zhí)行匯聚式的壓縮處理，從電控聚光液晶微透鏡出射的子波束經(jīng)耦合，形成新的紅外透射波束并從芯片的光出射窗口輸出。
[0042]本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易理解，以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種雙模復(fù)合紅外電控液晶微透鏡陣列芯片，包括:芯片殼體、電控散光液晶微透鏡陣列、以及電控聚光液晶微透鏡陣列，電控散光液晶微透鏡陣列與電控聚光液晶微透鏡陣列級(jí)聯(lián)耦合構(gòu)成雙模復(fù)合電調(diào)架構(gòu)，電控散光液晶微透鏡陣列與電控聚光液晶微透鏡陣列均設(shè)置在芯片殼體內(nèi)部，二者彼此緊密貼合并與芯片殼體連接，且二者的光軸重合，電控散光液晶微透鏡陣列的光入射面和電控聚光液晶微透鏡陣列的光出射面分別通過(guò)芯片殼體頂面和底面的開(kāi)口裸露出來(lái)，其特征在于， 紅外光波進(jìn)入芯片的雙模復(fù)合電調(diào)架構(gòu)后，由電控散光液晶微透鏡陣列將其按照微透鏡的陣列規(guī)模和位置情況，離散化為陣列化子入射波束，各陣列化子入射波束與受控電場(chǎng)激勵(lì)下的液晶分子作用并進(jìn)入電控聚光液晶微透鏡陣列，經(jīng)由其微透鏡進(jìn)行匯聚壓縮，再經(jīng)耦合形成紅外出射波束輸出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙模復(fù)合紅外電控液晶微透鏡陣列芯片，其特征在于， 電控聚光液晶微透鏡陣列采用雙層結(jié)構(gòu)，且上下層之間順次設(shè)置有第一基片、第一電極層、第一電隔離層、第一定向?qū)?、第一液晶層、第二定向?qū)?、第二基片、以及第二電極層；第一電極層和第二電極層分別固定在第一基片和第二基片上，第一電極層包括mXn個(gè)孔，其中m、η均為大于的整數(shù)，第一電極層的其余部分作為電極，且從第一電極層延伸出一根第一電極引線； 第二電極層整體為電極，從該第二電極層延伸出一根第二電極引線和一根第三電極引線。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙模復(fù)合紅外電控液晶微透鏡陣列芯片，其特征在于， 第一定向?qū)雍偷诙ㄏ驅(qū)泳删埘啺分瞥桑? 第一電隔離層由S12制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙模復(fù)合紅外電控液晶微透鏡陣列芯片，其特征在于， 電控散光液晶微透鏡陣列采用雙層結(jié)構(gòu)，且上下層之間順次設(shè)置有第三基片、第三定向?qū)?、第二液晶層、第四定向?qū)印⒌诙姼綦x層、第三電極層、以及第四基片； 第三電極層包括mXn個(gè)均勻分布且彼此電連接的子電極，子電極的中心與電控聚光液晶微透鏡陣列的第一電極層對(duì)應(yīng)的孔的孔心投影重合，且從一個(gè)子電極延伸出一根第四電極引線。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的雙模復(fù)合紅外電控液晶微透鏡陣列芯片，其特征在于， 第三定向?qū)雍偷谒亩ㄏ驅(qū)泳删埘啺分瞥桑? 第二電隔離層由S12制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的雙模復(fù)合紅外電控液晶微透鏡陣列芯片，其特征在于，還包括第一驅(qū)控信號(hào)輸入端口以及第二驅(qū)控信號(hào)輸入端口，其均設(shè)置在芯片殼體的側(cè)面上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙模復(fù)合紅外電控液晶微透鏡陣列芯片，其特征在于， 第二電極引線和第三電極引線相連，并連接到第一驅(qū)控信號(hào)輸入端口和第二驅(qū)控信號(hào)輸入端口的一端，然后與第一電極引線和第一驅(qū)控信號(hào)輸入端口的另一端連接； 第四電極引線和第二驅(qū)控信號(hào)輸入端口的另一端連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的雙模復(fù)合紅外電控液晶微透鏡陣列芯片，其特征在于，在第一基片的光出射面和第四基片的光入射面上設(shè)置有紅外增透膜系和紅外增透膜系，它們材質(zhì)相同。
【文檔編號(hào)】G01J3/12GK204129401SQ201420621943
【公開(kāi)日】2015年1月28日 申請(qǐng)日期:2014年10月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月24日
【發(fā)明者】張新宇, 羅俊, 佟慶, 雷宇, 桑紅石, 張?zhí)煨? 謝長(zhǎng)生 申請(qǐng)人:華中科技大學(xué)