半導(dǎo)體器件物理特性分析方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件物理特性分析方法，包括：對(duì)半導(dǎo)體器件樣品進(jìn)行外部物理特征分析；X射線(xiàn)無(wú)損結(jié)構(gòu)分析；聲學(xué)掃描顯微鏡無(wú)損材料分析；外部物理特征耐溶劑試驗(yàn)；內(nèi)部工藝特征分析；本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件物理特性分析方法，用明確、嚴(yán)謹(jǐn)?shù)脑囼?yàn)方法和判定依據(jù)，剔除了仿冒翻新類(lèi)的劣質(zhì)器件。
【專(zhuān)利說(shuō)明】半導(dǎo)體器件物理特性分析方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件檢測(cè)分析【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是指一種半導(dǎo)體器件物理特性分析方法。

【背景技術(shù)】
[0002]目前，在半導(dǎo)體元器件市場(chǎng)上充斥著大量的劣質(zhì)元器件，其中主要包括低制造工藝器件、仿冒翻新器件。其中，仿冒集成電路，其內(nèi)部工藝(封裝工藝、鍵合工藝、芯片制造工藝等)質(zhì)量一致性差，不能滿(mǎn)足集成電路系統(tǒng)的需求，一旦裝配完成投入使用，極易出現(xiàn)故障，嚴(yán)重影響集成電路系統(tǒng)的可靠性，甚至造成重大損失。而翻新集成電路，產(chǎn)品年久老化、產(chǎn)品翻新?lián)p傷等問(wèn)題，存在巨大的可靠性隱患，一旦進(jìn)行裝配使用，嚴(yán)重影響集成電路系統(tǒng)的可靠性、運(yùn)行穩(wěn)定性和使用壽命。
[0003]這些劣質(zhì)半導(dǎo)體器件一旦流入生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)，輕則直接影響到產(chǎn)品的生產(chǎn)周期、產(chǎn)品的質(zhì)量、產(chǎn)品的使用安全性和產(chǎn)品的使用壽命，重則威脅使用者和他人的生命財(cái)產(chǎn)安全。
[0004]現(xiàn)階段，在國(guó)內(nèi)尚無(wú)相關(guān)的檢驗(yàn)檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)用來(lái)剔除仿冒翻新類(lèi)的劣質(zhì)器件。因此，半導(dǎo)體器件物理特征分析(PFA)工作尤為重要。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提出一種半導(dǎo)體器件物理特性分析方法，用明確、嚴(yán)謹(jǐn)?shù)脑囼?yàn)方法和判定依據(jù)，剔除了仿冒翻新類(lèi)的劣質(zhì)器件。
[0006]基于上述目的本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件物理特性分析方法，包括:
[0007]對(duì)半導(dǎo)體器件樣品進(jìn)行外部物理特征分析，所述外部物理特征包括引線(xiàn)、焊區(qū)、封裝殼體、封裝蓋帽、BGA封裝焊球、BGA封裝基板，其中任意一項(xiàng)出現(xiàn)瑕疵即判定為不合格，若均合格則進(jìn)行下一步；
[0008]通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體器件樣品的內(nèi)部工藝結(jié)構(gòu)在俯視方向和側(cè)視方向上分別照射X射線(xiàn)，分別得到半導(dǎo)體器件樣品的內(nèi)部工藝結(jié)構(gòu)在俯視方向和側(cè)視方向上的X射線(xiàn)照片，將其與半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)品的內(nèi)部工藝結(jié)構(gòu)的X射線(xiàn)照片進(jìn)行對(duì)比觀察，若引線(xiàn)框架形貌、芯片定位、芯片尺寸、引線(xiàn)鍵合定位、鍵合絲數(shù)量中任意一項(xiàng)不一致或出現(xiàn)鍵合絲斷絲，則判定為不合格，若均合格則進(jìn)行下一步；
[0009]利用聲學(xué)掃描顯微鏡對(duì)半導(dǎo)體器件樣品包封材料的密度進(jìn)行對(duì)比試驗(yàn)，若出現(xiàn)相同送檢批次樣品的模塑化合物密度明顯不一致、樣品模塑化合物密度不均勻或明顯異常、樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)不一致其中任意一種情況，則判定為不合格，若均合格則進(jìn)行下一步；
[0010]對(duì)半導(dǎo)體器件樣品進(jìn)行外部物理特征耐溶劑試驗(yàn)，若樣品出現(xiàn)損壞現(xiàn)象、涂覆層出現(xiàn)脫落、褪色、起皮、抹掉其中之一的現(xiàn)象，則判定為不合格，若均合格則進(jìn)行下一步；
[0011]對(duì)半導(dǎo)體器件樣品進(jìn)行內(nèi)部工藝特征分析，若芯片粘接材料、鍵合工藝、鍵合材料、芯片版圖信息、芯片工藝其中之一不符合原廠信息或不一致或出現(xiàn)鍵合絲斷絲或熔融、封裝殼體內(nèi)部打磨痕跡、芯片電應(yīng)力損傷，則判定為不合格，若均合格，則該批次半導(dǎo)體器件判定為合格產(chǎn)品。
[0012]在一些實(shí)施方式中，所述半導(dǎo)體器件樣品的外部物理特征耐溶劑試驗(yàn)包括:
[0013]將半導(dǎo)體器件樣品浸入在室溫下的溶劑中；
[0014]浸泡至少20min;
[0015]使用規(guī)定的刷子，以0.5N?0.6N的壓力將樣品重復(fù)刷十次；
[0016]其中，所述溶劑為有機(jī)溶劑，包括丙酮或無(wú)水乙二胺；
[0017]所述規(guī)定的刷子是一種牙刷，其柄由不與溶劑反應(yīng)的材料制成；刷子由硬質(zhì)長(zhǎng)毛制成，毛的自由端應(yīng)位于同一個(gè)水平面上；當(dāng)出現(xiàn)變軟、彎曲、磨損、掉毛的跡象時(shí)，更換刷子。
[0018]從上面所述可以看出，本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件物理特性分析方法，用明確、嚴(yán)謹(jǐn)?shù)脑囼?yàn)方法和判定依據(jù)，對(duì)半導(dǎo)體元器件的質(zhì)量控制提供了新的方法，彌補(bǔ)了國(guó)內(nèi)在此方面的空白；所述半導(dǎo)體器件物理特征分析(PFA)方法是通過(guò)一系列無(wú)損分析技術(shù)和有損分析技術(shù)，來(lái)驗(yàn)證半導(dǎo)體器件的標(biāo)識(shí)、材料、結(jié)構(gòu)、芯片版圖和制造質(zhì)量是否符合規(guī)定所進(jìn)行的一系列分析的全過(guò)程。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1為本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件物理特征分析方法實(shí)施例的流程示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0020]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0021]所述半導(dǎo)體器件物理特征分析(PFA)方法是通過(guò)一系列無(wú)損分析技術(shù)和有損分析技術(shù)，來(lái)驗(yàn)證半導(dǎo)體器件的標(biāo)識(shí)、材料、結(jié)構(gòu)、芯片版圖和制造質(zhì)量是否符合規(guī)定所進(jìn)行的一系列分析的全過(guò)程；主要包含:外部物理特征分析技術(shù)、無(wú)損結(jié)構(gòu)分析技術(shù)、聲學(xué)掃描顯微鏡無(wú)損分析技術(shù)、外部物理特征耐溶劑試驗(yàn)、內(nèi)部工藝特征分析技術(shù)；輔助試驗(yàn)包含:掃面電子顯微鏡檢查、能譜分析、剖面分析技術(shù)等。
[0022]參照附圖1，為本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件物理特征分析方法實(shí)施例的流程示意圖。
[0023]所述半導(dǎo)體器件物理特性分析方法，包括:
[0024]步驟101:對(duì)半導(dǎo)體器件樣品進(jìn)行外部物理特征分析，所述外部物理特征包括引線(xiàn)、焊區(qū)、封裝殼體、封裝蓋帽、BGA封裝焊球、BGA封裝基板，其中任意一項(xiàng)出現(xiàn)瑕疵即判定為不合格，若均合格則進(jìn)行步驟102 ;
[0025]其中，所述外部物理特征分析方法包括器件的封裝尺寸、封裝工藝、器件表面信息的內(nèi)容和工藝(信息的相對(duì)位置、字體、書(shū)寫(xiě)工藝(印刷or激光刻字)、字的顏料等等)；具體的可選實(shí)施方式包括:
[0026]在顯微鏡下對(duì)樣品的外部特征進(jìn)行觀察分析；利用立體顯微鏡，在放大10倍到100倍的條件下，對(duì)器件的外部宏觀特征進(jìn)行觀察；利用金相顯微鏡，在放大50倍到1000倍的條件下，對(duì)器件的外部微觀特征進(jìn)行觀察。從而對(duì)器件的外部物理特征進(jìn)行全面的觀察分析，對(duì)器件進(jìn)行評(píng)價(jià)；
[0027]管腳檢查:管腳缺陷包括管腳明顯過(guò)薄、過(guò)軟、管腳有焊接痕跡、管腳折斷、管腳銹蝕氧化、管腳數(shù)與手冊(cè)不符等；管腳存在這些類(lèi)似缺陷的器件屬于翻新器件，在翻新過(guò)程中，器件管腳不免會(huì)受到一定的機(jī)械損傷，并且器件經(jīng)過(guò)使用，使用的條件和環(huán)境都是未知的，再次使用的可靠性存在很大的不確定性；
[0028]管殼檢查:而同廠同批器件的管殼形貌應(yīng)該是完全相同的；管殼形貌不一直的情況說(shuō)明該批器件有可能是由不同批次的產(chǎn)品重新改標(biāo)翻新成的同批次產(chǎn)品；
[0029]標(biāo)識(shí)檢查:目前集成電路絕大多數(shù)采用激光打印或用專(zhuān)用的印刷機(jī)印字，字跡清晰，并且不易擦除；在試驗(yàn)過(guò)程中，有時(shí)會(huì)發(fā)現(xiàn)器件表面的標(biāo)識(shí)打印的模糊不清、深淺不一，這是因?yàn)樵诜旅啊⒎逻^(guò)程中對(duì)器件封裝進(jìn)行了打磨等處理，然后進(jìn)行重新打標(biāo)；這樣的器件是仿冒、翻新器件；對(duì)型號(hào)信息和美軍標(biāo)準(zhǔn)微電路型號(hào)(SMD)核對(duì)，用以甄別仿冒集成電路；仿冒、翻新集成電路中往往出現(xiàn)已停產(chǎn)產(chǎn)品卻印著停產(chǎn)后批次日期的情況，通過(guò)對(duì)器件的停產(chǎn)日期與其生產(chǎn)批次進(jìn)行核查，用以甄別仿冒翻新器件；管腳鍍層代碼代表了其管腳鍍層的成份，可通過(guò)管腳鍍層成份分析，對(duì)其成份與鍍層代碼的符合性進(jìn)行鑒定。
[0030]具體的，如果呈現(xiàn)下列任何一種情況，該批次半導(dǎo)體器件應(yīng)視為不合格:
[0031]引線(xiàn)或焊區(qū):
[0032]引線(xiàn)明顯過(guò)薄、過(guò)軟且具有明顯的打磨痕跡，或引線(xiàn)尺寸不符合器件手冊(cè)中的尺寸要求；
[0033]引線(xiàn)或焊區(qū)有使用過(guò)痕跡；
[0034]引線(xiàn)或焊區(qū)氧化銹蝕；
[0035]封裝殼體或蓋帽:
[0036]封裝殼體或蓋帽打磨痕跡；
[0037]封裝殼體或蓋帽存在二次涂覆痕跡；
[0038]相同生產(chǎn)廠家、相同型號(hào)、相同生產(chǎn)批器件的封裝形貌不一致；
[0039]封裝形貌不符合相關(guān)規(guī)范或有關(guān)文件；
[0040]BGA封裝焊球:
[0041]焊球不飽滿(mǎn)、焊球形貌不一致；
[0042]焊球的數(shù)量和分布不符合器件手冊(cè)中規(guī)定的數(shù)量和分布；
[0043]貫穿焊球根部或延伸至焊球根部的劃痕；
[0044]BGA封裝基板:
[0045]基板翹曲；
[0046]基板附著多余物，例如焊錫或助焊劑殘留等。
[0047]步驟102:通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體器件樣品的內(nèi)部工藝結(jié)構(gòu)在俯視方向和側(cè)視方向上分別照射X射線(xiàn)，分別得到半導(dǎo)體器件樣品的內(nèi)部工藝結(jié)構(gòu)在俯視方向和側(cè)視方向上的X射線(xiàn)照片，將其與半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)品的內(nèi)部工藝結(jié)構(gòu)的X射線(xiàn)照片進(jìn)行對(duì)比觀察，若引線(xiàn)框架形貌、芯片定位、芯片尺寸、引線(xiàn)鍵合定位、鍵合絲數(shù)量中任意一項(xiàng)不一致或出現(xiàn)鍵合絲斷絲，則判定為不合格，若均合格則進(jìn)行步驟103 ;
[0048]所述X射線(xiàn)檢查無(wú)損結(jié)構(gòu)分析技術(shù)主要檢查半導(dǎo)體器件樣品的內(nèi)部結(jié)構(gòu)信息，通過(guò)X射線(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體器件樣品的內(nèi)部結(jié)構(gòu)工藝進(jìn)行觀察分析，與正品的內(nèi)部結(jié)構(gòu)工藝進(jìn)行對(duì)比觀察；
[0049]具體的，如果呈現(xiàn)下列任何一種情況時(shí)，該批次半導(dǎo)體器件應(yīng)視為不合格:
[0050]相同生產(chǎn)廠家、相同型號(hào)、相同生產(chǎn)批樣品引線(xiàn)框架形貌不一致；
[0051]相同生產(chǎn)廠家、相同型號(hào)、相同生產(chǎn)批樣品芯片定位、芯片尺寸不一致；
[0052]相同生產(chǎn)廠家、相同型號(hào)、相同生產(chǎn)批樣品引線(xiàn)鍵合定位不一致；
[0053]相同生產(chǎn)廠家、相同型號(hào)、相同生產(chǎn)批樣品鍵合絲數(shù)量不一致
[0054]鍵合絲斷絲。
[0055]步驟103:利用聲學(xué)掃描顯微鏡對(duì)半導(dǎo)體器件樣品包封材料的密度進(jìn)行對(duì)比試驗(yàn)，若出現(xiàn)相同送檢批次樣品的模塑化合物密度明顯不一致、樣品模塑化合物密度不均勻或明顯異常、樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)不一致其中任意一種情況，則判定為不合格，若均合格則進(jìn)行步驟 104 ；
[0056]聲學(xué)掃描顯微鏡檢查(SAM)的無(wú)損分析技術(shù)主要檢查樣品的相對(duì)密度信息(聲波在不同介質(zhì)中的傳播速度不同，反應(yīng)到儀器上，在相同的時(shí)間段內(nèi)，掃描后的圖像的波形和亮度有差別)；利用聲波在不同密度的介質(zhì)中傳播速度不同的特性，借助聲學(xué)掃描顯微鏡，對(duì)塑封樣品包封材料的密度進(jìn)行對(duì)比試驗(yàn)，以驗(yàn)證其同批器件間的一致性，從中發(fā)現(xiàn)仿冒、翻新器件；
[0057]具體的，如果呈現(xiàn)下列任何一種情況，該批次半導(dǎo)體器件應(yīng)視為不合格:
[0058]相同送檢批器件，模塑化合物的密度明顯不一致；
[0059]器件模塑化合物的密度不均勻或明顯異常；
[0060]相同生產(chǎn)廠家、相同型號(hào)、相同生產(chǎn)批樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)(如引線(xiàn)框架、芯片數(shù)量等)
不一致。
[0061]步驟104:對(duì)半導(dǎo)體器件樣品進(jìn)行外部物理特征耐溶劑試驗(yàn)，若樣品出現(xiàn)損壞現(xiàn)象、涂覆層出現(xiàn)脫落、褪色、起皮、抹掉其中之一的現(xiàn)象，則判定為不合格，若均合格則進(jìn)行步驟105 ；
[0062]針對(duì)仿冒、翻新手段中的二次噴漆涂覆，提出外部物理特征耐溶劑試驗(yàn)；將樣品浸入特殊有機(jī)溶劑中，如果器件存在二次噴漆涂覆的現(xiàn)象，涂覆層會(huì)脫落、褪色、抹掉；具體地可選實(shí)施方式包括:
[0063]將樣品浸入溶劑中，溫度在室溫即可；樣品在溶液中至少浸泡20min ;然后用規(guī)定的刷子，對(duì)樣品以通常的手壓力(約0.5N?0.6N)把樣品刷十次；
[0064]其中，溶劑應(yīng)為有機(jī)溶劑，如丙酮、無(wú)水乙二胺等；
[0065]刷子應(yīng)是一種牙刷，其柄由不與溶液反應(yīng)的材料制成，刷子應(yīng)由硬質(zhì)長(zhǎng)毛制成，毛的自由端應(yīng)位于同一個(gè)水平面上，當(dāng)出現(xiàn)變軟、彎曲、磨損、掉毛等跡象時(shí)，刷子就應(yīng)更換。
[0066]步驟105:對(duì)半導(dǎo)體器件樣品進(jìn)行內(nèi)部工藝特征分析，若芯片粘接材料、鍵合工藝、鍵合材料、芯片版圖信息、芯片工藝其中之一不符合原廠信息或不一致或出現(xiàn)鍵合絲斷絲或熔融、封裝殼體內(nèi)部打磨痕跡、芯片電應(yīng)力損傷，則判定為不合格，若均合格，則該批次半導(dǎo)體器件判定為合格產(chǎn)品。
[0067]所述內(nèi)部工藝特征分析技術(shù)包括內(nèi)部物理特征檢查一一樣品的內(nèi)部制造工藝(鍵合工藝、鍵合絲材質(zhì)、鍵合焊盤(pán)材質(zhì))、芯片版圖信息、芯片的制造工藝(芯片的材料、芯片的工藝)、芯片的粘接工藝；
[0068]具體包括:宏觀工藝檢查:仿冒集成電路由于其多是非原廠器件，故其內(nèi)部工藝(如芯片粘接方式、芯片粘接材料、鍵合絲材料、鍵合工藝)與原廠正品器件的工藝存在差升;
[0069]微觀芯片工藝檢查:仿冒集成電路由于非原廠器件，其芯片版圖、芯片標(biāo)識(shí)、芯片制造工藝等與原廠不同。翻新集成電路由于對(duì)產(chǎn)品的年代和質(zhì)量等級(jí)等進(jìn)行了掩蓋，可在開(kāi)封后對(duì)其芯片版圖、芯片標(biāo)識(shí)信息進(jìn)行核查；
[0070]具體的，如果呈現(xiàn)下列任何一種情況，該批次半導(dǎo)體器件應(yīng)視為不合格:
[0071]內(nèi)部工藝:
[0072]芯片粘接材料不符合原廠信息及有關(guān)文件；
[0073]鍵合工藝不符合原廠信息及有關(guān)文件；
[0074]鍵合材料不符合原廠信息及有關(guān)文件；
[0075]樣品的芯片粘接材料與相同生產(chǎn)廠家、相同型號(hào)、相同生產(chǎn)批產(chǎn)品不一致；
[0076]樣品的鍵合工藝與相同生產(chǎn)廠家、相同型號(hào)、相同生產(chǎn)批產(chǎn)品不一致；
[0077]樣品的鍵合材料與相同生產(chǎn)廠家、相同型號(hào)、相同生產(chǎn)批產(chǎn)品不一致；
[0078]鍵合絲斷絲或熔融；
[0079]封裝殼體內(nèi)部打磨痕跡；
[0080]芯片:
[0081]芯片版圖信息不符合原廠信息及有關(guān)文件；
[0082]芯片工藝不符合原廠信息及有關(guān)文件；
[0083]樣品的芯片版圖信息與相同生產(chǎn)廠家、相同型號(hào)、相同生產(chǎn)批產(chǎn)品不一致；
[0084]樣品的芯片工藝與相同生產(chǎn)廠家、相同型號(hào)、相同生產(chǎn)批產(chǎn)品不一致；
[0085]芯片的電應(yīng)力損傷，如擊穿、模塑化合物碳化等。
[0086]從上面所述可以看出，本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件物理特性分析方法，用明確、嚴(yán)謹(jǐn)?shù)脑囼?yàn)方法和判定依據(jù)，對(duì)半導(dǎo)體元器件的質(zhì)量控制提供了新的方法，彌補(bǔ)了國(guó)內(nèi)在此方面的空白；所述半導(dǎo)體器件物理特征分析(PFA)方法是通過(guò)一系列無(wú)損分析技術(shù)和有損分析技術(shù)，來(lái)驗(yàn)證半導(dǎo)體器件的標(biāo)識(shí)、材料、結(jié)構(gòu)、芯片版圖和制造質(zhì)量是否符合規(guī)定所進(jìn)行的一系列分析的全過(guò)程。
[0087]所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體器件物理特性分析方法，其特征在于，包括: 對(duì)半導(dǎo)體器件樣品進(jìn)行外部物理特征分析，所述外部物理特征包括引線(xiàn)、焊區(qū)、封裝殼體、封裝蓋帽、BGA封裝焊球、BGA封裝基板，其中任意一項(xiàng)出現(xiàn)瑕疵即判定為不合格，若均合格則進(jìn)行下一步； 通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體器件樣品的內(nèi)部工藝結(jié)構(gòu)在俯視方向和側(cè)視方向上分別照射X射線(xiàn)，分別得到半導(dǎo)體器件樣品的內(nèi)部工藝結(jié)構(gòu)在俯視方向和側(cè)視方向上的X射線(xiàn)照片，將其與半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)品的內(nèi)部工藝結(jié)構(gòu)的X射線(xiàn)照片進(jìn)行對(duì)比觀察，若引線(xiàn)框架形貌、芯片定位、芯片尺寸、引線(xiàn)鍵合定位、鍵合絲數(shù)量中任意一項(xiàng)不一致或出現(xiàn)鍵合絲斷絲，則判定為不合格，若均合格則進(jìn)行下一步； 利用聲學(xué)掃描顯微鏡對(duì)半導(dǎo)體器件樣品包封材料的密度進(jìn)行對(duì)比試驗(yàn)，若出現(xiàn)相同送檢批次樣品的模塑化合物密度明顯不一致、樣品模塑化合物密度不均勻或明顯異常、樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)不一致其中任意一種情況，貝1J判定為不合格，若均合格則進(jìn)行下一步； 對(duì)半導(dǎo)體器件樣品進(jìn)行外部物理特征耐溶劑試驗(yàn)，若樣品出現(xiàn)損壞現(xiàn)象、涂覆層出現(xiàn)脫落、褪色、起皮、抹掉其中之一的現(xiàn)象，則判定為不合格，若均合格則進(jìn)行下一步； 對(duì)半導(dǎo)體器件樣品進(jìn)行內(nèi)部工藝特征分析，若芯片粘接材料、鍵合工藝、鍵合材料、芯片版圖信息、芯片工藝其中之一不符合原廠信息或不一致或出現(xiàn)鍵合絲斷絲或熔融、封裝殼體內(nèi)部打磨痕跡、芯片電應(yīng)力損傷，則判定為不合格，若均合格，則該批次半導(dǎo)體器件判定為合格產(chǎn)品。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件物理特性分析方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件樣品的外部物理特征耐溶劑試驗(yàn)包括: 將半導(dǎo)體器件樣品浸入在室溫下的溶劑中； 浸泡至少20min ； 使用規(guī)定的刷子，以0.5N?0.6N的壓力將樣品重復(fù)刷十次； 其中，所述溶劑為有機(jī)溶劑，包括丙酮或無(wú)水乙二胺； 所述規(guī)定的刷子是一種牙刷，其柄由不與溶劑反應(yīng)的材料制成；刷子由硬質(zhì)長(zhǎng)毛制成，毛的自由端應(yīng)位于同一個(gè)水平面上；當(dāng)出現(xiàn)變軟、彎曲、磨損、掉毛的跡象時(shí)，更換刷子。
【文檔編號(hào)】G01N19/04GK104458753SQ201410613638
【公開(kāi)日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年11月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月4日
【發(fā)明者】賀嶠 申請(qǐng)人:航天科工防御技術(shù)研究試驗(yàn)中心